KR101516287B1 - 형광층 배치 방법 - Google Patents

형광층 배치 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101516287B1
KR101516287B1 KR1020130114960A KR20130114960A KR101516287B1 KR 101516287 B1 KR101516287 B1 KR 101516287B1 KR 1020130114960 A KR1020130114960 A KR 1020130114960A KR 20130114960 A KR20130114960 A KR 20130114960A KR 101516287 B1 KR101516287 B1 KR 101516287B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluorescent layer
fluorescent
layer pattern
phosphor
vertical frame
Prior art date
Application number
KR1020130114960A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150034954A (ko
Inventor
조병구
민재식
장재영
이재엽
Original Assignee
(주)라이타이저코리아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)라이타이저코리아 filed Critical (주)라이타이저코리아
Priority to KR1020130114960A priority Critical patent/KR101516287B1/ko
Priority to US14/166,946 priority patent/US9023671B2/en
Publication of KR20150034954A publication Critical patent/KR20150034954A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101516287B1 publication Critical patent/KR101516287B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 수직 프레임과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비를 준비하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에 이격하여 발광 다이오드를 위치시키는 단계 및 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에서 하방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체가 상기 형광층 패턴 홀에서 하방의 수직방향으로 이탈하여 상기 발광 다이오드의 상면에 배치되는 단계를 포함하는 형광층 배치 방법을 제공한다.

Description

형광층 배치 방법{Method for Positioning Fluorescent Layer}
본 발명은 형광층 배치 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 형광층을 분리하여 발광 다이오드의 상면에 배치시키는 경우에 형광물질이 파손되는 것을 억제하면서도 효과적으로 원하는 위치에 형광층을 배치시킬 수 있는 형광층 배치 방법에 관한 것이다.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 형광층을 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 상술한 장점으로 인하여 자동차 조명, 교통 신호등, 액정 표시 장치의 BLU(Back Light Unit) 등에 이용되고 있다.
최근에, 인공 광원에서 측정된 색좌표가 인간의 눈으로 보았을 때의 색좌표와 동일한 것인지를 평가하는 지표로서 MacAdam Rule이 제시되었다. 이러한 MacAdam Rule은 4 단계 기준을 제공하고 있다. 미주 지역에서는 MacAdam Rule의 3 단계 기준에 부합되지 못하는 인공 광원은 판매가 허가되지 않고 있는 실정이다. MacAdam Rule의 3 단계를 만족시키기 위해서는 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 매우 중요하다.
한편, 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에는 수지재의 필름 면 상에 형광물질이 형성되어 있는 형광필름이 게시되어 있으며, 상술한 형광필름을 발광 다이오드의 상면에 배치시키기 위해서는 형광필름을 분리하거나 절취하는 과정이 필요하다. 상술한 형광필름을 분리하거나 절취하는 경우에 형광물질과 수지재의 필름 사이에 정전기력(Electrostatic force)이나 접착력(Adhesive force)으로 인하여 형광물질이 파손되거나 발광 다이오드의 상면에 효과적으로 배치되지 않아서 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 매우 어려웠다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 형광층을 분리하여 발광 다이오드의 상면에 배치시키는 경우에 형광물질이 파손되는 것을 억제하면서도 효과적으로 원하는 위치에 형광층을 배치시킬 수 있는 형광층 배치 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 형광층 배치 방법은 수직 프레임과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비를 준비하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에 이격하여 발광 다이오드를 위치시키는 단계 및 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에서 하방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체가 상기 형광층 패턴 홀에서 하방의 수직방향으로 이탈하여 상기 발광 다이오드의 상면에 배치되는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 형광층 배치 방법은, 상기 형광체가 상기 발광 다이오드의 상면에 배치되는 단계에서, 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에서 하방의 수직방향으로 가해지는 힘은 하부면이 평평한 물체에 의해서 전달될 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광층 배치 방법은 수직 프레임과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비를 준비하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조하는 단계, 상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에 이격하여 상방 가이더를 위치시키며, 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에 이격하여 진공 척을 위치시키는 단계, 상기 상방 가이더에 의해서 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에서 상방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체가 상기 형광층 패턴 홀에서 상방의 수직방향으로 이탈하여 상기 진공 척의 하면에 놓이는 단계, 상기 진공 척의 하면에 놓여 있는 형광체를 상기 진공 척이 소정의 압력 이하로 유지되어 상기 형광체가 상기 진공 척의 하면에 흡착되는 단계 및 상기 진공 척의 하면에 흡착되어 있는 형광체를 이동시켜 발광 다이오드의 상면에 배치시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 형광층 배치 방법은, 상기 상방 가이더의 상부면가 평평할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 형광층 배치 방법은 수지재의 필름 면 상에 형광물질이 형성되지 아니하고, 수직 프레임 영역 내에 형성되어 있는 형광층 패턴 홀에 형광 물질 용액을 채워서 제조된 형광층을 단지 하방의 수직방향으로 힘을 가하여 분리함으로써 형광물질과 수지재의 필름 사이에 발생되는 정전기력이나 접착력을 효과적으로 차단할 수 있으므로, 형광물질이 파손되지 않고 원하는 위치의 발광 다이오드의 상면에 배치될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광층 배치 방법은 수지재의 필름 면 상에 형광물질이 형성되지 아니하고, 수직 프레임 영역 내에 형성되어 있는 형광층 패턴 홀에 형광 물질 용액을 채워서 제조된 형광층을 단지 상방의 수직방향으로 힘을 가하여 분리하고, 진공 척을 이용하여 흡착함으로써, 형광물질과 수지재의 필름 사이에 발생되는 정전기력이나 접착력을 효과적으로 차단할 수 있으므로, 형광물질이 파손되지 않고 원하는 위치의 발광 다이오드의 상면에 배치될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 형광층 배치 방법에 사용되는 형광층 제조 장비의 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 형광층 배치 방법에 사용되는 형광층 제조 장비의 사시도.
도 3은 도 2의 형광층 제조 장비에 형광층이 제조된 것이 도시된 사시도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 형광층 배치 방법의 세부 단계들을 설명하기 위한 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광층 배치 방법의 세부 단계들을 설명하기 위한 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들에 따른 형광층 배치 방법에 사용되는 형광층 제조 장비는 도 1 또는 도 2에 도시된 것처럼, 수직 프레임(1100) 및 상기 수직 프레임(1100)의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임(1100)의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)을 다수로 포함하는 구성될 수 있다.
여기에서, 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)은 각각 패드 전극의 형상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 1 또는 도 2에 도시된 것처럼, 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)의 상부 좌측과 상부 우측에 각각 사각형의 형상이 포함됨으로써, 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 각각 형광 물질 용액이 채워져서 형광층이 제조되면, 형광층의 상부 좌측과 상부 우측에 패드 전극이 배치될 수 있다.
한편, 다수의 형과층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에는 도 1 또는 도 2에 도시된 것처럼, 상부 좌측과 상부 우측에 반드시 패드 전극의 형상이 포함될 필요는 없으며, 필요에 따라서 상부 중앙, 하부 좌측, 하부 중앙, 하부 우측 등 다양한 위치에 패드 전극의 형상이 포함될 수 있다.
또한, 다수의 형과층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에는 도 1 또는 도 2에 도시된 것처럼, 사각형의 패드 전극만이 포함될 필요는 없으며, 필요에 따라서, 원형, 삼각형, 오각형, 육각형 등 다양한 전극 패드의 형상이 포함될 수 있다.
여기에서, 상기 수직 프레임(1100)은 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄, SUS(Steel Use Stainless) 등의 비투과성 금속 물질이나 실리콘, 실리콘 옥사이드 등 비투과성 절연 물질로 형성될 수 있다. 상술한 것처럼, 수직 프레임(1100)을 빛이 투과되지 않은 비투과성 물질로 형성하면, 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 건조되어 있는 형광층을 그대로 발광 다이오드의 상부에 위치시킨 후에 발광 다이오드에서 발광되는 빛을 형광층에 투과시켜 형광층을 통과한 빛의 특성을 테스트를 수행하는 경우에 발광 다이오드에서 발광되는 빛이 수직 프레임(1100)에는 투과되지 아니하고, 형광층에만 투과되므로, 후술하는 테스트를 효과적으로 수행할 수 있다.
한편, 상기 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에는 1,000 cP ~ 300,000 cP 정도의 점도를 가지는 형광 물질 용액이 채워져서 형광층이 제조될 수 있다. 상술한 정도의 점도를 가지는 형광 물질 용액을 이용하는 경우에 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 각각 형광 물질 용액이 효과적으로 유지될 수 있으므로, 형광층의 수율이 안정적으로 유지될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예들에 따른 형광층 배치 방법에 사용되는 형광층 제조 장비를 이용하여 형광층을 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
먼저, 발광 다이오드가 제공하는 빛의 파장을 변이시켜 발광 다이오드가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광체, 실리콘, 필러(Filler) 등이 포함되어 있는 형광 물질 용액으로 다수의 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 각각 채운다.
다음으로, 상기 형광 물질 용액으로 채워진 수직 프레임(1100)의 상부와 하부를 각각 평탄화한다.
다음으로, 상기 형광 물질 용액으로 채워진 수직 프레임(1100)을 50℃ ~ 200℃의 온도에서 5분 ~ 100 분 정도 베이킹하여 건조하면, 도 3에 도시된 것처럼, 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 형광층(11 내지 14, 21 내지 24, 31 내지 34, 41 내지 44)이 위치한다.
다음으로, 형광층 패턴 홀(1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144)에 건조되어 있는 형광층(11 내지 14, 21 내지 24, 31 내지 34, 41 내지 44)을 그대로 발광 다이오드의 상부에 위치시킨 후에 발광 다이오드에서 발광되는 빛을 형광층(11 내지 14, 21 내지 24, 31 내지 34, 41 내지 44)에 투과시켜 형광층을 통과한 빛의 특성을 테스트한다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 형광층 배치 방법에 대해서 설명한다.
먼저, 상술한 것처럼, 수직 프레임(1100)과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비(1000)를 준비한다.
다음으로, 상술한 것처럼, 형광층 제조 장비(1000)의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조한다.
다음으로, 도 4a에 도시된 것처럼, 형광층 제조 장비(1000)의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 하부에 이격하여 발광 다이오드(1300)를 위치시킨다.
다음으로, 도 4b에 도시된 것처럼, 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 상부에서 하방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체(11)가 상기 형광층 패턴 홀(1111)에서 하방의 수직방향으로 이탈하여 상기 발광 다이오드(1300)의 상면에 배치된다. 여기에서, 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 상부에서 하방의 수직방향으로 가해지는 힘은 하부면이 평평한 하방 가이더(1200)에 의해서 전달될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 형광층 배치 방법에 대해서 설명한다.
먼저, 상술한 것처럼, 수직 프레임(1100)과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비(1000)를 준비한다.
다음으로, 상술한 것처럼, 형광층 제조 장비(1000)의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조한다.
다음으로, 도 5a에 도시된 것처럼, 형광층 제조 장비(1000)의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 하부에 이격하여 상방 가이더(2200)를 위치시키며, 상기 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 상부에 이격하여 진공 척(2400)을 위치시킨다.
다음으로, 도 5b에 도시된 것처럼, 상방 가이더(2200)에 의해서 상기 형광층 패턴 홀(1111)에 존재하는 형광체(11)의 하부에서 상방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체(11)가 상기 형광층 패턴 홀(1111)에서 상방의 수직방향으로 이탈하여 상기 진공 척(2400)의 하면에 놓인다. 여기에서, 상방 가이더(2200)는 상부면이 평평한 것이 사용될 수 있다.
다음으로, 도 5c에 도시된 것처럼, 상기 진공 척(2400)의 하면에 놓여 있는 형광체를 상기 진공 척이 소정의 압력 이하로 유지되어 상기 형광체(11)가 상기 진공 척(2400)의 하면에 흡착된다.
다음으로, 도 5d에 도시된 것처럼, 진공 척(2400)의 하면에 흡착되어 있는 형광체(11)를 이동시켜 발광 다이오드(2300)의 상면에 배치시킨다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
1000 : 형광층 제조 장비
1100 : 수직 프레임
1200 : 하방 가이더
1300, 2300 :발광 다이오드
2200 : 상방 가이더
2400 : 진공 척
11 내지 14, 21 내지 24, 31 내지 34, 41 내지 44 : 형광층
1111 내지 1114, 1121 내지 1124, 1131 내지 1134, 1141 내지 1144 : 형과층 패턴 홀

Claims (4)

  1. 수직 프레임과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비를 준비하는 단계;
    상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조하는 단계;
    상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에 이격하여 발광 다이오드를 위치시키는 단계; 및
    상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에서 하방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체가 상기 형광층 패턴 홀에서 하방의 수직방향으로 이탈하여 상기 발광 다이오드의 상면에 배치되는 단계를 포함하며,
    상기 형광층을 제조하는 단계에서, 상기 형광층 물질 용액의 점도는 1,000 cP ~ 300,000 cP 이고,
    상기 형광층제조 장비를 준비하는 단계에서, 상기 수직 프레임은 빛이 투과되지 않은 비투과성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 형광층 배치 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형광체가 상기 발광 다이오드의 상면에 배치되는 단계에서,
    상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에서 하방의 수직방향으로 가해지는 힘은 하부면이 평평한 물체에 의해서 전달되는 것을 특징으로 하는 형광층 배치 방법.
  3. 수직 프레임과, 상기 수직 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수직 프레임의 수직 방향으로 형광층 패턴의 형상이 관통되어 뚫려 있는 형광층 패턴 홀을 다수로 포함하는 형광층 제조 장비를 준비하는 단계;
    상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 각각에 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 형광층 물질 용액을 채운 후에 상기 채워진 형광층 물질 용액을 건조시켜 형광층을 제조하는 단계;
    상기 형광층 제조 장비의 다수의 형광층 패턴 홀 중 어느 하나의 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에 이격하여 상방 가이더를 위치시키며, 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 상부에 이격하여 진공 척을 위치시키는 단계;
    상기 상방 가이더에 의해서 상기 형광층 패턴 홀에 존재하는 형광체의 하부에서 상방의 수직방향으로 힘이 가해짐으로써 상기 형광체가 상기 형광층 패턴 홀에서 상방의 수직방향으로 이탈하여 상기 진공 척의 하면에 놓이는 단계;
    상기 진공 척의 하면에 놓여 있는 형광체를 상기 진공 척이 소정의 압력 이하로 유지되어 상기 형광체가 상기 진공 척의 하면에 흡착되는 단계; 및
    상기 진공 척의 하면에 흡착되어 있는 형광체를 이동시켜 발광 다이오드의 상면에 배치시키는 단계를 포함하며,
    상기 형광층을 제조하는 단계에서, 상기 형광층 물질 용액의 점도는 1,000 cP ~ 300,000 cP 이고,
    상기 형광층제조 장비를 준비하는 단계에서, 상기 수직 프레임은 빛이 투과되지 않은 비투과성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 형광층 배치 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상방 가이더의 상부면이 평평한 것을 특징으로 하는 형광층 배치 방법.
KR1020130114960A 2013-09-27 2013-09-27 형광층 배치 방법 KR101516287B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114960A KR101516287B1 (ko) 2013-09-27 2013-09-27 형광층 배치 방법
US14/166,946 US9023671B2 (en) 2013-09-27 2014-01-29 Method of disposing phosphor layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114960A KR101516287B1 (ko) 2013-09-27 2013-09-27 형광층 배치 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150034954A KR20150034954A (ko) 2015-04-06
KR101516287B1 true KR101516287B1 (ko) 2015-05-04

Family

ID=52740542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114960A KR101516287B1 (ko) 2013-09-27 2013-09-27 형광층 배치 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9023671B2 (ko)
KR (1) KR101516287B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017533476A (ja) * 2014-10-02 2017-11-09 ライタイザー コリア カンパニー リミテッド 蛍光層の配置方法
KR20170053750A (ko) * 2015-09-25 2017-05-17 (주)라이타이저코리아 삼차원 형광층 제조 장비
JP7235466B2 (ja) * 2018-01-26 2023-03-08 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ランタノイド化合物、ランタノイド含有薄膜、および該ランタノイド化合物を用いたランタノイド含有薄膜の成膜方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101144634B1 (ko) 2007-01-25 2012-05-08 서울반도체 주식회사 형광 발광다이오드 및 그 제조방법
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR20110051769A (ko) 2009-11-11 2011-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR101253586B1 (ko) 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
US8828759B2 (en) * 2011-12-06 2014-09-09 Cooledge Lighting Inc. Formation of uniform phosphor regions for broad-area lighting systems

Also Published As

Publication number Publication date
US9023671B2 (en) 2015-05-05
KR20150034954A (ko) 2015-04-06
US20150093843A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI553900B (zh) 半導體發光元件
KR102070096B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 구비하는 조명 장치
EP2479812A3 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method
KR20140099399A (ko) 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
WO2013019534A3 (en) Light emitting die (led) lamps, heat sinks and related methods
CN104364920B (zh) 光源装置以及照明装置
KR101516287B1 (ko) 형광층 배치 방법
KR20150019838A (ko) 조명 장치
CN212659557U (zh) 一种显示可见光的紫外led灯珠
TW201538887A (zh) 發光二極體組件及應用此發光二極體組件的發光二極體燈泡
KR20160014896A (ko) 광원 모듈
KR20130023841A (ko) 색 온도 제어가 가능한 발광 소자 패키지
KR101423387B1 (ko) Ｌｅｄ 조명 장치를 위한 코팅된 디퓨저 캡
KR101457474B1 (ko) 형광층 제조 장비
KR101724703B1 (ko) 렌즈 패턴이 형성된 화이트 발광용 칩 패키지
JP2014082404A (ja) 発光装置
CN203500923U (zh) 发光模块
JP2017533476A (ja) 蛍光層の配置方法
US20130169144A1 (en) Led package structure capable of adjusting the spatial color uniformity and the light distribution curve
US20130228811A1 (en) Light source device having light emitting diode
KR101616474B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20170324003A1 (en) Light-emitting device package
KR101125348B1 (ko) 라이트 유닛
CN203225278U (zh) 一种led光源
CN107994110B (zh) 一种led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180423

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190423

Year of fee payment: 5