KR101144634B1 - 형광 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 광 방출면 상에 형광필름이 구비된 형광 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 전극패드를 피해 발광 적층물의 광 방출면에 부착될 수 있는 형광필름을 이용함으로써, 수지 내에서 형광물질이 불규칙하게 분포되는 우려를 없애고, 이에 의해, 균일한 색 혼합이 이루어진, 소망하는 색의 광을 구현할 수 있는 발광다이오드를 제공하는데 기술적 과제가 있다.

이를 위해, 본 발명에 따른 형광 발광다이오드는, 복수의 층들로 이루어지며, p-n 반도체 접합에 의해 활성화되는 영역을 포함하는 발광 적층물과, 상기 발광 적층물의 광 방출면에 형성되는 전극패드와, 형광물질이 포함된 수지로 형성되며, 상기 전극패드를 피해 상기 광 방출면에 부착된 형광필름을 포함한다.

형광필름, 형광물질, 발광다이오드, 전극패드, 발광 적층물, 수지

Description

형광 발광다이오드 및 그 제조방법{PHOSPHOR LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 형광 발광다이오드를 도시한 사시도.

도 2는 도 1에 도시된 형광 발광다이오드의 형광필름을 분해하여 도시한 사시도.

도 3 내지 도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 형광 발광다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 도면들.

도 7은 형광필름을 형광 발광다이오드의 광 방출면에 부착하는 열 인쇄 공정을 도시한 도면.

도 8 및 도 9는 서로 다른 시점에 형광필름을 발광다이오드의 발광 적층물에 부착하는 예들을 설명하기 위한 도면들.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광 발광다이오드를 도시한 도면.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

21: 기판 22: 제 1 도전성 반도체층

23: 활성 반도체층 24: 제 2 도전성 반도체층

25: 전극층 42: 전극패드

60: 형광필름

본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 광 방출면 상에 형광필름이 구비된 형광 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광다이오드는 p-n 반도체 접합이 이루어지는 활성 영역에서 전자와 정공이 서로 결합하는 것에 의해 광을 발하는 장치로서, 기판 상에 형성된 복수의 층으로 이루어진 발광 적층물을 포함한다. 이러한 발광 적층물은, n형 반도체층 및 p형 반도체층과, 그 반도체층들 사이에 개재되어 활성 영역을 형성하는 활성 반도체층을 포함한다. 이러한 발광다이오드는 기존 광원에 비해 저전압, 저전류로 연속 발광이 가능하고 작은 전력으로 큰 효율을 낼 수 있는 이점들을 갖는다.

위와 같은 발광다이오드 분야에 있어서, 형광물질을 이용하여 발광 적층물에서 나온 광 일부를 색 변환(또는, 파장 변환)하고, 그 색 변환된 일부의 광과 나머지 색 변환되지 않은 광을 혼합하는 방식으로 원하는 색, 특히, 백색의 광을 구현하는 기술이 공지되어 있다. 이와 같은 공지된 기술에서는, 액상 수지에 의해 몰딩 형성된 봉지재로 발광다이오드의 주변을 밀봉하기 전에, 그 액상 수지에 입자상의 형광물질을 혼합하는 방식이 주로 이용된다.

그러나, 형광물질은 액상 수지와의 비중 차이로 인해 그 액상 수지 내에서 불규칙하게 그리고 한편으로 치우쳐 분포되는데, 이와 같은 분포는 형광물질이 제 기능을 다하지 못하게 하므로, 소망하는 균일한 색의 광, 특히, 백색광을 구현하는 데 있어서 큰 저해가 되고 있다.

이에 대하여, 종래에는 형광물질이 포함된 액상 수지를 플립 칩 본딩 구조를 갖는 발광다이오드의 광 방출면에 도포하여 박막의 형광층을 발광다이오드의 광 방출면 상에 형성한 기술이 제안된 바 있으며, 이러한 기술은 US 6,642,652호, US 6,650,044호, US 6,744,077호에 개시되어 있다.

그러나, 개시된 종래의 기술은, 액상의 수지를 도포하는 방식에 의하므로, 전극패드가 광 방출면에 형성되는 가장 기본적인 구조의 발광다이오드에는 그 적용에 어려움이 있었다. 또한, 위 기술은, 형광물질이 포함된 봉지재를 이용하는 방식에 비해서는 나아졌지만, 비중 차이에 의해 형광물질이 액상 수지 내에 불규칙하게 분포되는 문제점은 여전히 안고 있다.

본 발명의 기술적 과제는, 전극패드를 피해 발광 적층물의 광 방출면에 부착될 수 있는 형광필름을 이용함으로써, 수지 내에서 형광물질이 불규칙하게 분포되는 우려를 없애고, 이에 의해, 균일한 색 혼합이 이루어진, 소망하는 색의 광을 구현할 수 있는 발광다이오드를 제공함에 있다.

본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드는, 복수의 층들로 이루어지며, p-n 반도체 접합에 의해 활성화되는 영역을 포함하는 발광 적층물과, 상기 발광 적층물의 광 방출면에 형성되는 전극패드와,형광물질이 포함된 수지로 형성되며, 상기 전극패드를 피해 상기 광 방출면에 부착된 형광필름을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 발광 적층물은 청색광을 발하도록 구성되고, 상기 형광필름은 황색 형광물질을 포함하는 황색 형광필름인 것이 바람직하다. 본 발명의 대안적인 실시예에 따라, 상기 발광 적층물은 청색광을 발하도록 구성되고, 상기 형광필름은 녹색 형광물질과 적색 형광물질을 포함하도록 구성될 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따라, 상기 발광 적층물은, 기판 상에 순서대로 형성되는 제 1 도전성 반도체층, 활성 반도체층, 제 2 도전성 반도체층 및 광투과성의 전극층으로 이루어지며, 상기 형광필름은 상기 전극층의 상면에 부착된다. 이때, 상기 발광 적층물은 상기 광 방출면 상의 전극패드와 상기 전극패드와 수직 반대되는 부분에 전기 접점이 형성되는 수직형 구조이거나, 발광 적층물의 층들 중 일부가 제거된 부분의 상면에 다른 전극패드가 형성되는 메사형 구조일 수 있다. 그리고, 상기 형광필름은 상기 전극패드의 주변으로 한정된 형상으로 상기 광 방출면에 부착되는 것이 바람직하다.

상기 형광물질은 아래의 [화학식 1]로 표시되는 실리케이트 형광체를 적어도 포함하는 것이 바람직하다.

a(M^ⅠO)?b(M^ⅡO)?c(M^ⅢX)?d(M^Ⅲ ₂O)?e(M^Ⅳ ₂O₃)?f(M^Ⅴ _oO_p)?g(SiO2)?h(M^Ⅵ _xO_y)

(여기에서, M^Ⅰ은 납(Pb) 및 구리(Cu)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; M^Ⅱ는 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 및 망간(Mn)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; M^Ⅲ는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 금(Au), 및 은(Ag)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; M^Ⅳ는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 및 인듐(In)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; M^Ⅴ는 게르마늄(Ge), 바나듐(V), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 및 하프뮴(Hf)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; M^Ⅵ는 비스무트(Bi), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 및 루테튬(Lu)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되고; X는 플로오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 성분으로 구성되며; 0<a≤2, 0<b≤8, 0≤c≤4, 0≤d≤2, 0≤e≤2, 0≤f≤2, 0<g≤10, 0<h≤5, 1≤o≤2, 1≤p≤5, 1≤x≤2, 및 1≤y≤5임)

본 발명의 다른 측면에 따라, p-n 반도체 접합에 의해 활성화되는 영역을 갖는 복수의 층들로 이루어진 발광 적층물을 형성하고, 상기 발광 적층물의 광 방출 면에 전극패드를 형성하고, 상기 전극패드를 피해, 형광물질이 포함된 수지로 형성된 형광필름을 상기 광 방출면에 부착하여 형광 발광다이오드를 제조하는 방법이 제공된다.

이때, 상기 형광필름을 상기 광 방출면에 부착하는 단계는, 복수의 발광 적층물들이 그것들의 베이스가 되는 웨이퍼 상에 위치한 상태에서 행해질 수 있다. 대안적으로, 상기 형광필름을 상기 광 방출면에 부착하는 단계는, 발광다이오드의 와이어 본딩 공정 직전에 행해질 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 상기 형광필름을 상기 광 방출면에 부착하는 단계는 상기 형광필름이 상기 전극패드 주변으로 한정되는 형상을 갖도록 열 인쇄 공정에 의해 이루어지며, 더욱 바람직하게는, 상기 열 인쇄 공정은, 베이스막, 열전이막, 그리고, 형광막이 연속 적층된 열 인쇄용 필름 적층물을 상기 광 방출면에 압착한 후, 상기 베이스막의 위쪽 일부 영역에 국부적으로 레이저빔을 조사하여 이루어진다.

실시예

도 1은 형광필름을 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1 발광다이오드를 형광필름이 분해된 상태로 도시한 사시도이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광다이오드(1)는, 기판(21) 상에 형성된 다수의 층들로 이루어진 발광 적층물(20)과, 상기 발광 적층 물(20)의 광 방출면의 일부 영역에 한정되어 형성된 전극패드(42)와, 상기 전극패드(42)를 피해 상기 광 방출면에 부착되는 형광필름(60)을 포함한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 상기 기판(21)도 상기 발광 적층물(20)의 일부인 것으로 정의한다.

상기 발광 적층물(20)은, 기판(21) 상에 차례대로 형성된 제 1 도전성 반도체층(22), 활성 반도체층(23), 제 2 도전성 반도체층(24)을 포함한다. 상기 활성 반도체층(23)은 제 1 도전성 반도체층(22)과 제 2 도전성 반도체층(24) 사이에서 p-n 반도체 접합에 의해 활성화되어 발광하는 활성 영역을 이룬다. 그리고, 상기 제 2 도전성 반도체층(24)의 상면에는 광 투과성의 전극층, 가장 바람직하게는, 투명 전극층(25)이 형성된다. 도시하지는 않았지만, 상기 기판(21)과 제 1 도전성 반도체층(22) 사이에는 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층이 형성될 수 있다.

본 실시예에서, 상기 제 1 도전성 반도체층(22)이 n형 반도체층이고, 제 2 도전성 반도체층(24)이 p형 반도체층이며, 상기 기판(21)은 예를 들면, SiC와 같은 도전성 기판으로 이루어진다. 이때, 기판이 절연성 소재인 경우, 그 기판을 제거하고, 도전성 물질, 특히, 금속을 기판이 제거된 부분에 층상으로 마련할 수도 있으며, 이 경우, n형 반도체층 상에 투명 전극층이 형성될 수 있다.

도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 상기 투명 전극층(25) 상의 일부 영역에는 금속 소재의 전극패드(42)가 형성된다. 이때, 상기 전극패드(42)의 크기는, 발광다이오드의 발광 영역 감소를 최대한으로 줄일 수 있도록, 전력 대비 효율이 크게 떨어지지 않는 범위 내에서 최소로 하는 것이 바람직하다.

상기 투명 전극층(25) 상에는 입자상의 형광물질이 포함된 형광필름(60)이 부착된다. 상기 형광필름(60)은, 발광다이오드(1)의 제조 전에 미리 제작 또는 준비되는 것으로, 수지재의 필름의 면 상에 형광물질이 형성되어 있을 수 있고, 또한, 수지재의 필름 내부에 형광물질이 개재되어 있을 수도 있다. 위의 두 경우 모두, 형광물질이 상기 형광필름(60)의 수지에 균일하게 분포된 상태로 유지되도록 하는 것이 바람직하다.

상기 형광필름(60)은, 전극패드(42)의 주변으로 한정되는 특정 형상 및 크기를 가져, 상기 전극패드(42)를 피해 상기 투명 전극층(25) 상에 부착될 수 있다. 상기 형광필름(60)은 발광 적층물(20)의 투명 전극층(25)의 상면, 즉, 광 방출면을 계면으로 하여, 그 광 방출면을 통해 나온 광 일부를 다른 색(즉, 다른 파장)의 광으로 변환시킨다. 따라서, 그 색 변환된 광들과 색 변환되지 않은 나머지 원래의 광들이 진행하면서 서로 혼합되어, 원하는 색, 특히, 백색광을 구현할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 발광 적층물(20)은 청색광을 발하는, GaN계의 반도체층들을 포함하며, 상기 형광필름(60)은 황색 형광물질을 포함하는 형광필름이거나, 또는, 적색 형광물질과 녹색 형광물질을 포함하는 형광필름일 수 있다. 전자(前者)의 경우, 발광 적층물(20)에서 나온 청색광과 상기 형광필름(60)의 황색 형광물질에 의해 색 변환된 황색광이 혼합되어 백색광이 구현되며, 후자(候者)의 경우, 발광 적층물(20)에서 나온 청색광과 상기 형광필름(60)의 녹색 형광물질 및 적색 형광물질에 의해 색 변환된 녹색광 및 적색광이 혼합되어 백색광이 구현될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 형광필름(60)은 하나의 단일층으로 이루어지지만, 복수 의 형광필름들을 층상으로 형성할 수도 있다.

이때, 상기 형광필름(60)에 포함되는 형광물질은 특정 계열 내지 특정 종류에 한정됨 없이 이용될 수 있지만, 국내특허공개 제 10-2005-0117165, 국내특허공개 제 10-2006-002844호, 국내특허공개 제10-2006-0028932호, 국내특허등록 제10-0601200호, 국내특허등록 제 10-0642786호 등에 개시된 것과 같은 녹색 내지 적색의 실리케이트(silicate) 형광체, 녹색 내지 황색의 티오갤레이트(thiogallage) 형광체, 적색의 설파이드(sulfide) 형광체가 이용되는 것이 바람직하다. 위 문헌들은 본 명세서의 일부로 병합된다.

도 3 내지 도 6은 전술한 형광 발광다이오드(1)의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.

도 3을 참조하면, 먼저 도전성의 기판(21) 상에 제 1 도전성 반도체층(22), 활성 반도체층(23), 그리고, 제 2 도전성 반도체층(24)이 차례대로 형성된다. 이때, 반도체층들(22, 23, 24)은 금속유기 화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 수소화물 기상 성장(HVPE) 방법으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층들(22, 23, 24)은 동일한 공정챔버 내에서 연속적으로 형성될 수 있다. 그 다음, 도 4에 도시된 것과 같이 상기 제 2 도전성 반도체층(24) 상에는 투명 전극층(25)이 형성되며, 이에 의해, 위 반도체층들(22, 23, 24)과 투명 전극층(25) 더 나아가서는 기판(21)을 포함하는 발광 적층물(20)이 준비된다.

도 5를 참조하면, 상기 투명 전극층(25) 상의 광 방출면의 일 영역에는 전극패드(42)가 형성된다. 상기 전극패드(42)는 포토레지스트(PR)을 이용하여 형성되는 것으로, 정해진 크기 및 정해진 형상의 개구부를 갖는 포토레지스트를 투명 전극층(25) 상에 형성한 후, 그 위에, 증착 또는 도금 공정을 수행하여, 개구부에 상응하는 전극패드(42)를 상기 투명 전극층(25) 상에 형성할 수 있다. 상기 전극패드(42)의 형성이 완료되면, 포토레지스트는 제거된다.

도 6을 참조하면, 형광필름(60)이 전극패드(42)를 피해 상기 투명 전극층(25)의 광 방출면에 부착된다. 이때, 상기 형광필름(60)은 전극패드(42)를 피하도록 그 전극패드(42)의 주변으로 한정되는 크기 및 형상으로 이루어진다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 상기 형광필름(60)은, 도 7을 참조로 하여 이하에서 설명되는 열 인쇄 공정에 의해, 상기 광 방출면에 부착된다.

도 7은 형광필름(60)을 발광 적층물(20)의 일면, 가장 바람직하게는, 투명 전극층(25) 상의 광 방출면 상에 형성하는 열 인쇄공정을 도시하는 도면이다.

도 7을 참조하면, 베이스 필름(2), 열전이 필름(4), 그리고, 형광필름(60)이 연속 적층된 열 인쇄용 필름 적층물(F)을 투명 전극층(25) 상에 압착한 후, 그 베이스 필름(2) 위쪽 일부 영역에 국부적으로 레이저빔을 조사한다. 이때, 레이저빔은 열전이 필름(4)에 의해 열로 전이된다. 그 전이된 열에 의해 형광 필름(60)의 일부가 투명 전극층(25) 상의 광 방출면에 부착된다. 이때, 레이저 빔의 형상 및 크기를 조절함으로써 원하는 크기 및 형상의 형광필름(60)을 상기 투명 전극층(25) 상에 형성할 수 있다.

상기 형광필름(60)은, 복수의 발광 적층물들이 그것들의 베이스가 되는 웨이퍼 상에 위치한 상태에서 발광 적층물에 부착될 수 있고, 이와 달리, 웨이퍼로부터 나뉘어진 각 발광다이오드에 대하여 와이어 본딩 공정 직전에 부착될 수 있다. 도 8은 전자(前者)의 경우를 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 후자(候者)의 경우를 설명하기 위한 도면이다.

도 8을 참조하면, 예를 들면, 일부가 이후의 공정에서 기판이 되는 원형의 웨이퍼(20')가 도시되어 있다. 그 웨이퍼(20') 상에는 복수의 발광 적층물들(20)이 형성된다. 이때, 웨이퍼(20')로부터 분리된 부분들이 각 발광 적층물(20)들의 기판이 되므로, 상기 복수의 발광 적층물(20)은 기판을 포함하고 있는 것으로 간주한다. 도 8의 확대도를 참조하면, 각 발광 적층물의 상부면, 즉, 투명 전극층(25) 상에는 형광필름(60)이 부착되어 있다. 이때, 상기 형광필름(60)은 전극패드(42)를 피해 형성되며, 이를 위해, 발광 적층물에 부착되는 형광필름(60)은 전극패드(42)를 피하는, 즉, 전극패드(42) 주변으로 국한되는 형상 및 크기를 갖는다.

참고로, 전술한 바 있는 열 인쇄 방식으로 도 8에 도시된 상태의 발광 적층물(20)들에 형광필름(60)을 부착하고자 하는 경우, 전극패드(42)의 돌출된 형상에 의해 필름 적층물(F)의 압착이 방해받을 수도 있지만, 전극패드(42)의 돌출 높이가 그다지 크지 않고, 필름 적층물(F)은 어느 정도 변형이 가능한 소재라는 점에서, 그 필름 적층물(F)의 압착 및 그 이후 이루어지는 열 인쇄 공정이 가능하다. 이때, 필름 적층물(F)를 일정 형상으로 미리 재단하는 것이 고려될 수 있고, 다수의 레이저 빔을 한번에 이용하는 것도 고려될 수 있다.

도 9는 와이어 본딩 공정 직전에 형광필름(60)을 부착하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 도면으로, 도 9를 참조하면, 발광다이오드(1)는 두개의 패턴 전 극(5a, 5b)을 포함하는 외부의 인쇄회로기판(5)에 장착되어 있다. 도 9의 상태는 패턴전극과 발광다이오드(1)의 전극패드(42) 사이의 본딩 와이어 공정이 수행되기 직전의 상태이며, 이와 같이, 발광다이오드(1)가 인쇄회로기판(5)에 장착되고 본딩 와이어 공정이 수행되기 전에 상기 발광다이오드(1)의 광 방출면 상에 형광필름(60)이 부착될 수 있다. 그리고, 이러한 상태에서의 형광필름(60) 부착에도 전술한 열 인쇄 공정이 이용된다.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광 발광다이오드를 도시한 단면도이다. 도 10에 도시된 형광 발광다이오드(1)는 기판(21) 상에 제 1 도전성 반도체층(22), 활성 반도체층(23), 제 2 도전성 반도체층(24) 및 투명 전극층(25)이 차례대로 형성되어 이루어지되, 제 1 도전성 반도체층(22)의 일부 영역 상에서 활성 반도체층(23)과 제 2 도전성 반도체층(24), 그리고, 투명 전극층(25)이 제거된 메사(mesa)형 구조로 이루어져 있다. 위 층들이 제거되어 노출된 제 1 도전성 반도체층(22) 상에는 투명 전극층(25) 상의 전극패드(42)와 한 세트를 이루는 다른 전극패드(44)가 형성된다. 이 경우에도, 형광필름(60)은 투명 전극층(25) 상의 전극패드(42)를 피해, 그 투명 전극층(25), 즉 발광 적층물의 광 방출면 상에 부착된다.

이상에서는 본 발명이 특정 실시예들을 중심으로 하여 설명되었지만, 본 발명의 취지 및 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 변형, 변경 또는 수정이 당해 기술분야에서 있을 수 있으며, 따라서, 전술한 설명 및 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어져야 한다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 발광다이오드의 광 방출면에 부착되는 형광필름에 의해, 소망하는 색의 광, 특히, 백색광을 균일하게 구현하는 색 혼합이 가능하다. 또한, 전극패드가 광 방출면에 위치하는 가장 일반적인 구조의 발광다이오드의 광 방출면에 보다 용이하게 형광물질을 포함하는 형광필름을 부착 형성할 수 있다.

Claims (17)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 기판상에 제 1 도전성 반도체층, 제 2 도전성 반도체층 및 그 사이에 개재된 활성 반도체층을 포함하는 발광 적층물을 형성하는 단계;

    상기 발광 적층물의 광 방출면에 전극패드를 형성하는 단계; 및

    상기 전극패드 이외의 광 방출면에 형광필름을 형성하는 단계를 포함하며,

    상기 형광필름을 형성하는 단계는 상기 전극패드 이외의 부분에 배치될 수 있는 형상으로 미리 재단된 형광필름을 광 방출면에 부착하는 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 제 10 항에 있어서,

    상기 형광필름을 형성하는 단계는 복수의 발광 적층물들이 그것들의 베이스가 되는 웨이퍼 상에 위치한 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.
14. 제 10 항에 있어서,

    상기 형광필름을 형성하는 단계는 상기 형광 발광다이오드의 와이어 본딩 공정 직전에 행해지는 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.
15. 제 10 항에 있어서,

    상기 형광필름을 형성하는 단계는 상기 형광필름이 상기 전극패드 이외의 부분에 형성될 수 있도록 열 인쇄 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.
16. 제 10 항에 있어서,

    상기 형광필름은 수지재의 필름의 면상에 형광물질이 형성된 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.
17. 제 10 항에 있어서,

    상기 형광필름은 수지재의 필름 내부에 형광물질이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 발광다이오드 제조방법.

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