JP6501034B2 - セラミックス積層体 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 296
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 241
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 144
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 144
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 122
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 121
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 98
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 65
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 64
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 55
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 47
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 97
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 97
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 66
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 36
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012387 aerosolization Methods 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
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Description
(1)金属層上にセラミックス膜が形成されたセラミックス積層体において、前記セラミックス膜は、最小膜厚が1μm以上であり、窒化珪素および不可避不純物を含んでなり、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径300nm以下、面内方向で平均粒径500nm以下であることを特徴とするセラミックス積層体。
(2)前記セラミックス膜は、空隙率が3%未満であることを特徴とする(1)記載のセラミックス積層体。
(3)前記セラミックス膜は、最小膜厚が前記金属層の最大高さ粗さの1.5倍以上であることを特徴とする(1)または(2)に記載のセラミックス積層体。
(4)前記セラミックス膜は、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径150nm以下、面内方向で平均粒径250nm以下であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。
(5)前記セラミックス膜は、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径100nm以下、面内方向で平均粒径150nm以下であることを特徴とする(4)記載のセラミックス積層体。
(6)前記セラミックス膜が、窒化珪素中のβ‐窒化珪素の割合が50wt%を超えた値である窒化珪素および不可避不純物を含んでなることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。
(7)前記セラミックス膜は、前記β‐窒化珪素結晶の(101)面のX線回折強度I(101)に対する(210)面のX線回折強度I(210)の比が0.9を超えた値であることを特徴とする(6)記載のセラミックス積層体。
(8)前記セラミックス膜は、前記β‐窒化珪素結晶の(101)面のX線回折強度I(101)に対する(210)面のX線回折強度I(210)の比が2.2を超えた値であることを特徴とする(7)記載のセラミックス積層体。
(9)前記セラミックス膜が、窒化珪素中のα‐窒化珪素の割合が50wt%を超えた値である窒化珪素および不可避不純物を含んでなることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。
(10)前記セラミックス膜は、膜厚方向から見た窒化珪素の結晶粒の平均アスペクト比が2.0より小さいことを特徴とする(1)〜(9)のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。
(11)(1)〜(10)のいずれか1項に記載のセラミックス積層体から構成されることを特徴とする絶縁放熱体。
(12)前記セラミックス膜の最小膜厚が10μm以上、100μm以下であることを特徴とする(11)記載の絶縁放熱体。
(13)前記金属層が銅またはアルミニウムであることを特徴とする(11)または(12)記載の絶縁放熱体。
(14)前記セラミックス膜上に金属回路が形成されていることを特徴とする(11)〜(13)のいずれか1項に記載の絶縁放熱体。
(15)前記金属回路が銅またはアルミニウムであることを特徴とする(14)記載の絶縁放熱体。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が0.8μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.01倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはHeガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を15L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は167m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。上記セラミックス膜は、断面のFE‐SEM観察では、鉄などの不純物が僅かに確認され、断面のFE−TEM(Field Emission‐Transmission Electron Microscope)観察では、鉄などの不純物に加えて酸化物の不純物も極微量確認されたが、X線回折パターン測定では、β‐窒化珪素のピークと銅(金属層)のピーク以外の不純物のピークは見られなかった。
ここで、平均アスペクト比は以下のようにして求めた。FE‐SEMの観察倍率を50000倍とし、粒界が判別できる結晶粒を100個以上選び、縦の長さが最大になるように結晶粒と外接する長方形の縦の長さ(最大はさみ径)を長径、その長方形の横の長さを短径として、長径を短径で割ることで各結晶粒のアスペクト比を算出し,全結晶粒で平均することによって求めた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が0.8μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.01倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはN2ガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を8L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は89m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が0.8μmで、窒化珪素のα化率が91wt%のα‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記α‐窒化珪素粉末は不純物として0.02wt%の鉄、0.09wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。X線回折パターン測定では、α‐窒化珪素およびβ‐窒化珪素以外のピークは見られなかった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはN2ガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を8L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にα‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は89m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が2.5μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.04倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはN2ガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を12L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は133m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が2.5μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.04倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはHeガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を30L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は333m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が1.2μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.03倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはHeガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を30L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は333m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が金属上に均一に形成されていた。
上記エアロゾルデポジション装置12を使用して、窒化珪素粉末18として粒子径(メディアン径)が0.8μmで、窒化珪素のα化率が5wt%未満のβ‐窒化珪素粉末を用いて、22×22×t2mmの銅板(金属層2)上にセラミックス膜3を形成した。上記β‐窒化珪素粉末は不純物として0.2wt%の鉄、0.1wt%のアルミニウム、0.1wt%のカルシウムを含む。その他の不純物として、X線回折パターン測定で、Si2N2Oの存在が確認され、Si2N2Oの(200)面のピーク強度はβ‐窒化珪素の(200)面のピーク強度の0.01倍であった。巻上用ガスおよび搬送用ガスとしてはHeガスを用い、搬送ガス流量と巻上ガス流量の合計を30L/minとした。エアロゾル搬送管15先端のノズル口は5×0.3mm、銅板の法線とノズルの角度は30°とし、その状態のまま銅板を固定したステージ21を水平方向に駆動させ、銅板全体にβ‐窒化珪素粉末を含んだエアロゾルを噴射してゆきセラミックス膜3を形成した。ガス流量をノズル口の面積で除することによって算出したガス流速は333m/sであった。上記成膜条件は表1にまとめてある。目視では灰色のセラミックス膜が均一に形成されている部分と形成されずに金属層が露出している部分が見られた。
板厚320μmの窒化珪素焼結基板の基板面と垂直方向の断面を鏡面研磨し、FE‐SEM(ULTRA 55、Carl Zeiss)により観察し、β‐窒化珪素の結晶粒の平均粒径を調べた。β‐窒化珪素の結晶粒の平均粒径は板厚(膜厚)方向yの平均粒径が1400nm、面内方向xの平均粒径が1700nmであり、β‐窒化珪素結晶間には焼結助剤由来の粒界相が見られた。なお、平均粒径の求め方は実施例1と同じとしたが、FE‐SEMの観察倍率は5000倍とした。比較例5は、焼結法により作製されているため、空隙率、金属層の最大高さの測定、およびテスターによる簡易絶縁性測定は行わなかった(表2には‐と記載)。
2:金属層
3:セラミックス膜
4:最小膜厚箇所
5:最大膜厚箇所
6:金属層の最大高低差
7:金属層の最高点と最低点の面内方向の距離
8:結晶粒
9:結晶粒と外接する長方形
10:長径
11:短径
12:エアロゾルデポジション装置
13:エアロゾル化容器
14:成膜室
15:エアロゾル搬送管
16:真空ポンプ
17:ガス供給系
18:窒化珪素粉末
19:搬送ガス配管
20:巻上ガス配管
21:ステージ
22:水平駆動機構
x1、y1:線分
P1、P2:交点
Claims (14)
- 金属層上にセラミックス膜が形成されたセラミックス積層体において、
前記セラミックス膜は、最小膜厚が1μm以上であり、窒化珪素および不可避不純物を含んでなり、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径300nm以下、面内方向で平均粒径500nm以下であり、空隙率が3%未満である
ことを特徴とするセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、最小膜厚が前記金属層の最大高さ粗さの1.5倍以上である
ことを特徴とする請求項1に記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径150nm以下、面内方向で平均粒径250nm以下である
ことを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、窒化珪素の結晶粒が膜厚方向で平均粒径100nm以下、面内方向で平均粒径150nm以下である
ことを特徴とする請求項3記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜が、窒化珪素中のβ‐窒化珪素の割合が50wt%を超えた値である窒化珪素および不可避不純物を含んでなる
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、前記β‐窒化珪素結晶の(101)面のX線回折強度I(101)に対する(210)面のX線回折強度I(210)の比が0.9を超えた値である
ことを特徴とする請求項5記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、前記β‐窒化珪素結晶の(101)面のX線回折強度I(101)に対する(210)面のX線回折強度I(210)の比が2.2を超えた値である
ことを特徴とする請求項6記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜が、窒化珪素中のα‐窒化珪素の割合が50wt%を超えた値である窒化珪素および不可避不純物を含んでなる
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。 - 前記セラミックス膜は、膜厚方向から見た窒化珪素の結晶粒の平均アスペクト比が2.0より小さい
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミックス積層体。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載のセラミックス積層体から構成される
ことを特徴とする絶縁放熱体。 - 前記セラミックス膜の最小膜厚が10μm以上、100μm以下である
ことを特徴とする請求項10記載の絶縁放熱体。 - 前記金属層が銅またはアルミニウムである
ことを特徴とする請求項10または11記載の絶縁放熱体。 - 前記セラミックス膜上に金属回路が形成されている
ことを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の絶縁放熱体。 - 前記金属回路が銅またはアルミニウムである
ことを特徴とする請求項13記載の絶縁放熱体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016038555 | 2016-03-01 | ||
JP2016038555 | 2016-03-01 | ||
PCT/JP2017/007981 WO2017150572A1 (ja) | 2016-03-01 | 2017-02-28 | セラミックス積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017150572A1 JPWO2017150572A1 (ja) | 2018-12-20 |
JP6501034B2 true JP6501034B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=59744082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018503353A Active JP6501034B2 (ja) | 2016-03-01 | 2017-02-28 | セラミックス積層体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10889900B2 (ja) |
EP (1) | EP3425087A4 (ja) |
JP (1) | JP6501034B2 (ja) |
KR (1) | KR102239069B1 (ja) |
CN (1) | CN108699700B (ja) |
TW (1) | TWI638716B (ja) |
WO (1) | WO2017150572A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107266067B (zh) * | 2017-06-14 | 2022-08-09 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 一种层状复合陶瓷板、制作方法及移动终端设备 |
US20190006254A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Kyocera International, Inc. | Microelectronic package construction enabled through ceramic insulator strengthening and design |
JP7132868B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2022-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合基材および半導体モジュールならびにこれらの製造方法 |
JP7265137B2 (ja) * | 2019-04-25 | 2023-04-26 | 日本製鉄株式会社 | セラミックス積層体の製造方法およびそれによって製造されたセラミックス積層体 |
JP7339538B2 (ja) * | 2020-01-15 | 2023-09-06 | 日本製鉄株式会社 | 金属セラミックス積層体 |
JP7464936B2 (ja) * | 2021-04-02 | 2024-04-10 | 豊実精工株式会社 | セラミックコーティング部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5245405B2 (ja) | 1973-04-24 | 1977-11-16 | ||
JP2563392B2 (ja) | 1986-11-21 | 1996-12-11 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素系セラミックスおよびその製造方法 |
JPH0663804A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-08 | Mitsubishi Materials Corp | コーテッド窒化けい素系セラミックス製切削用スローアウェイチップ |
JPH06306611A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-11-01 | Nippon Steel Corp | 表面性状の優れた絶縁材料の製造方法 |
JP2694242B2 (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-24 | 工業技術院長 | 高信頼性窒化ケイ素セラミックスとその製造方法 |
JP3689952B2 (ja) | 1995-12-25 | 2005-08-31 | 住友電気工業株式会社 | 窒化炭素配向膜被覆部材 |
JPH10245270A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-14 | Toyota Motor Corp | 高配向窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
JP2000114425A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | パワーモジュール用配線基板 |
JP4201502B2 (ja) | 2000-10-11 | 2008-12-24 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 静電チャックおよびその製造方法 |
JP2002239682A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-27 | Kawasaki Steel Corp | 鋳型への皮膜形成方法、鋳型および多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
JP3784341B2 (ja) | 2001-04-03 | 2006-06-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 回路基板とその作製方法 |
JP2005314800A (ja) | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Toto Ltd | エアロゾルを用いた被膜の製造方法、そのための粒子混合物、ならびに被膜および複合材 |
JP2006179856A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 絶縁基板および半導体装置 |
JP4949668B2 (ja) | 2004-12-09 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物 |
US7915533B2 (en) * | 2005-04-28 | 2011-03-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Silicon nitride substrate, a manufacturing method of the silicon nitride substrate, a silicon nitride wiring board using the silicon nitride substrate, and semiconductor module |
JP2007109827A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toto Ltd | 静電チャック |
JP2007305772A (ja) | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008111154A (ja) | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Ntn Corp | 被膜形成方法 |
JP4921242B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-04-25 | 国立大学法人島根大学 | セラミックス膜、発光素子及びセラミックス膜の製造方法 |
EP2525398B1 (en) * | 2010-01-13 | 2018-09-05 | Kyocera Corporation | Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using same |
JP5498839B2 (ja) | 2010-04-02 | 2014-05-21 | 京セラ株式会社 | 絶縁放熱基板 |
WO2012090543A1 (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 宇部興産株式会社 | 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型、並びにその離型材用窒化珪素粉末、その離型層用窒化珪素粉末含有スラリー及びその鋳造用離型材 |
JP5930637B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-06-08 | デンカ株式会社 | 離型剤用窒化ケイ素粉末およびその製造方法 |
US20130171405A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Bae Systems Controls Inc. | Particle enhanced composition for whisker mitigation |
WO2013157515A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルム、及び、電子デバイス |
WO2014013705A1 (ja) | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
WO2015005390A1 (ja) | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 宇部興産株式会社 | 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化珪素粉末およびその製造法、その窒化珪素粉末を含有したスラリー、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型およびその製造方法、ならびにその鋳型を用いた多結晶シリコンインゴット鋳の製造方法 |
JP6331083B2 (ja) | 2013-08-02 | 2018-05-30 | 国立大学法人横浜国立大学 | 結晶配向セラミックス積層材料及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-02-28 WO PCT/JP2017/007981 patent/WO2017150572A1/ja active Application Filing
- 2017-02-28 EP EP17760036.8A patent/EP3425087A4/en active Pending
- 2017-02-28 US US16/081,737 patent/US10889900B2/en active Active
- 2017-02-28 JP JP2018503353A patent/JP6501034B2/ja active Active
- 2017-02-28 KR KR1020187027619A patent/KR102239069B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-28 CN CN201780014535.6A patent/CN108699700B/zh active Active
- 2017-03-01 TW TW106106636A patent/TWI638716B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10889900B2 (en) | 2021-01-12 |
TW201733803A (zh) | 2017-10-01 |
CN108699700B (zh) | 2021-02-12 |
EP3425087A1 (en) | 2019-01-09 |
WO2017150572A1 (ja) | 2017-09-08 |
CN108699700A (zh) | 2018-10-23 |
EP3425087A4 (en) | 2019-11-06 |
KR20180116380A (ko) | 2018-10-24 |
KR102239069B1 (ko) | 2021-04-12 |
JPWO2017150572A1 (ja) | 2018-12-20 |
TWI638716B (zh) | 2018-10-21 |
US20190062923A1 (en) | 2019-02-28 |
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A621 | Written request for application examination |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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