JP6503859B2 - イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 206
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 277
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 96
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 80
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 235000003494 Crateva religiosa Nutrition 0.000 description 1
- 244000102209 Crateva religiosa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
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Description
更に、前記引出し電極系を構成する電極の内の少なくともプラズマ電極に、当該プラズマ電極を冷却するものであって中に冷媒が流される冷却パイプを設けていて、当該冷却パイプを設けた部分が前記引出し電極系の前記イオンビームが引き出されない領域を形成しているので、プラズマ生成部からの熱入力が最も大きいプラズマ電極を冷却パイプによって効果的に冷却することができると共に、当該冷却パイプを設けていても、基板を前記のようにスキャンする構成を有しているので、基板上におけるビーム電流密度分布を効果的に平均化することができ、その結果、基板上でのビーム照射量の均一性を更に向上させることができる、という前記効果を奏することができる。
更に、前記引出し電極系を構成する電極の内の少なくともプラズマ電極に、当該プラズマ電極を冷却するものであって中に冷媒が流される冷却パイプを設けていて、当該冷却パイプを設けた部分が前記引出し電極系の前記イオンビームが引き出されない領域を形成しているので、プラズマ生成部からの熱入力が最も大きいプラズマ電極を冷却パイプによって効果的に冷却することができると共に、当該冷却パイプを設けていても、基板を前記のようにスキャンするので、基板上におけるビーム電流密度分布を効果的に平均化することができ、その結果、基板上でのビーム照射量の均一性を更に向上させることができる、という前記効果を奏することができる。
図1に、この発明に係るイオンビーム照射装置の一実施形態を示す。方向の理解を容易にするために、各図中に、1点で互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を図示している。例えば、Y方向およびZ方向は水平方向であり、X方向は垂直方向である。イオンビーム28は、この例ではZ方向に進行する。
基板6上のスキャン方向(この例ではX方向)における各山部分の電流密度分布I(x)は、次式で表されるガウス分布であるとする。ここで、xは基板6上のX方向の位置、I0 はピーク強度、dは上記1/e幅である。
I(x)=I0 ・exp(−x2 /d2 )
f(x)=exp{−(x+4)2 /d2 }+exp{−(x+2)2 /d2 }
+exp{−x2 /d2 }+exp{−(x−2)2 /d2 }
+exp{−(x−4)2 /d2 }
基板6のスキャン波形として、ここでは三角波を取り上げ、それをフーリエ級数で表すことにするが、無限フーリエ級数を用いるのは実用的ではなく、有限フーリエ級数でも項数をある程度大きくすれば無限フーリエ級数と実質的に同じとみなせるので、ここでは次式に示すように有限項(33項)のフーリエ級数f(t)で三角波を表すことにした。nは1以上の整数であり、ここでは1から33までの整数である。
基板6上におけるビーム電流密度分布が図7を参照して説明した3種類の場合について、基板6上の上記5種類のスキャン波形について、基板6のスキャン幅WS およびその時の基板6上でのビーム照射量の均一性Uを求めた結果を表1にまとめて示す。
WS =kP2
U=(Wmax −Wmin )/(Wmax +Wmin )
図6の所で説明したように、引出し電極系24の2種類の領域A1 、B1 の周期P1 と、基板6上でのビーム電流密度分布の周期P2 とは、特別な場合を除いて、P1 ≒P2 と考えることができる場合が多いので、上記周期P2 を用いる代わりに上記周期P1 を用いて、上記係数kを周期P1 に掛けてスキャン幅WS を決定しても良い。即ちWS =kP1 (kは0<k≦1)としても良い。引出し電極系24の上記周期P1 は引出し電極系24の構造から容易に分るので、この周期P1 を用いる方が簡単である。
制御装置50が、上記実施形態2で説明したように、基板6のスキャン幅WS を引出し電極系24の上記周期P1 以下(0を含まない)に制御する機能を有している場合、制御装置50は、次の(a)および(b)の機能を更に有していても良い。
(b)前記記憶しているイオンビームの電流密度分布の周期をP2 、基板6のスキャン幅をkP2 (kは0<k≦1の係数)とすると、係数kを所定の刻みで変化させて基板6のスキャン幅kP2 を変化させ、各スキャン幅kP2 ごとに、前記記憶しているイオンビームの電流密度分布および前記基板のスキャン波形を用いて、基板6上の複数点におけるイオンビームの照射量を計算してその最大値と最小値との差を計算し、かつ当該差を最小とする係数kを決定し、当該決定した係数kを用いて、基板6のスキャン幅をkP2 とする機能。
x(t)=X0 +g(t)
f{X0 +g(t)}
W(X0 ,k)=∫0 Tsf{X0 +g(t)}dt
ΔW=W(X0′,k)max −W(X0″,k)min
イオンビーム照射装置は、基板6のスキャン方向におけるイオンビーム28の電流密度分布を測定するビーム測定器を更に備えていても良い。当該ビーム測定器は、例えば、多数のビーム電流検出器(例えばファラデーカップ。以下同様)を基板6のスキャン方向に配列した多点式のビーム測定器でも良いし、一つのビーム電流検出器を基板6のスキャン方向に移動させる移動式のビーム測定器でも良い。図1中に示すビーム測定器52は、前者の場合の例である。
上記のようなビーム測定器を備えている場合、制御装置50は、前述した実施形態3の(a)および(b)の機能の代わりに、次の(c)および(d)の機能を有していても良い。
(d)前記求めたイオンビームの電流密度分布の周期をP2 、基板6のスキャン幅をkP2 (kは0<k≦1の係数)とすると、係数kを所定の刻みで変化させて基板6のスキャン幅kP2 を変化させ、各スキャン幅kP2 ごとに、前記求めたイオンビームの電流密度分布および前記基板のスキャン波形を用いて、基板6上の複数点におけるイオンビームの照射量を計算してその最大値と最小値との差を計算し、かつ当該差を最小とする係数kを決定し、当該決定した係数kを用いて、基板6のスキャン幅をkP2 とする機能。
次に、この発明に係るイオンビーム照射方法の実施形態を説明すると、図1等を参照して上記実施形態1で説明したようなイオンビーム照射装置を用いて(但し、この方法の場合は、上記制御装置50を用いる必要はないので、それを備えている必要はない)、イオンビーム28の照射領域内で基板6を、スキャン位置が時間によって連続的に変化するスキャン波形に従ってスキャンして、基板6の全面にイオンビーム28を照射する方法を採用しても良い。
6 基板
8 ホルダ
14 スキャン機構
20 イオン源
22 プラズマ生成部
24 引出し電極系
26 イオンビーム引出し領域
28 イオンビーム
50 制御装置
52 ビーム測定器
A1 イオンビームが引き出される領域
B1 イオンビームが引き出されない領域
Claims (8)
- 真空雰囲気中で基板にイオンビームを照射する装置であって、
真空に排気される真空容器と、
前記真空容器内に収納されていて基板を保持するホルダと、
プラズマを生成するプラズマ生成部および当該プラズマから電界の作用でイオンビームを引き出す引出し電極系を有していて、引き出したイオンビームを前記ホルダに保持された基板に照射するイオン源であって、前記引出し電極系は、イオンビームが引き出される領域とイオンビームが引き出されない領域とを所定の方向に所定の周期で交互に配列しているイオン源と、
前記ホルダおよびそれに保持された基板を、前記引出し電極系の前記2種類の領域の配列方向に対して平行または斜めの方向に機械的に往復でスキャンするスキャン機構とを備えており、
前記イオン源の前記引出し電極系を構成する電極の内の最もプラズマ側の電極をプラズマ電極と呼ぶと、少なくともこのプラズマ電極に、当該プラズマ電極を冷却するものであって中に冷媒が流される冷却パイプを設けていて、当該冷却パイプを設けた部分が前記引出し電極系の前記イオンビームが引き出されない領域を形成しており、
かつ前記イオン源は、前記ホルダに保持された基板に対して、当該基板の位置における寸法が、当該基板および当該基板がスキャンされる領域を包含する大きさよりも大きい寸法のイオンビームを照射するものであり、
更に、前記スキャン機構を制御して、前記イオンビームの照射領域内で前記基板を、スキャン位置が時間によって連続的に変化するスキャン波形に従ってスキャンして、前記基板の全面にイオンビームを照射する機能を有している制御装置を備えている、ことを特徴とするイオンビーム照射装置。 - 前記基板のスキャン波形は実質的に三角波である請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 前記基板のスキャン波形は実質的に正弦波である請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 前記制御装置は、前記基板のスキャン幅を、前記引出し電極系の前記周期に基づいて当該周期以下(0を含まない)に制御する機能を更に有している請求項1、2または3記載のイオンビーム照射装置。
- 前記制御装置は、
(a)前記基板の位置での前記イオンビームの、前記基板のスキャン方向における電流密度分布であって前記スキャン機構の制御に用いるものを記憶しておく機能と、
(b)前記記憶しているイオンビームの電流密度分布の周期をP2 、前記基板のスキャン幅をkP2 (kは0<k≦1の係数)とすると、係数kを所定の刻みで変化させて前記基板のスキャン幅kP2 を変化させ、各スキャン幅kP2 ごとに、前記記憶しているイオンビームの電流密度分布および前記基板のスキャン波形を用いて、前記基板上の複数点におけるイオンビームの照射量を計算してその最大値と最小値との差を計算し、かつ当該差を最小とする係数kを決定し、当該決定した係数kを用いて、前記基板のスキャン幅をkP2 とする機能とを更に有している請求項4記載のイオンビーム照射装置。 - 前記基板のスキャン方向における前記イオンビームの電流密度分布を測定するビーム測定器を更に備えており、
前記制御装置は、前記ビーム測定器で測定した前記電流密度分布に基づいて、前記基板の位置での前記イオンビームの、前記基板のスキャン方向における電流密度分布の周期を求めて、前記基板のスキャン幅を、当該求めた周期以下(0は含まない)に制御する機能を更に有している請求項1、2または3記載のイオンビーム照射装置。 - 前記基板のスキャン方向における前記イオンビームの電流密度分布を測定するビーム測定器を更に備えており、
かつ前記制御装置は、
(c)前記ビーム測定器で測定した前記電流密度分布に基づいて、前記基板の位置での前記イオンビームの、前記基板のスキャン方向における電流密度分布およびその周期を求める機能と、
(d)前記求めたイオンビームの電流密度分布の周期をP2 、前記基板のスキャン幅をkP2 (kは0<k≦1の係数)とすると、係数kを所定の刻みで変化させて前記基板のスキャン幅kP2 を変化させ、各スキャン幅kP2 ごとに、前記求めたイオンビームの電流密度分布および前記基板のスキャン波形を用いて、前記基板上の複数点におけるイオンビームの照射量を計算してその最大値と最小値との差を計算し、かつ当該差を最小とする係数kを決定し、当該決定した係数kを用いて、前記基板のスキャン幅をkP2 とする機能とを更に有している請求項1、2または3記載のイオンビーム照射装置。 - 真空雰囲気中で基板にイオンビームを照射する方法であって、
真空に排気される真空容器と、
前記真空容器内に収納されていて基板を保持するホルダと、
プラズマを生成するプラズマ生成部および当該プラズマから電界の作用でイオンビームを引き出す引出し電極系を有していて、引き出したイオンビームを前記ホルダに保持された基板に照射するイオン源であって、前記引出し電極系は、イオンビームが引き出される領域とイオンビームが引き出されない領域とを所定の方向に所定の周期で交互に配列しているイオン源と、
前記ホルダおよびそれに保持された基板を、前記引出し電極系の前記2種類の領域の配列方向に対して平行または斜めの方向に機械的に往復でスキャンするスキャン機構とを備えており、
前記イオン源の前記引出し電極系を構成する電極の内の最もプラズマ側の電極をプラズマ電極と呼ぶと、少なくともこのプラズマ電極に、当該プラズマ電極を冷却するものであって中に冷媒が流される冷却パイプを設けていて、当該冷却パイプを設けた部分が前記引出し電極系の前記イオンビームが引き出されない領域を形成しており、
かつ前記イオン源は、前記ホルダに保持された基板に対して、当該基板の位置における寸法が、当該基板および当該基板がスキャンされる領域を包含する大きさよりも大きい寸法のイオンビームを照射するものである、という構成のイオンビーム照射装置を用いて、
前記イオンビームの照射領域内で前記基板を、スキャン位置が時間によって連続的に変化するスキャン波形に従ってスキャンして、前記基板の全面にイオンビームを照射することを特徴とするイオンビーム照射方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015088974A JP6503859B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
PCT/JP2016/062798 WO2016171262A1 (ja) | 2015-04-24 | 2016-04-22 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015088974A JP6503859B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016207521A JP2016207521A (ja) | 2016-12-08 |
JP6503859B2 true JP6503859B2 (ja) | 2019-04-24 |
Family
ID=57487253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015088974A Active JP6503859B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6503859B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3438377B2 (ja) * | 1995-02-22 | 2003-08-18 | 石川島播磨重工業株式会社 | イオンシャワードーピング装置 |
JPH11354067A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Nissin Electric Co Ltd | 酸素負イオンビーム注入方法及び注入装置 |
JP4326756B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2009-09-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドーピング方法、ドーピング装置の制御システム、およびドーピング装置 |
JP2004281230A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ビーム源及びビーム処理装置 |
JP2007207715A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | イオンドーピング装置およびイオンドーピング方法 |
SG160300A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing soi substrate |
-
2015
- 2015-04-24 JP JP2015088974A patent/JP6503859B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016207521A (ja) | 2016-12-08 |
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