JP6519685B2 - 共振子及び共振装置 - Google Patents
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Description
[第1実施形態]
(構成)
図1は、第1実施形態の圧電共振子100(共振子の一例である。)の全体構成を示す斜視図である。また、図2は、図1におけるA−A断面図であり、圧電共振子100を構成する振動部110の他の態様を表している。また、図3は、圧電共振子100を構成する保持体120の一部と振動抑制部140の積層構造を示す側面断面図である。
以上の構成の圧電共振子100によれば、保持体120上に振動抑制部140を形成することにより、振動部110において生じた振動が、連結部130を介して不要振動として保持体120に伝わった場合でも、振動を抑制することが可能になる。
第2実施形態の圧電共振子について、図6を参照して説明する。図6は、図3と同様、圧電共振子を構成する保持体の一部と振動抑制部の積層構造を示す側断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、同様の符号を付し、説明は省略する。
第3実施形態は、第1及び第2実施形態の圧電共振子を用いて形成した圧電共振装置に関するものであり、図7を参照して説明する。図7は、圧電共振装置300(共振装置の一例である。)の全体構成を示す分解斜視図である。なお、第1及び第2実施形態と同様の構成については、同様の符号を付し、説明は省略する。
本発明は、上記の各実施形態として示した態様に限られず、例えば、次のような態様も包含する。第2実施形態において示した圧電共振子200において、保持体120上に形成した圧電膜241上の上部電極242と、振動部110の上部電極114とが容量結合することにより、特性(k)が低下することから、保持体120上の圧電膜241上の上部電極242は、効果を喪失しない範囲で、保持体120上における配置面積を小さく構成することが望ましいことを示した。反面、圧電共振子において、電荷分布は不要振動のモード毎に変化するため、なるべく多様な電荷分布を相殺できる様に電極を配置することが望ましい。
また連結部130の形状も、各実施形態に示した形状に限定されるものではなく、種々の構造であっても良い。例えば、連結部130は、振動部110と保持体120とを互いに対向する領域同士で接続する構成に限定されない。連結部130は、途中で屈曲し、保持体120における、振動部110と連結部130との接続箇所と対向しない領域と接続する構成でもよい。
110 振動部
111 半導体層
112 下部電極
113 圧電膜
114 上部電極
120 保持体
130 連結部
140 振動抑制部
141 下部電極
142 圧電膜
143 上部電極
Claims (9)
- 半導体層と、前記半導体層上に形成された第1の圧電膜と、前記第1の圧電膜の上部に形成された第1の上部電極と、を有する振動部と、
前記振動部を振動可能に保持する保持体と、
前記振動部と前記保持体とを連結する連結部と、
前記保持体上に形成された第2の圧電膜と、前記第2の圧電膜の上部に形成された第2の上部電極とを有する振動抑制部と、
を備え、
前記第2の上部電極は、帯状体が繰り返し折り返すように延在して設けられ、
前記保持体は、縮退半導体である、共振子。 - 前記第1の圧電膜と前記半導体層との間に形成された第1の下部電極をさらに備えた、請求項1に記載の共振子。
- 前記第2の圧電膜と前記保持体との間に形成された第2の下部電極をさらに備えた、請求項1または2に記載の共振子。
- 前記保持体は、シリコンにより形成された縮退半導体である、請求項1〜3の何れか一項に記載の共振子。
- 前記第1の圧電膜は、前記第2の圧電膜と同一材料により形成され、
前記第1の上部電極は、前記第2の上部電極と同一材料により形成された、請求項1〜4の何れか一項に記載の共振子。 - 前記共振子は、
前記第2の圧電膜と前記保持体との間に形成された第2の下部電極をさらに備え、
前記第1の下部電極は、前記第2の下部電極と同一材料により形成された、請求項2に記載の共振子。 - 前記第2の上部電極は接地されている、請求項1〜6の何れか一項に記載の共振子。
- 前記第2の圧電膜は、前記第1の圧電膜よりも結晶性が低い、請求項1〜7の何れか一項に記載の共振子。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の共振子と、
前記共振子を覆う蓋体と、
前記共振子に電気的に接続された外部端子と、
を備えた共振装置。
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