JP6508191B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置に関する。より詳しくは、光のにじみを軽減した発光パターンを有する表示品質に優れた表示装置に関する。
近年、携帯することが可能な情報端末の普及が著しい。スマートフォンやPDA(Personal Digital Assistant)、タブレット端末など携帯型の情報端末においては、入力手段としてタッチパネルが採用されている。そして外観においては、その一面のほぼ全てをタッチパネルが占めていることが一般的になってきた。タッチパネルは透明な基材から構成されており、その下部に設けられた表示装置からの光が透過するようになっている。表示装置を取り囲む周縁部には、回路基板などの部分があり、これが透明なタッチパネルを通して見えてしまうことは好ましくない。そこで、タッチパネルを構成する透明な基材のうち、表示装置を取り囲む周縁部にあたる領域には、遮光のための処置を施すことが行われている。
例えば、薄い金属板や遮光性の樹脂板などを打ち抜いて枠状に形成したものを、透明な基材に貼りあわせて周縁部を遮光する方法がある。他に、特許文献1や特許文献2には、黒色の塗料を透明基材の周縁部にスクリーン印刷やパッド印刷等によって印刷する方法が開示されている。
遮光層は、表面から観察されるため、近年ではデザイン性の観点から、様々なものが求められるようになってきた。
例えば、携帯電話ではタッチすることで状態を視認できるよう、光源がついたり消えたり、色を変えたりさせている。さらに、車のエアコンディショナーなどでは、通常は黒くセンターコンソールと識別されない状態であるが、タッチすることで文字等の情報、例えば、温度やエアコンディショナー設定情報などのさまざまな情報を表示することが一般的になってきた。
このため、遮光層の下部に情報をかたどった開口パターンを有する黒色の遮光層をさらに設け、背面から照明することで開口パターンの形状を有する発光パターンを表示することが行われている。遮光層の色は種々様々であり、黒色、白色あるいは製品によっては青色等のいろいろな色のバリエーションが要求されている。
遮光層が黒色の場合には、例えば、印刷法による薄い層であっても十分な遮光性が得られるため、開口パターンを有する遮光層から投影される発光パターンは、輪郭が明瞭で視認性は良好である。しかし、遮光層が白色の場合は、白色を得るため一般に光散乱を利用するため、十分な遮光性と明るい白色を得ようとすると、遮光層を厚くする必要があった。このため、白色の遮光層の下部に、開口パターンを有する黒色の遮光層を設け、さまざまな情報を表示する場合、背面の光源から開口パターンを介して得られる発光パターンは、開口パターンよりも外側に光がにじみ出すという問題があった。このようなにじみは、暗い場所で観察する場合において、開口パターンの数倍以上に光が広がる場合もあり表示品質を著しく損なっていた。
このような問題に対して、特許文献3には、インクジェット印刷を用いて白色の遮光層を形成し、かつ遮光層の表面の算術平均粗さを規定することで、薄くても高い遮光性を有する白色の遮光層が開示されている。しかし、このような技術を用いても発光パターンのにじみの軽減に対しては十分ではなかった。
特開2011−192124号公報 特開2011−209590号公報 特開2014−008687号公報
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光のにじみを軽減した発光パターンを有する表示品質に優れた表示装置を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、光散乱体を含有する白色の遮光層のうち、観察する側から最も近い層(第1の層)の厚さを薄くし、かつ光散乱体の含有比率を密に局在化させ、その下の白色の遮光層(第2の層)より含有比率を高くすることが、高い遮光性と開口パターンから投影される発光パターンのにじみ軽減に対して大きく寄与することを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
1.透明基板、光散乱体を含有する第1の層、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する第2の層、開口パターンを有する遮光層及び前記開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源とを、少なくともこの順で具備する表示装置であって、前記第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜90体積%の範囲内であり、かつ第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることを特徴とする表示装置。
2.前記第2の層の厚さが、前記第1の層の厚さより厚いことを特徴とする第1項に記載の表示装置。
3.前記第1の層に含まれる光散乱体の体積平均粒径が、100nm〜15μmの範囲内であることを特徴とする第1項又は第2項に記載の表示装置。
4.前記第1の層に含まれる光散乱体の含有量が、前記第2の層に含まれる光散乱体の含有量の1.2倍以上であることを特徴とする第1項から第3項までのいずれか一項に記載の表示装置。
5.前記透明基板と前記第1の層との間に、前記透明基板より屈折率の低い低屈折率層が設けられていることを特徴とする第1項から第4項までのいずれか一項に記載の表示装置。
6.前記低屈折率層の屈折率が1.0〜1.5の範囲内であることを特徴とする第5項に記載の表示装置。
7.前記低屈折率層が、樹脂層であることを特徴とする第5項又は第6項に記載の表示装置。
8.前記低屈折率層が、空気層であることを特徴とする第5項又は第6項に記載の表示装置。
9.前記光源が、プリズムシートを具備していることを特徴とする第1項から第8項までのいずれか一項に記載の表示装置。
10.前記光源が、ルーバー層を具備していることを特徴とする第1項から第9項までのいずれか一項に記載の表示装置。
本発明の上記手段により、光のにじみを軽減した発光パターンを有する表示品質に優れた表示装置を提供することができる。すなわち光のにじみが少なく、かつ遮光性に優れ開口パターンが視認しにくい表示装置を提供することができる。本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
観察する側から最も近い層(第1の層)に光散乱体を局在化させ、散乱粒子のMie散乱による光散乱(にじみ)を極力低減し、かつ白色度を向上させるために散乱粒子を減らした層(第2の層)を観察側から遠い側に設け、光散乱の低減と白色度の向上の機能を分離したことにより、背面の光源から開口パターンを介して投影しても、高い遮光性を示し開口パターンが視認しにくく、かつにじみが少ない発光パターンが得られるものと推定している。
本発明の表示装置の模式断面図の一例 本発明の表示装置の模式断面図の他の一例 本発明の表示装置の模式断面図の他の一例 開口パターンを有する遮光層の一例 プリズムシートを備えた光源の概念図の一例 ルーバー層を備えた光源の概念図の一例 導光板を備えたLED光電の配置の概念図の一例 測定に用いた開口パターンを有する遮光層の模式図
本発明の表示装置は、透明基板、光散乱体を含有する第1の層、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する第2の層、開口パターンを有する遮光層及び前記開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源とを、少なくともこの順で具備する表示装置であって、前記第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜90体積%の範囲内であり、かつ第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項10までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記第2の層の厚さが、前記第1の層の厚さより厚いことが好ましい。また、前記第1の層に含まれる光散乱体の体積平均粒径が、100nm〜15μmの範囲内であることが、白色から他色、例えば、青、赤等の光散乱の効果が得られることと、入射される光の波長に極力近い体積平均粒径であることで、散乱するにじみの幅が狭くなることから、好ましい。
さらに、本発明においては、前記第1の層に含まれる光散乱体の含有量が、前記第2の層に含まれる光散乱体の含有量の1.2倍以上であることが好ましい。これにより、散乱が発生する部位を透明基板近傍に局所化できるため、第2の層で発生する散乱による光のにじみの幅や輝度の低減効果が得られる。
また、前記透明基板と前記第1の層との間に、前記透明基板より屈折率の低い低屈折率層が設けられていることが好ましい。低屈折率層の屈折率が1.0〜1.5の範囲内であることが透明基板と第1の層との間の界面反射を抑えることができ、よりにじみが少なく、かつより明るい発光パターンを得ることができることから好ましい。さらに、低屈折率層が、樹脂層あるいは、空気層であることが特に印刷方法で低屈折率層を形成する観点から好ましい。
また、本発明の実施態様としては、発現する散乱形態がMie散乱であることから、光の入射方向から水平方向へ光が散乱される事が望ましい。他方向へ散乱する光が開口パターンの外側ににじむ散乱光となるため、本発明は、光の入射方向を極力投影されるパターン部位へ水平投影する事で、散乱幅の抑制効果を得ている。したがって、前記光源が、プリズムシートを具備していることが好ましい。また、前記光源が、ルーバー層を具備していることが、プリズムシートと同様な効果が得られることから好ましい。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
以下、本発明の表示装置についてさらに説明する。
≪表示装置の概略≫
本発明の表示装置は、透明基板、光散乱体を含有する第1の層、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する第2の層、開口パターンを有する遮光層及び前記開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源とを、少なくともこの順で具備する表示装置であって、前記第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜90体積%の範囲内であり、かつ第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることを特徴とする。
光散乱を生じさせることで、非発光時において外光からの反射で見る元の色が白く見えており、また白色の遮光層を用いたときに開口パターンの外側で発生する発光のにじみも同様に、これら散乱が要因であり、具体的には本発明の数々の実験や数値解析計算結果から光散乱体の粒子のサイズ、屈折率、粒子密度、光散乱体を含有する層の屈折率及び厚さ等に依存したMie散乱による物理現象が発生していることを見いだした。
そこで本発明の特徴である、Mie散乱を生じさせる部位を、すなわち層内に含有される光散乱体を、光を外部(空気)へ放射する近傍に局在化させるよう、粒子密度をコントロールすることで、Mie散乱による光の広がり分布を、人間がにじみを感じない程度に抑えることができることを発見した。
Mie散乱による物理現象は既に多くの文献が開示されており、例えば、柴田文明「光散乱の理論」(アグネ出版「固体物理」Vol.20 1985年)などに記載されている。
つまり、本発明によれば、第1の層を薄くし、かつ含有する光散乱体を多量化させることで、開口パターンから投影される発光パターンのにじみが少なく、かつ薄くても非点灯時に白色に見えることを発明者は見いだした。第2の層は白色度を増加させるため形成される。
図1は、本発明の表示装置の模式断面図の一例である。
透明基板Bの下に光散乱体2を含有する第1の層3が設けられ、その下に第1の層3より低い含有比率で光散乱体2を含む第2の層4が設けられている。図1では、第2の層4は、白色度を上げるために、3つの層から構成されている。その下に、2層からなる黒色の開口パターンを有する遮光層5が設けられている。さらにその下に開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源7が備えられている。光源7からの光は、黒色の開口パターンを有する遮光層5を介してその形状が、白色の遮光層である第1の層3及び第2の層4の層を通して発光パターンとして観察される。
図2は、本発明の表示装置の模式断面図の他の一例である。図2で示される態様では、白色度を上げるため第2の層の下部に、開口パターンを有する遮光層の形状にそった開口パターンを有する第3の層6が、さらに設けられている。この第3の層6にも光散乱体を含有させることで、下地が黒色の開口パターンを有する遮光層であっても、白色の遮光層の遮光性をさらに高くすることができ、外から観察しても開口パターンを認識させにくいようにする効果を有する。また、開口パターンを有する遮光層の遮光部分が黒地の場合、この部分の遮光性を高くできるので、白色の遮光層の明度(白色度)を高くできる。
図3は、本発明の表示装置の模式断面図の他の一例である。図3で示される態様では、図2で示された態様に対して、透明基板Bと第1の層3との間に、透明基板Bより屈折率の低い低屈折率層1が、さらに設けられている。このような態様とすることで、透明基板Bと第1の層間の界面反射を抑えることができ、よりにじみが少なく、かつより明るい発光パターンを得ることができる。
≪第1の層及び第2の層≫
本発明の表示装置は、透明基板、光散乱体を含有する第1の層、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する第2の層、開口パターンを有する遮光層及び前記開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源とを、少なくともこの順で具備する表示装置であって、前記第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜90体積%の範囲内であり、かつ第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることを特徴とする。
本発明において第1の層及び第2の層は、光散乱体を含有する層で、タッチパネルなどの情報端末機器の内部の回路等を見えないようにするための光散乱を利用した遮光層である。また、背面の光源から開口パターンを介して得られる発光パターンを表示する機能も有している。
第1の層では、光散乱体を局在化させ、Mie散乱による光散乱(にじみ)を極力低減させる。このため、光散乱体の含有率が高くかつ薄い層である。第2の層は非点灯時における白色の遮光層の明度を上げるための層である。
このような構成とすることで、発光パターンのにじみが少なく、第1及び第2の層による遮光効果が十分で、非点灯時でも明るい白色の遮光層を得ることができる。
発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、光散乱の低減と白色化の機能を分離したことにより、背面から開口パターンを介して発光しても、にじみが少ない発光パターンが得られるものと推定している。
第1の層に占める前記光散乱体の含有比率は、30〜90体積%の範囲内であり、第2の層は、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する。さらに、第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることが必要である。
第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30体積%より少ない場合は、第1の層内での光の拡散距離が長くなり、にじみを減少することができない。また含有比率が90体積%を超えると層が脆くなり、強度が低くなるので、好ましくない。好ましくは、第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜80体積%の範囲内であり、より好ましくは、45〜70体積%の範囲内である。
光散乱体の含有量は、第1の層に局在化させることが、光のにじみを軽減する観点から好ましい。第1の層に含まれる光散乱体の含有量は、第2の層に含まれる光散乱体の含有量の1.2倍以上であることが好ましい。
第1の層の厚さが3μmより薄いと、発光パターンを白く明瞭に表示することが困難であり、また、15μmより厚いと発光パターンに、にじみが生じ好ましくない。好ましくは第1の層の厚さが、5〜10μmの範囲内である。さらに好ましくは、5〜8μmの範囲内である。
第2の層は、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する。この層は、白色の遮光層の白色度を高める役割を担う。光散乱体の第2の層中の含有率は、5〜50体積%とすることが好ましい。
また、第2の層の厚さは、第1の層より厚くてもよい。このような構成にすることで、遮光層全体の強度を高めることができる。好ましくは、第2の層の厚さは、10〜100μmの範囲内、より好ましくは25〜75μmである。
さらに、第3の層として、第2の層の下部に、後述する開口パターンを有する遮光層と同じパターンを有する光散乱体を含有する層を設けることが好ましい。このような構成にすることにより、非点灯時、第2の層の下部に位置する、開口パターンを有する黒色の遮光層に起因する白色度の低下を防ぐことができる。この場合非点灯時に外部から見た場合、文字又はキャラクターをかたどる形状が見えなく、かつ発光パターンの出力輝度を減少することがないため、表示品位を格段に向上する状態を形成できる。
白色の遮光層の遮光性は光透過率で測定することができる。本発明においては光波長550nmにおいて、開口部に位置する白色の遮光層の光透過率が、3〜25%、好ましくは5〜15%の範囲内であり、開口部以外の光透過率は0.1〜20%、好ましくは0.1〜1%の範囲内である。光透過率は、拡散光線透過率を測定する。例えば日本分光(株)V−630等を用いて測定することができる。
第1の層、第2の層及び第3の層は、それぞれ同じ構成の複数の層に分けることができる。
第1の層、第2の層及び第3の層には、光散乱体の他に、バインダー及び分散剤などの添加剤を適宜含有することができる。
(光散乱体)
本発明に用いられる光散乱体は、光を散乱し、遮光性を有するものであれば特に制限はないが、白色を呈することができるものが好ましい。例えば、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、雲母や、チタン酸化物、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素等の酸化物や金属、金属間化合物を使用してもかまわないし、また有機ポリマー粒子やそれらを混在した散乱粒子でもよいが、高屈折率を有する物質であることが好ましい。高屈折率を有する物質としては、特に限定されないが、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化アンチモン、酸化インジウム、等の酸化物を用いることができる。これらの中では、屈折率が高く、汎用である二酸化チタンが好ましい。これらの光散乱体は、公知の方法で製造することができる。
第1の層に含まれる光散乱体の体積平均粒径は、100nm〜15μmの範囲内であることが好ましい。好ましくは200nm〜1μmの範囲内である。更に好ましくは、300nm〜700nmの範囲内である。第2の層についても同様の粒径の光散乱体を用いることができる。
光散乱体の粒子は、層中の光散乱体の含有率を高める観点から粒径の分布を有していてもよい。方法としては、粒径に分布を有する光散乱体を用いてもよいし、複数種類の平均粒径を有する光散体を混ぜてもよいし、異なる材料からなる材料固有である好適粒径品を使用することもできる。
体積平均粒径の測定は、例えば、光散乱法、電気泳動法、レーザードップラー法等を用いた市販の粒径測定機器により求めることができる。具体的には、粒径分布曲線及び分布関数の積分曲線を作成し、積分曲線より、粒子質量関数で50%に対応する粒径点、D50を求め、これを体積平均粒径とする。
具体的な粒径測定装置としては、例えば、島津製作所製のレーザー回折式粒径測定装置SLAD1100、粒径測定機(HORIBA LA−920)、マルバーン製ゼータサイザー1000等を挙げることができる。
(バインダー)
光散乱剤を含有する層は、光散乱体を安定に保持し、層の強度を増し、層間の接着性を向上させる等の目的のためにバインダーを含有することが好ましい。バインダーとしては、従来公知の樹脂を用いることができる。例えば、オレフィン系ポリマー類、オリゴエステルアクリレート等のアクリル系樹脂類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリイソシアネート類、アミノ樹脂類、キシレン樹脂類、ケトン樹脂類、ジエン系樹脂類、ロジン変性フェノール樹脂、ジエン系ゴム類、クロロプレン樹脂類、ポリカーボネート樹脂類、エポキシ樹脂類、シリコーン樹脂類あるいはワックス類又はこれらの変性体や共重合体などを挙げることができる。バインダーは、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂であることができる。あるいは、樹脂に重合開始剤を含有させて硬化することもできる。
(その他の添加剤)
光散乱体を含有する遮光層は、目的によっては、着色することもできる。この場合、公知の着色剤、例えば有機顔料、無機顔料を用いることができる。有機顔料としては、例えば、アントラキノン、アントロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、キナクリドン、インジゴイド、フタロシアニンなどを用いることができる。
また、光散乱体のバインダー中の安定性を高めるために分散安定剤を用いることができる。さらにウエットプロセスで層を形成する際、粘度を調整する粘度調整剤や消泡剤等を用いてもよい。
《開口パターンを有する遮光層》
開口パターンを有する遮光層は、光散乱体を含有する遮光層と光源との間に位置し、背面から開口パターンを介して発光することにより、さまざまな情報を遮光層に表示する。
図4は開口パターンを有する遮光層の一例である。開口パターンを有する遮光層は、さまざまな情報をかたどった開口部8と光遮光性の高い遮光部9とから構成されている。
なお、ここでいう「開口パターン」とは、図案(図の柄や模様)、文字、画像等の画像形状情報を含むものである。例えばスイッチのon/off、その他さまざまな設定情報、ロゴマークなどである。
開口パターンを有する遮光層においては、開口部以外の遮光部分の光透過率は1%以下であることが好ましい。より好ましくは0.5%以下であり、さらに好ましくは、0.1%以下である。光透過率を小さくするため、複数の層を重ねて形成してもよい。また光拡散を防ぐ観点から薄いほうが好ましい。好ましくは開口パターンを有する遮光層の厚さは20〜70μmの範囲内である。
開口パターンを有する遮光層は、光透過性が低く、かつ開口パターンを作製できるものであれば、材料に特に制限はない。光不透過性の材料に開口パターンをくりぬいて使用することもできるが、層の厚さなどから、黒インクなどを用いることが好ましい。インクに含まれる、例えば黒色の顔料などは、公知のものを用いることができる。
≪低屈折率層≫
本発明の表示装置は、透明基板と第1の層との間に、透明基板より屈折率の低い低屈折率層が設けられていることが好ましい。この層の屈折率は、1.00〜1.5の範囲内であることが好ましく、より好ましくは、1.00〜1.35の範囲内である。
このような低屈折率層を設けることで、透明基板と第1の層間の界面反射を抑えることができる。このため、透明基板で反射した光による第1の層での光拡散が少なくなるので、よりにじみが少なく、かつ光源からの光の強度が効率よく外部にとりだすことができ、発光パターンをより明るく表示することができるようになる。
低屈折率層を構成する材料としては、上記の層間の屈折率の組み合わせができれば、特に制限はない。
透明基板としては樹脂やガラスが好ましく用いられるため、これらの材料より屈折率の低いものを用いればよい。また第1の層は光散乱体を含有する樹脂が好ましく用いられるため、高屈折率を有する光散乱体を用いることが好ましい。
具体的には、低屈折率層が、樹脂層であることが好ましい。好ましい樹脂としては、第1の層に用いた層から顔料を除いた低屈折率の樹脂層であることができる。さらには、低屈折率層が空気層であることが好ましい。空気の屈折率はほぼ1.00であるので、より大きな効果が得られる。
本発明において、空気層とは透明基板と第1の層との間に設けられた空気の層を意味する。空気層を形成する方法は、透明基板の背後に空気層を形成できれば特に限定されず、適宜選択でき、枠組みだけの空洞のボックスを積層する方法や空気孔を含むようなポーラスなインク層などであってもよい。
低屈折率層に用いられる樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、等を挙げることができる。
透明基板と低屈折率の層間の屈折率の差は0.2以上あることが好ましい。好ましくは0.3以上である。
低屈折率層の厚さは、屈折率と層厚の積で制御する事が望ましく、屈折率が1〜1.5の範囲で形成する低屈折率層としては、層厚は1〜50μmの範囲内が好ましく、屈折率が低いほど、また屈折率層が薄いほうが好ましく、層厚は1〜38μm程度がより好ましい。また、複数の層を積層して形成することもできる。
層の屈折率は公知の方法で測定することができ、例えば分光エリプソ(ジェー・エー・ウーラム・ジャパン(株)M−2000)などで測定が可能である。
《層の形成》
第1の層、第2の層、第3の層、低屈折率層及び開口パターンを有する遮光層の形成方法に特に制限はないが、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びスプレー塗布法等、種々の公知の方法で形成することができる。これらの中では、印刷法やインクジェット法あるいはスプレー塗布法を用いることが、開口パターンの作製の容易さなどから好ましい。
上記したバインダー樹脂と光散乱体とその他の添加剤とを、適当な溶剤を用いて、例えば、印刷用のインクとして印刷法で層を形成することができる。あるいは、液体ポリマーと光散乱体を用いて層を形成してもよい。さらには、光散乱体をモノマーに混ぜ、層を形成したのち重合して層を硬化させることもできる。
あるいは、高密度に光散乱体を層に充填させるため、スプレー塗布法を用いることもできる。この場合、光散乱体とバインダーと溶剤とを含む液をスプレーして層を形成してもよいし、その後例えば体積平均粒径500nm程度の酸化チタン粒子だけを同じくスプレー塗布し、さらにそれら粒子の隙間を埋めるように体積平均粒径100nm程度の酸化チタン粒子をスプレー塗布して層を形成してもよい。
スプレ−塗布法で特筆すべきは、局所的に散乱粒子の密度をコントールした層だけを製膜し、顔料を個別塗布することで光を入れた時の散乱を抑制することができる点である。したがって、後述する実施例の表示部3の作製で記載したように、インク塗布、粒子塗布、インク塗布、でそれぞれスプレー塗布して、高密度の光散乱体を含有する第1の層を作製することができる。
この場合、粒子塗布密度が高いため、剥離等の密着性を上げるため、例えば初層のインクにカップリング剤を1〜2質量%含ませたり、金属、無機材料である散乱粒子との密着を向上させるための機能性ポリマー層、例えばヒドロキシ基、カルボキシ基、エポキシ基、アミノ基、イソシアネート基、シリル基などの1種以上の官能基を有するモノマーを共重合した材料を導入したり、又は含有量を増やしたりすることで散乱粒子との密着性を増加してもよい。また、散乱粒子にカップリング剤をディップした後、散乱粒子を塗布することでさらにインクとの密着性を向上させるなどしてもよい。
≪透明基板≫
透明基板は、従来公知のガラス材料や、樹脂フィルムを用いて作製することができる。ガラス材料としては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、隣接する層との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を形成することができる。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)及びアペル(商品名三井化学社製)等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。
≪光源≫
開口パターンを有する遮光層の下部(背面)には、開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源が配置されている。光源としては、均一に発光することが好ましい。有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子、LED(発光ダイオード)などを光源として好ましく用いることができる。
(有機EL素子)
有機EL素子は、基板上に、発光する化合物(発光材料)を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子である。有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
ここで、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層の概念も含まれる。
発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
有機EL素子の各構成要素を詳細に説明する。
〔基板〕
有機EL素子に適用可能な基板としては、透明な基板が好ましく。例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を挙げることができる。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、樹脂フィルムを挙げることができる。なかでも樹脂フィルムが好ましい。
ガラス材料としては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、隣接する層との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を形成することができる。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)及びアペル(商品名三井化学社製)等のシクロオレフィン系樹脂、等の樹脂フィルムを挙げることができる。
〔電極〕
電極は透明電極であることが好ましい。透明電極に用いることのできる材料群としては、通常、有機EL素子の電極形成に使用可能な全ての金属材料を使用することができる。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/同混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO(インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide))、ZnO、TiO、SnO等の酸化物半導体等が挙げられる。
〔有機機能層〕
次いで、電荷注入層、発光層、正孔輸送層、電子輸送層及び阻止層等の各有機機能層について、この順に説明する。
(電荷注入層)
本発明において、電荷注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
電荷注入層としては、正孔注入層であれば、陽極と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であれば陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させることができる。
本発明に係る正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、透明電極である陽極に隣接して配置される層であり、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
正孔注入層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えば、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン):PSS(ポリスチレンスルホン酸)、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
トリアリールアミン誘導体としては、α−NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)に代表されるベンジジン型や、MTDATA(4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン)に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、陰極と発光層との間に設けられる層のことであり、陰極が本発明に係る透明電極で構成されている場合には、当該透明電極に隣接して設けられ、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
電子注入層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム8−ヒドロキシキノレート(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。
電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は0.1〜10μmの範囲が好ましい。
(発光層)
本発明に係る有機EL素子の有機機能層を構成する発光層は、発光材料としてリン光発光材料、又は蛍光発光材料が含有されている構成が好ましい。
この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。
このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
発光層の厚さの総和は、1〜100nmの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから1〜30nmの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
発光層の厚さとしては、1〜50nmの範囲内に調整することが好ましく、さらに好ましくは1〜20nmの範囲内に調整することがより好ましい。
以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(ラングミュア・ブロジェット、Langmuir Blodgett法)及びインクジェット法等の公知の方法により形成することができる。
また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物及び発光材料を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
〈ホスト化合物〉
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が0.01未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、あるいは、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性ホスト化合物)でもよい。
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tg(ガラス転移点)化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。
ホスト化合物としては、例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報、米国特許公開第2003/0175553号明細書、米国特許公開第2006/0280965号明細書、米国特許公開第2005/0112407号明細書、米国特許公開第2009/0017330号明細書、米国特許公開第2009/0030202号明細書、米国特許公開第2005/238919号明細書、国際公開第2001/039234号、国際公開第2009/021126号、国際公開第2008/056746号、国際公開第2004/093207号、国際公開第2005/089025号、国際公開第2007/063796号、国際公開第2007/063754号、国際公開第2004/107822号、国際公開第2005/030900号、国際公開第2006/114966号、国際公開第2009/086028号、国際公開第2009/003898号、国際公開第2012/023947号、特開2008−074939号公報、特開2007−254297号公報、欧州特許出願公開第2034538号明細書等に記載されている化合物を挙げることができる。
〈発光材料〉
発光材料としては、リン光発光材料及び蛍光発光材料を好ましく用いることができる。
〈リン光発光材料〉
リン光発光材料とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として0.01以上が達成されればよい。
リン光発光材料の発光の原理としては、二つの方法が挙げられる。一つの方法は、キャリアが輸送されるホスト化合物上で、キャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光材料に移動させることでリン光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つの方法は、リン光発光材料がキャリアトラップとなり、リン光発光材料上でキャリアの再結合が生じ、リン光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光材料の励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
リン光発光材料は、一般的な有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物(白金錯体系化合物)又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
少なくとも一つの発光層が、二種以上のリン光発光材料が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。
リン光発光材料の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許公開第2006835469号明細書、米国特許公開第20060202194号明細書、米国特許公開第20070087321号明細書、米国特許公開第20050244673号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
また、Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2002/015645号、国際公開第2009/000673号、米国特許公開第2002/0034656号明細書、米国特許第7332232号明細書、米国特許公開第20090108737号明細書、米国特許公開第20090039776号、米国特許第6921915号、米国特許第6687266号明細書、米国特許公開第20070190359号明細書、米国特許公開第20060008670号明細書、米国特許公開第20090165846号明細書、米国特許公開第20080015355号明細書、米国特許第7250226号明細書、米国特許第7396598号明細書、米国特許公開第20060263635号明細書、米国特許公開第20030138657号明細書、米国特許公開第20030152802号明細書、米国特許第7090928号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
また、Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国際公開第2002/002714号、国際公開第2006/009024号、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/019373号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2007/004380号、国際公開第2006/082742号、米国特許公開第2006/0251923号明細書、米国特許公開第20050260441号明細書、米国特許第7393599号明細書、米国特許第7534505号明細書、米国特許第7445855号明細書、米国特許公開第20070190359号明細書、米国特許公開第20080297033号明細書、米国特許第7338722号明細書、米国特許公開第20020134984号明細書、米国特許第7279704号明細書、米国特許公開第2006098120号明細書、米国特許公開第2006103874号明細書等に記載の化合物も挙げることができる。
さらには、国際公開第2005/076380号、国際公開第2010/032663号、国際公開第2008/140115号、国際公開第2007/052431号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2011/157339号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2009/113646号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/004639号、国際公開第2011/073149号、特開2012−069737号公報、特開2009−114086号公報、特開2003−81988号公報、特開2002−302671号公報、特開2002−363552号公報等に記載の化合物を挙げることができる。
好ましいリン光発光材料としては、Irを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも1つの配位様式を含む錯体が好ましい。
上記説明したリン光発光材料は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic
Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、さらにこれらの文献中の参考文献等に記載されている方法を適用することにより合成できる。
〈蛍光発光材料〉
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(正孔輸送層)
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(略称:TPD)、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン及びN−フェニルカルバゾール等が挙げられる。
さらには、米国特許第5061569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(略称:α−NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(略称:MTDATA)等が挙げられる。
さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、あるいはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られる観点から、これらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びLB法(ラングミュア・ブロジェット、Langmuir Blodgett法)等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。
また、正孔輸送層の材料に不純物をドープすることにより、p性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報及びJ.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
このように、正孔輸送層のp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
(電子輸送層)
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(略称:Znq)等及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
その他、メタルフリー又はメタルフタロシアニン又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層の材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層の材料として用いることができるし、正孔注入層及び正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。
電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びLB法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる単一構造であってもよい。
また、電子輸送層に不純物をドープし、n性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報及びJ.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。さらに、電子輸送層には、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように、電子輸送層のn性を高くすることにより、より低消費電力の有機EL素子を得ることができる。
また、電子輸送層の材料(電子輸送性化合物)として、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いても良い。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層であっても同様であり、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いても良い。
(阻止層)
阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられ、上記説明した有機機能層の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層等を挙げることができる。
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、さらに好ましくは5〜30nmの範囲である。
〔封止部材〕
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよい。凹板状でも、平板状でもよいが平板状であることが積層工程において位置合わせを容易にできるので好ましい。また透明であることが好ましい。さらに、前記説明した透明基板を透明封止部材として用いても良い。
透明封止部材としては、例えば、ガラス板、ポリマー板、フィルム、金属板、フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコーン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。
透明封止部材としては、有機EL素子を薄膜化することできる観点から、ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。さらに、ポリマーフィルムは、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された温度25±0.5℃、相対湿度90±2%RHにおける水蒸気透過度が、1×10−3g/m・24h以下であることが好ましく、さらには、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/m・24h・atm(1atmは、1.01325×10Paである)以下であって、温度25±0.5℃、相対湿度90±2%RHにおける水蒸気透過度が、1×10−3g/m・24h以下であることが好ましい。
透明封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工又は化学エッチング加工等が使われる。接着剤としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマー等の反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤並びに2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル及びポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できる接着剤が好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部材への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙を真空とすることや、間隙に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム又は酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム又は硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム又はヨウ化マグネシウム等)及び過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム又は過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水物が好適に用いられる。
(発光ダイオード)
光源として発光ダイオード(LED)を好ましく用いることができる。用いられるLEDとして、特に制限はない。
発光素子であるLEDチップは、MOCVD法等により基板上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイア基板を用いることがより好ましい。サファイア基板上に半導体膜を成長させる場合、GaN、AlN等のバッファー層を形成しその上にPN接合を有する窒化ガリウム半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア基板上にSiOをマスクとして選択成長させたGaN単結晶自体を基板として利用することもできる。この場合、各半導体層を形成後SiOをエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板とを分離させることもできる。
ただし、フリップチップ接続の場合には、サファイア基板のような可視光全域にわたり透明な基板に限定される。
窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系化合物半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等することでP型化させることが好ましい。
具体的なLEDチップの層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファイア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるN型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるN型クラッド層、Zn及びSiをドープさせた窒化インジュウム・ガリウム半導体である活性層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるP型クラッド層、窒化ガリウム半導体であるP型コンタクト層が積層されたものが好適に挙げられる。
LEDチップを形成させるためにはサファイア基板を有するLEDチップの場合、エッチングなどによりP型半導体及びN型半導体の露出面を形成させた後、半導体層上に所望の形状の蛍光体層を形成する。更にスパッタリング法、蒸着法などにより各導電型と接続された第1の電極、第2の電極を形成させる。SiC基板の場合、基板自体の導電性を利用して半導体を介して一対の電極を形成させることもできる。
次に、蛍光体層が形成された半導体ウエハ等をダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後(ハーフカット)、外力によって半導体ウエハを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハに極めて細いスクライブライン(経線)を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハを割り半導体ウエハからチップ状にカットする。このようにして本発明に利用可能な窒化物系化合物半導体であるLEDチップを形成させることができる。
LED光源を用いる場合には、LEDから発光する光を導光板等で面光源化したのち、光源として用いることが好ましい。導光板は、公知のものを用いることができる。
また、開口部の場所によって、発光色を変える等の手段により発光パターンの色を変えることもできる。
≪集光≫
これらの光源から出る光は、発光面の前方(法線方向)に進み、斜め方向には進まないことが、発光パターンのにじみ防止や明るさの向上に効果的である。このため、光源の上部には、光を拡散させないような層、又はシートを設けることが好ましい。
(プリズムシート)
光源が、プリズムシートを具備していることが好ましい。
図5は、プリズムシートを備えた光源の概念図の一例である。光源7の上にプリズムシート10が配置されており、表面のプリズムにより上方への集光効果を持たせたシートである。光源の上部、開口パターンを有する遮光層のすぐ下に設置されることが好ましい。
プリズムシートは、液晶などで使用されるプリズムフィルムと同様の形状のものを用いることができる。プリズムの形状は四角錐や多角形のプリズムレンズシートや、半円球レンズや、それらを併用したレンズシートでかまわない。さらには、例えば、45度の一軸方向のプリズムレンズシートを直交するように2枚積層して用いることもできる。
凸部のピッチは、10〜500μm、好ましくは20〜200μmの範囲内であり、凸部の高さは3〜500μm、好ましくは10〜200μmの範囲内である。
プリズムシートは、透明樹脂からなることが好ましく、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリルイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の透明合成樹脂フィルム等が好ましく使用できる。また、透明基板の屈折率よりも高い屈折率有する材料が好ましい。
このような輝度を集光するフィルムの発明は多く開示されており、例えば、特開平07−174910号公報、特開2009−069742などに記載されている。
(ルーバー層)
光源が、ルーバー層を具備していることが好ましい。
図6は、ルーバー層を備えた光源の概念図の一例である。光源7の上にルーバー層11が設けられている。ルーバー層に設けられた隔壁により、斜め方向の光照射をカットすることができる。ルーバー層を備えたルーバーフィルムは、いわゆるのぞき見防止フィルムとして用いられている。例えば特開2007−052094号公報に記載のように隔壁で隔てられた層を通って光が進む構造を有することにより、光源からの光の斜め方向の光拡散を防止している。
有機EL光源上に付与することにより、ランバーシアン配光特性を示す有機EL光源の発光から、正面のみの光だけを取り出すことができ、斜め方向の光放射が減り、散乱量が減少するため、にじみ量を削減できる。
さらにプリズムシートとルーバー層をともに用いることができる。具体的には光源の上にプリズムシートを設けその上にルーバー層を設けることで、より光の散乱が、入射方向から水平方向への光散乱成分に限定されるため、パターン外側ににじむ散乱光が低減し、光散乱によるにじみを防止することができる。
≪用途≫
本発明の表示装置は、携帯することが可能な情報端末例えばスマートフォンやPDA、タブレット端末など携帯型の情報端末に好ましく適用できる。これらの情報端末が、タッチパネルを備えており、その周縁部に配置される表示装置として用いられることが好ましい。
(タッチパネル)
本発明に用いられる光源の上層には静電容量タイプのタッチスイッチを適用することができる。このタッチスイッチは、例えば2極のフィルムタイプの静電容量タッチスイッチを適用することができる。電極には、フォトリソグラフィー法でパターニングした、インジウムスズ酸化物(ITO)など、光透過率が高い方が好ましく、他には、例えば、酸化亜鉛によりドープされたインジウム酸化物(IZO)、アルミニウムによりドープされた亜鉛酸化物(AZO)、ホウ素によりドープされた亜鉛酸化物(BZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛によりドープされた酸化インジウム(IWZO)及び酸化スズ(SnOx)などの酸化物透明電極あるいは、AgやAl、又はそれらの合金からなる透明電極でもかまわない。
また、光源の上層にタッチスイッチを設ける静電容量タイプだけでなく、FPCにタッチスイッチ機能を設けた静電容量タイプの物や抵抗式や光学式、さらには有機EL光源内に有していてもかまわないし、タッチスイッチ機能を損なわなければ、光源の上層でなくても下層あるいは、光源の周辺部に配置してもかまわない。
本発明の表示装置で使用する有機EL光源は発光素子内に面電極が形成されているため、静電容量式を用いる場合は前記面電極よりも上層に配置することが望ましく、そのため光透過率がよいITOでパターニングされているフィルムタイプの2極式タッチスイッチが好ましく用いられる。
また、プリズムシートを用いる場合、プリズムシート上にタッチスイッチを具備することができるが、タッチスイッチはプリズムシートの下でもよい。またプリズムシートを有機EL光源上に具備し、前記プリズムシート上にタッチスイッチを具備し、さらにその上層にプリズムシートを具備するようなサンドイッチ構造をとってもよく、光学設計により色や光取り出し効率が好適な手法が好ましい。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。
以下の実施例では、本発明にかかる表示装置を、透明基板から開口パターンを有する遮光層までと、光源との2つのユニットに分け、前者を表示部、後者を光源部として、これを組み合わせて表示装置を作製し、発光パターンのにじみ等を評価した。
[実施例1]
[表示部1の作製]
厚さ0.3mm、屈折率1.55のガラスの透明基板に第1の層として、バインダーとしてポリエステル樹脂(十条ケミカル(株)製9007インキ)を使用した。希釈剤は同社のテトロンを使用した。光散乱体として500nmの体積平均粒径を有する酸化チタン(石原産業(株)製 PFC105)を含む白色顔料を混合した白インクを、層を形成する固形分に対して酸化チタンが45体積%で、乾燥後の厚さが10μmとなるようスクリーン印刷法にて印刷し、第1の層とした。
次に第2の層として、第1の層の作製において、光散乱体の量を、固形分に対して5体積%となるように白色インクを調整し、乾燥後の厚さが25μmを3層、計75μmの厚さとなるようスクリーン印刷法にて印刷した。
第1の層と第2の層からなる白色の遮光層は、550nmにおける拡散光線透過率が10%であり、裏面に用意する光源の光を十分透過する程度になっていた。
次に図4に示したような幅6mm、高さ2mmの記号をかたどった開口パターンを有する遮光層と、にじみ評価用に直径5mmの円を開口部に有する遮光層の2種類を、黒インク(帝国インキ社製IRX−HFスクリーンインク)にてスクリーン印刷法で第2の層に印刷して、厚さ25μmの、2層からなる計50μmの厚さの開口パターンを有する遮光層を形成した。これを表示部1とした。
表示部1の構成は、図1で示される構成の表示装置の光源7を除いたものに相当する。
[表示部2の作製]
表示部1よりも、非点灯時の白色の遮光層の白色度がさらに高い表示装置を作製した。表示部1の作製において、黒インクを形成する前に、追加の層として第3の層を形成した。第1の層と第2の層をスクリーン印刷した後、光源の光が開口パターンで遮光された部位(開口パターンを有する遮光層の黒色部)において、白色度をさらに高めるため、第2の層と同じインクを用いて1回の印刷で厚さ25μmの層を計3回、計75μmの厚さの第3の層をスクリーン印刷法にて形成した。
次に、第3の層に表示部1の作製と同様にして、2層からなる、計50μmの厚さの開口パターンを有する遮光層を、スクリーン印刷法で形成して、表示部2を作製した。表示部2の構成は、図2で示される構成の表示装置の光源7を除いたものに相当する。
[表示部3の作製]
表示部1及び表示部2の作製では、印刷するインク内に散乱粒子とバインダー等を混ぜてインクを調製したが、表示部3の作製では、第1の層をスプレー塗布法で形成し、第1の層中の光散乱体の含有比率を高くした。
透明基板に、表示部2の作製において第2の層で使用した白インクを、スプレーコーターを用いてスプレー塗布した。スプレー塗布に使用したインクは上記実施例で使用したインクに希釈剤(帝国インキ製 Z705)を添加したものを使用した。またスプレーコーターは東京応化製のMARK Vzを用いて塗布した。それ以外は通常のスプレー塗布となんら変わらない方法にて層を形成した。
次に光散乱体として体積平均粒径500nmの酸化チタンを含有するスプレー液を同じく上記で使用したインクに希釈剤を付与して作製し、スプレー塗布し、さらにそれら粒子の隙間を埋めるように体積平均粒径100nmの酸化チタンを含有するスプレー液を用い、スプレー塗布した。次に、粒子の隙間を埋めるよう、表示部2の作製に用いた第2の層で使用したインクを再度スプレー塗布した。
次に、スプレー液に含まれていた溶媒を気化するために、プリベークを100℃ 30分、ポストベークを150℃30分行い、層中の光散乱体の含有率が70体積%で、厚さが6.4μmの第1の層を形成した。この層は、単位面積当たりの光散乱体の付き量が表示部1及び表示部2の第1の層と同じである。
次に表示部2の作製と同様にして、スクリーン印刷法で厚さ25μmの層を計3回印刷し、第2の層を形成した。
さらに表示部2の作製と同様にして、光源の光が開口パターンで遮光された部位(開口パターンを有する遮光層の黒色部)において、白色度をさらに高めるため、第2の層と同じインクを用いて1回の印刷で厚さ25μmの層を計3回、計75μmの厚さの第3の層をスクリーン印刷法にて形成した。
更に表示部1の作製と同様にして、2層からなる計50μmの厚さの開口パターンを有する遮光層を、スクリーン印刷法で形成して、表示部3を作製した。
[表示部4の作製]
表示部4の作製では、表示部3の作製と同様に、第1の層をスプレー塗布法で形成し、第1の層中の光散乱体の含有比率をさらに高くした。
明基板に、表示部2の作製において第2の層で使用した白インクを、スプレーコーターを用いて少量スプレー塗布した。スプレー塗布に使用したインクは上記実施例で使用したインクに希釈剤(帝国インキ製 Z705)を添加したものを使用した。またスプレーコーターは東京応化製のMARK Vzを用いて塗布した。それ以外は通常のスプレー塗布となんら変わらない方法にて層を形成した。
次に光散乱体として体積平均粒径500nmの酸化チタンを含有するスプレー液を同じく上記で使用したインクに希釈剤を付与して作製し、スプレー塗布し、さらにそれら粒子の隙間を埋めるように体積平均粒径100nmの酸化チタンを含有するスプレー液を用い、スプレー塗布した。次に、粒子の隙間を埋めるよう、表示部2の作製に用いた第2の層で使用したインクを少量再度スプレー塗布した。
次に、スプレー液に含まれていた溶媒を気化するために、プリベークを100℃ 30分、ポストベークを150℃30分行い、層中の光散乱体の含有率が90体積%で、厚さが3μmの第1の層を形成した。
さらに、第2の層、第3の層、開口パターンを有する遮光層を、表示部3の作製と同様にして形成して、表示部4を作製した。
[表示部5の作製]
表示部5は、表示部4の第1の層の作製において、層中の光散乱体の含有率が90体積%で、厚さが2μmとなるように、スプレー塗布の量を調節して形成した以外は表示部4の作製と同様にして表示部5を作製した。
[表示部6の作製]
表示部1の作製において、第1の層の酸化チタンが30体積%で乾燥後の厚さが15μmとなるように、散乱体の含有率を調整することにより、第1の層をスクリーン印刷法にて印刷して形成し、他は表示部1の作製と同様にして表示部6を作製した。
[表示部7の作製]
表示部1の作製において、第1の層の酸化チタンが30体積%で乾燥後の厚さが20μmとなるように、散乱体の含有率を調整することにより、第1の層をスクリーン印刷法にて印刷して形成し、他は表示部1の作製と同様にして表示部7を作製した。
[表示部8の作製]
比較例として、光散乱体を局在化させない白色の遮光層を有する表示部を作製した。すなわち、表示部1の作製において、第1の層と第2の層の代わりに白色の遮光層を構成する第1と第2層の合計の厚さ(85μm)を有し、この層に含まれる光散乱体の単位面積当たりの付き量が、表示部1に記載の第1の層と第2の層の合計と同じ含有量である白色の遮光層を形成した。具体的には、光散乱体を、固形分に対して9.7体積%含む白色インクを85μmの厚さとなるよう、3回スクリーン印刷して形成し、これを白色の遮光層とし、その他の層は表示部1の作製と同様にして表示部8を作製した。
[表示部9の作製]
比較例として、表示部8の作製において、光散乱体の量を、80%に減らしてそのほかは表示部8と同様にして、光散乱体の含有量が少ない表示部9を作製した。
なお、体積平均粒径D50の測定は、島津製作所製のレーザー回折式粒径測定装置SLAD1100を用いておこなった。また、550nmにおける拡散光線透過率は日本分光(株) V−630を用いて測定した。
表1に第1〜第3の層に含まれる光散乱体(酸化チタン)の量(体積%)と、層の厚さを示す。
Figure 0006508191
[光源部1の作製]
本実施例では面発光体である有機EL素子を使用した。
本実施例においては白色発光する有機EL素子を使用した。有機EL光源は以下の方法にて作製されたものを使用した。
(有機EL素子の作製)
《有機EL素子1の作製》
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウムスズ酸化物)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、H.C.スタルク社製、CLEVIO P VP AI 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、層厚20nmの第1正孔輸送層を設けた。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBPを100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、緑、青、赤の発光材料としてIr(ppy)、D−10、D−26をそれぞれ100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにHB−1を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlqを入れ、真空蒸着装置に装着した。
次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、α−NPDを蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し層厚20nmの第2正孔輸送層を設けた。
更に、ホスト化合物CBPと緑、青、赤の発光材料の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、CBPと発光材料とをそれぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して層厚40nmの発光層を設けた。
次いで、HB−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、HB−1を蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して層厚5nmの正孔阻止層を設けた。
更に、Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、Alqを蒸着速度0.1nm/secで前記正孔阻止層上に蒸着して層厚30nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化セシウム(CsF)を蒸着して層厚0.5nmの電子注入層を設け、更にアルミニウムを蒸着して層厚110nmの陰極を設け、有機EL素子1を作製した。
作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、ガラスカバーと有機EL素子が作製されたガラス板とが接触するガラスカバー側の周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラクストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極側に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して硬化させ、封止して、有機EL光源として用いた。
以下に、上記の有機EL素子1の作製に用いた化合物の構造を記す。
Figure 0006508191
光源部1の作製においては、前記印刷物へ光が投影される方向へ輝度集光するように前記有機EL光源上にプリズムシートを積層して光源部1を作製した。
具体的には、X軸方向に、凸間のピッチが10μmで、45度のテーパー角を有するポリカーボネートからなるプリズムシートとX軸に直交するY軸方向に、凸間のピッチが10μmで、45度のテーパー角を有するポリカーボネートからなる2枚のプリズムシート(3M社製 BEF4)を有機EL素子1の上に積層することで集光した。
[光源部2の作製]
光源部2の作製では、光源部1の作製と同じく面発光体である有機EL素子を使用した。光源部1の作製と異なる点は、有機EL素子上に付与する集光の方法が異なっており、本実施例では、斜め方向の光をカットするルーバー層を有する有機EL光源を適用し、斜め方向の光照射量をカットした。
(ルーバー層の作製)
特開2007−52094号公報に記載されて方法に従ってルーバー層を作製した。光透過帯として透明シリコーンゴム(信越化学工業社製、商品名;KE153U)からなる厚さが200μmの第1のシートを用意した。
これとは別に、遮光帯として透明シリコーンゴム(信越化学工業社製、商品名;KE153U)100質量部に対してカーボンブラックを15質量部添加した材料からなる厚さが20μmの第2のシートを用意した。
第1のシート複数枚と第2のシート複数枚とを交互に積層し、加熱加硫及び加圧してこれら複数のシートが一体化してなるブロック体を形成した。
次いで、該ブロック体をシート表面に垂直な切断面で、厚さ360μmにスライスすることによりルーバー層1を作製した。
このルーバー層1を光源1で用いた有機EL素子1に積層して光源部2を作製した。
[光源部3の作製]
本実施例では光源部1及び光源部2で使った面発光である有機EL素子1を使用し、この上に光源部1の作製で使用した2枚のプリズムシートを付与し、さらにその上に第2に光源の形態で使用したルーバー層を積層し、正面の輝度を集光した。光源部2の形態に比べ、発光パターンの輝度を向上させた。
[光源部4の作製]
光源としてLEDに導光板を使用したものを適用した。具体的には白色発光のLEDと導光板を使用し、面発光を実現した。
(LED光源の作製)
LEDチップとして主発光ピークが460nmのIn0.2Ga0.8N半導体を用いた。LEDチップは、洗浄させたサファイア基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジュウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスとともに流し、MOCVD法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。
ドーパントガスとしてSiH(モノシランガス)とCpMg(シクロペンタジエニルマグネシウム)とを切り替えることによって、N型導電性を有する窒化ガリウム系半導体とP型導電性を有する窒化ガリウム系半導体を形成しPN接合を形成させる。半導体発光素子としては、N型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、P型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、P型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層を形成させた。N型導電性を有するコンタクト層とP型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約3nmであり、単一量子井戸構造とされるノンドープInGaNの活性層を形成させた。なお、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファー層とさせてある。また、P型導電性を有する半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。
その後、エッチングによりサファイア基板上のPN各半導体表面を露出させた。また、PN各半導体表面が露出された部位は、最終的に形成される各LEDチップごとに複数ある。さらに、各LEDチップの大きさごと矩形に分割できるよう半導体層をサファイア基板まで部分的に除去し電気的にも分離させてある。導電性ワイヤーとなる金線を付着させるためのパッド電極形成面には、レジストをあらかじめ形成させ半導体ウエハを形成した。
次に、特開2004−95765号公報の実施例に記載されているように、SiOを10質量%含むエチルシリケートと、溶媒と、水と、1規定塩酸(HCl)とを混合しエチルシリケートを加水分解反応させ、25℃における混合溶液の粘度が2.5〜500mPa・sとなるようなゾル状態としたものを用意した。
まず、エチルシリケートの加水分解溶液とエチレングリコールと光散乱剤が質量比で1:1:1となる混合溶液を調製し、平均粒子径0.4〜10μmの光散乱剤が塗布液中で均一に分散するように撹拌して塗布液を調製した。
次に、上記塗布液を発光素子の上面に2μmの層厚になるまで繰り返し吹き付けて付着させた。
更に、室温で放置すると、ゾル状態のエチルシリケート加水分解溶液は次第に自然乾燥してゲル状態となった。
自然乾燥してゲル状態となった塗布液から非晶質のSiOを得るため、またエチルシリケートの加水分解によって生成したエタノール、及び溶剤等を飛ばすため、発光素子は150℃の温度で30分間加温状態においた。更に300℃の温度で2時間乾燥させて、SiOを得た。
この後、LEDチップに分割させるためのエッチングラインに沿ってダイサーでダイシングした後、スクライバーでスクライブラインを形成させた。スクライブラインに沿ってサファイア基板側からローラにより加圧して、個々に分割しLEDチップを形成させた。
また、インサート成形によりポリカーボネート樹脂を用いてチップタイプLEDのパッケージを形成させた。チップタイプLEDのパッケージ内は、LEDチップが配される開口部を備えている。パッケージ中には、銀メッキした銅板を外部電極として配置させてある。LEDチップをエポキシ樹脂を用いて固定させ、白色LEDを作製した。
これを図7に示したようにして光源として用いた。図7は、導光板を備えたLED光電の配置の概念図の一例である。LED光源12から照射された白色光は、拡散板を備えた導光板13を介して上方に面発光する。これを光源部4とした。
≪表示装置の作製≫
上記のように作製した光源部の発光面と表示部の開口パターンを有する遮光層の面とを接着して、光源部1〜4と表示部1〜9とを表2で示した組み合わせで作製して表示装置1〜18を作製した。その際光源部から発光する光源の大きさは開口パターンの端から500μm以上広くとった。
[評価]
上記作製した表示装置について、点灯時のにじみ、非点灯時の見栄え、点灯時の表示輝度をそれぞれ評価した。
(点灯時のにじみ)
開口部を介して点灯時表示される輝度を100cd/mと規格化する事で、散乱による光のにじみ幅を定量比較した。
図8は、前述したにじみの測定に用いた開口パターンを有する遮光層の模式図である。直径5mmの円を開口部に有する。光源を点灯すると開口パターン15の回りににじみ16が発生する。このにじみの幅17の距離を測定してにじみの程度を評価した。
まず、点灯時の開口パターンから放出される光の輝度が100cd/mになるようにそれぞれ調整し、コニカミノルタ株式会社製の2次元色彩輝度計CA−2000で、開口部の端から、0.5cd/m以上の輝度で観測されるにじみ幅を計測し、この幅をにじみの評価尺度とした。この値が小さいほどにじみが小さく好ましい。開口部の端から、0.5cd/m以上の輝度を生じるこのにじみ幅は、例えば、図4で示したような、様々の開口パターンで官能評価したにじみの大きさと、よく相関していた。
(点灯時の明るさ)
点灯時表示される表示装置のそれぞれの輝度を測定し、表示装置17を100とする相対値で評価した。測定は、コニカミノルタ株式会社製の2次元色彩輝度計CA−2000を使用した。
(非点灯時の見栄え)
本発明は非点灯時に開口パターンが見えにくく、さらに散乱によるにじみが抑制できることにあるため、非点灯時の開口パターンが視認できるかを、正面と斜め(おおよそ視野角60°)で、環境光の照度が約500lxの条件で、官能評価を行った。判定基準は以下のとおりである。
○:正面と斜めで開口部が見えない
×:正面と斜めで少なくともどちらか一方の開口部が見える
また非点灯時の判定結果と点灯時のにじみを総合的に判定としてA、B、Cにランク付けした。
ランクに伴うにじみ幅は以下のとおりである。
A:開口パターンが視認されず、かつにじみ幅が2mm未満
B:開口パターンが視認されず、かつにじみ幅が2mm以上4mm未満
C:開口パターンが視認されず、かつにじみ幅が4mm以上
×:開口パターンが視認される
Figure 0006508191
表2に示すように、本発明の表示装置1〜13及び15は比較例の表示装置14、16~18と比較して、にじみ量が低減してかつ非点灯時の見栄えも良好である。また、光源に集光部を備えた表示装置1〜9は、明るく点灯し、かつにじみも少ないことがわかる。
[実施例2]
[表示部21の作製]
表示部2の作製において、以下のように、顔料を含まないバインダーだけの低屈折率層を設け、表示部21を作製した。
表示部2の作製において、厚さ0.3mm、屈折率1.55のガラスの透明基板に、低屈折率層として、屈折率1.38のフルオロエチレンビニルエーテルを含むフッ素樹脂インク((株)クリエイティブ・プロダクツ社製)を使用した。本インクを乾燥後の厚さが28μmとなるようにスクリーン印刷法で形成し、130℃30分加熱する事で硬化させた。
次に本フッ素樹脂インクを媒体に光散乱体として上述と同様に500nmの体積平均粒径を有する酸化チタン(石原産業(株)製 PFC105)を含む白色顔料を混合した白インクを、層を形成する固形分に対して酸化チタンが45体積%で、乾燥後の厚さが10μmの厚さとなるようスクリーン印刷法にて印刷し、第1の層とした。
次に第2の層として、第1の層の作製において、光散乱体の量を、固形分に対して5体積%となるように白色インクを調整し、乾燥後の厚さが25μmを3層、計75μmの厚さとなるようスクリーン印刷法にて印刷した。
その後、表示部2の作製と同様にして第3の層、次に開口パターンを有する遮光層を形成して、低屈折率層を有する表示部21を作製した。
[表示部22の作製]
表示部2の作製において、以下のように、空気層を設け、表示部22を作製した。
厚さ0.3mm、屈折率1.55のガラスの透明基板に、厚さ20μmの屈折率1.43のシリコーン樹脂((株)セイコーアドバンス社製のUV 5418A)からなる樹脂成型品を具備し、表示部パターンが形成されている部位においては、シリコーン樹脂が15μmの厚さの空洞を有しており、空洞部がガラスの透明基板と相対する方向に設けられた2層からなる低屈折率層を形成した。
次にシリコーン樹脂上に表示部2で使用した酸化チタンを顔料とするインクをスクリーン印刷法で形成し、表示部2と同様にして第1の層、第2の層を形成した。
本実施例によれば、屈折率変化はガラス(n=1.55)・空気層(1層目:n=1.00)・シリコーン樹脂層(2層目:n=1.43)と変化する。
その後、表示部2の作製と同様にして第3の層、次に開口パターンを有する遮光層を形成して、低屈折率層を有する表示部22を作製した。
[表示部23の作製]
表示部2の作製において、以下のように、ポリエステル樹脂からなる低屈折率層を設け、表示部23を作製した。
厚さ0.3mm、屈折率1.55のガラスの透明基板に、屈折率が1.60のポリエステル樹脂を含有したインク(十条ケミカル(株)製9007インキ。希釈剤は同社のテトロンを使用した。)を用い、スクリーン印刷法で厚さ25μmのポリエステル樹脂からなる層を形成した。作製方法は表示部21の作製方法と同様の手法を用いて表示部23を作製した。
[屈折率の測定]
各層の屈折率は、同一の層厚の層を別途形成し、分光エリプソメーター(ジェー・エー・ウーラム・ジャパン(株)M−2000)を用いて温度23℃で別途測定した。その結果を表3に示す。
Figure 0006508191
表3から、低屈折率層として、フッ素樹脂の層、及び空気層を有する表示部21、22は、低屈折率層の屈折率が基板より低い構成であることが分かる。
≪表示装置の作製≫
実施例1で作製した表示部2と上記のように作製した表示部21〜23の、開口パターンを有する遮光層の面と、光源部の発光面とを接着して、表4で示した組み合わせで表示装置21〜24を作製した。その際光源部から発光する光源の大きさは開口パターンの端から500μm以上広くとった。
上記作製した表示装置について、実施例1と同様に点灯時のにじみ、非点灯時の見栄え、点灯時の表示輝度を、実施例1と同様にそれぞれ評価した。
その結果を表4に示す。なお点灯時の明るさは、実施例1の表示装置17を100とする相対値で示した。
Figure 0006508191
表4から、本発明内であっても、透明基板と第1の層の間に、透明基板より屈折率の低い低屈折率層を有する表示装置22及び23は、点灯時により明るく表示され、かつ点灯時のにじみが少ないことが分かる。
本発明の表示装置は光のにじみを軽減した発光パターンを有する表示品質に優れた表示装置であり、スマートフォン、PDA、タブレット端末など携帯型の情報端末に好ましく適用できる。
B 透明基板
1 低屈折率層
2 光散乱体
3 第1の層
4 第2の層
5 開口パターンを有する遮光層
6 第3の層
7 光源
8 開口パターンを有する遮光層の開口パターン
9 開口パターンを有する遮光層の遮光部
10 プリズムシート
11 ルーバーフィルム
12 LED光源
13 導光板
14 支持板
15 開口パターン
16 にじみ
17 にじみ幅

Claims (10)

  1. 透明基板、光散乱体を含有する第1の層、前記第1の層より低い含有比率で光散乱体を含有する第2の層、開口パターンを有する遮光層及び前記開口パターンと同等又は広い面積で発光する光源とを、少なくともこの順で具備する表示装置であって、前記第1の層に占める前記光散乱体の含有比率が30〜90体積%の範囲内であり、かつ第1の層の厚さが3〜15μmの範囲内であることを特徴とする表示装置。
  2. 前記第2の層の厚さが、前記第1の層の厚さより厚いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第1の層に含まれる光散乱体の平均体積粒径が、100nm〜15μmの範囲内であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記第1の層に含まれる光散乱体の含有量が、前記第2の層に含まれる光散乱体の含有量の1.2倍以上であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の表示装置。
  5. 前記透明基板と前記第1の層との間に、前記透明基板より屈折率の低い低屈折率層が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の表示装置。
  6. 前記低屈折率層の屈折率が1.0〜1.5の範囲内であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記低屈折率層が、樹脂層であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の表示装置。
  8. 前記低屈折率層が、空気層であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の表示装置。
  9. 前記光源が、プリズムシートを具備していることを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の表示装置。
  10. 前記光源が、ルーバー層を具備していることを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の表示装置。
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