JP5373702B2 - イオンビームスキャン処理装置及びイオンビームスキャン処理方法 - Google Patents
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Description
ビームスキャン制御演算装置(図2aのCPU)は、イオン注入前の注入位置ビーム電流測定装置によるビーム測定に基づいてビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を演算によって求め、得られたスキャン電圧補正関数から、横方向(X方向)のドーズ量均一性を満たしながら予定されたスキャン幅削減を実現化するスキャン電圧補正関数を複数個自動計算し、RAMに記憶する。
(1)イオン注入前の注入位置ビーム電流測定装置によるビーム測定に基づいてビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を演算によって求め、得られたスキャン電圧補正関数から、横方向(X方向)のドーズ量均一性を満たしながら予定されたスキャン幅削減を実現化するスキャン電圧補正関数を複数個自動計算し、
(2)その複数個のスキャン電圧補正関数をビームスキャナー制御系に設定する、
ことが必要である。
上記実施例によれば、ビーム変動/ドーズ量変動への追従が確実に実施でき、ドーズ量の面内均一性を満たした形で、ビームスキャン周期一定でX−Yスキャン速度の組み合わせが異なる微細なイオン注入条件に対応した多段設定ビームスキャン領域を形成できる。
ビームスキャン速度が最大である最大スキャン範囲における、ビームスキャン幅最大時のビーム測定に基づいて、ビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を演算によって求め、これをビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数として、そのビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を基にして、予め設定した多段の各スキャン領域に対応する各ビームスキャン速度の制御のための各スキャン電圧補正関数を生成する。スキャン電圧補正関数の生成は以下のいずれかで行う。
ビームチューニングを行なった後、イオン注入前において、通常注入と同じく、ビームスキャン幅最大時の注入位置のビーム測定から求められたビームスキャン幅最大時のビームスキャンのためのスキャン電圧補正関数を演算して、スキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を基にして、横方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各スキャン振幅に対応するスキャン電圧補正関数を複数個自動計算により求め、スキャン制御系に設定/記憶する。
設定した各ビームスキャン幅に応じた基準となる各ビームスキャン制御関数を基にして、各スキャン幅に応じたスキャンビームにより、各ビームスキャンを行い、それぞれのスキャンビームについて注入位置にてビーム測定を行って、各ビームスキャン幅に応じたビームスキャンのための各スキャン電圧補正関数を演算により求める。
最大ビームスキャン範囲の基準ビームスキャン制御関数を基にして、設定した各ビームスキャン幅に応じた各スキャンビームの基準ビームスキャン制御関数を設定することにより各ビームスキャン幅のスキャンビームを新たに生成して、注入位置にてビーム測定を行い、各ビームスキャン幅に応じたX方向のスキャンのためのスキャン電圧補正関数を演算により求める。
ビームスキャン幅の設定値(左右のサイドカップ電流測定器をオーバースキャンするビームスキャン幅とビーム設定左右幅)を考慮して、ビームスキャン開始端から多段設定に応じた距離を減らした各ビームスキャン幅を設定する。
中央のビームスキャン線上、Xスキャン他方端に接するウエハ同径円と各段が交わる交点からXスキャン線上におろした垂線を、Xスキャン他方端から多段設定に応じた距離を減らした各ビームスキャン幅の他端として設定する。
Yスキャン方向に、ビームスキャン速度が異なるビームスキャン領域を複数段分割設定し、複数段の各ビームスキャン領域段には、それぞれ複数段のビームスキャン領域毎のスキャン電圧補正関数を設定する。
複数段の各ビームスキャン領域のスキャン電圧補正関数は、最大速度のビームスキャン範囲のスキャン電圧補正関数を測定/演算したものから近似値として生成する、もしくは、複数段のビームスキャン領域毎にスキャン電圧補正関数を測定/演算する、または、複数段のビームスキャン領域のスキャン電圧補正関数を設定して、測定補正する、もしくは最大速度のスキャン範囲のスキャン電圧補正関数を測定/演算したものから近似値として生成する。
12 引出電極
22 質量分析磁石装置
24、30 第1、第2の四重極収束電磁石
26 パーク電極
27 パークハウジング
28 質量分析スリット
32 インジェクタフラグファラデーカップ
36 ビームスキャナー
40 パラレルレンズ
42 加速/減速コラム
58 ウエハ
60 AEF
76 サイドカップ電流測定器
78 注入位置ビーム電流測定装置
80 チューニングファラデー
Claims (6)
- イオン源から引出電極により引き出したイオンビームがウエハに至るビームライン上を通るよう構成し、該ビームラインに沿って、質量分析磁石装置、質量分析スリット、ビームスキャナー、ビーム平行化装置、ウエハ処理室及びウエハメカニカルスキャン装置を配設して、ビームラインのウエハ手前並びに近傍区間には、イオンビームを測定するサイドカップ電流測定器並びに注入位置ビーム電流測定装置を設けたイオンビームスキャン処理装置において、
前記注入位置ビーム電流測定装置のビーム測定に基づいて、前記ビームスキャナーにおけるビームスキャン速度をスキャン電圧により制御するための基準ビームスキャン制御関数及びスキャン電圧補正関数を設定変更可能なビームスキャン制御演算装置により、前記ビームスキャナーを制御するよう構成し、
前記サイドカップ電流測定器によりメカニカルスキャンY方向に直角なX方向のビームスキャンによるビーム電流量を測定して、設定ビーム電流値に対応するY方向のメカニカルスキャン速度となるように測定したビーム電流量に基づいて前記ウエハメカニカルスキャン装置を自動補正追従させるよう構成するとともに、前記ビームスキャン制御演算装置の基準周波数設定を一定(基準周期設定を一定)に保持したまま、複数のビームスキャン速度設定の異なるX方向ビームスキャン波形を、前記ビームスキャナーに印加する制御電圧を補正変更してスキャン電圧補正関数を作成することにより設定して、X方向ビームスキャン速度とX方向ビームスキャン幅の組み合わせの異なるスキャン領域を複数段形成するよう構成し、
異なるX方向ビームスキャン速度とY方向メカニカルスキャン速度の組合せにより、同一ドーズ量領域を複数形成するよう構成したことを特徴とするイオンビームスキャン処理装置。 - 前記ビームスキャン制御演算装置は、前記ビームスキャナーに対し、複数段に設定した各ビームスキャン幅の各スキャン領域を、それぞれ同一周期で設定したビームスキャン幅毎に異なるビームスキャン速度によってビームスキャンをさせることを特徴とする請求項1に記載のイオンビームスキャン処理装置。
- 前記サイドカップ電流測定器は、周期一定で複数段設定に応じて変更したビームスキャン速度でスキャンされているビームの電流を測定し、前記ビームスキャン制御演算装置は、測定したビーム電流に基づいてウエハのメカニカルYスキャンを、ドーズ量設定に応じて自動追従させることを特徴とする請求項1又は2に記載のイオンビームスキャン処理装置。
- 前記ビームスキャン制御演算装置は、イオン注入前に注入位置ビーム電流測定装置によるビーム測定によって求められたビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を演算によって求め、それに対応するウエハのメカニカルYスキャン速度を演算設定し、さらに複数段設定に応じてメカニカルYスキャン速度を演算設定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のイオンビームスキャン処理装置。
- 前記ビームスキャン制御演算装置は、ビームスキャン幅の異なるスキャン領域の前記複数段の形成を、Y方向の直径で2分割される前記ウエハの片側に対するビームスキャン幅を該ウエハの片側の外周に即する形状に対応させて行なうことによりビームスキャン幅の削減を実現することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のイオンビームスキャン処理装置。
- イオン源から引出電極により引き出したイオンビームをウエハに至るビームライン上を通るよう構成し、該ビームラインを、質量分析磁石装置、質量分析スリット、ビームスキャナー、ビーム平行化レンズ、ウエハ処理室、ウエハメカニカルスキャン装置により構成し、ビームラインのウエハ手前並びに近傍区間には、イオンビームを測定するサイドカップ電流測定器並びに注入位置ビーム電流測定装置を設けたイオンビームスキャン処理装置によるイオンビームスキャン処理方法において、
前記注入位置ビーム電流測定装置のビーム測定に基づいて、ビームチューニングに際し、ビームスキャン幅最大時のビーム測定から求められたビームスキャン幅最大時のスキャン電圧補正関数を演算し、そのスキャン電圧補正関数を基にして、横方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅に対応する各スキャン電圧補正関数を複数個自動計算し、
続いて、イオン注入中にメカニカルYスキャン位置を測定し、その位置に応じたスキャン電圧補正関数に切り替えることにより、ウエハの片側のビームスキャンエリアをD形状の複数段設定ビームスキャン領域にしてビームスキャン幅を削減するとともに、横方向ドーズ量均一性を確保し、
上記動作と並行してウエハの別の片側における一定スキャンエリア側のサイドカップビーム電流量を測定し、その変化に応じてメカニカルYスキャン速度を変化させることにより、縦方向ドーズ量均一性を確保するようにしたことを特徴とするイオンビームスキャン処理方法。
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US9006692B2 (en) * | 2013-05-03 | 2015-04-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for controlling ion implantation uniformity |
JP6195538B2 (ja) | 2014-04-25 | 2017-09-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
US9455116B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-09-27 | Axcells Technologies, Inc. | Angular scanning using angular energy filter |
US9679739B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-06-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Combined electrostatic lens system for ion implantation |
TWI686838B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 改善混合式掃描離子束植入機之生產力的系統及方法 |
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US10395889B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | In situ beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems |
CN106469635B (zh) * | 2016-10-08 | 2018-03-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 离子注入装置 |
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CN109935510B (zh) * | 2017-12-15 | 2022-03-29 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种多维静电扫描系统及离子注入系统 |
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US11264205B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-03-01 | Applied Materials, Inc. | Techniques for determining and correcting for expected dose variation during implantation of photoresist-coated substrates |
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JPS5494275A (en) * | 1978-01-10 | 1979-07-25 | Toshiba Corp | Implanting method of charge particles to semiconductor wafers and apparatus for the same |
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JP3125384B2 (ja) * | 1991-11-14 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | イオン注入装置 |
US5432352A (en) * | 1993-09-20 | 1995-07-11 | Eaton Corporation | Ion beam scan control |
US5418378A (en) * | 1994-03-14 | 1995-05-23 | Advanced Micro Devices | Ion implant device with modulated scan output |
US6635117B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-10-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system |
JP5072163B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2012-11-14 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高能率走査イオン注入器 |
US20060097196A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Axcelis Technologies Inc. | Dose uniformity during scanned ion implantation |
JP4494992B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2010-06-30 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそれを用いたイオン注入装置 |
US7342239B2 (en) * | 2005-11-29 | 2008-03-11 | United Microelectronics Corp. | Ion implanation method and device using thereof |
US7358510B2 (en) * | 2006-03-27 | 2008-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter with variable scan frequency |
US20080099696A1 (en) | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Shaped apertures in an ion implanter |
JP5204421B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-06-05 | 株式会社Sen | イオン注入装置 |
JP5242937B2 (ja) | 2007-04-10 | 2013-07-24 | 株式会社Sen | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
JP5638995B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-12-10 | 株式会社Sen | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
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