JP6501402B2 - 積層セラミック電子部品及びその実装基板 - Google Patents

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Description

本発明は、積層セラミック電子部品及びその実装基板に関する。
セラミック材料を用いる電子部品としては、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。
このようなセラミック電子部品の積層セラミックキャパシタ(MLCC、Multi−Layered Ceramic Capacitor)は、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に用いられることができる。
例えば、上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置(LCD、Liquid Crystal Display)及びプラズマ表示装置パネル(PDP、Plasma Display Panel)などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末(PDA、Personal Digital Assistants)、及び携帯電話などの多様な製品の基板に装着されて電気を充電または放電させる役割をする。
このような積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層を有し、上記誘電体層の間に異なる極性の内部電極が交互に配置された構造を有することができる。
このとき、上記誘電体層は、圧電性を有するため、上記積層セラミックキャパシタに直流または交流電圧が印加されると、内部電極の間で圧電現象が生じて周波数によってセラミック本体の体積を膨張及び収縮させながら周期的な振動を発生させる可能性がある。
このような振動は、上記積層セラミックキャパシタの外部電極、及び上記外部電極と基板を連結する半田を通じて基板に伝達され、上記基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音を発生させる可能性がある。
上記振動音は、人に不快感を与える20〜20,000Hz領域の可聴周波数に該当し、このように人に不快感を与える振動音をアコースティックノイズ(acoustic noise)という。
さらに、最近の電子機器では、器具部品の静音化が進むにつれて、上記積層セラミックキャパシタが発生させるアコースティックノイズがより顕著に現れる可能性がある。
このようなアコースティックノイズは、機器の動作環境が静かである場合、使用者が異常音と考え、機器の故障としてみなすおそれがある。
また、音声回路を有する機器では、音声出力にアコースティックノイズが重なり機器の品質が低下するという問題点が発生しかねない。
特開2004−266110号公報
本発明の目的は、アコースティックノイズが低減した積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
本発明の一側面は、積層セラミックキャパシタのセラミック本体の上下主面と、外部電極のボディ部及びバンド部の上下面を覆うように配置された絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極が互いに電気的に連結される積層セラミック電子部品を提供する。
本発明の他の側面は、上部に複数の電極パッドを有する基板と、上記電極パッドに外部導体電極が接合されるように上記基板に実装される上記積層セラミック電子部品と、を含む積層セラミック電子部品の実装基板を提供する。
本発明の一実施形態によると、外部導体電極及び絶縁フレームの弾性力が積層セラミックキャパシタの外部電極を通じて伝達される振動を吸収することによりアコースティックノイズを低減させることができるという効果がある。
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図である。 図1において積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図である。 本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタの内部電極構造を簡略に示す分解斜視図である。 図1の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図である。 図1の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図である。 図1の側断面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。 図1の積層セラミック電子部品が基板に実装された形状を示す側断面図である。
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
なお、各実施形態の図面に示された同一の思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
<積層セラミック電子部品>
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタのセラミック本体の上下主面と、外部電極のボディ部及びバンド部の上下面を覆うように配置された絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極が互いに電気的に連結される。
このとき、上記内部導体電極と上記外部電極の間には導電性接着層が配置されることができる。
また、上記外部導体電極と上記内部導体電極は、上記絶縁フレームに貫通結合されたビア電極を通じて互いに電気的に連結されるか、または上記外部導体電極及び上記絶縁フレームの一部に溝部が形成され、上記溝部に導電性連結部が形成されて互いに電気的に連結されることができる。
また、上記絶縁フレームの一部は、上記外部電極から離れるように配置されることができる。
図1は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図であり、図2は図1から積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図であり、図3は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタの内部電極構造を簡略に示す分解斜視図であり、図4及び図5は図1の積層セラミック電子部品を製造する方法を概略的に示す側断面図であり、図6は図1の側断面図である。
図1から図6を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品100は、積層セラミックキャパシタ101と、絶縁フレーム140と、第1及び第2外部導体電極151、152と、第1及び第2内部導体電極153、154と、第1及び第2外部導体電極151、152と第1及び第2内部導体電極153、154をそれぞれ接続させるための電気的連結手段と、を含む。
本実施形態の積層セラミックキャパシタ101は、複数の誘電体層111を有し、複数の第1及び第2内部電極121、122を含むセラミック本体110と、第1及び第2外部電極131、132と、を含む。
セラミック本体110は、複数の誘電体層111を厚さ方向Tに積層してから焼成したものである。
このとき、セラミック本体110において互いに隣接するそれぞれの誘電体層111同士は、その境界が確認できないほど一体化されることができる。
また、セラミック本体110は六面体形状であることができるが、本発明はこれに限定されない。
本実施形態では、説明の便宜のために、セラミック本体110の誘電体層111が積層された厚さ方向Tの互いに相対する面を上下面と、上記上下面を連結するセラミック本体110の長さ方向Lの互いに相対する面を第1及び第2側面と、上記第1及び第2側面と垂直に交差する幅方向Wの互いに相対する面を第3及び第4側面と定義する。
また、セラミック本体110は、最上部の第1または第2内部電極の上部に所定の厚さの上部カバー層112が形成され、最下部の第1または第2内部電極の下部に下部カバー層113が配置されることができる。
上部カバー層112及び下部カバー層113は、誘電体層111と同一の組成からなることができ、内部電極を含まない誘電体層をセラミック本体110の最上部の内部電極の上部及び最下部の内部電極の下部にそれぞれ少なくとも1つ以上積層して形成されることができる。
誘電体層111は、高誘電率のセラミック材料を含むことができ、例えば、BaTiO(チタン酸バリウム)系セラミック粉末などを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。
上記BaTiO系セラミック粉末は、例えば、BaTiOにCa(カルシウム)、Zr(ジルコニウム)などが一部固溶された(Ba1−xCa)TiO、Ba(Ti1−yCa)O、(Ba1−xCa)(Ti1−yZr)OまたはBa(Ti1−yZr)Oなどがあるが、本発明はこれに限定されない。
また、誘電体層111には、必要に応じて、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、及び分散剤の少なくとも一つ以上がさらに含まれることができる。
上記セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム(Mg)またはアルミニウム(Al)などを用いることができる。
第1及び第2内部電極121、122は、誘電体層111を形成するセラミックシート上に形成されて厚さ方向に積層された後、焼成によって一つの誘電体層111を介してセラミック本体110の内部に厚さ方向に交互に配置される。
このような第1及び第2内部電極121、122は、互いに異なる極性を有する電極であり、誘電体層111の積層方向に沿って互いに対向するように配置され、その間に配置された誘電体層111によって互いに電気的に絶縁されることができる。
第1及び第2内部電極121、122は、その一端がセラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面にそれぞれ露出する。
また、セラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面に露出する第1及び第2内部電極121、122の端部は、セラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面において第1及び第2外部電極131、132とそれぞれ接続されて電気的に連結されることができる。
このとき、第1及び第2内部電極121、122は、導電性金属で形成され、例えば、ニッケル(Ni)またはニッケル(Ni)合金などの材料を用いることができるが、本発明はこれに限定されない。
上記のような構成により、第1及び第2外部電極131、132に所定の電圧が印加されると、互いに対向する第1及び第2内部電極121、122の間に電荷が蓄積されるようになる。このとき、積層セラミックキャパシタ101の静電容量は、誘電体層111の積層方向に沿って互いに重なる第1及び第2内部電極121、122の面積と比例するようになる。
第1及び第2外部電極131、132は、セラミック本体110の長さ方向の両端部にそれぞれ配置される。
また、第1及び第2外部電極131、132は、第1及び第2ボディ部131a、132aと、第1及び第2バンド部131b、132bと、をそれぞれ含むことができる。
第1及び第2ボディ部131a、132aは、セラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面に配置され、第1及び第2内部電極121、122の露出した端部とそれぞれ接続されて電気的に連結される部分である。
第1及び第2バンド部131b、132bは、第1及び第2ボディ部131a、132aから少なくともセラミック本体110の実装面である下面の一部、またはセラミック本体110の幅方向の両側面の一部をそれぞれ覆うように延長される部分であり、第1及び第2外部電極131、132の固着強度を向上させる役割をすることができる。
このとき、第1及び第2外部電極131、132上にめっき層(図示せず)が形成されることができる。
上記めっき層は、一例として、第1及び第2外部電極131、132上にそれぞれ形成された第1及び第2ニッケル(Ni)めっき層と、上記第1及び第2ニッケルめっき層上にそれぞれ形成された第1及び第2すず(Sn)めっき層と、を含むことができる。
絶縁フレーム140は、第1から第3水平絶縁部141、144、145と、第1及び第2垂直絶縁部142、143と、を含む。
第1水平絶縁部141はセラミック本体110の上面に配置され、第2及び第3水平絶縁部144、145は第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの下面に配置される。
このとき、第2及び第3水平絶縁部144、145は、必要に応じて、第1及び第2バンド部131b、132bから所定間隔離れるように配置されることができる。
また、第1及び第2垂直絶縁部142、143は、第1水平絶縁部141の両端部と第2及び第3水平絶縁部144、145の端部を連結し、セラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面に配置される。
このとき、第1及び第2垂直絶縁部142、143は、必要に応じて、第1及び第2ボディ部131a、132aから所定間隔離れるように配置されることができる。
絶縁フレーム140は、耐熱性及び絶縁性に優れ、折り曲げ加工するのに適した柔軟性を有する絶縁材料、例えば、ポリイミド(polyimide)樹脂などからなることができる。
従来の金属フレームの構造は一対の金属フレームを備え、一対の金属フレームは左右の外部電極にそれぞれの工程を通じて配置されるため、計2回の工程を行わなければならなかった。
しかし、本実施例では、単一の絶縁フレーム140を用いており、フレーム構造物を1回の工程で積層セラミックキャパシタ101に接合させることができるため作業性を向上させることができる。これにより、製造費用を節減させることができるという効果が期待できる。
また、本実施例の絶縁フレーム140は、絶縁体であるため、後述する内部導体電極のサイズを調節すると、積層セラミックキャパシタ101と絶縁フレーム140の接合面積が容易に制御される。これにより、積層セラミックキャパシタ101で発生した圧電振動が絶縁フレーム及び外部導体電極を通じて伝達される面積を容易に調節することができる。
第1外部導体電極151は、第1上部水平導体部151bと、第1下部水平導体部151cと、第1垂直導体部151aと、を含む。
第1上部水平導体部151bは絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141の外面(上面)において第1バンド部131bと対応する位置に配置され、第1下部水平導体部151cは第2水平絶縁部144の外面(下面)において第1バンド部131bと対応する位置に配置される。また、第1垂直導体部151aは第1上部水平導体部151bの一端部と第1下部水平導体部151cを垂直に連結し、絶縁フレーム140の第1垂直絶縁部142の外面に配置される。
このとき、第1下部水平導体部151cには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル/すずまたはニッケル/金めっきなどの表面処理が行われることができる。
このように構成された第1外部導体電極151は、略「[」字の形状を有することができる。
第2外部導体電極152は、第2上部水平導体部152bと、第2下部水平導体部152cと、第2垂直導体部152aと、を含む。
第2上部水平導体部152bは絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141の外面(上面)において第2バンド部132bと対応する位置に配置され、第2下部水平導体部152cは第3水平絶縁部145の外面(下面)において第2バンド部132bと対応する位置に配置される。また、第2垂直導体部152aは第2上部水平導体部152bの一端部と第2下部水平導体部152cを垂直に連結し、絶縁フレーム140の第2垂直絶縁部143の外面に配置される。
このとき、第2下部水平導体部152cには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル/すずまたはニッケル/金めっきなどの表面処理が行われることができる。
このように構成された第2外部導体電極152は、略「]」字の形状を有することができる。
また、第1及び第2外部導体電極151、152は、導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
なお、第1及び第2垂直導体部151a、152aの外面には、必要に応じて、エポキシ樹脂などの材料からなる第1及び第2絶縁層(図示せず)を配置して、基板への実装時に半田の高さを低く制御することができる。
第1内部導体電極153は、第1外部電極131の第1バンド部131bの上面と絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141の間に配置され、第1外部電極131の第1バンド部131bと接続されて電気的に連結される。
第2内部導体電極154は、第2外部電極132の第2バンド部132bの上面と絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141の間に配置され、第2外部電極132の第2バンド部132bと接続されて電気的に連結される。
また、第1及び第2内部導体電極153、154は、第1及び第2外部導体電極151、152と同一の材質で、導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
上記電気的連結手段は、例えば、絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141にそれぞれ貫通結合された第1及び第2ビア電極155、156であることができる。
このような第1及び第2ビア電極155、156の露出した両端部に、第1及び第2外部導体電極151、152の第1及び第2上部水平導体部151b、152bと第1及び第2内部導体電極153、154がそれぞれ接触して互いに電気的に連結されることができる。
本実施形態によると、一つの絶縁フレーム140に外部導体電極と内部導体電極が一体化されて構成されるため、積層セラミックキャパシタ101に含まれた一対の外部電極に内部導体電極、絶縁フレーム及び外部導体電極をそれぞれ接合する構成に比べて工程が単純化されて、製造効率を高めることができる。
一方、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの上面と第1及び第2内部導体電極153、154の間の接合強度を向上させるために、第1及び第2導電性接着層161、162がそれぞれ配置されることができる。
第1及び第2導電性接着層161、162は、例えば、高融点半田または導電性ペーストからなることができるが、本発明はこれに限定されない。
<変形例>
図7は本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
ここで、上述の実施形態と類似した部分は、重複を避けるために具体的な説明を省略し、上述の実施形態と比較して変更された特徴について具体的に説明する。
図7を参照すると、本実施形態の電気的連結手段は、第1及び第2外部導体電極151、152の第1及び第2上部水平導体部151b、152bと絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141を同時に貫通して、第1及び第2溝部が形成され、上記第1及び第2溝部に導電性物質からなる第1及び第2導電性連結部151d、152dが形成される。このような第1及び第2導電性連結部151d、152dによって第1及び第2外部導体電極151、152と第1及び第2内部導体電極173、174がそれぞれ連結されるように構成することができる。
また、第1及び第2内部導体電極173、174は、他の実施例として、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの上面から第1及び第2ボディ部131a、132aの一部までを覆うように折り曲げられた形状で形成されることができる。
このとき、上記第1及び第2溝部は、必要に応じて、第1及び第2外部導体電極151、152の第1及び第2上部水平導体部151b、152bと第1及び第2垂直導体部151a、152aの連結部分と、絶縁フレーム140の第1水平絶縁部141と第1及び第2垂直絶縁部142、143の連結部分にそれぞれ形成されることができる。
図8は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図であり、図9は本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品において積層セラミックキャパシタを除外して示す斜視図である。
ここで、上述の実施形態と類似した部分は、重複を避けるために具体的な説明を省略し、上述の実施形態と比較して変更された特徴について具体的に説明する。
図8及び図9を参照すると、本実施形態の第1外部導体電極171は、第1下部水平導体部171bと、第1垂直導体部171aと、を含む。
第1下部水平導体部171bは第2水平絶縁部144の外面(下面)において第1バンド部131bと対応する位置に配置され、第1垂直導体部171aは第1下部水平導体部171bの一端部から垂直に折り曲げられて延長され、絶縁フレーム140の第1垂直絶縁部142の外面に配置される。
このとき、第1下部水平導体部171bには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル/すずまたはニッケル/金めっきなどの表面処理が行われることができる。
このように構成された第1外部導体電極171は、略「└」字の形状を有することができる。
第2外部導体電極172は、第2下部水平導体部172bと、第2垂直導体部172aと、を含む。
第2下部水平導体部172bは、第3水平絶縁部145の外面(下面)において第2バンド部132bと対応する位置に配置され、第2垂直導体部172aは第2下部水平導体部172bの一端部から垂直に折り曲げられて延長され、絶縁フレーム140の第2垂直絶縁部143の外面に配置される。
このとき、第2下部水平導体部172bには、基板への実装時に、半田との接触性に優れるようにニッケル/すずまたはニッケル/金めっきなどの表面処理が行われることができる。
このように構成された第2外部導体電極172は、略「┘」字の形状を有することができる。
また、第1及び第2内部導体電極173、174は、他の実施例として、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの上面から第1及び第2ボディ部131a、132aの一部までを覆うように折り曲げられた形状で形成されることができる。
また、第1及び第2導電性接着層161、162は、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの上面または第1及び第2ボディ部131a、132aと第1及び第2内部導体電極173、174の間にそれぞれ配置されることができる。
なお、上記電気的連結手段は、絶縁フレーム140の第1及び第2垂直絶縁部142、143にそれぞれ貫通結合された第1及び第2ビア電極175、176であることができる。
このような第1及び第2ビア電極175、176の露出した両端部に、第1及び第2外部導体電極171、172の第1及び第2垂直導体部171a、172aと第1及び第2内部導体電極173、174の垂直延長部がそれぞれ接触して互いに電気的に連結されることができる。
一方、本実施形態の電気的連結手段は、第1及び第2外部導体電極171、172の第1及び第2垂直導体部171a、172aと絶縁フレーム140の第1及び第2垂直絶縁部142、143を同時に貫通して、第1及び第2溝部が形成され、上記第1及び第2溝部に導電性物質からなる第1及び第2導電性連結部(図示せず)が形成される。上記第1及び第2導電性連結部によって第1及び第2外部導体電極171、172と第1及び第2内部導体電極173、174がそれぞれ連結されるように構成することができる。
また、第1及び第2垂直導体部171a、172aの外面には、必要に応じて、エポキシ樹脂などの材料からなる第1及び第2絶縁層177、178を配置して、基板への実装時に、半田の高さを低く制御することができる。
なお、第1及び第2絶縁層177、178は、必要に応じて、高さを第1及び第2垂直導体部171a、172aの高さより短く形成するなど、多様な形態で変更して構成することができる。
<積層セラミック電子部品の実装基板>
図10を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板200は、積層セラミック電子部品100が水平に実装される基板210と、基板210の上面に離れるように形成された第1及び第2電極パッド211、212と、を含む。
また、積層セラミック電子部品100は、第1及び第2外部導体電極151、152の第1及び第2下部水平導体部151c、152cがそれぞれ第1及び第2電極パッド211、212上に接触するように位置した状態で、半田221、222によって接合されて基板210と電気的に連結されることができる。
このとき、第1及び第2電極パッド211、212のサイズは、積層セラミック電子部品の第1及び第2下部水平導体部151c、152cと第1及び第2電極パッド211、212を連結する半田221、222の量を決定する指標になり得る。このような半田221、222の量によってアコースティックノイズの大きさが調節されることができる。
積層セラミック電子部品100が基板210に実装された状態で、セラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面に形成された第1及び第2外部電極131、132に極性が異なる電圧が印加されると、誘電体層111の逆圧電効果(Inverse piezoelectric effect)によってセラミック本体110は厚さ方向に膨張及び収縮するようになり、第1及び第2外部電極131、132が形成されたセラミック本体110の長さ方向の第1及び第2側面はポアソン効果(Poisson effect)によってセラミック本体110の厚さ方向の膨張及び収縮とは逆に収縮及び膨張するようになる。
このような収縮及び膨張は振動を発生させる。この振動は、第1及び第2外部電極131、132から基板210に伝達され、基板210から音響が放射されてアコースティックノイズとなる。
本実施形態は、第1及び第2外部導体電極151、152と絶縁フレーム140の弾性力により、積層セラミック電子部品100の圧電特性によって発生する機械的振動の一部を吸収することにより、上記振動が基板210に伝達される量を減少させてアコースティックノイズを低減させることができる。
また、第1及び第2外部導体電極151、152と絶縁フレーム140が基板210の反りなどによって発生する機械応力及び外部衝撃を吸収することにより、積層セラミック電子部品100に応力が伝達されないようにするとともに、積層セラミック電子部品100のクラック発生を防止するという効果を期待することができる。
また、本実施形態によると、第1及び第2外部導体電極151、152と絶縁フレーム140によって十分な弾性力を得ることができ、絶縁フレーム140の第2及び第3水平絶縁部144、145とセラミック本体110の下面は互いに接触するか、または離れても、最小限の間隔を維持することができるため、製品の高さをより減らすことができるようになる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
100 積層セラミック電子部品
101 積層セラミックキャパシタ
110 セラミック本体
111 誘電体層
112、113 カバー層
121、122 第1及び第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
140 絶縁フレーム
151、171 第1外部導体電極
152、172 第2外部導体電極
153、173 第1内部導体電極
154、174 第2内部導体電極
155、175 第1ビア電極
156、176 第2ビア電極
161、162 第1及び第2導電性接着層
200 実装基板
210 基板
211、212 第1及び第2電極パッド
221、222 半田

Claims (17)

  1. 誘電体層を介して長さ方向の両面に交互に露出するように配置される複数の第1内部電極及び複数の第2内部電極を含むセラミック本体と、前記セラミック本体の長さ方向の両端部に前記複数の第1内部電極及び前記複数の第2内部電極とそれぞれ接続されるように配置される第1外部電極及び第2外部電極を含む積層セラミックキャパシタと、
    前記セラミック本体の厚さ方向の一側に配置される第1水平絶縁部、前記第1外部電極及び前記第2外部電極の厚さ方向の他面にそれぞれ配置される第2水平絶縁部及び第3水平絶縁部、及び前記第1水平絶縁部の両端部と前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部の端部をそれぞれ連結し、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置される第1垂直絶縁部及び第2垂直絶縁部を含む絶縁フレームと、
    前記第1水平絶縁部の外面に互いに離れるように配置される第1上部水平導体部及び第2上部水平導体部、前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部の外面にそれぞれ配置される第1下部水平導体部及び第2下部水平導体部、及び前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部の外面にそれぞれ配置される第1垂直導体部及び第2垂直導体部をそれぞれ含む第1外部導体電極及び第2外部導体電極と、
    前記第1外部電極及び前記第2外部電極の上面と前記第1水平絶縁部の間にそれぞれ配置される第1内部導体電極及び第2内部導体電極と、
    前記第1上部水平導体部及び前記第2上部水平導体部と前記第1内部導体電極及び前記第2内部導体電極をそれぞれ接続させる電気的連結手段と、を含む、積層セラミック電子部品。
  2. 前記第1外部電極及び前記第2外部電極は、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ形成された第1ボディ部及び第2ボディ部と、前記第1ボディ部及び前記第2ボディ部からそれぞれ延長されて前記セラミック本体の幅方向及び厚さ方向の面の一部をそれぞれ覆う第1バンド部及び第2バンド部を含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
  3. 前記第1内部導体電極及び前記第2内部導体電極と前記第1バンド部及び前記第2バンド部に対応する面の間にそれぞれ配置される第1導電性接着層及び第2導電性接着層をさらに含む、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 前記第1導電性接着層及び前記第2導電性接着層が、高融点半田または導電性ペーストからなる、請求項3に記載の積層セラミック電子部品。
  5. 前記電気的連結手段が、前記第1水平絶縁部に貫通結合された第1及び第2ビア電極からなる、請求項1から4のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  6. 前記電気的連結手段は、前記第1上部水平導体部及び前記第2上部水平導体部並びに前記第1水平絶縁部を貫通して形成された第1溝部及び第2溝部と、前記第1溝部及び前記第2溝部にそれぞれ形成された第1導電性連結部及び第2導電性連結部と、を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  7. 前記第1溝部及び前記第2溝部が、前記第1上部水平導体部及び前記第2上部水平導体部と前記第1垂直導体部及び前記第2垂直導体部の連結部分にそれぞれ形成される、請求項6に記載の積層セラミック電子部品。
  8. 前記絶縁フレームは、前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部と前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部が前記第1外部電極及び前記第2外部電極からそれぞれ離れるように配置される、請求項1から7のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  9. 前記第1内部導体電極及び前記第2内部導体電極が、前記第1外部電極及び前記第2外部電極の前記第1ボディ部及び前記第2ボディ部の一部をそれぞれ覆うように延長される、請求項2から4のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  10. 前記第1垂直導体部及び前記第2垂直導体部の外面にそれぞれ配置された第1絶縁層及び第2絶縁層をさらに含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  11. 誘電体層を介して長さ方向の両面に交互に露出するように配置される複数の第1内部電極及び複数の第2内部電極を含むセラミック本体、及び前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置され、前記複数の第1内部電極及び前記複数の第2内部電極とそれぞれ接続される第1ボディ部及び第2ボディ部と、前記第1ボディ部及び前記第2ボディ部からそれぞれ延長されて前記セラミック本体の幅方向及び厚さ方向の面の一部を覆う第1バンド部及び第2バンド部を含む第1外部電極及び第2外部電極を含む積層セラミックキャパシタと、
    前記セラミック本体の厚さ方向の一側に配置される第1水平絶縁部、前記第1外部電極及び前記第2外部電極の厚さ方向の他面にそれぞれ配置される第2水平絶縁部及び第3水平絶縁部、前記第1水平絶縁部の両端部と前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部の端部をそれぞれ連結し、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置される第1垂直絶縁部及び第2垂直絶縁部を含む絶縁フレームと、
    前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部の外面にそれぞれ配置される第1下部水平導体部及び第2下部水平導体部、及び前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部の外面にそれぞれ配置される第1垂直導体部及び第2垂直導体部をそれぞれ含む第1外部導体電極及び第2外部導体電極と、
    前記第1バンド部及び前記第2バンド部の上面と前記第1ボディ部及び前記第2ボディ部の一部をそれぞれ覆うように配置される第1内部導体電極及び第2内部導体電極と、
    前記第1垂直導体部及び前記第2垂直導体部と前記第1内部導体電極及び前記第2内部導体電極をそれぞれ接続させる電気的連結手段と、を含む、積層セラミック電子部品。
  12. 前記第1内部導体電極及び前記第2内部導体電極と前記第1バンド部及び前記第2バンド部に対応する面、または前記第1ボディ部及び前記第2ボディ部の間にそれぞれ配置される第1導電性接着層及び第2導電性接着層をさらに含む、請求項11に記載の積層セラミック電子部品。
  13. 前記電気的連結手段が、前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部にそれぞれ貫通結合された第1ビア電極及び第2ビア電極からなる、請求項11または12に記載の積層セラミック電子部品。
  14. 前記電気的連結手段は、前記第1垂直導体部及び前記第2垂直導体部と前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部をそれぞれ貫通して形成された第1溝部及び第2溝部と、前記第1溝部及び前記第2溝部にそれぞれ形成された第1導電性連結部及び第2導電性連結部と、を含む、請求項11から13のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  15. 前記絶縁フレームは、前記第2水平絶縁部及び前記第3水平絶縁部と前記第1垂直絶縁部及び前記第2垂直絶縁部の下部が前記第1外部電極及び前記第2外部電極からそれぞれ離れるように配置される、請求項11から14のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  16. 前記第1垂直導体部及び前記第2垂直導体部の外面にそれぞれ配置された第1絶縁層及び第2絶縁層をさらに含む、請求項11から15のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
  17. 上部に複数の電極パッドを有する基板と、
    前記電極パッドに外部導体電極が接合されるように前記基板に実装される請求項1から16のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品と、を含む、積層セラミック電子部品の実装基板。
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