JP3438377B2 - イオンシャワードーピング装置 - Google Patents
イオンシャワードーピング装置Info
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- JP3438377B2 JP3438377B2 JP03324995A JP3324995A JP3438377B2 JP 3438377 B2 JP3438377 B2 JP 3438377B2 JP 03324995 A JP03324995 A JP 03324995A JP 3324995 A JP3324995 A JP 3324995A JP 3438377 B2 JP3438377 B2 JP 3438377B2
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- ion
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- ion shower
- shower
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内でイオン源
からのイオンビームを基板に照射するイオンシャワード
ーピング装置に関する。
からのイオンビームを基板に照射するイオンシャワード
ーピング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ等の製造工程では、反
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンシャワーをガ
ラス基板上の薄膜シリコン層に照射して所望の不純物を
ドーピングする処理が行われる。このようなイオンシャ
ワーによるドーピング処理を行う装置としてイオン源を
有するイオンシャワードーピング装置が用いられてい
る。
応性ガスをプラズマ化して得られたイオンシャワーをガ
ラス基板上の薄膜シリコン層に照射して所望の不純物を
ドーピングする処理が行われる。このようなイオンシャ
ワーによるドーピング処理を行う装置としてイオン源を
有するイオンシャワードーピング装置が用いられてい
る。
【０００３】この種のイオン源は、図４に示すようにプ
ラズマ室であるチャンバ１内の上部中央に熱電子放出用
フィラメント２を設け、チャンバ１の周囲にリング状の
永久磁石５〜９を極性を交互にして複数配設し、チャン
バ１の下部開口部にビーム引出し電極系１６を設けて概
略構成されている。ビーム引出し電極系１６は、アノー
ドであるチャンバ１と同電位に保たれるイオン閉込め電
極１７と、これより数ｋＶ低電位に保たれる引出し電極
１８と、これよりさらに数十ｋＶ低電位の加速電極１９
とからなる。これらの電極はグリッド状電極である。
ラズマ室であるチャンバ１内の上部中央に熱電子放出用
フィラメント２を設け、チャンバ１の周囲にリング状の
永久磁石５〜９を極性を交互にして複数配設し、チャン
バ１の下部開口部にビーム引出し電極系１６を設けて概
略構成されている。ビーム引出し電極系１６は、アノー
ドであるチャンバ１と同電位に保たれるイオン閉込め電
極１７と、これより数ｋＶ低電位に保たれる引出し電極
１８と、これよりさらに数十ｋＶ低電位の加速電極１９
とからなる。これらの電極はグリッド状電極である。
【０００４】そして、このイオン源１０は、ガス導入口
４からチャンバ１内（プラズマ室）に導入される作動ガ
スにフィラメント２から放出される電子を作用させてプ
ラズマを生成し、これを永久磁石５〜９の磁場によって
チャンバ１内に閉じ込めつつ、ビーム引出し電極１８に
よって電界を印加することでプラズマ中のイオンをイオ
ン閉込め電極１７を通して引出し、これを加速電極１９
の電界で加速してイオンシャワーＢを発生させるように
なっている。尚、１５は基板にイオンを注入するための
注入室、２０はカソード電源、２１はアーク電源、２２
は引き出し電源、２３は加速電源をそれぞれ示してい
る。
４からチャンバ１内（プラズマ室）に導入される作動ガ
スにフィラメント２から放出される電子を作用させてプ
ラズマを生成し、これを永久磁石５〜９の磁場によって
チャンバ１内に閉じ込めつつ、ビーム引出し電極１８に
よって電界を印加することでプラズマ中のイオンをイオ
ン閉込め電極１７を通して引出し、これを加速電極１９
の電界で加速してイオンシャワーＢを発生させるように
なっている。尚、１５は基板にイオンを注入するための
注入室、２０はカソード電源、２１はアーク電源、２２
は引き出し電源、２３は加速電源をそれぞれ示してい
る。
【０００５】イオン注入される基板の大きさは年々増加
しており、それに伴ってビーム径も大口径（直径３００
ｍｍ以上）化している。
しており、それに伴ってビーム径も大口径（直径３００
ｍｍ以上）化している。
【０００６】ここで、図５はイオン源及び基板の模式図
である。
である。
【０００７】同図に示すようにイオン源１０は筒状に形
成されており、各電極（直径３００ｍｍ以上）は円板状
に形成されている。電極には多数（約５０００個）の穴
（６ｍｍ径）１１が形成され、これらの穴１１は同心円
上に配置されている。イオン源１０からのイオンはこれ
らの穴１１から注入室１５内に照射される。即ちイオン
シャワーＢは、断面形状が円形の線状ビームを同心円状
に５０００本束ねたものである。
成されており、各電極（直径３００ｍｍ以上）は円板状
に形成されている。電極には多数（約５０００個）の穴
（６ｍｍ径）１１が形成され、これらの穴１１は同心円
上に配置されている。イオン源１０からのイオンはこれ
らの穴１１から注入室１５内に照射される。即ちイオン
シャワーＢは、断面形状が円形の線状ビームを同心円状
に５０００本束ねたものである。
【０００８】このようなイオンシャワードーピング装置
を用いてイオン注入を行う場合、イオンの注入分布を均
一化するため基板１２を回転させることが行われてい
る。
を用いてイオン注入を行う場合、イオンの注入分布を均
一化するため基板１２を回転させることが行われてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
イオンシャワードーピング装置を用いた場合、基板１２
は回転軸を中心に回転されるので、イオンの注入分布は
図６に示すようにラインＬ1 〜Ｌ4 からなる同心円状に
なってしまい、ラインＬ1 〜Ｌ4 間の均一化を行うのが
困難である。
イオンシャワードーピング装置を用いた場合、基板１２
は回転軸を中心に回転されるので、イオンの注入分布は
図６に示すようにラインＬ1 〜Ｌ4 からなる同心円状に
なってしまい、ラインＬ1 〜Ｌ4 間の均一化を行うのが
困難である。
【００１０】また、図７に示すように基板の大きさはイ
オンシャワーＢの外周内に収まるような大きさに限定さ
れるため、イオンシャワーを無駄にしてしまい効率が悪
いという問題がある。
オンシャワーＢの外周内に収まるような大きさに限定さ
れるため、イオンシャワーを無駄にしてしまい効率が悪
いという問題がある。
【００１１】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、基板に照射されるイオンの注入分布を均一にできる
イオンシャワードーピング装置を提供することにある。
し、基板に照射されるイオンの注入分布を均一にできる
イオンシャワードーピング装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、真空容器内に配置された基板に線状イオン
ビームを束ねたイオンシャワーを照射するイオン源と、
基板をイオンシャワーの照射方向に対して直交する平面
内で揺動させるための揺動保持手段とを備えたイオンシ
ャワードーピング装置において、揺動保持手段は、基板
をＸ軸方向に移動させるモータと、基板をＹ軸方向に移
動させるモータとを独立に有するものである。
に本発明は、真空容器内に配置された基板に線状イオン
ビームを束ねたイオンシャワーを照射するイオン源と、
基板をイオンシャワーの照射方向に対して直交する平面
内で揺動させるための揺動保持手段とを備えたイオンシ
ャワードーピング装置において、揺動保持手段は、基板
をＸ軸方向に移動させるモータと、基板をＹ軸方向に移
動させるモータとを独立に有するものである。
【００１３】
【００１４】上記構成に加え本発明は、基板及びイオン
シャワーの断面形状を略四角形としたものである。
シャワーの断面形状を略四角形としたものである。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、基板をイオンシャワーの照
射方向に対して直交する平面上を揺動させることによ
り、線状イオンビームの照射面が基板全面を覆うことが
でき、イオンの注入分布が均一化される。
射方向に対して直交する平面上を揺動させることによ
り、線状イオンビームの照射面が基板全面を覆うことが
でき、イオンの注入分布が均一化される。
【００１６】保持揺動手段を、真空容器内にシール部材
を介して大気開放されるように設けられた注入ステージ
と、この注入ステージ内に設けられイオンシャワーの照
射方向に対して直交する方向に平行移動するＸ−Ｙ駆動
機構と、一端がこのＸ−Ｙ駆動機構に真空シールを介し
て取り付けられたロッドと、このロッドの他端に取り付
けられ基板を保持する基板ホルダとで構成した場合に
は、線状のイオンビームの照射面が基板上を縦、横ある
いは斜に移動させることができるので、線状イオンビー
ムの照射面が基板全面を覆うことができ、イオンの注入
分布が均一化される。
を介して大気開放されるように設けられた注入ステージ
と、この注入ステージ内に設けられイオンシャワーの照
射方向に対して直交する方向に平行移動するＸ−Ｙ駆動
機構と、一端がこのＸ−Ｙ駆動機構に真空シールを介し
て取り付けられたロッドと、このロッドの他端に取り付
けられ基板を保持する基板ホルダとで構成した場合に
は、線状のイオンビームの照射面が基板上を縦、横ある
いは斜に移動させることができるので、線状イオンビー
ムの照射面が基板全面を覆うことができ、イオンの注入
分布が均一化される。
【００１７】基板及びイオンシャワーの断面形状を略四
角形とした場合には、イオンシャワーの全線状イオンビ
ームが基板上に照射されるので、効率的にイオン注入が
行われる。
角形とした場合には、イオンシャワーの全線状イオンビ
ームが基板上に照射されるので、効率的にイオン注入が
行われる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１９】図１は本発明のイオンシャワードーピング
装置の一実施例の概念図である。尚、説明を簡単にする
ためイオン源は省略されている。
装置の一実施例の概念図である。尚、説明を簡単にする
ためイオン源は省略されている。
【００２０】同図において、３０は注入ステージであ
り、注入ステージ３０の側壁３０ａには２本のパイプ３
１が取り付けられている。各パイプ３１は真空容器から
なる注入室３２の外壁３２ａを貫通すると共に磁気シー
ル３３が施されている。
り、注入ステージ３０の側壁３０ａには２本のパイプ３
１が取り付けられている。各パイプ３１は真空容器から
なる注入室３２の外壁３２ａを貫通すると共に磁気シー
ル３３が施されている。
【００２１】注入ステージ３０内には複数のレール３４
が平行に掛け渡されており、レール３４上にはＸ軸駆動
用ギヤードモータ３５とＹ軸駆動用ギヤードモータ３６
とが固定されている。両モータ３５、３６の上側には板
状部材からなるＸ−Ｙ駆動部３７がその主面に沿った方
向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動自在に保持されてい
る。Ｘ−Ｙ駆動部にはＸ軸方向（例えばイオンシャワー
Ｂの方向と直交すると共に紙面に沿った方向）及びＹ軸
方向（イオンシャワーＢの方向と直交すると共に紙面に
垂直な方向）にラックギヤ（図示せず）が設けられてお
り、モータ３５、３６の回転軸に取り付けられたピニオ
ンギヤ（図示せず）と係合するようになっている。すな
わち、Ｘ−Ｙ駆動部はモータ３５、３６の回転によって
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に周期的に揺動させることができる
ようになっている。
が平行に掛け渡されており、レール３４上にはＸ軸駆動
用ギヤードモータ３５とＹ軸駆動用ギヤードモータ３６
とが固定されている。両モータ３５、３６の上側には板
状部材からなるＸ−Ｙ駆動部３７がその主面に沿った方
向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動自在に保持されてい
る。Ｘ−Ｙ駆動部にはＸ軸方向（例えばイオンシャワー
Ｂの方向と直交すると共に紙面に沿った方向）及びＹ軸
方向（イオンシャワーＢの方向と直交すると共に紙面に
垂直な方向）にラックギヤ（図示せず）が設けられてお
り、モータ３５、３６の回転軸に取り付けられたピニオ
ンギヤ（図示せず）と係合するようになっている。すな
わち、Ｘ−Ｙ駆動部はモータ３５、３６の回転によって
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に周期的に揺動させることができる
ようになっている。
【００２２】Ｘ−Ｙ駆動部３７には複数本（図では２本
であるが限定されない）のロッド３８がＸ−Ｙ駆動部３
７に対して垂直（Ｚ軸方向）に取り付けられている。ロ
ッド３８と注入ステージ３０との間には大気シール３９
が設けられ、注入ステージ３０内は大気開放されてい
る。ロッド３８の先端には基板４０を保持する基板ホル
ダ４１がＸ−Ｙ平面に平行になるように取り付けられて
いる。
であるが限定されない）のロッド３８がＸ−Ｙ駆動部３
７に対して垂直（Ｚ軸方向）に取り付けられている。ロ
ッド３８と注入ステージ３０との間には大気シール３９
が設けられ、注入ステージ３０内は大気開放されてい
る。ロッド３８の先端には基板４０を保持する基板ホル
ダ４１がＸ−Ｙ平面に平行になるように取り付けられて
いる。
【００２３】これらのモータ３５、３６、ラック、ピニ
オンギヤ、Ｘ−Ｙ駆動部３７でＸ−Ｙ駆動機構が構成さ
れ、Ｘ−Ｙ駆動機構、ロッド３８及び基板ホルダ４１で
保持揺動手段Ｈが構成されている。この保持揺動手段Ｈ
により基板４０を保持すると共にイオンシャワーＢの照
射方向に対して直交する平面（Ｘ−Ｙ平面）上を移動さ
せることができるようになっている。尚、４２はＸ−Ｙ
駆動機構の動作を制御するための制御ケーブルである。
オンギヤ、Ｘ−Ｙ駆動部３７でＸ−Ｙ駆動機構が構成さ
れ、Ｘ−Ｙ駆動機構、ロッド３８及び基板ホルダ４１で
保持揺動手段Ｈが構成されている。この保持揺動手段Ｈ
により基板４０を保持すると共にイオンシャワーＢの照
射方向に対して直交する平面（Ｘ−Ｙ平面）上を移動さ
せることができるようになっている。尚、４２はＸ−Ｙ
駆動機構の動作を制御するための制御ケーブルである。
【００２４】ここで図１には示されないイオン源の電極
５０（図４に示したビーム引出し電極系１６に相当す
る）の形状は、図２に示すように電極上のイオンビーム
引出し穴の最外周の中心位置の縦横の大きさがそれぞれ
ｘ、ｙの略四角形である。図３において、イオンビーム
が通過するイオンビーム引出し穴５１の直径をｄとし、
中心間隔をΔｘ，Δｙとする。Ｘ−Ｙ駆動部３７の揺動
量を±Δｘ、±Δｙとすると、イオン注入処理可能な基
板の大きさはｘ−２Δｘ、ｙ−２Δｙまで可能である。
５０（図４に示したビーム引出し電極系１６に相当す
る）の形状は、図２に示すように電極上のイオンビーム
引出し穴の最外周の中心位置の縦横の大きさがそれぞれ
ｘ、ｙの略四角形である。図３において、イオンビーム
が通過するイオンビーム引出し穴５１の直径をｄとし、
中心間隔をΔｘ，Δｙとする。Ｘ−Ｙ駆動部３７の揺動
量を±Δｘ、±Δｙとすると、イオン注入処理可能な基
板の大きさはｘ−２Δｘ、ｙ−２Δｙまで可能である。
【００２５】次に実施例の作用を述べる。
【００２６】イオン源が作動すると、断面形状が円形で
直径約６ｍｍの線状イオンビーム５０００本からなるイ
オンシャワーＢ（断面形状は四角形）が基板４０に照射
される。線状ビームの照射面（断面）は円形でありそれ
ぞれ互いに離れているが、Ｘ−Ｙ駆動機構のモータ３
５、３６が作動するとＸ−Ｙ駆動部３７がＸ軸方向ある
いはＹ軸方向に揺動するので、基板ホルダ４１がＸ軸方
向あるいはＹ軸方向に揺動する。このため基板４０がＸ
軸方向及びＹ軸方向に（例えば１０ｍｍ程度）揺動する
ので線状イオンビームの照射面が基板４０上を全面に渡
って移動することになる。このため基板４０に照射され
るイオンの注入分布が均一になる。
直径約６ｍｍの線状イオンビーム５０００本からなるイ
オンシャワーＢ（断面形状は四角形）が基板４０に照射
される。線状ビームの照射面（断面）は円形でありそれ
ぞれ互いに離れているが、Ｘ−Ｙ駆動機構のモータ３
５、３６が作動するとＸ−Ｙ駆動部３７がＸ軸方向ある
いはＹ軸方向に揺動するので、基板ホルダ４１がＸ軸方
向あるいはＹ軸方向に揺動する。このため基板４０がＸ
軸方向及びＹ軸方向に（例えば１０ｍｍ程度）揺動する
ので線状イオンビームの照射面が基板４０上を全面に渡
って移動することになる。このため基板４０に照射され
るイオンの注入分布が均一になる。
【００２７】基板４０及びイオンシャワーＢの断面形状
が四角形のため、イオンシャワーＢの全ての線状イオン
ビームが無駄なく基板４０上に照射されるので、効率的
にイオン注入が行われる。
が四角形のため、イオンシャワーＢの全ての線状イオン
ビームが無駄なく基板４０上に照射されるので、効率的
にイオン注入が行われる。
【００２８】本実施例の場合、穴５１の直径は約６ｍ
ｍ、中心間隔Δｘ、Δｙは約１０ｍｍ、穴５１の個数は
約５０００個となっており、処理可能な基板４０の大き
さは５００ｍｍ×４００ｍｍ程度であった。
ｍ、中心間隔Δｘ、Δｙは約１０ｍｍ、穴５１の個数は
約５０００個となっており、処理可能な基板４０の大き
さは５００ｍｍ×４００ｍｍ程度であった。
【００２９】以上において本実施例によれば、真空容器
内に、基板を保持すると共にイオンシャワーの照射方向
に対して直交する平面上を揺動させる保持揺動手段を設
けたので、４００ｍｍ角以上の大面積の基板に照射され
るイオンの注入分布が均一化される。
内に、基板を保持すると共にイオンシャワーの照射方向
に対して直交する平面上を揺動させる保持揺動手段を設
けたので、４００ｍｍ角以上の大面積の基板に照射され
るイオンの注入分布が均一化される。
【００３０】尚、本実施例ではＸ−Ｙ駆動機構をギヤー
ドモータ、ラック、ピニオンギヤ、で構成したが、これ
に限定されるものではなく、ＸＹ駆動部がＸＹ平面上を
揺動できれば、パルスモータ等他の部材を用いてもよ
い。また、本実施例ではイオン源の電極の形状が四角形
の場合で説明したが、これに限定されず円形であっても
基板を揺動することにより均一にイオン注入することが
できる。さらに注入ステージの裏側（紙面下側）にも同
様な基板ホルダを設けて同時に駆動またはＸ−Ｙ駆動機
構を個別に付けて独立に駆動してもよい。
ドモータ、ラック、ピニオンギヤ、で構成したが、これ
に限定されるものではなく、ＸＹ駆動部がＸＹ平面上を
揺動できれば、パルスモータ等他の部材を用いてもよ
い。また、本実施例ではイオン源の電極の形状が四角形
の場合で説明したが、これに限定されず円形であっても
基板を揺動することにより均一にイオン注入することが
できる。さらに注入ステージの裏側（紙面下側）にも同
様な基板ホルダを設けて同時に駆動またはＸ−Ｙ駆動機
構を個別に付けて独立に駆動してもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３２】基板をイオンシャワーの照射方向に対して
直交する平面上を揺動させることにより、基板に照射さ
れるイオンの注入分布を均一にすることができる。
直交する平面上を揺動させることにより、基板に照射さ
れるイオンの注入分布を均一にすることができる。
【００３３】また、基板及びイオンシャワーの断面形状
を略四角形とすることにより、イオンシャワーの全線状
イオンビームが基板上に照射されるので効率的にイオン
注入が行われる。
を略四角形とすることにより、イオンシャワーの全線状
イオンビームが基板上に照射されるので効率的にイオン
注入が行われる。
【図１】本発明のイオンシャワードーピング装置の一実
施例の概念図である。
施例の概念図である。
【図２】イオン源に用いられる電極の外観図である。
【図３】電極に形成される穴の大きさ及び位置関係を示
す図である。
す図である。
【図４】イオンシャワードーピング装置に用いられるイ
オン源の概念図である。
オン源の概念図である。
【図５】イオン源及び基板の模式図である。
【図６】図５に示した基板に照射されるイオンシャワー
の分布図である。
の分布図である。
【図７】図５に示したイオンシャワーの断面形状と基板
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
３２ 真空容器（注入室）
４０ 基板
Ｂ イオンシャワー
Ｈ 保持揺動手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｆ
(72)発明者 上野 光
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(72)発明者 星野 修二
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(56)参考文献 特開 平７−138757（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−65230（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−157863（ＪＰ，Ａ)
実開 平２−115246（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/317
H01J 37/20
C23C 14/48
C23C 14/50
H01L 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内に配置された基板に線状イオ
ンビームを束ねたイオンシャワーを照射するイオン源
と、上記基板をイオンシャワーの照射方向に対して直交
する平面内で揺動させるための揺動保持手段とを備えた
イオンシャワードーピング装置において、上記揺動保持
手段は、上記基板をＸ軸方向に移動させるモータと、上
記基板をＹ軸方向に移動させるモータとを独立に有する
ことを特徴とするイオンシャワードーピング装置。 - 【請求項２】 上記基板及び上記イオンシャワーの断面
形状を略四角形とした請求項１記載のイオンシャワード
ーピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03324995A JP3438377B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03324995A JP3438377B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227685A JPH08227685A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3438377B2 true JP3438377B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=12381224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03324995A Expired - Fee Related JP3438377B2 (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | イオンシャワードーピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3438377B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004362901A (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | イオンドーピング装置、イオンドーピング方法および半導体装置 |
| FR2856677B1 (fr) * | 2003-06-27 | 2006-12-01 | Saint Gobain | Substrat revetu d'une couche dielectrique et procede pour sa fabrication |
| SG160300A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing soi substrate |
| JP2013171637A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| JP6503859B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2019-04-24 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
| WO2016171262A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
| JP2016207520A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP03324995A patent/JP3438377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227685A (ja) | 1996-09-03 |
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