CN115537749A - 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 - Google Patents
一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115537749A CN115537749A CN202211100238.2A CN202211100238A CN115537749A CN 115537749 A CN115537749 A CN 115537749A CN 202211100238 A CN202211100238 A CN 202211100238A CN 115537749 A CN115537749 A CN 115537749A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ion
- vacuum chamber
- chamber
- ion implantation
- transmission device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 86
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 69
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 33
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明属于离子注入工艺装备技术领域，具体涉及一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括：放卷传动装置、离子注入传动装置、收卷传动装置、沉积YBCO超导层金属带材、离子注入真空室、离子源、真空抽气口、放卷室真空室和收卷室真空室；所述离子注入真空室的两侧分别连通放卷室真空室和收卷室真空室；本发明设能够实现动态粒子辐照百米级二代高温超导带材，且可控制注入的离子种类、能量、剂量和注入角度，进而达到可控磁通钉扎浓度、深度、分布及均匀性等；同时注入气体离子和金属离子，还可达到掺杂和缺陷引入的双重效果，具有独特的优势，满足工业化生产的需要。
Description
技术领域
本发明属于离子注入工艺装备技术领域，具体涉及一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置。
背景技术
二代高温超导带材具有高临界转变温度、高载流能力，以及高不可逆场等优点，应用前景广阔。如二代高温超导带材用于替代铜材，由其制成的超导电缆的载流能力是现在铜电缆的5～10倍，绕制的大型电机体积重量可缩小为原来的1/4，利用超导转变特性的超导限流器可突破现有电力技术的极限。随着超导技术的不断发展，其对超导带材的各种性能也所提出新的需求，其中一个热点问题是当外磁场变化时，其临界电流密度会随之迅速地衰减，这主要是因为当外加磁场高于第II类超导体的下临界磁场Hc1时，第II类超导体将进入混合态.此时若通有电流，则会产生洛仑兹力，使得磁通线发生运动。但这只是针对理想的第II类超导体而言，实际的高温超导体并不是理想的，其内部存在位错和间隙原子等各类本征缺陷，这些缺陷会产生钉扎力来阻碍磁通线的运动，当洛仑兹力大于超导体内部的缺陷等提供的钉扎力时，磁通线才发生运动。磁通线的运动伴随着能量的损耗，因此超导体失去无阻传输电流的特性,此时对应的外场为不可逆场Hirr。
为了解决这个问题，目前比较常用的办法是采用各种手段在超导体内部构建人工钉扎中心(artificial pinning center，APC)，从而抑制磁通涡旋的运动来提升其在场性能，且是目前高场下获得较高载流能力最为有效的手段之一。所谓钉扎中心，指的是可以钉扎住磁通的各种形貌和尺度(纳米-亚微米级)的缺陷，其种类包括：原子取代、空穴、位错、第二相、晶界、孪晶等。而引入钉扎中心的方法一般有两种，即由下而上(bottom-up)和由上而下(top-down)。前者指在超导层沉积过程中，引入缺陷作为磁通钉扎中心，最具有代表性的一个例子是在超导层中进行掺杂，在沉积过程生成自组装的具有精细结构的纳米第二相；后者指超导层沉积完成后，通过引入其他物理场，使超导层中产生一定量的缺陷来作为磁通钉扎中心。纳米掺杂可掺入金属(如Au、Ag)、属于YBCO相图中的相(如Y2O3、Y-211)、钙钛矿(如BaIrO3、BaHfO3、BZO、BSO等)，尽管能够实现带材连续处理，但由于掺杂的不均匀性及稳定性控制不好反而会降低带材的超导性能。缺陷目前主要采用粒子辐照(如：中子、离子、质子、电子、射线等)，其中中子辐照已经被证实是一种能够在高温超导体中产生辐照损伤而作为磁通钉扎中心有效的方式，但一般核反应堆反射层热快比较高，要使快中子达到一定注量，必须长时间照射，同时长时间照射会生成大量放射性产物，使辐照后的材料难以使用；高能离子辐照可以控制辐照的离子种类、能量和剂量，进而达到可控的掺杂浓度和深度分布，但加速器离子辐照装置庞大复杂、辐照束班较小，难以实现带材连续工业化辐照加工，且辐照成本较高。
因此，目前亟需设计一种能实现二代高温超导带材连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明针对提出一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，用于解决现有技术中加速器离子辐照装置庞大复杂、辐照束班较小，难以实现带材连续工业化辐照加工，且辐照成本较高的技术问题。
本发明的技术方案：
一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括：
放卷传动装置、离子注入传动装置、收卷传动装置、沉积YBCO超导层金属带材、离子注入真空室、离子源、真空抽气口、放卷室真空室和收卷室真空室；所述离子注入真空室的两侧分别连通放卷室真空室和收卷室真空室；
所放卷室真空室内设置有放卷传动装置，收卷室真空室内设置有收卷传动装置，所述离子注入真空室内设置有离子注入传动装置；所述离子注入真空室顶端设置有离子源，离子注入真空室底端连接有真空抽气口；
所述放卷传动装置上负载待离子注入的沉积YBCO超导层金属带材，所述沉积YBCO超导层金属带材通过离子注入传动装置传动至收卷传动装置内。
所述离子注入传动装置内还设置有注入角度调节鼓，所述注入角度调节鼓调控沉积YBCO超导层金属带材的注入角度，调节角度违反范围：°-°。
所述设置在离子注入真空室顶端的离子源包括：单个气体离子源或单个金属离子源，或气体离子源和金属离子源双离子源。
所述气体离子源为射频放电、直流灯丝放电或微波放电的考夫曼源或潘宁源，产生气体离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
所述金属离子源7，采用金属蒸汽真空弧源，产生金属离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
所述离子注入前离子注入真空室5本底真空度优于1×10-3Pa。
所述待注入的沉积YBCO超导层金属带材4的张力为1-2MPa，走带速度0.1-10m/min，离子注入束流密度0.1μA/cm2-10μA/cm2，注入范围直径50mm，可实现离子注入剂量1.875×1011-1.875×1015ion/cm2的。
本发明的有益效果：
本发明设计的用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，不仅能够实现动态粒子辐照百米级二代高温超导带材，且可控制注入的离子种类、能量、剂量和注入角度，进而达到可控磁通钉扎浓度、深度、分布及均匀性等；同时注入气体离子和金属离子，还可达到掺杂和缺陷引入的双重效果，具有独特的优势，满足工业化生产的需要。
附图说明
图1为本发明设计的用于连续人工磁通钉扎制备的双源离子辐照装置结构示意图；
图2为本发明提供的用于连续人工磁通钉扎制备的单源离子辐照装置结构示意图；
其中，1-放卷传动装置，2-离子注入传动装置，2.1-注入角度调节鼓，3-收卷传动装置，4-沉积YBCO超导层金属带材，5-离子注入真空室，6-气体离子源，7-金属离子源，8-真空抽气口，9-放卷室真空室A，10-收卷室真空室B。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的设计的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置进行详细说明。
一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括动态卷绕系统和离子注入系统，所述动态卷绕系统包括放卷传动装置1、离子注入传动装置2和收卷传动装置3，所述离子注入系统包括离子注入真空室5、注入角度调节鼓2.1、离子源和真空抽气口8；
放卷传动装置1、离子注入传动装置2、收卷传动装置3、沉积YBCO超导层金属带材4、离子注入真空室5、离子源、真空抽气口8、放卷室真空室9和收卷室真空室10；所述离子注入真空室5的两侧分别连通放卷室真空室9和收卷室真空室10；
所放卷室真空室9内设置有放卷传动装置1，收卷室真空室10内设置有收卷传动装置3，所述离子注入真空室5内设置有离子注入传动装置2；所述离子注入真空室5顶端设置有离子源，离子注入真空室5底端连接有真空抽气口8；
所述放卷传动装置1上负载待离子注入的沉积YBCO超导层金属带材4，所述沉积YBCO超导层金属带材4通过离子注入传动装置2传动至收卷传动装置3内。
所述离子注入传动装置2内还设置有注入角度调节鼓21，所述注入角度调节鼓21调控沉积YBCO超导层金属带材4的注入角度，调节角度违反范围：45°-90°。
所述设置在离子注入真空室5顶端的离子源包括：单个气体离子源6或单个金属离子源7，或气体离子源6和金属离子源7双离子源。
所述气体离子源6为射频放电、直流灯丝放电或微波放电的考夫曼源或潘宁源，产生气体离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
所述金属离子源7，采用金属蒸汽真空弧源，产生金属离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
所述离子注入前离子注入真空室5本底真空度优于1×10-3Pa。
所述待注入的沉积YBCO超导层金属带材4的张力为1-2MPa，走带速度0.1-10m/min，离子注入束流密度0.1μA/cm2-10μA/cm2，注入范围直径50mm，可实现离子注入剂量1.875×1011-1.875×1015ion/cm2的。
实施例1
一种用于连续人工磁通钉扎制备的双源离子注入离子辐照装置，如图1所示，包括动态卷绕系统和气体/金属双源离子注入系统；
所述动态卷绕系统包括放卷传动装置1、离子注入传动装置2和收卷传动装置3；所述放卷传动装置1用于负载待离子注入的沉积YBCO超导层金属带材4，所述离子注入传动装置2用于传动离子注入的金属带，所述收卷传动装置3用于收回从离子注入室输出的、经离子注入后的YBCO超导层金属带。本发明提供的实现二代高温超导带材人工磁通钉扎的动态连续离子注入装置动态卷绕系统，还包括张力控制、线速度检测、伺服电机及各种导辊等，其具体结构没有特别的要求，采用成熟的卷绕系统即可。
所述离子注入系统包括离子注入真空室5、注入角度调节鼓2.1、气体离子源6、金属离子源7，和真空抽气口8。在本发明中，所述离子注入真空室5左右分别与放卷室真空室9和收卷室真空室10连通，下端抽气口8外接机械泵、罗兹泵和分子泵构成真空抽气系统；所述注入角度调节鼓，一方面负载从放卷室到收卷室的金属带材传动，另一方面控制离子注入的角度；所述气体离子源和金属离子源，产生注入所需的气体离子和金属离子，安装于真空室顶端。
将待离子注入沉积超导层的金属基带负载于放卷装置1上，通过导辊、离子注入角度调节鼓、导辊，负载于收卷装置3上；开启真空抽气系统，对放卷室、离子注入室及收卷室进行抽空抽气；当离子注入室真空度达到所需要求后，开启气体离子源进行气体离子注入，或开启金属离子源进行金属离子注入，或同时开启气体离子源和金属离子源共注入，实现人工磁通钉扎所需的缺陷制备、掺杂制备，或缺陷/掺杂共制备；在张力控制及私服电机、导辊的驱动作用下，所述待离子注入的金属基带从放卷室进入离子注入室，再进入收卷室，实现带材动态连续离子注入。
实施例2
一种用于连续人工磁通钉扎制备的单源离子注入辐照装置如图2所示，包括动态卷绕系统和气体离子注入系统；
所述动态卷绕系统和实例1相同。
所述气体离子注入系统包括离子注入真空室5、注入角度调节鼓2.1、气体离子源6、真空抽气口7。在本发明中，所述离子注入真空室5左右分别与放卷室真空室8和收卷室真空室9连通，下端抽气口7外接机械泵、罗兹泵和分子泵构成真空抽气系统；所述注入角度调节鼓2.1，一方面负载从放卷室到收卷室的金属带材4传动，另一方面控制离子注入的角度；所述气体离子源6，产生注入所需的气体离子，安装于真空室顶端。
将沉积隔离层、织构层及超导层的金属基带作为待离子注入实现人工磁通钉扎的基体带材；将待离子注入沉积超导层的金属基带负载于放卷装置1上，通过导辊、离子注入角度调节鼓、导辊，负载于收卷装置3上；开启真空抽气系统，对放卷室、离子注入室及收卷室进行抽空抽气；当离子注入室真空度达到所需要求后，开启气体离子源进行气体离子注入，实现人工磁通钉扎所需的缺陷制备；在张力控制及私服电机、导辊的驱动作用下，所述待离子注入的金属基带从放卷室进入离子注入室，再进入收卷室，实现带材动态连续离子注入。
实施例3
一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置如图2所示，包括动态卷绕系统和金属离子注入系统；
所述动态卷绕系统和实例1相同。
所述金属离子注入系统包括离子注入真空室5、注入角度调节鼓2.1、金属离子源6、真空抽气口7。在本发明中，所述离子注入真空室5左右分别与放卷室真空室8和收卷室真空室9连通，下端抽气口7外接机械泵、罗兹泵和分子泵构成真空抽气系统；所述注入角度调节鼓2.1，一方面负载从放卷室到收卷室的金属带材4传动，另一方面控制离子注入的角度；所述金属离子源6，产生注入所需的金属离子，安装于真空室顶端。
将沉积隔离层、织构层及超导层的金属基带作为待离子注入实现人工磁通钉扎的基体带材；将待离子注入沉积超导层的金属基带负载于放卷装置1上，通过导辊、离子注入角度调节鼓、导辊，负载于收卷装置3上；开启真空抽气系统，对放卷室、离子注入室及收卷室进行抽空抽气；当离子注入室真空度达到所需要求后，开启金属离子源进行金属离子注入，实现人工磁通钉扎所需的掺杂制备；在张力控制及私服电机、导辊的驱动作用下，所述待离子注入的金属基带从放卷室进入离子注入室，再进入收卷室，实现带材动态连续离子注入。
本发明提供的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置中的动态卷绕系统，还包括张力控制、线速度检测、伺服电机及各种导辊等，其具体结构没有特别的要求，采用本领域技术人员熟知的卷绕系统即可。
上面对本发明的实施例作了详细说明，本发明并不限于上述实例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (7)
1.一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于，包括：
放卷传动装置(1)、离子注入传动装置(2)、收卷传动装置(3)、沉积YBCO超导层金属带材(4)、离子注入真空室(5)、离子源、真空抽气口(8)、放卷室真空室(9)和收卷室真空室(10)；所述离子注入真空室(5)的两侧分别连通放卷室真空室(9)和收卷室真空室(10)；
所放卷室真空室(9)内设置有放卷传动装置(1)，收卷室真空室(10)内设置有收卷传动装置(3)，所述离子注入真空室(5)内设置有离子注入传动装置(2)；所述离子注入真空室(5)顶端设置有离子源，离子注入真空室(5)底端连接有真空抽气口(8)；
所述放卷传动装置(1)上负载待离子注入的沉积YBCO超导层金属带材(4)，所述沉积YBCO超导层金属带材(4)通过离子注入传动装置(2)传动至收卷传动装置(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述离子注入传动装置(2)内还设置有注入角度调节鼓(21)，所述注入角度调节鼓(21)调控沉积YBCO超导层金属带材(4)的注入角度，调节角度违反范围：45°-90°。
3.根据权利要求2所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述设置在离子注入真空室(5)顶端的离子源包括：单个气体离子源(6)或单个金属离子源(7)，或气体离子源(6)和金属离子源(7)双离子源。
4.根据权利要求3所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述气体离子源(6)为射频放电、直流灯丝放电或微波放电的考夫曼源或潘宁源，产生气体离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
5.根据权利要求3所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述金属离子源(7)，采用金属蒸汽真空弧源，产生金属离子束，加速电压0-400keV，束班不小于直径50mm，束流均匀性优于90％。
6.根据权利要求3所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述离子注入前离子注入真空室(5)本底真空度优于1×10-3Pa。
7.根据权利要求6所述的一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，其特征在于：所述待注入的沉积YBCO超导层金属带材(4)的张力为1-2MPa，走带速度0.1-10m/min，离子注入束流密度0.1μA/cm2-10μA/cm2，注入范围直径50mm，可实现离子注入剂量1.875×1011-1.875×1015ion/cm2的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211100238.2A CN115537749A (zh) | 2022-09-08 | 2022-09-08 | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211100238.2A CN115537749A (zh) | 2022-09-08 | 2022-09-08 | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115537749A true CN115537749A (zh) | 2022-12-30 |
Family
ID=84724875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211100238.2A Pending CN115537749A (zh) | 2022-09-08 | 2022-09-08 | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115537749A (zh) |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1160333A (zh) * | 1995-12-30 | 1997-09-24 | 现代电子产业株式会社 | 离子束角度可调整的离子注入机 |
| CN1751375A (zh) * | 2003-02-21 | 2006-03-22 | 艾克塞利斯技术公司 | 使用线性扫描马达的离子束注入器的注入角可调的工件支承结构 |
| CN101956171A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-01-26 | 深圳市信诺泰创业投资企业(普通合伙) | 离子注入和等离子体沉积设备以及采用等离子体处理薄膜的方法 |
| US20130119263A1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Ion Implant Apparatus and a Method of Implanting Ions |
| CN104507839A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-08 | 株式会社神户制钢所 | 玻璃薄膜输送装置 |
| CN104540979A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | 离子注入装置 |
| CN104540978A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | 离子注入装置 |
| US20160160344A1 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation for superconductor tape fabrication |
| US20170062098A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | American Superconductor Corporation | Long length high temperature superconducting wires with uniform ion implanted pinning microstructures |
| WO2018001523A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for coating a flexible substrate and method of coating a flexible substrate |
| CN108277472A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-07-13 | 苏州新材料研究所有限公司 | 金属基带的表面处理工艺、装置及金属基带用于高温超导带材制备的方法 |
| CN108315722A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-07-24 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种弧形电极等离子体增强化学气相沉积装置 |
| CN108315697A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-07-24 | 电子科技大学 | 一种双面双轴织构MgO薄膜的制备方法 |
| CN111485213A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-04 | 上海超导科技股份有限公司 | 一种适用于生产二代高温超导带材的工艺方法 |
| CN111748764A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-09 | 北京市辐射中心 | 一种负极集流体的制备方法及其装置 |
| CN112271138A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-01-26 | 河南航晨纳米材料有限公司 | 一种用于cof基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备 |
| CN216585218U (zh) * | 2021-12-10 | 2022-05-24 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种超导电金属薄膜的生产线 |
-
2022
- 2022-09-08 CN CN202211100238.2A patent/CN115537749A/zh active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1160333A (zh) * | 1995-12-30 | 1997-09-24 | 现代电子产业株式会社 | 离子束角度可调整的离子注入机 |
| CN1751375A (zh) * | 2003-02-21 | 2006-03-22 | 艾克塞利斯技术公司 | 使用线性扫描马达的离子束注入器的注入角可调的工件支承结构 |
| CN101956171A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-01-26 | 深圳市信诺泰创业投资企业(普通合伙) | 离子注入和等离子体沉积设备以及采用等离子体处理薄膜的方法 |
| US20130119263A1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Ion Implant Apparatus and a Method of Implanting Ions |
| CN104507839A (zh) * | 2012-08-07 | 2015-04-08 | 株式会社神户制钢所 | 玻璃薄膜输送装置 |
| CN104540979A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | 离子注入装置 |
| CN104540978A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-04-22 | 琳得科株式会社 | 离子注入装置 |
| CN105849924A (zh) * | 2013-11-27 | 2016-08-10 | 瓦里安半导体设备公司 | 制造超导带材用的离子植入 |
| US20160160344A1 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation for superconductor tape fabrication |
| US20170062098A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | American Superconductor Corporation | Long length high temperature superconducting wires with uniform ion implanted pinning microstructures |
| WO2018001523A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for coating a flexible substrate and method of coating a flexible substrate |
| CN108315722A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-07-24 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种弧形电极等离子体增强化学气相沉积装置 |
| CN108315697A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-07-24 | 电子科技大学 | 一种双面双轴织构MgO薄膜的制备方法 |
| CN108277472A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-07-13 | 苏州新材料研究所有限公司 | 金属基带的表面处理工艺、装置及金属基带用于高温超导带材制备的方法 |
| CN111485213A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-04 | 上海超导科技股份有限公司 | 一种适用于生产二代高温超导带材的工艺方法 |
| CN111748764A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-09 | 北京市辐射中心 | 一种负极集流体的制备方法及其装置 |
| CN112271138A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-01-26 | 河南航晨纳米材料有限公司 | 一种用于cof基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备 |
| CN216585218U (zh) * | 2021-12-10 | 2022-05-24 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种超导电金属薄膜的生产线 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tang et al. | Concept for a future super proton-proton collider | |
| Iiyoshi et al. | Overview of the large helical device project | |
| Yu et al. | Control of hydrogen content and fuel recycling for long pulse high performance plasma operation in EAST | |
| Keilhacker et al. | The ASDEX divertor tokamak | |
| Chen et al. | Study of runaway current generation following disruptions in KSTAR | |
| CN115537749A (zh) | 一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置 | |
| Leonard et al. | Irradiation response of next generation high temperature superconductors for fusion energy applications | |
| Konoshima et al. | Improvement of plasma parameters by titanium gettering in the JFT-2 tokamak | |
| Xu et al. | EAST Superconducting Tokamak. | |
| Kesgin et al. | Design of a REBCO thin film superconducting undulator | |
| Schultz et al. | Ignition and thermal stability characteristics of advanced-fuel tokamak plasmas with empirical scaling | |
| Tang | SPPC study progress | |
| Tang | SPPC General Progress | |
| Hishinuma et al. | Fabrication and superconducting properties of PIT-V3Ga mono-cored wires using high Ga content Cu–Ga compound powders | |
| Hu et al. | Analysis on the distribution of critical current density in a single ReBCO annular plates | |
| He | Overview and SRF Requirements of the CiADS Project | |
| Rossi | Technical Challenges for Future Accelerators | |
| Kamei et al. | KEK accelerator facilities and Tristan project | |
| US20210384407A1 (en) | Pinning center introduction device, pinning center introduction method and superconductor tape | |
| Richard et al. | Simulating Non-Relativistic Beams Using Helical Pulse Lines | |
| Budhani et al. | Studies of flux pinning by proton-induced fission tracks in multifilamentary tapes of (Bi, Pb) 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10/Ag superconductors | |
| Fu et al. | Equipartitioning design method of a quasi-periodical focusing-accelerating coupled system | |
| Craddock et al. | The TRIUMF Kaon Factory | |
| Hanada et al. | Steady state operation of the superconducting tokamak TRIAM-1M | |
| Pashitskii et al. | Weakening of metals during superconducting transition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |