JP6519364B2 - 金属パターンの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。ここでは、本実施形態の金属パターンの製造方法を用いて、磁気センサや電流センサに用いられる半導体装置1を製造する方法について説明する。
これにより、エッチング対象膜11のうち上面にマスク2が形成されていない部分が除去される。ここでは、エッチングガスとしてAr/Cl2を用いる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
11 エッチング対象膜
2 マスク
21 表面層
Claims (5)
- 上面にマスク(2)が形成されたエッチング対象膜(11)を用意する工程と、
前記エッチング対象膜を前記マスクで覆った状態で、前記エッチング対象膜に対し、ハロゲンガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記マスクが残るように、前記マスクのうち前記ハロゲンガスの成分が残留する表面層(21)をガスを用いて除去するアフターコロージョン処理工程と、
前記アフターコロージョン処理工程の後に、前記ハロゲンガスが雰囲気中から除去された状態において前記マスクを除去する工程と、を備え、
前記アフターコロージョン処理工程では、フッ素系化合物を含むガスを用いて前記表面層を除去し、
前記アフターコロージョン処理工程では、O 2 が添加されたガスを用いて前記表面層を除去し、
前記マスクを除去する工程では、前記エッチング対象膜が形成された基板(10)を、前記エッチング工程および前記アフターコロージョン処理工程を行ったチャンバーとは別のチャンバーに移動させて前記マスクを除去し、
前記エッチング対象膜を用意する工程では、前記エッチング対象膜を磁性材料で構成し、
前記アフターコロージョン処理工程では、前記エッチング工程と同一のチャンバーで前記表面層を除去することを特徴とする金属パターンの製造方法。 - 前記マスクを除去する工程では、アッシングを用いて前記マスクを除去することを特徴とする請求項1に記載の金属パターンの製造方法。
- 前記マスクを除去する工程では、H2Oによるプラズマアッシングを用いて前記マスクを除去することを特徴とする請求項2に記載の金属パターンの製造方法。
- 前記エッチング工程、前記アフターコロージョン処理工程、および、前記マスクを除去する工程は、減圧下で行われることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の金属パターンの製造方法。
- 前記エッチング工程では、Cl成分を含むハロゲンガスを用いてドライエッチングを行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の金属パターンの製造方法。
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