KR20060013638A - 선형 주사 모터를 이용하는 이온 빔 주입기의 조정 가능한주입각 공작물 지지 구조물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (34)
- 이온 빔 주입기로서,빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성시키는 이온 빔원,공작물이 이온 빔에 의해 공작물의 주입 표면의 이온 주입을 위해 상기 이온 빔을 교차시키도록 배치되는 주입실 및,상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 구비하는데, 상기 공작물 지지 구조물은,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 대한 공작물의 주입각을 변경하는 회전 부재 및,상기 주입실 내에 배치되고, 상기 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 선형 이동 경로를 따라 이동을 위해 공작물을 지지하는 병진 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은, 상기 이온 빔이 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하기 전에 상기 주입실을 통해 이동하는 일정한 거리를 유지하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 수직인 회전축을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은 상기 회전 부재의 회전축에 수직이고, 상기 공작물의 주입 표면에 평행한 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지 및, 이동 경로를 따라 상기 캐리지를 구동하는 선형 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 5 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 지지 조립체 및, 상기 공작물을 지지하는 정전 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 6 항에 있어서,상기 정전 클램프는 상기 이온 빔에 대해 회전 가능한 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 주입실과 상기 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉에 의해 진공이 유지되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 8 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 자성 유체 진공 밀봉인 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 1 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지 및, 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 이온 빔 주입기로서,빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성시키는 이온 빔원,공작물이 이온 빔에 의해 공작물의 표면의 이온 주입을 위해 상기 이온 빔을 교차시키도록 배치되는 주입실 및,상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 구비하는데, 상기 공작물 지지 구조물은,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 대한 공작물의 주입각을 변경하는 회전 부재 및,상기 주입실 내에 배치되고, 상기 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 이동 경로를 따라 선형 이동을 위해 공작물을 지지하는 병진 부재를 포함하며, 상기 병진 부재의 이동은 상기 공작물의 주입 표면에 평행한 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 이온 빔이 상기 주입실에 입력하는 위치와 상기 공작물의 표면 및 상기 이온 빔의 교차점 간의 거리는 이동 경로를 따른 상기 공작물의 이동 중에 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 수직인 회전축을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임과 상기 공작물을 지지하는 이동 가능한 캐리지 간에 배치된 선형 서보모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은 상기 회전 부재의 회전축에 수직인 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재 내에 설치되고, 상기 회전 부재의 회전축을 교차하는 이동 방향을 가진 병진 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 16 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 지지 조립체 및, 상기 공작물을 지지하는 정전 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 16 항에 있어서,상기 정전 클램프는 상기 이온 빔에 대해 회전 가능한 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 주입실과 상기 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉에 의해 진공이 유지되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 19 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 자성 유체 진공 밀봉인 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 제 11 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지 및, 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 주입기.
- 빔 라인을 따라 이동하는 이온 빔을 생성시키고, 주입실을 포함하는 이온 빔 주입기에 대한 공작물 지지 조립체로서, 상기 이온 빔에 의해 공작물의 주입 표면의 이온 주입을 위해 상기 이온 빔을 교차시키도록 공작물이 배치되는 공작물 지지 조립체에 있어서,상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 대한 공작물의 주입각을 변경하는 회전 부재 및,상기 주입실 내에 배치되고, 상기 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 선형 이동 경로를 따라 이동을 위해 공작물을 지지하는 병진 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은, 상기 이온 빔이 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하기 전에 상기 주입실을 통해 이동하는 일정한 거리를 유지하는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 회전 부재는 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 일부에 수직인 회전축을 갖는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은 상기 회전 부재의 회전축에 수직이고, 상기 공작물의 주입 표면에 평행한 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임과 상기 공작물을 지지하는 이동 가능한 캐리지 간에 배치된 선형 서보모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 26 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 주입실 내로 연장하는 공작물 지지대 및, 상기 공작물을 지지하는 정전 클램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 27 항에 있어서,상기 정전 클램프는 회전 가능한 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 주입실과 상기 회전 부재 간에 원형 진공 밀봉에 의해 진공이 유지되는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 29 항에 있어서,상기 원형 진공 밀봉은 자성 유체 진공 밀봉인 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 제 22 항에 있어서,상기 병진 부재는 상기 회전 부재에 부착된 지지 프레임, 선형 이동 경로를 따라 상기 지지 프레임에 대해 이동 가능한 캐리지 및, 상기 지지 프레임과 상기 캐리지 간의 선형 베어링을 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물 지지 조립체.
- 공작물을 주입하기 위히 이온 빔을 생성시키고, 주입실을 포함하는 이온 빔 주입기를 이용하여 공작물내에 이온을 주입하는 방법으로서, 공작물의 주입 표면의 이온 주입을 위해 상기 이온 빔을 교차시키도록 공작물이 배치되는 공작물내의 이온 주입 방법에 있어서,상기 주입실에 결합되어, 상기 공작물을 지지하는 공작물 지지 구조물을 제공하는 단계로서, 상기 공작물 지지 구조물은, 상기 주입실에 결합되어, 상기 주입실 내에서 상기 이온 빔의 빔 라인의 일부에 대한 공작물의 주입각을 변경하는 회전 부재 및, 상기 주입실 내에 배치되고, 상기 회전 부재에 이동 가능하게 결합되어, 이동 경로를 따라 이동을 위해 공작물을 지지하는 병진 부재를 포함하는 단계,상기 공작물을 상기 병진 부재 상에 배치하는 단계,상기 회전 부재를 회전함으로써 상기 공작물에 대해 원하는 주입각을 선택하는 단계,상기 이온 빔을 상기 공작물로 지향시키는 단계 및,상기 병진 부재를 이동함으로써 선형 이동 경로를 따라 상기 공작물을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공작물내의 이온 주입 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 병진 부재의 이동은, 상기 이온 빔이 상기 공작물의 주입 표면에 충돌하기 전에 상기 주입실을 통해 이동하는 일정한 거리를 유지하는 것을 특징으로 하 는 공작물내의 이온 주입 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 이온 빔은 상기 공작물에 충돌할 시의 리본 이온 빔이고, 상기 공작물 이동 경로는 상기 주입실 내에서 상기 리본 이온 빔의 범위 및 상기 이온 빔 경로의 일부까지 횡단하는 것을 특징으로 하는 공작물내의 이온 주입 방법.
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US6794664B1 (en) * | 2003-12-04 | 2004-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter |
US7030395B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-04-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough |
US6992310B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece |
US6992309B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control |
KR100780759B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2007-11-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 검사장치 |
US7005657B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
JP4049168B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2008-02-20 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
US7462844B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method, system, and apparatus for improving doping uniformity in high-tilt ion implantation |
US7391038B2 (en) * | 2006-03-21 | 2008-06-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for isocentric ion beam scanning |
EA200601832A1 (ru) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Владимир Яковлевич ШИРИПОВ | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа |
US9337076B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Workpiece support structure with four degree of freedom air bearing for high vacuum systems |
CN103928282B (zh) * | 2014-05-06 | 2016-03-16 | 武汉大学 | 一种离子注入样品台 |
US9378992B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-06-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput heated ion implantation system and method |
US9484183B2 (en) * | 2014-09-10 | 2016-11-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Linkage conduit for vacuum chamber applications |
CN107534002A (zh) | 2015-02-25 | 2018-01-02 | 康宁股份有限公司 | 用于将衬底静电地卡紧到移动载体的装置和方法 |
US9607803B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput cooled ion implantation system and method |
CN106816351B (zh) * | 2017-01-20 | 2018-08-17 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种离子注入装置 |
CN109524285B (zh) * | 2017-09-19 | 2021-06-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种离子束刻蚀设备 |
DE102018125473B4 (de) * | 2018-10-15 | 2022-07-28 | Dormakaba Deutschland Gmbh | Durchgangssperre sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Durchgangssperre |
CN111243926A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种载台系统 |
US10825646B2 (en) * | 2019-03-28 | 2020-11-03 | Fei Company | Actuator-assisted positioning systems and methods |
CN115537749A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-12-30 | 核工业西南物理研究院 | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4293137A (en) | 1978-12-11 | 1981-10-06 | Ezekiel Frederick D | Magnetic liquid shaft sealing |
US4761559A (en) | 1986-09-24 | 1988-08-02 | Eaton Corporation | Ion beam implantation display method and apparatus |
JPH0648845Y2 (ja) * | 1988-04-04 | 1994-12-12 | 日新電機株式会社 | ウエハ搬送装置 |
JPH0625961Y2 (ja) * | 1988-04-06 | 1994-07-06 | 日新電機株式会社 | ウエハ搬送装置 |
US4975586A (en) | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
US5229615A (en) | 1992-03-05 | 1993-07-20 | Eaton Corporation | End station for a parallel beam ion implanter |
US5436790A (en) | 1993-01-15 | 1995-07-25 | Eaton Corporation | Wafer sensing and clamping monitor |
US5444597A (en) | 1993-01-15 | 1995-08-22 | Blake; Julian G. | Wafer release method and apparatus |
US5406088A (en) * | 1993-12-22 | 1995-04-11 | Eaton Corporation | Scan and tilt apparatus for an ion implanter |
US5898179A (en) * | 1997-09-10 | 1999-04-27 | Orion Equipment, Inc. | Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber |
JP2000068226A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
US6222196B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Rotatable workpiece support including cyclindrical workpiece support surfaces for an ion beam implanter |
US6207959B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Ion implanter |
KR100298587B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2001-11-05 | 윤종용 | 이온 주입 장치 |
GB2386469B (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-17 | Varian Semiconductor Equipment | Scan methods and apparatus for ion implantation |
US6710360B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-03-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter |
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