KR101089404B1 - 선형 주사 모터를 이용하는 이온 빔 주입기의 조정 가능한주입각 공작물 지지 구조물 - Google Patents
선형 주사 모터를 이용하는 이온 빔 주입기의 조정 가능한주입각 공작물 지지 구조물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101089404B1 KR101089404B1 KR1020057015453A KR20057015453A KR101089404B1 KR 101089404 B1 KR101089404 B1 KR 101089404B1 KR 1020057015453 A KR1020057015453 A KR 1020057015453A KR 20057015453 A KR20057015453 A KR 20057015453A KR 101089404 B1 KR101089404 B1 KR 101089404B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- workpiece
- ion beam
- injection chamber
- injection
- rotating member
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20214—Rotation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20278—Motorised movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/204—Means for introducing and/or outputting objects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (34)
- 빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성하는 이온 빔원,공작물이 이온 빔에 교차하도록 배치되어, 상기 이온 빔에 의해 공작물의 주입 표면에 이온 주입을 위한 주입실, 및상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 포함하는 이온 빔 주입기로서,상기 공작물 지지 구조물은,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 대한 공작물의 주입각을 변경시키는 단일 회전 부재, 및상기 주입실 내에 배치되고, 상기 단일 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 공작물을 지지하며 선형 이동 경로를 따라 이동하는 단일 병진 부재를 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동에 의해, 상기 이온 빔이 상기 주입실을 통해 이동하여 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하는 거리가 일정하게 유지되는, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 단일 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 수직인 회전축을 갖는, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동은 상기 단일 회전 부재의 회전축에 수직이고, 상기 공작물의 주입 표면에 평행한, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지, 및 이동 경로를 따라 상기 캐리지를 구동하는 선형 모터를 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 5 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는, 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 홀더 조립체(workpiece holder assembly)로서, 상기 공작물을 홀딩하는 정전기 클램프(electrostatic clamp)를 구비한 상기 공작물 홀더 조립체를 더 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 6 항에 있어서,상기 정전기 클램프는 상기 이온 빔에 대해 회전 가능한, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 주입실과 상기 단일 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉(circular vacuum seal)에 의해 진공이 유지되는, 이온 빔 주입기.
- 제 8 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 강자성 유체 진공 밀봉인, 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지, 및 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성하는 이온 빔원,공작물이 이온 빔에 교차하도록 배치되어, 상기 이온 빔에 의해 공작물의 표면에 이온 주입을 위한 주입실, 및상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 포함하는 이온 빔 주입기로서,상기 공작물 지지 구조물은,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 대한 공작물의 주입각을 변경시키는 단일 회전 부재, 및상기 주입실 내에 배치되고, 상기 단일 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 공작물을 지지하며 이동 경로를 따라 선형 이동하는 단일 병진 부재를 포함하며, 상기 단일 병진 부재의 이동은 상기 공작물의 주입 표면에 평행한, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동에 의해, 상기 이온 빔이 상기 주입실에 들어가는 위치와 상기 공작물의 표면 및 상기 이온 빔의 교차점 간의 거리는 상기 공작물의 이동 경로를 따라 이동하는 동안에 일정하게 유지되는, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 수직인 회전축을 갖는, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임과 상기 공작물을 지지하는 이동 가능한 캐리지 간에 배치된 선형 서보모터를 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동은 상기 단일 회전 부재의 회전축에 수직인, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는, 상기 단일 병진 부재 내에 설치되어 상기 단일 회전 부재의 회전축을 교차하는 이동 방향을 가진 회전 샤프트를 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 16 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는, 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 홀더 조립체로서, 상기 공작물을 홀딩하는 정전기 클램프(electrostatic clamp)를 구비한 상기 공작물 홀더 조립체를 더 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 제 17 항에 있어서,상기 정전기 클램프는 상기 이온 빔에 대해 회전 가능한, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 주입실과 상기 단일 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉에 의해 진공이 유지되는, 이온 빔 주입기.
- 제 19 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 강자성 유체 진공 밀봉인, 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지, 및 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는, 이온 빔 주입기.
- 빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성하고, 상기 이온 빔에 의해 공작물의 주입 표면에 이온 주입을 위해 공작물이 이온 빔에 교차하도록 배치되는 주입실을 포함하는 이온 빔 주입기에 대한 공작물 지지 조립체로서,상기 공작물 지지 조립체는,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 대한 공작물의 주입각을 변경시키는 단일 회전 부재, 및상기 주입실 내에 배치되고, 상기 단일 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 공작물을 지지하며 선형 이동 경로를 따라 이동하는 단일 병진 부재를 포함하는, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동에 의해, 상기 이온 빔이 상기 주입실을 통해 이동하여 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하는 거리가 일정하게 유지되는, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 단일 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔에 수직인 회전축을 갖는, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동은 상기 단일 회전 부재의 회전축에 수직이고, 상기 공작물의 주입 표면에 평행한, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임과 상기 공작물을 지지하는 이동 가능한 캐리지 간에 배치된 선형 서보모터를 포함하는, 공작물 지지 조립체.
- 제 26 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는, 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 홀더로서, 상기 공작물을 홀딩하는 정전기 클램프를 구비한 상기 공작물 홀더를 더 포함하는, 공작물 지지 조립체.
- 제 27 항에 있어서,상기 정전기 클램프는 회전 가능한, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 주입실과 상기 단일 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉에 의해 진공이 유지되는, 공작물 지지 조립체.
- 제 29 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 강자성 유체 진공 밀봉인, 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 단일 병진 부재는 상기 단일 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지, 및 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는, 공작물 지지 조립체.
- 공작물에 주입하기 위한 이온 빔을 생성하고, 공작물의 주입 표면에 이온 주입을 위해 공작물이 이온 빔에 교차하도록 배치되는 주입실을 포함하는 이온 빔 주입기를 이용하여 공작물에 이온을 주입하는 방법으로서,상기 이온 주입 방법에 있어서,상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 제공하는 단계로서, 상기 공작물 지지 구조물은, 상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 빔 라인에 대한 공작물의 주입각을 변경시키는 단일 회전 부재, 및 상기 주입실 내에 배치되고, 상기 단일 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 공작물을 지지하며 이동 경로를 따라 이동하는 단일 병진 부재를 포함하는, 상기 공작물 지지 구조물 제공 단계,상기 공작물을 상기 단일 병진 부재 상에 배치하는 단계,상기 단일 회전 부재를 회전시킴으로써 상기 공작물에 대해 원하는 주입각을 선택하는 단계,상기 이온 빔을 상기 공작물로 지향시키는 단계, 및상기 단일 병진 부재를 이동시킴으로써 선형 이동 경로를 따라 상기 공작물을 이동시키는 단계를 포함하는, 이온 주입 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 단일 병진 부재의 이동에 의해, 상기 이온 빔이 상기 주입실을 통해 이동하여 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하는 거리가 일정하게 유지되는, 이온 주입 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 이온 빔은 리본 이온 빔이고, 상기 공작물에 충돌할 때, 상기 공작물 이동 경로는 상기 리본 이온 빔의 범위와 상기 주입실 내의 상기 이온 빔 경로를 횡단하고, 상기 리본 이온 빔의 범위는 상기 공작물의 주입 표면에 주입하기에 충분한, 이온 주입 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/371,606 | 2003-02-21 | ||
US10/371,606 US6740894B1 (en) | 2003-02-21 | 2003-02-21 | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor |
PCT/US2004/005201 WO2004077480A2 (en) | 2003-02-21 | 2004-02-20 | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060013638A KR20060013638A (ko) | 2006-02-13 |
KR101089404B1 true KR101089404B1 (ko) | 2011-12-07 |
Family
ID=32312381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057015453A KR101089404B1 (ko) | 2003-02-21 | 2004-02-20 | 선형 주사 모터를 이용하는 이온 빔 주입기의 조정 가능한주입각 공작물 지지 구조물 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6740894B1 (ko) |
EP (1) | EP1611592B1 (ko) |
JP (1) | JP5051572B2 (ko) |
KR (1) | KR101089404B1 (ko) |
CN (1) | CN1751375B (ko) |
TW (1) | TWI326888B (ko) |
WO (1) | WO2004077480A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103928282A (zh) * | 2014-05-06 | 2014-07-16 | 武汉大学 | 一种离子注入样品台 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6794664B1 (en) * | 2003-12-04 | 2004-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter |
US7030395B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-04-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough |
US6992310B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece |
US6992309B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control |
KR100780759B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2007-11-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 검사장치 |
US7005657B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
JP4049168B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2008-02-20 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
US7462844B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method, system, and apparatus for improving doping uniformity in high-tilt ion implantation |
US7391038B2 (en) * | 2006-03-21 | 2008-06-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for isocentric ion beam scanning |
EA200601832A1 (ru) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Владимир Яковлевич ШИРИПОВ | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа |
US9337076B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Workpiece support structure with four degree of freedom air bearing for high vacuum systems |
US9378992B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-06-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput heated ion implantation system and method |
US9484183B2 (en) * | 2014-09-10 | 2016-11-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Linkage conduit for vacuum chamber applications |
CN107534002A (zh) | 2015-02-25 | 2018-01-02 | 康宁股份有限公司 | 用于将衬底静电地卡紧到移动载体的装置和方法 |
US9607803B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput cooled ion implantation system and method |
CN106816351B (zh) * | 2017-01-20 | 2018-08-17 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种离子注入装置 |
CN109524285B (zh) * | 2017-09-19 | 2021-06-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种离子束刻蚀设备 |
DE102018125473B4 (de) * | 2018-10-15 | 2022-07-28 | Dormakaba Deutschland Gmbh | Durchgangssperre sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Durchgangssperre |
CN111243926A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种载台系统 |
US10825646B2 (en) * | 2019-03-28 | 2020-11-03 | Fei Company | Actuator-assisted positioning systems and methods |
CN115537749A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-12-30 | 核工业西南物理研究院 | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4293137A (en) | 1978-12-11 | 1981-10-06 | Ezekiel Frederick D | Magnetic liquid shaft sealing |
US4761559A (en) | 1986-09-24 | 1988-08-02 | Eaton Corporation | Ion beam implantation display method and apparatus |
JPH0648845Y2 (ja) * | 1988-04-04 | 1994-12-12 | 日新電機株式会社 | ウエハ搬送装置 |
JPH0625961Y2 (ja) * | 1988-04-06 | 1994-07-06 | 日新電機株式会社 | ウエハ搬送装置 |
US4975586A (en) | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
US5229615A (en) | 1992-03-05 | 1993-07-20 | Eaton Corporation | End station for a parallel beam ion implanter |
US5436790A (en) | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
US5444597A (en) | 1993-01-15 | 1995-08-22 | Blake; Julian G. | Wafer release method and apparatus |
US5406088A (en) * | 1993-12-22 | 1995-04-11 | Eaton Corporation | Scan and tilt apparatus for an ion implanter |
US5898179A (en) * | 1997-09-10 | 1999-04-27 | Orion Equipment, Inc. | Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber |
JP2000068226A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
US6222196B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Rotatable workpiece support including cyclindrical workpiece support surfaces for an ion beam implanter |
US6207959B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Ion implanter |
KR100298587B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2001-11-05 | 윤종용 | 이온 주입 장치 |
GB2386469B (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-17 | Varian Semiconductor Equipment | Scan methods and apparatus for ion implantation |
US6710360B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-03-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter |
-
2003
- 2003-02-21 US US10/371,606 patent/US6740894B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-20 JP JP2006503782A patent/JP5051572B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-20 EP EP04713445A patent/EP1611592B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-20 TW TW093104225A patent/TWI326888B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-20 CN CN2004800048058A patent/CN1751375B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-20 KR KR1020057015453A patent/KR101089404B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-20 WO PCT/US2004/005201 patent/WO2004077480A2/en active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103928282A (zh) * | 2014-05-06 | 2014-07-16 | 武汉大学 | 一种离子注入样品台 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5051572B2 (ja) | 2012-10-17 |
CN1751375B (zh) | 2010-08-11 |
TW200416768A (en) | 2004-09-01 |
EP1611592B1 (en) | 2011-11-16 |
KR20060013638A (ko) | 2006-02-13 |
WO2004077480A2 (en) | 2004-09-10 |
US6740894B1 (en) | 2004-05-25 |
JP2006518917A (ja) | 2006-08-17 |
CN1751375A (zh) | 2006-03-22 |
TWI326888B (en) | 2010-07-01 |
EP1611592A2 (en) | 2006-01-04 |
WO2004077480A3 (en) | 2005-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101089404B1 (ko) | 선형 주사 모터를 이용하는 이온 빔 주입기의 조정 가능한주입각 공작물 지지 구조물 | |
KR101267709B1 (ko) | 이온 빔 주입기용 엄빌리컬 코드 설비물 연결 | |
US4607167A (en) | Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope | |
US7057192B2 (en) | Radial scan arm and collimator for serial processing of semiconductor wafers with ribbon beams | |
JP5467430B2 (ja) | イオン注入機に用いる装置及びイオン注入を実行する方法 | |
JP4320471B2 (ja) | 注入角度を調整可能にするイオンビーム注入装置用の加工物支持構造体 | |
US7030395B2 (en) | Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough | |
JP4329693B2 (ja) | 注入角度を調整可能にするイオンビーム注入装置用の加工物支持構造体 | |
US6900444B2 (en) | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter | |
JP2006278316A (ja) | リボンビームで半導体ウエハのシリーズ処理するための放射走査アーム及びコリメータ | |
US7276712B2 (en) | Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber of an ion beam implanter | |
US7288774B1 (en) | Transverse magnetic field voltage isolator | |
KR20050021570A (ko) | 이온 빔 주입기용 조정가능한 주입각 작업재 지지 구조물 | |
KR20050018978A (ko) | 이온빔 주입기용 조정가능한 주입각 작업재 지지 구조체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161028 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180928 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190924 Year of fee payment: 9 |