CN107710390B - 工件处理技术 - Google Patents

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Abstract

本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。

Description

工件处理技术
技术领域
本发明的实施例涉及一种选择性地处理工件的方法，且更具体地说，涉及对半导体工件选择性地执行蚀刻、沉积或非晶化处理。
背景技术
提高半导体装置成品率是一项持续的目标。可改善的一个方面为跨越工件的均匀性控制。在某些处理中，工件可在一个区中(例如，在工件中心附近)接收比在其它区中更多的处理。
举例而言，与在工件外边缘附近相比，沉积处理可在所述工件的中心附近沉积更多材料。此可归因于在沉积腔室中心附近增加的等离子体密度。
在另一实例中，与工件的中心相比，旋涂处理可在所述工件的外边缘附近留下更多材料。此可归因于朝向工件的外边缘推送涂料的离心力。
在这些实例中的每一者中，此处理不均匀性可能不利地影响半导体工件的成品率。在一些情况下，作出改善处理均匀性的努力。然而，可能存在对可实现的均匀性程度的限制。
举例来说，用以处理半导体工件以校正此不均匀性的离子束本身可为不均匀的。离子束的此不均匀性可能造成对工件的不同处理速率。存在可用以尝试测量及量化或校正离子束的均匀性的某些技术。然而，此类工具的粒度对于这些选择性区域处理来说可能为不足的。此外，所述处理可能不直接与离子束电流有关。举例来说，例如氧气的物质的背景气体含量可改变蚀刻、非晶化或沉积速率。因而，将为有益的是存在一种更精确地量化离子束的不同部分可处理工件的速率且使用此信息随后处理一或多个工件的方法。此外，如果此定量不影响处理设备的生产量将为有利的。
发明内容
公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。随后，确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且基于经更新厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。
根据一个实施例，公开一种处理工件的方法。所述方法包括：测量第一工件的最初厚度剖面；在预定时间内或以预定剂量朝向所述第一工件引导离子束；在所述引导之后测量所述第一工件的经更新厚度剖面；基于所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差确定所述离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面；以及基于所述离子束的所述蚀刻速率剖面处理第二工件。在一些实施例中，使用多个遍次执行对所述第二工件的处理，其中在每一遍次期间，所述离子束跨越所述第二工件进行扫描，其中所述蚀刻速率剖面用以确定选自由遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群的第一组处理参数。所述操作参数可选自由以下各项组成的群：扫描速度剖面、所述离子束的工作循环、抽取电流或电压以及进给气体的压力。在某些实施例中，使用反射计测量所述最初厚度剖面和所述经更新厚度剖面。对所述第二工件的所述处理可包括蚀刻处理、沉积处理或非晶化处理。
根据第二实施例，公开一种处理工件的方法。所述方法包括：确定离子束的随离子束位置而变的处理速率剖面；确定所述工件的最初厚度剖面；使用所述处理速率剖面、所述最初厚度剖面以及目标厚度剖面计算第一组处理参数；以及使用所述第一组处理参数处理所述工件。在某些实施例中，所述方法进一步包括：在所述处理之后确定所述工件的经更新厚度剖面；使用所述处理速率剖面、所述经更新厚度剖面以及所述目标厚度剖面计算第二组处理参数；以及使用所述第二组处理参数处理所述工件。在一些实施例中，通过以下步骤确定所述处理速率剖面：测量牺牲性工件的最初厚度剖面；在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述离子束；在所述引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面；以及基于所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差确定所述处理速率剖面。在某些实施例中，所述处理速率剖面包括蚀刻速率剖面。在其它实施例中，所述处理速率剖面包括沉积速率剖面。
根据第三实施例，公开一种处理来自一批次的多个工件的方法。所述方法包括：使用牺牲性工件确定离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面；确定所述批次的第一工件的最初厚度剖面；使用所述蚀刻速率剖面、所述第一工件的所述最初厚度剖面以及目标厚度剖面计算第一组处理参数；使用所述第一组处理参数处理所述批次的所述第一工件；以及使用所述第一组处理参数处理所述批次的第二工件。在某些实施例中，所述方法进一步包括：在处理所述第二工件之前，在对所述批次的所述第一工件的所述处理之后确定所述第一工件的经更新厚度剖面；使用所述蚀刻速率剖面、所述第一工件的所述经更新厚度剖面以及所述目标厚度剖面计算所述第一工件的第二组处理参数；以及使用所述批次的所述第一工件的所述第二组处理参数处理所述第一工件。在某些实施例中，所述方法进一步包括：在对所述批次的所述第二工件的所述处理之后确定所述第二工件的经更新厚度剖面；使用所述蚀刻速率剖面、所述第二工件的所述经更新厚度剖面以及所述目标厚度剖面计算所述第二工件的第二组处理参数；以及使用所述批次的所述第二工件的所述第二组处理参数处理所述第二工件。
附图说明
为了更好地理解本发明，将参考附图，附图以参考方式并入本文中并且其中：
图1是代表性离子注入系统。
图2示出可用以确定离子束的处理速率剖面的流程图。
图3是使用图2中所示的序列计算的代表性蚀刻速率剖面。
图4示出可用以处理工件的流程图。
图5示出可用以处理一批工件的流程图。
具体实施方式
如上文所描述，处理通常是不均匀的，导致跨越半导体工件的不同特性。此外，在某些处理中，消除此不均匀性可为困难的。举例来说，沉积处理可在工件的某些部分上(例如在中心附近)沉积更多材料，此归因于在此区中的增加的等离子体密度。形成跨越工件完全均匀的等离子体可具挑战性。
在某些实施例中，可通过执行选择性处理改善工件的均匀性。举例来说，可能需要形成具有跨越工件在预定容限内为恒定的厚度的工件。为了实现此，具有已知厚度剖面的工件可经历选择性蚀刻处理，以从工件移除材料直到跨越工件的厚度在预定容限内为止。在其它实施例中，可通过执行选择性沉积处理或选择性非晶化处理来改善工件的均匀性。
离子束通常用以执行这些处理。在蚀刻处理的情况下，将工件暴露于特定物质的离子束可从工件移除材料。然而，移除材料的速率(也被称作蚀刻速率)可能跨越工件变化。此可归因于数个因素。举例来说，蚀刻速率与离子束电流有关；然而，离子束本身可能为不均匀的。工件的暴露于离子束的较高电流部分的区可以比其它区更高的速率被蚀刻。此外，蚀刻速率还可随工件的组成物与用以形成离子束的物质而变化。其它因素也可能影响工件的蚀刻速率。举例来说，例如氧气的物质的背景气体含量可改变蚀刻速率。类似地，沉积速率及非晶化速率也可能基于离子束电流、所沉积的物质以及其它因素而变化。
图1示出离子注入机100的说明性示意图。离子注入机100包含离子源110，离子源110用以从一或多个进给气体(feed gas)形成离子。通常通过使用接近离子源110上的抽取孔口安置的电偏压电极120，从离子源110抽取离子。接着由一系列束线组件130操控所抽取离子，束线组件130将离子束140塑形及聚焦。束线组件可包含加速器、减速器、质量分析器及准直磁体。离子束140可为带状束，其中离子束140的一个维度(dimension)比另一维度大得多。在另一实施例中，离子束140可为点状束，其在形状上可为接近圆形的。
接着朝向工件10引导离子束140，工件10可固定到台板150。台板150可能够沿水平方向、垂直方向以及旋转方向移动。
为了处理工件10，可朝向工件10引导离子束140。台板150接着可沿多个方向平移以允许离子束140影响工件10的不同区。
光学系统(例如反射计160)可用以确定工件10的厚度。控制器170可使用来自反射计160的信息调整离子源110或台板150的参数。控制器170包含结合存储元件172使用的处理单元171。存储元件172可含有用以存储可由处理单元171执行的指令的非暂时性媒体。因此，控制器170可能够执行本文所描述的序列。
在某些实施例中，从工件移除材料以形成具有目标厚度剖面的工件。在此实施例中，离子注入机100可用以从工件10选择性地移除材料。控制器170可基于工件10的最初厚度剖面及目标厚度剖面确定将从工件10移除的材料的量。可使用反射计160确定工件10的最初厚度剖面。目标厚度剖面可为输入到控制器170的已知量。此计算产生三维图，其中工件上的每一位置以两个维度(例如(x、y))表示，且所述位置处的值为将在所述位置沉积或从所述位置移除的厚度。此矩阵可被称为材料修改矩阵且可存储在控制器170的存储元件172中。在蚀刻处理的情况下，此矩阵可表示将从工件上的每一位置移除的材料的量。替代地，在沉积处理的情况下，此矩阵可表示将沉积在工件上的每一位置上的材料的量。
控制器170可将材料的随离子束位置而变的实际蚀刻速率与材料修改矩阵结合使用来确定将用以处理工件10的处理参数。举例来说，在处理期间，工件10可经历离子束140的多个遍次(pass)。在每一遍次期间，离子束140扫描整个工件10或其一部分。台板150相对于离子束140的速度可在扫描期间变化，以允许工件10的某些部分的被处理程度超过其它部分。在某些实施例中，执行多个遍次。举例来说，可通过沿垂直方向将离子束140从工件10的顶部移动到工件10的底部来执行第一遍次。在完成此第一遍次之后，台板150可将工件旋转360/N度，其中N为将执行的遍次的数目。在完成旋转之后，离子束140可再次从工件10的顶部到工件10的底部或从工件10的底部到工件10的顶部进行扫描。重复此过程直到执行了所有N个遍次为止。如上所述，每一遍次的速度可变化。另外或替代地，可通过使离子束的工作循环或抽取电流或电压变化来修改束电流。另外或替代地，另一操作参数(例如进给气体的压力，或台板与离子源之间的距离)可针对每一遍次及/或旋转而不同。此外，速度和其它操作参数可在每一个别遍次期间变化。控制器170可确定遍次的数目以及在每一遍次期间的扫描速度剖面和在每一遍次期间使用的其它操作参数
可间接地计算蚀刻速率。举例来说，可确定离子束的束电流，且此值可用以确定预期的蚀刻速率。在本发明中，直接测量归因于离子束而处理工件的速率(也被称作处理速率剖面)。
图2示出可用以确定离子束的随离子束位置而变的实际蚀刻速率剖面的流程。此流程可使用控制器170执行，或可使用不同控制器。首先，如在流程步骤200中所示，确定工件10的厚度剖面。此可使用跨越工件10进行扫描的反射计160执行。基于所透射光与所反射光之间的时间差，可确定工件10的最初厚度剖面。反射计160可用以确定多个位置处的工件10的厚度。举例来说，在一个实施例中，可沿两个方向每0.5mm执行厚度测量一次。此得到三维阵列，定义为工件上的二维位置和二维位置处的工件的厚度。
接着，如在流程步骤210中示出，接着朝向工件10引导离子束140。在此时间期间，离子束140不相对于工件10进行扫描。而是，离子束140在预定时间内或以预定剂量相对于工件10保持静止。在预定时间或剂量之后，禁用离子束140，如在流程步骤220中示出。在流程步骤230中，接着使用上文在流程步骤200中所描述的技术确定此经处理工件的厚度剖面。
接着从最初厚度剖面减去经处理厚度剖面，以得到实际蚀刻速率剖面，如在流程步骤240中示出。因此，基于最初厚度剖面与经处理厚度剖面之间的差来确定蚀刻速率剖面。在图3中示出实际蚀刻速率剖面的实例。此图示出离子束140对工件10的随离子束位置而变的效应。x轴为沿着可为带状束的离子束140的长维度，且参照离子束140的中心。因此，x轴中心定在0处。y轴为沿着带状束的短维度，且类似地参照离子束140的中心。z轴指示在流程步骤210期间离子束140从工件10移除的材料的量。在某些实施例中，z轴表示在流程步骤210中从工件10移除的以埃为单位测量的材料的实际量。在其它实施例中，z轴可表示以每单位时间的厚度或埃/秒为单位测量的蚀刻速率。举例来说，z轴可表示所移除材料的以埃为单位测量的实际量除以在流程步骤210中使用的预定时间。
应注意，离子束140在工件10中产生不均匀图案。举例来说，在此实例中，离子束140的中心(在图3中被称为(0、0))比离子束140的其它部分从工件10蚀刻还要更多的材料。可通过使用反射计进行多个扫描而产生图3的剖面，其中可以距离前一个扫描0.5mm的方式执行每一扫描。接着处理此多个扫描以形成图3中示出的蚀刻速率剖面。
如果离子束的随离子束位置而变的实际蚀刻速率是已知的，那么可执行对工件的选择性处理。图4示出可用以选择性地处理工件的处理序列。可使用控制器170执行此流程。首先，如在流程步骤400中示出，使用牺牲性工件凭经验确定离子束的实际蚀刻速率剖面。在其它实施例中，使用将处理的工件确定实际蚀刻速率剖面。此可使用图2中示出的序列进行。
接下来，测量将处理的工件10的最初厚度剖面，如在流程步骤410中示出。基于此最初厚度剖面和目标厚度剖面(可输入到控制器170)，可产生第一材料修改矩阵，如在流程步骤420中示出。如上文所描述，第一材料修改矩阵是工件10的最初厚度剖面与目标厚度剖面之间的差。此第一材料修改矩阵可存储在存储元件172中。第一材料修改矩阵用以确定将从工件10上的每一位置移除或沉积到工件10上的每一位置的材料的量。
基于第一材料修改矩阵和离子束的实际蚀刻速率剖面，控制器170可确定第一组处理参数，如在流程步骤430中示出。此第一组处理参数包含将执行的遍次的数目，以及将在每一遍次期间使用的扫描速度剖面和操作参数。举例来说，如果第一材料修改矩阵指示将在工件的特定区中移除更多材料，那么在工件的此区暴露于离子束140时，遍次中的一者或多者可减慢扫描速度以允许对此区的更多处理。类似地，可通过使离子束在几乎不移除材料的区上方更快速地扫描来轻微地处理这些区。替代地，或另外，工作循环、抽取电流或电压或其它操作参数可变化以允许对工件的选择性处理。
接着使用此第一组处理参数处理工件10，如在流程步骤440中示出。在某些实施例中，此处理可包括蚀刻处理。在此蚀刻完成之后，接着使用反射计160测量经处理工件的经更新厚度剖面，如在流程步骤450中示出。
接着将此经更新厚度剖面与目标厚度剖面进行比较以产生第二材料修改矩阵，如在流程步骤460中示出。如前所述，此第二材料修改矩阵可存储在存储元件172中。控制器170接着基于第二材料修改矩阵计算第二组处理参数，如在流程步骤470中示出。如在流程步骤480中示出，工件10接着经历使用在流程步骤470中确定的第二组处理参数的第二处理。在流程步骤480之后，工件10可具有类似于目标厚度剖面的厚度剖面，且可从台板150移除工件10。可将新工件放置在台板150上，并对此新工件重复流程步骤410到流程步骤480。
虽然图4示出工件10经历两个处理，但其它实施例也是可能的。举例来说，在某些实施例中，可对每一工件多次重复流程步骤450到流程步骤480以实现改善的结果。换句话说，可多次测量经处理工件的厚度剖面，可基于每一所测量的厚度剖面产生经更新材料修改矩阵，且可基于每一经更新材料修改矩阵处理工件。
在其它实施例中，在流程步骤440已完成之后，工件10的厚度剖面可足够接近于目标厚度剖面。在这些实施例中，可不执行流程步骤450到流程步骤480，且可在流程步骤440完成之后从台板150移除工件10。在此实施例中，每一工件可仅经历流程步骤410到流程步骤440。
虽然图4被描述为使用蚀刻处理，但其它实施例也是可能的。举例来说，在流程步骤400中确定的蚀刻速率剖面还可指示离子束的沉积或非晶化速率剖面。因此，图2中示出的序列可用以形成蚀刻速率剖面，例如图3中示出的蚀刻速率剖面，所述蚀刻速率剖面接着可用于后续沉积或非晶化处理。因此，在某些实施例中，流程步骤440和流程步骤480可为沉积或非晶化处理。
此外，在沉积的情况下，可修改图2中示出的序列。举例来说，并非朝向工件引导包括蚀刻物质的离子束，而是，离子束可包括沉积物质。在此实施例中，并非从工件移除材料，而是，离子束沉积材料。如在流程步骤200中确定的最初厚度剖面与如在流程步骤230中确定的经处理厚度剖面之间的差将为沉积在工件上的随离子束位置而变的材料量。因此，流程步骤240将用以确定离子束的沉积速率剖面。在此实施例中，接着可在流程步骤400中确定此沉积速率剖面，且在图4中示出的整个序列中使用此沉积速率剖面。在本发明中，归因于离子束而处理工件(经由蚀刻或沉积)的速率可被称为处理速率剖面(processing rateprofile)。如上文所描述，在其中在图2的序列期间执行蚀刻处理的实施例中，处理速率剖面是蚀刻速率剖面。在其中在图2的序列期间执行沉积处理的实施例中，处理速率剖面是沉积速率剖面。
图4示出可产生具有足够接近于目标厚度剖面的厚度剖面的工件的一个序列。然而，为了改善生产量，可对此序列进行修改。举例来说，通常分批处理工件。给定批次内的所有工件可具有彼此非常类似的性质。举例来说，单一批次中的所有工件的最初厚度剖面可为彼此非常类似的。此可用以优化图4的流程。
图5示出一个此类优化。在此序列中，使用牺牲性工件确定离子束140的实际蚀刻速率剖面，如在流程步骤500中示出。在其它实施例中，使用将处理的工件确定实际蚀刻速率剖面。如上文所描述，在某些实施例中，可在流程步骤500中确定沉积速率剖面。接下来，使用反射计160确定所述批次的第一工件的最初厚度剖面。此信息用以形成第一材料修改矩阵，如在流程步骤510中示出，所述第一材料修改矩阵可存储在存储元件172中。控制器170接着使用此第一材料修改矩阵确定第一组处理参数，如在流程步骤520中示出。接着，此第一组处理参数用以处理此第一工件，如在流程步骤530中示出。在此处理完成之后，根据图4的流程步骤450至流程步骤480制造工件。换句话说，确定经处理工件的经更新厚度剖面，如在流程步骤450中示出。计算第二材料修改矩阵，如在流程步骤460中示出，且所述第二材料修改矩阵用以确定第二组处理参数，如在流程步骤470中示出。最终，使用第二组处理参数处理工件，如在处理步骤480中示出。接着从台板移除工件，并且引入来自所述批次的新工件。
在此实施例中，不同于图4的流程，不对同一批次的后续工件执行流程步骤510到流程步骤520。而是，假设批次中的每一工件的最初厚度剖面是足够类似的，使得第一工件可用作所述批次中的所有工件的厚度模型。因此，使用相同的第一组处理参数处理所述批次的所有工件。然而，在某些实施例中，使用基于特定工件的经更新厚度剖面确定的具有唯一性的第二组处理参数处理来自所述批次的每一工件。在其它实施例中，使用基于所述批次中的第一工件确定的相同的第二组处理参数处理来自所述批次的每一工件。
对图5中示出的序列的另一优化也是可能的。在某些实施例中，在流程步骤530之后的工件的厚度剖面可足够接近于目标厚度剖面，以至于可能不需要额外处理。在这些实施例中，在流程步骤530之后可从台板移除工件，并且可将新工件放置在台板上。在此实施例中，对一批次的第一工件执行流程步骤510到流程步骤530，但对所述批次的后续工件仅执行流程步骤530。此序列可表示可实现的最大生产量。
本申请案中的上述实施例可具有许多优点。如上文所描述，离子束通常显示关于束电流的不均匀性。此不均匀性影响实际上由离子束的不同部分实现的处理速率剖面。通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。具体地说，有可能蚀刻具有不同厚度剖面的工件，使得工件在经处理之后厚度是均匀的，例如在25埃内。另外，此技术可应用到其它处理，例如沉积及非晶化。另外，本发明技术测量实际处理速率剖面，且因此可比测量离子束电流并内插来自所述测量的蚀刻速率剖面的其它方法更精确。
本发明的范围不限于本文所描述的具体实施例。实际上，根据以上描述和附图，除本文中所描述的那些实施例和修改外，本发明的其它各种实施例和对本发明的修改对所属领域的一般技术人员也是显而易见的。因此，这些其它实施例和修改意欲属于本公开内容的范围。此外，虽然本文已出于特定目的在特定环境下在特定实施方案的上下文中描述了本发明，但所属领域的一般技术人员将认识到其有用性并不限于此，并且出于任何数目的目的，本发明可以有利地在任何数目的环境中实施。因此，应鉴于如本文所描述的本发明的整个广度和精神来解释所附的权利要求。

Claims (9)

1.一种蚀刻第一工件的方法，其特征在于，包括：
使用牺牲性工件确定带状离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面，其中，所述蚀刻速率剖面如下确定：
测量所述牺牲性工件的最初厚度剖面；所述最初厚度剖面包括在两个垂直的方向上延伸的多个位置处的最初厚度测量值，以产生三维阵列，其中所述多个位置中的每个位置是所述牺牲性工件上的二维位置；
在所述带状离子束相对于所述牺牲性工件保持静止的同时在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述带状离子束；
在引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面，所述经更新厚度剖面包括在所述多个位置处的经更新厚度测量值；及
确定所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面，其中，所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面是不均匀的，并且被计算为在每个所述二维位置处的所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差；以及
使用所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面蚀刻所述第一工件以达到目标厚度剖面。
2.根据权利要求1所述的蚀刻第一工件的方法，其中使用多个遍次执行对所述第一工件的蚀刻，其中在所述多个遍次中的每一遍次期间，所述带状离子束跨越所述第一工件的整个表面进行扫描，其中所述蚀刻速率剖面用以确定选自由所述多个遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群的第一组处理参数。
3.根据权利要求2所述的蚀刻第一工件的方法，其中所述蚀刻速率剖面用以确定所述操作参数，并且所述操作参数选自由以下各项组成的群：扫描速度剖面、所述带状离子束的工作循环、抽取电流、抽取电压以及进给气体的压力。
4.一种蚀刻第一工件的方法，其特征在于，包括：
使用牺牲性工件确定带状离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面，其中，所述蚀刻速率剖面确定如下：
测量所述牺牲性工件的最初厚度剖面；所述最初厚度剖面包括在两个垂直的方向上延伸的多个位置处的最初厚度测量值，以产生三维阵列，其中所述多个位置中的每个位置是所述牺牲性工件上的二维位置；
在所述带状离子束相对于所述牺牲性工件保持静止的同时在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述带状离子束；
在引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面，所述经更新厚度剖面包括在所述多个位置处的经更新厚度测量值；
确定所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面，其中，所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面是不均匀的，并且被计算为在每个所述二维位置处的所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差；
确定所述第一工件的最初厚度剖面；
使用所述蚀刻速率剖面以及所述第一工件的所述最初厚度剖面以计算用以达到目标厚度剖面的第一组处理参数；以及
使用所述第一组处理参数蚀刻所述第一工件。
5.根据权利要求4所述的蚀刻第一工件的方法，其进一步包括∶
在蚀刻所述第一工件之后确定所述第一工件的经更新厚度剖面；
使用所述蚀刻速率剖面以及所述第一工件的所述经更新厚度剖面以计算用以达到所述目标厚度剖面的第二组处理参数；以及
使用所述第二组处理参数蚀刻所述第一工件。
6.根据权利要求4所述的蚀刻第一工件的方法，其中使用多个遍次执行所述蚀刻，其中在所述多个遍次中的每一遍次期间，所述带状离子束跨越所述第一工件的整个表面进行扫描，且其中所述第一组处理参数选自由所述多个遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群。
7.一种蚀刻来自一批次的多个工件的方法，其中所述批次中的多个工件中的每个工件的最初厚度剖面彼此类似，使得来自所述批次的一个工件的最初厚度剖面可用作所述批次中的所有工件的最初厚度剖面，其特征在于，包括：
使用牺牲性工件确定带状离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面，其中，所述蚀刻速率剖面如下确定：
测量所述牺牲性工件的最初厚度剖面；所述最初厚度剖面包括在两个垂直的方向上延伸的多个位置处的最初厚度测量值，以产生三维阵列，其中所述多个位置中的每个位置是所述牺牲性工件上的二维位置；
在所述带状离子束相对于所述牺牲性工件保持静止的同时在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述带状离子束；
在引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面，所述经更新厚度剖面包括在所述多个位置处的经更新厚度测量值；以及
确定所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面，其中，所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面是不均匀的，并且被计算为在每个所述二维位置处的所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差；
确定所述批次的第一工件的最初厚度剖面；
使用所述蚀刻速率剖面、所述第一工件的所述最初厚度剖面以及目标厚度剖面计算第一组处理参数；
使用所述第一组处理参数蚀刻所述批次的所述第一工件；以及
使用所述第一组处理参数蚀刻所述批次的第二工件。
8.根据权利要求7所述的蚀刻来自一批次的多个工件的方法，其进一步包括在蚀刻所述第二工件之前：
在对所述批次的所述第一工件的蚀刻之后确定所述第一工件的经更新厚度剖面；
使用所述蚀刻速率剖面、所述第一工件的所述经更新厚度剖面以及所述目标厚度剖面计算所述第一工件的第二组处理参数；以及
使用所述批次的所述第一工件的所述第二组处理参数蚀刻所述第一工件。
9.根据权利要求8所述的蚀刻来自一批次的多个工件的方法，其进一步包括：
在蚀刻所述批次的所述第二工件之后确定所述第二工件的经更新厚度剖面；
使用所述蚀刻速率剖面、所述第二工件的所述经更新厚度剖面以及所述目标厚度剖面计算所述第二工件的第二组处理参数；以及
使用所述批次的所述第二工件的所述第二组处理参数蚀刻所述第二工件。
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GR01 Patent grant
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