JP6543670B2 - 電解質膜の膜厚測定方法及びその装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電解質膜・電極構造体を構成する電解質膜の膜厚を測定する電解質膜の膜厚測定方法及びその装置に関する。
燃料電池の単位セルは、電解質膜・電極接合体を１組のセパレータで挟持することで構成される。ここで、電解質膜・電極接合体は、アノード電極及びカソード電極と、これらアノード電極とカソード電極に挟まれた固体高分子からなる電解質膜とを有する。アノード電極及びカソード電極は、それぞれ、金属触媒を含む電極触媒層と、該電極触媒層に隣接するガス拡散層とを有し、この中の電極触媒層が前記電解質膜に臨む。
電解質膜の膜厚は、通常、メーカーが公称膜厚として公表している。しかしながら、例えば、カソード電極のガス拡散層と電極触媒層との間に異物が侵入したとき、電極触媒層における侵入部位の近傍が歪んでアノード電極の電極触媒層に近接する。このため、この部分においては、電解質膜の実膜厚が局所的に公称膜厚よりも小さくなる。このような電解質膜を有する電解質膜・電極構造体を用いて燃料電池を構成すると、短絡が起こる懸念がある。そこで、膜厚が局所的に小さくなった部位が存在するものを除去するべく、セパレータで挟持される前の電解質膜・電極接合体における電解質膜の膜厚を測定することが想起される。
膜厚を測定する測定装置としては、特許文献１に記載のライトマチック（ミツトヨ社製）等の接触式測定計が知られている。すなわち、測定対象の表面と裏面に接触した接触子同士の距離から、該測定対象の厚みを求めるものである。しかしながら、この場合において測定されるのはアノード電極、電解質膜及びカソード電極の合計厚みであり、電解質膜の厚みを評価することはできない。
その他、特許文献２に記載されるように走査型電子顕微鏡を用いて電解質膜の膜厚を測定することも知られている。この場合、観察視野に現れた電解質膜・電極構造体中の電解質膜の見掛け膜厚と倍率に基づき、電解質膜の膜厚を算出することができる。
走査型電子顕微鏡にて膜厚を評価するには、電解質膜・電極構造体から試料片を切り出さなければならない。すなわち、いわゆる破壊検査となる。試料片が切り出された電解質膜・電極構造体は一部が消失した状態となっているため、これを用いて単位セルを構成することはできない。換言すれば、走査型電子顕微鏡を用いた場合、実際に使用する電解質膜の膜厚を測定することができない。
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、電解質膜・電極構造体中の電解質膜の膜厚を非破壊検査によって測定することが可能であり、しかも、電解質膜の膜厚を測定した後の電解質膜・電極構造体を実使用することが可能な電解質膜の膜厚測定方法及びその装置を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は、固体高分子からなる電解質膜を、金属触媒を含む第１電極触媒層を有する第１電極と、金属触媒を含む第２電極触媒層を有する第２電極で挟むことで構成される電解質膜・電極構造体における前記電解質膜の膜厚を測定する電解質膜の膜厚測定方法であって、
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信し、検出信号の厚み方向プロファイルを得る工程と、
前記厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から解析手段により該厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求め、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する工程と、
を有することを特徴とする。
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信し、検出信号の厚み方向プロファイルを得る工程と、
前記厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から解析手段により該厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求め、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明は、固体高分子からなる電解質膜を、金属触媒を含む第１電極触媒層を有する第１電極と、金属触媒を含む第２電極触媒層を有する第２電極で挟むことで構成される電解質膜・電極構造体における前記電解質膜の膜厚を測定する電解質膜用膜厚測定装置であって、
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信する検出媒体発信部と、
前記金属触媒を検出する検出部と、
前記検出部で生成された検出信号の厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から前記厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求めるとともに、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する解析手段と、
を備えることを特徴とする。
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信する検出媒体発信部と、
前記金属触媒を検出する検出部と、
前記検出部で生成された検出信号の厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から前記厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求めるとともに、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する解析手段と、
を備えることを特徴とする。
このように、本発明においては、電解質膜・電極構造体中の金属触媒を、検出媒体を用いて先ず検出し、そのときに得られた検出信号の厚み方向プロファイルに基づいて電解質膜の膜厚を求めるようにしている。すなわち、この場合、非破壊検査によって膜厚を測定することができる。従って、電解質膜・電極構造体中に異物が侵入しているか否かを判断するべく膜厚を測定した後の電解質膜・電極構造体を用いて燃料電池を構成することができるので、短絡が起こることを抑制することができる。
この構成では、検出媒体発信部及び検出部を電解質膜・電極構造体の面方向に沿って相対的に走査させる走査手段を設けることが好ましい。この場合、検出媒体発信部及び検出部を電解質膜・電極構造体の面方向に対して相対的に変位させることで、電解質膜・電極構造体の複数部位の膜厚を連続的に測定することが容易となる。
検出媒体発信部は、検出媒体として、焦点径が電解質膜の公称膜厚よりも小さいものを発信することが好ましい。この場合、検出信号に第１変曲点、第２変曲点が明確に現れるようになるので、膜厚を高精度に評価することができるようになるからである。
検出媒体発信部の好適な具体例としては、Ｘ線を検出媒体として放射するＸ線放射部が挙げられる。この場合、Ｘ線が当たった金属触媒は蛍光を発する。検出部がこの蛍光を受けて検出信号を生成することにより、上記した評価が実施される。
本発明によれば、電解質膜・電極構造体中の金属触媒を検出媒体によって検出するとともに、そのときに得られた検出信号の厚み方向プロファイルにおける強度に基づいて求められた厚み方向プロファイル中の第１変曲点と第２変曲点から、電解質膜の膜厚を求めるようにしている。すなわち、この場合、非破壊検査によって膜厚を測定することができる。
従って、電解質膜・電極構造体中に異物が侵入しているか否かを判断するべく膜厚を測定した後の電解質膜・電極構造体を用いて燃料電池を構成することができる。これにより、該燃料電池にて短絡が起こることを抑制することができる。
以下、本発明に係る電解質膜の膜厚測定方法につき、それを実施するための電解質膜用膜厚測定装置との関係で好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では、解質膜用膜厚測定装置、電解質膜・電極構造体のそれぞれを、「膜厚測定装置」、「ＭＥＡ」と表記することがある。
はじめに、図１を参照してＭＥＡ１０につき説明する。ＭＥＡ１０は、アノード電極１２（第１電極）と、カソード電極１４（第２電極）と、これらアノード電極１２とカソード電極１４との間に介挿された電解質膜１６とを有する。図１では、アノード電極１２が上方、カソード電極１４が下方に位置した状態を示しているが、反対であってもよいことは勿論である。
アノード電極１２は、電解質膜１６に隣接する第１電極触媒層１８と、この第１電極触媒層１８の外方に位置する第１ガス拡散層２０とを有する。第１電極触媒層１８は、水素が電離してプロトンとなるアノード側反応を促進するための金属触媒がイオン伝導性高分子バインダを介して結合されることで形成されている。金属触媒の代表例としては、Ｐｔ（白金）やＰｄ（パラジウム）、又はそれらの合金等の白金族が挙げられる。
なお、上記したような金属触媒をカーボンブラック等に担持したものを、イオン伝導性高分子バインダを介して結合することで第１電極触媒層１８を形成するようにしてもよい。また、アノード側反応は下記の式（１）の通りである。
Ｈ2 → ２Ｈ+ ＋ ２ｅ …（１）
ここで、ｅは電子を表す。
Ｈ2 → ２Ｈ+ ＋ ２ｅ …（１）
ここで、ｅは電子を表す。
第１ガス拡散層２０は、カーボンペーパ又はカーボンクロス等のカーボン素材から形成される。燃料電池を運転するとき、第１ガス拡散層２０には、燃料ガス（例えば、水素ガス）が供給される。この燃料ガスに含有される水素が第１電極触媒層１８に到達し、上記のアノード側反応に関与する。
カソード電極１４は、アノード電極１２と同様に構成され、電解質膜１６に隣接する第２電極触媒層２２と、該第２電極触媒層２２の外方に位置する第２ガス拡散層２４とを有する。第２電極触媒層２２は、酸素、プロトン及び電子が結合して水を生成するカソード側反応を促進するための金属触媒がイオン伝導性高分子バインダを介して結合されることで形成されている。金属触媒の代表例としては、第１電極触媒層１８と同様にＰｔ、Ｐｄ又はそれらの合金等の白金族が挙げられる。このような金属触媒をカーボンブラック等に担持したものを、イオン伝導性高分子バインダを介して結合することで第２電極触媒層２２を形成するようにしてもよい。
第２ガス拡散層２４は、第１ガス拡散層２０と同様にカーボンペーパ又はカーボンクロス等から形成される。燃料電池を運転するとき、第２ガス拡散層２４には、酸素を含有する酸化剤ガス（例えば、圧縮空気）が供給される。この酸化剤ガスが第２電極触媒層２２に到達し、カソード側反応に関与する。なお、カソード側反応は下記の式（２）の通りである。
４Ｈ+ ＋ ４ｅ ＋ Ｏ2 → ２Ｈ2Ｏ …（２）
４Ｈ+ ＋ ４ｅ ＋ Ｏ2 → ２Ｈ2Ｏ …（２）
電解質膜１６は、プロトン伝導性を示す固体高分子からなる。この種の固体高分子の好適な例としては、パーフルオロスルホン酸ポリマーが挙げられる。第１電極触媒層１８で生成したプロトンは、この電解質膜１６を経由して第２電極触媒層２２に移動する。
次に、図２を参照し、本実施の形態に係る膜厚測定装置につき説明する。
図２は、本実施の形態に係る膜厚測定装置３０の概略システム構成図である。この膜厚測定装置３０は、共焦点蛍光Ｘ線分析機構３２と、解析を行うためのパーソナルコンピュータ（ＰＣ）３４とを備える。
この中の共焦点蛍光Ｘ線分析機構３２は、ＭＥＡ１０を載置する台座４０と、検出媒体であるＸ線４２を放射（発信）するＸ線放射部４４（検出媒体発信部）と、前記金属触媒を検出する検出部４６とを有する。台座４０はＸＹＺステージの頂部ベッドであり、図示しないアクチュエータの作用下に、図２中のＸ方向（水平方向）、Ｙ方向（水平方向）及びＺ方向（鉛直方向）に沿って変位することが可能である。勿論、台座４０の変位に伴い、該台座４０に載置されたＭＥＡ１０が一体的に変位する。すなわち、台座４０は、ＭＥＡ１０を、その面方向であるＸ方向及びＹ方向、及び厚み方向であるＺ方向に沿って走査させる走査手段である。
Ｘ線放射部４４は、ＭＥＡ１０に向かってＸ線４２を放射する。Ｘ線４２は、ＭＥＡ１０の面方向に対して所定の角度で入射する。このＸ線４２が金属触媒に当たると、該金属触媒が蛍光４８を発する。ＭＥＡ１０の面方向に対して所定角度で傾斜した検出部４６は、この蛍光４８を検出したとき、「蛍光４８が検出された」ことを示す検出信号を生成する。
ＰＣ３４は、解析手段である解析ソフトウェアがインストールされたハードディスクドライブ５０を有する。解析ソフトウェアの制御作用下に、Ｘ線４２の発信ないし発信停止がなされるとともに、台座４０（ＸＹＺステージ）が走査される。前記検出信号を受信したハードディスクドライブ５０は、該検出信号の強度を微分するとともに、この微分結果に基づいて電解質膜１６の膜厚を評価する。
ＰＣ３４は、ディスプレイ５２をさらに有する。ディスプレイ５２には、検出信号の微分に基づく解析結果が表示される。
本実施の形態に係る膜厚測定装置３０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、その作用効果につき、本実施の形態に係る膜厚測定方法との関係で説明する。
膜厚を測定するに際しては、はじめに、台座４０上にＭＥＡ１０を載置する。次に、台座４０を適宜走査し、ＭＥＡ１０をＸ線放射部４４及び検出部４６に近接させて台座４０の走査を停止する。次に、台座４０をＺ方向（ＭＥＡ１０の厚み方向）に沿って変位させながら、換言すれば、上昇させながら、Ｘ線放射部４４からＭＥＡ１０に向かってＸ線４２を放射する。
ここで、Ｘ線４２の焦点径Ｄ（図１参照）は、電解質膜１６の公称膜厚Ｔよりも小さいことが好ましい。この場合、後述する第１変曲点及び第２変曲点を得ることが容易となるからである。
Ｘ線４２は、第１ガス拡散層２０からＭＥＡ１０の内部に入射する。すなわち、Ｘ線４２の焦点が第１ガス拡散層２０内となる。上記したように、第１ガス拡散層２０はカーボンペーパやカーボンクロス等のカーボン素材からなる。従って、Ｘ線４２がカーボン素材に当たっても該カーボン素材が蛍光４８を発することはない。
台座４０が上昇するにつれて、Ｘ線４２の焦点が第１電極触媒層１８内に移動する。第１電極触媒層１８中にはＰｔやＰｄ等の金属触媒が含まれている。Ｘ線４２が金属触媒に当たると、該金属触媒が蛍光４８を発する。この蛍光４８はＭＥＡ１０の外方に飛び出し（図１参照）、検出部４６に入射する。蛍光４８を受けた検出部４６は、「蛍光４８が入射した」との検出信号を生成し、ハードディスクドライブ５０に送信する。この検出信号を受けたハードディスクドライブ５０、すなわち、解析ソフトウェアは、「金属触媒が存在する」と認識する。
台座４０がさらに上昇すると、Ｘ線４２の焦点が電解質膜１６に移動する。電解質膜１６は固体高分子からなる薄膜であり、このため、Ｘ線４２が当たっても蛍光４８を発しない。従って、検出部４６が検出信号を発することもない。
台座４０がなおも上昇すると、Ｘ線４２の焦点が第２電極触媒層２２内に移動する。図１は、Ｘ線４２の焦点が第２電極触媒層２２と第２ガス拡散層２４との界面に到達したときを示している。
第２電極触媒層２２中にも、ＰｔやＰｄ等の金属触媒が含まれている。従って、Ｘ線４２が金属触媒に当たることによって該金属触媒が蛍光４８を発する。この蛍光４８を受けた検出部４６が検出信号を生成し、ハードディスクドライブ５０に送信する。その結果、解析ソフトウェアが「金属触媒が存在する」と認識する。
台座４０がなお一層上昇すると、Ｘ線４２の焦点が第２ガス拡散層２４内となる。第２ガス拡散層２４がカーボン素材からなることから、蛍光４８が発せられることはない。
このようにして、ＭＥＡ１０の所定の一部位に対するＸ線４２の、ＭＥＡ１０の厚み方向への走査がなされる。解析ソフトウェアは、受信した検出信号の強度に基づいて厚み方向プロファイルを作成する。図３に、検出信号の厚み方向プロファイルの一例を示す。なお、第２電極触媒層２２からの検出信号の強度が第１電極触媒層１８に比して小さい理由は、第２電極触媒層２２の上方に電解質膜１６、第１電極触媒層１８、第１ガス拡散層２０が存在するため、Ｘ線４２の入射及び蛍光４８の放射が遮られるからである。
上記したように、検出信号は、Ｘ線４２の焦点が第１電極触媒層１８、第２電極触媒層２２内にあるときのみ生成される。従って、検出信号の強度は、Ｘ線４２の焦点が第１ガス拡散層２０から第１電極触媒層１８に移るときに増加し、第１電極触媒層１８から電解質膜１６に移るときに減少する。さらに、Ｘ線４２の焦点が電解質膜１６から第２電極触媒層２２に移るときに再度増加し、第２電極触媒層２２から第２ガス拡散層２４に移るときに再度減少する。なお、焦点が第１電極触媒層１８内、第２電極触媒層２２内であるときには、強度は略一定である。
解析ソフトウェアは、このように変化する検出信号の厚み方向プロファイルにおける強度を微分する。この微分値の変化を微分値グラフとして図３に併せて示す。
微分値グラフでは、検出信号の強度が一定であるときの微分値をゼロとしている。従って、検出信号が受信されていないときから検出信号を受信したときには、微分値がゼロからプラス（＋）に転じる。また、検出信号を受信しているものの該検出信号の強度が一定であるときには、微分値はプラスからゼロに転じる。この状況から検出信号が発信されない状態に移行すると、強度が減少する区間では、微分値はゼロからマイナス（−）に転じる。
さらに、検出信号が発信されない状態が継続されると、検出信号の強度がゼロで一定となるため、微分値がマイナスからゼロに転じる。この状況から検出信号が発信される状態に移行すると、強度が増加する区間では、微分値はゼロからプラスに転じる。
以上から諒解されるように、微分値は、Ｘ線４２の焦点が第１電極触媒層１８内にあるときにはゼロ、第１電極触媒層１８から電解質膜１６に移るときにはゼロからマイナスへの移行を経てさらにマイナス、電解質膜１６内にあるときにはマイナスから移行してゼロ、電解質膜１６から第２電極触媒層２２に移るときにはゼロからプラスとなる。従って、微分値がマイナスからゼロに移行するときの深さ（厚み）と、その後にゼロからプラスに移行するときの深さ（厚み）とが分かる。なお、焦点径Ｄが電解質膜１６の公称膜厚Ｔ以上であると、ゼロからプラスへの変化が明確に現れない。これを回避するべく、焦点径Ｄを電解質膜１６の公称膜厚Ｔよりも小さくすることが好ましい。
微分値が変化する箇所は、検出信号が増加から減少、又は減少から増加に転じる変曲点である。解析ソフトウェアは、微分値がマイナスからゼロに移行するときの深さを第１変曲点、その後にゼロからプラスに移行するときの深さを第２変曲点として割り出し、第１変曲点から第２変曲点まで、すなわち、前記２箇所の深さ間の距離が、電解質膜１６の膜厚として評価される。図３では、電解質膜１６の膜厚として評価される部分を太線で示している。
ディスプレイ５２には、このようにして求められた膜厚と、必要に応じて微分値グラフとが表示される。この表示を読み取ることにより、作業者が電解質膜１６の膜厚を把握することができる。
その後、台座４０がＺ方向に沿って下降するとともに、Ｘ方向、Ｙ方向のいずれか又は両方に沿って変位する。これにより、ＭＥＡ１０の、Ｘ線４２が照射される部位が変更される。以降は上記と同様にして、当該部位における膜厚が測定される。
このように、本実施の形態によれば、ＭＥＡ１０を構成した後に該ＭＥＡ１０中の電解質膜１６の膜厚を非破壊検査によって測定することができる。従って、膜厚測定後のＭＥＡ１０を１組のセパレータで挟持して単位セルとし、さらに、該単位セルを複数個積層して燃料電池スタックを設けることができる。
しかも、この場合、台座４０がＸＹＺステージの最上ベッドであるので、ＭＥＡ１０の複数部位に対して連続的に測定を行うことが容易である。
場合によっては、図４に示すように、第１ガス拡散層２０と第１電極触媒層１８の間に異物Ｐが侵入することがある。この場合、第１電極触媒層１８の異物Ｐの近傍部位が歪み、第２電極触媒層２２に近接するので、上記のようにして得られた膜厚の測定値が局所的に公称膜厚Ｔよりも小さくなる。このようなＭＥＡ１０は、不良品として除外される。すなわち、単位セルとして組み上げられることはない。従って、燃料電池スタックにおいて短絡が生じることが有効に抑制される。
本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、この実施の形態では、Ｘ線放射部４４及び検出部４６を位置決め固定する一方で台座４０を変位させるようにしているが、これとは逆に、台座４０を位置決め固定するとともに、Ｘ線放射部４４及び検出部４６をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に沿って変位させるようにしてもよい。
また、検出媒体発信部は、超音波やレーザを検出媒体として発信するものであってもよい。
１０…電解質膜・電極構造体（ＭＥＡ） １２…アノード電極
１４…カソード電極 １６…電解質膜
１８…第１電極触媒層 ２０…第１ガス拡散層
２２…第２電極触媒層 ２４…第２ガス拡散層
３０…電解質膜用膜厚測定装置 ３２…共焦点蛍光Ｘ線分析機構
３４…パーソナルコンピュータ（ＰＣ） ４０…台座
４２…Ｘ線 ４４…Ｘ線放射部
４６…検出部 ４８…蛍光
５０…ハードディスクドライブ ５２…ディスプレイ
Ｐ…異物
１４…カソード電極 １６…電解質膜
１８…第１電極触媒層 ２０…第１ガス拡散層
２２…第２電極触媒層 ２４…第２ガス拡散層
３０…電解質膜用膜厚測定装置 ３２…共焦点蛍光Ｘ線分析機構
３４…パーソナルコンピュータ（ＰＣ） ４０…台座
４２…Ｘ線 ４４…Ｘ線放射部
４６…検出部 ４８…蛍光
５０…ハードディスクドライブ ５２…ディスプレイ
Ｐ…異物
Claims (6)
- 固体高分子からなる電解質膜を、金属触媒を含む第１電極触媒層を有する第１電極と、金属触媒を含む第２電極触媒層を有する第２電極で挟むことで構成される電解質膜・電極構造体における前記電解質膜の膜厚を測定する電解質膜の膜厚測定方法であって、
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信し、検出信号の厚み方向プロファイルを得る工程と、
前記厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から解析手段により該厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求め、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する工程と、
を有することを特徴とする電解質膜の膜厚測定方法。 - 請求項１記載の測定方法において、前記検出媒体を発信する検出媒体発信部と、前記金属触媒を検出する検出部とを前記電解質膜・電極構造体の面方向に沿って相対的に走査させることを特徴とする電解質膜の膜厚測定方法。
- 固体高分子からなる電解質膜を、金属触媒を含む第１電極触媒層を有する第１電極と、金属触媒を含む第２電極触媒層を有する第２電極で挟むことで構成される電解質膜・電極構造体における前記電解質膜の膜厚を測定する電解質膜用膜厚測定装置であって、
前記第１電極触媒層及び前記第２電極触媒層の前記金属触媒を検出する検出媒体を、前記第１電極触媒層側から前記第２電極触媒層側に向かう厚み方向に沿って発信する検出媒体発信部と、
前記金属触媒を検出する検出部と、
前記検出部で生成された検出信号の厚み方向プロファイルにおける前記検出信号の強度から前記厚み方向プロファイル中の第１変曲点及び第２変曲点を求めるとともに、前記第１変曲点から前記第２変曲点に至るまでの距離を前記電解質膜の膜厚として評価する解析手段と、
を備えることを特徴とする電解質膜用膜厚測定装置。 - 請求項３記載の測定装置において、前記検出媒体発信部は、前記検出媒体として、焦点径が前記電解質膜の公称膜厚よりも小さいものを発信することを特徴とする電解質膜用膜厚測定装置。
- 請求項３又は４記載の測定装置において、前記検出媒体発信部は、前記検出媒体としてＸ線を放射することを特徴とする電解質膜用膜厚測定装置。
- 請求項３〜５のいずれか１項に記載の測定装置において、前記検出媒体発信部及び前記検出部を前記電解質膜・電極構造体の面方向に沿って相対的に走査させる走査手段をさらに有することを特徴とする電解質膜用膜厚測定装置。
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