JP6485457B2 - 電解コンデンサ - Google Patents
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Description
(A)重合性基とスルホン酸基とを有する第一モノマーに由来する第一ユニットと、
(B)重合性基とリン含有基とを有する第二モノマーに由来する第二ユニットと、を含む。
リン含有基が、
一般式(1):−P(=O)(OR1)(OR2)、
一般式(2):−PH(=O)(OR3)および
一般式(3):−PH2(=O)
の少なくとも1つで表される。一般式(1)〜(3)において、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、親水性基、C1〜C3のアルキル基またはカチオン性基である。
一般式(1):−P(=O)(OR1)(OR2)、
一般式(2):−PH(=O)(OR3)および/または
一般式(3):−PH2(=O)
で表される。即ち、リン含有基は、一般式(1)〜(3)の少なくとも1つで表される。ここで、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、親水性基、C1〜C3アルキル基またはカチオン性基である。
−CO−(OCH2CH2)n−O−P(=O)(OR1)(OR2)
で表されることが好ましい。
図1は、本実施形態に係る電解コンデンサの断面模式図である。図2は、図1の実線αで囲まれた領域の拡大図である。
電解コンデンサ1は、コンデンサ素子11と、コンデンサ素子11を封止する樹脂外装体12と、樹脂外装体12の外部にそれぞれ露出する陽極端子13および陰極端子14とを備えている。コンデンサ素子11は、箔状または板状の陽極体2(または陽極部)と、陽極体2の一端部側を覆う誘電体層3と、誘電体層3を覆う陰極部15とを含む。陽極端子13は、陽極体2と電気的に接続し、陰極端子14は、陰極部15と電気的に接続している。樹脂外装体12はほぼ直方体の外形を有しており、これにより、電解コンデンサ1もほぼ直方体の外形を有している。
(陽極体)
陽極体としては、表面積の大きな導電性材料が使用できる。導電性材料としては、弁作用金属、弁作用金属を含む合金、および弁作用金属を含む化合物などが例示できる。これらの材料は一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて使用できる。弁作用金属としては、例えば、チタン、タンタル、アルミニウム、および/またはニオブが好ましく使用される。これらの金属は、その酸化物も含め、誘電率が高いため、陽極体の構成材料として適している。陽極体は、例えば、導電性材料で形成された基材(箔状または板状の基材など)の表面を粗面化したもの、および導電性材料の粒子の成形体またはその焼結体などが挙げられる。
誘電体層は、陽極体の表面の少なくとも一部に形成される。具体的には、誘電体層は、陽極体を構成する導電性材料の表面を陽極酸化することにより形成することができる。陽極体が箔状または板状であり、その表面が粗面化されている場合、誘電体層は、図2に示すように、陽極体2の表面の孔や窪み(ピット)の内壁面に沿って形成される。
導電性高分子層は、導電性高分子と高分子ドーパントを含む。導電性高分子層は、誘電体層の表面の少なくとも一部を覆うように形成されている。導電性高分子層は、誘電体層の表面のできるだけ多くの領域を覆うことが望ましい。
導電性高分子としては、電解コンデンサに使用される公知のもの、例えば、π共役系導電性高分子が使用できる。このような導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、および/またはポリチオフェンビニレンなどを基本骨格とする高分子が挙げられる。導電性高分子は、単独重合体でもよく、二種以上のモノマーの共重合体、およびこれらの誘導体(置換基を有する置換体など)でもよい。例えば、ポリチオフェンを基本骨格とする高分子としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)などが挙げられる。導電性高分子は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。このような導電性高分子は、導電性が高く、ESR特性に優れている。導電性高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば1000〜1,000,000である。
高分子ドーパントは、(A)重合性基とスルホン酸基とを有する第一モノマーに由来するユニットと、(B)重合性基とリン含有基とを有する第二モノマーに由来するユニットとを含む。これにより、誘電体層に対する修復機能が高められる。
陰極層としてのカーボン層は、導電性を有していればよく、例えば、グラファイトを用いて構成することができる。銀ペースト層には、例えば銀粉末とエポキシ樹脂を含む組成物を用いることができる。
高分子ドーパントはラジカル重合により合成することができる。例えば、反応容器に、溶媒と、第一モノマーおよび/または第二モノマーと、必要に応じて第三モノマーとを含む均一なモノマー溶液を仕込み、反応容器内を脱酸素した後、重合開始剤をモノマー溶液に添加し、所定温度で重合反応を進行させる。必要に応じて、モノマー溶液に種々の分子量調整剤を添加してもよい。急激な重合反応を避ける観点から、モノマー溶液を複数回に分けて反応容器に仕込んでもよい。
高分子ドーパントの存在下で、導電性高分子の原料モノマーを重合させることにより、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を合成できる。重合方法としては、化学酸化重合および電解酸化重合のどちらも採用することができる。
次に、電解コンデンサの製造方法について説明する。
まず、陽極体を準備する。陽極体は、例えば、導電性材料で形成された箔状または板状の基材の表面を粗面化することにより得られる。粗面化方法は、基材表面に凹凸を形成できればよい。例えば、基材表面をエッチング(例えば、電解エッチング)してもよく、蒸着などの気相法を利用して、基材表面に導電性材料の粒子を堆積させてもよい。
次に、陽極体上に誘電体層を形成する。誘電体層は、陽極体の表面を陽極酸化することにより形成される。陽極酸化は、公知の化成処理により行うことができる。化成処理は、例えば、陽極体を化成液中に浸漬し、陽極体をアノードとして、化成液中に浸漬したカソードとの間に電圧を印加することにより行うことができる。化成液としては、例えば、リン酸水溶液、リン酸アンモニウム水溶液、またはアジピン酸アンモニウム水溶液などを用いることが好ましい。
次に、誘電体層が形成された陽極体を、第1処理液に浸漬し、誘電体層が形成された陽極体に第1処理液を含浸させた後、乾燥処理し、誘電体層の少なくとも一部を覆う第1導電性高分子層を形成する。次に、第1導電性高分子層が形成された陽極体を、第2処理液に浸漬し、第1導電性高分子層が形成された陽極体に第2処理液を含浸させた後、乾燥処理し、第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆う第2導電性高分子層を形成する。
[実施例]
以下、実施例に基ついて、本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
2Lの攪拌機付セパラブルフラスコに1Lの純水を添加し、フラスコ内に、第一モノマーであるスチレンスルホン酸ナトリウム132gと、第二モノマーである式(7):
CH2=CH−CO−OCH2CH2−O−P(=O)(OH)2
で表されるアクリル酸誘導体34gを添加し、均一なモノマー溶液を得た。更に、モノマー溶液に酸化剤として過硫酸アンモニウムを0.5g添加して、第一モノマーと第二モノマーとの重合反応を8時間かけて進行させ、共重合体の高分子ドーパントを得た。その後、高分子ドーパントに純水とイオン交換樹脂を添加し、攪拌し、濾過する操作を繰り返し、不純物を除去した。
第二モノマーとして式(8):
CH2=CH−CO−(OCH2CH2)5−O−P(=O)(OH)2で表されるアクリル酸誘導体を用いたこと以外、製造例1と同様にして、共重合体の高分子ドーパントを得た。重量平均分子量は約9万であった。仕込み比から計算した第一ユニットと第二ユニットとのモル比は、第一ユニット:第二ユニット=80:20であった。
第一モノマーと第二モノマーとの仕込み比を変更したこと以外、製造例2と同様にして、種々の共重合体の高分子ドーパントを得た。重量平均分子量はいずれも30,000〜200,000の範囲内であった。
仕込み比から計算した第一ユニットと第二ユニットとのモル比は以下の通りである。
製造例3:第一ユニット:第二ユニット=95:5
製造例4:第一ユニット:第二ユニット=90:10
製造例5:第一ユニット:第二ユニット=75:25
製造例6:第一ユニット:第二ユニット=60:40
製造例7:第一ユニット:第二ユニット=50:50
第一モノマーであるスチレンスルホン酸ナトリウムだけを165g用い、第二モノマーを用いなかったこと以外、製造例1と同様にして、高分子ドーパント(第一重合体)を得た。重量平均分子量は約11万であった。
式(8)で表される第二モノマーを73g用い、第一モノマーを用いず、第三モノマーとしてアクリル酸を用いて共重合体の高分子ドーパントを得たこと以外、製造例1と同様にして、高分子ドーパント(第二重合体)を得た。この高分子ドーパントの重量平均分子量は約6万であった。仕込み比から計算した第二モノマーに由来する第二ユニットとアクリル酸に由来するアクリル酸ユニットとのモル比は、第2ユニット:アクリル酸ユニット=50:50であった。
第二モノマーとして式(9):
CH2=CH−CO−(OCH2CH2)5−O−P(=O)(ONa)2で表されるアクリル酸誘導体を用いたこと以外、製造例1と同様にして、共重合体の高分子ドーパントを得た。重量平均分子量は約9万であった。仕込み比から計算した第一ユニットと第二ユニットとのモル比は、第一ユニット:第二ユニット=80:20であった。
第二モノマーとして式(10):
CH2=CH−CO−(OCH2CH2)10−O−P(=O)(OH)2で表されるアクリル酸誘導体を用いたこと以外、製造例1と同様にして、共重合体の高分子ドーパントを得た。重量平均分子量は約9万であった。仕込み比から計算した第一ユニットと第二ユニットとのモル比は、第一ユニット:第二ユニット=80:20であった。
1Lの攪拌機付容器に、製造例1で得られた高分子ドーパントの水分散液(共重合体の含有量3質量%)を投入した。次に、高分子ドーパントの水分散液100質量部に、酸化剤として過硫酸ナトリウム2質量部、触媒として硫酸第二鉄0.2質量部を添加し、その後、3,4−エチレンジオキシチオフェン1質量部を徐々に滴下して化学酸化重合を行った。その後、得られた高分子ドーパントと導電性高分子(ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン)を含む水分散液にイオン交換樹脂を添加し、撹拌し、濾過する操作を繰り返し、液中の不純物を除去して、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を得た。
製造例2〜7で得られた第一ユニットと第二ユニットを含む高分子ドーパントの水分散液を用いたこと以外、製造例Aと同様にして、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を得た。
製造例8で得られた第一ユニットだけを含む高分子ドーパントの水分散液を用いたこと以外、製造例Aと同様にして、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を得た。
製造例8で得られた高分子ドーパントと製造例9で得られた高分子ドーパントとを、第一ユニットと第二ユニットとのモル比が第一ユニット:第二ユニット=80:20となるように混合した。得られた混合物を用いたこと以外、製造例Aと同様にして、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を得た。
製造例10で得られた第一ユニットと第二ユニットを含む高分子ドーパントの水分散液を用いたこと以外、製造例Aと同様にして、高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を得た。
製造例11で得られた第一ユニットと第二ユニットを含む高分子ドーパントの水分散液を用いたこと以外、製造例Aと同様にして、高分子ドーパントがドープされた導電性高分
子を得た。
下記の要領で、電解コンデンサを作製し、その特性を評価した。
(1)陽極体を準備する工程(第1工程)
基材としてのアルミニウム箔(厚み:100μm)の両方の表面をエッチングにより粗面化することで、陽極体を作製した。
陽極体の一端部側(分離部から一端部までの部分)を、化成液に浸漬し、70Vの直流電圧を、20分間印加して、酸化アルミニウムを含む誘電体層を形成した。
(3−1)第1導電性高分子層を形成する工程(工程A)
製造例H(製造例8の高分子ドーパントを含む)で得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を1質量%含む水分散液(第1処理液)に、誘電体層を有する陽極体を浸漬した後、第1処理液から取り出し、120℃で10〜30分の乾燥を行った。第1処理液への浸漬と、乾燥とをさらに1回ずつ繰り返すことで、誘電体層の表面の少なくとも一部を覆うように第1導電性高分子層を形成した。なお、第1導電性高分子層の平均厚みを走査型電子顕微鏡(SEM)により測定したところ、約1μmであった。
製造例Aで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を4質量%含む水分散液(第2処理液)に、第1導電性高分子層を有する陽極体を浸漬した後、第2処理液から取り出し、120℃で10〜30分の乾燥を行った。第2処理液への浸漬と、乾燥とをさらに2回ずつ繰り返すことで、第1導電性高分子層の表面の少なくとも一部および第1導電性高分子層から露出した誘電体層の少なくとも一部を覆うように第2導電性高分子層を形成した。なお、第2導電性高分子層の平均厚みを走査型電子顕微鏡(SEM)により測定したところ、約30μmであった。
導電性高分子層で覆われた誘電体層を有する陽極体を、黒鉛粒子を水に分散した分散液に浸漬し、分散液から取り出し後、乾燥することによりカーボン層を形成した。乾燥は、130〜180℃で10〜30分間行った。
上記のようにして、コンデンサ素子を作製した。
コンデンサ素子の陰極層と、陰極端子の一端部(第1端部)とを導電性接着剤で接合した。コンデンサ素子から突出した陽極体の他端部と、陽極端子の一端部(第1端部)とをレーザ溶接により接合した。
製造例B〜Gで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を含む水分散液(第2処理液)を用いたこと以外、実施例1と同様にして、各実施例の電解コンデンサB〜Gを合計250個ずつ作製した。
製造例Hで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を4質量%含む水分散液(第2処理液)により、第2導電性高分子層の形成を行ったこと以外、実施例1と同様にして、比較例1の電解コンデンサHを合計250個作製した。
製造例Iで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を含む水分散液(第2処理液)を用いたこと以外、実施例1と同様にして、実施例8の電解コンデンサIを合計250個作製した。
(a)ESR
電解コンデンサからランダムに120個選び、4端子測定用のLCRメータを用いて、電解コンデンサの周波数100kHzにおけるESR値(mΩ)を測定し、平均値を求めた。
電解コンデンサの陽極体2と陰極層5との間に10Vの電圧を印加し、40秒後の漏れ電流を測定した。そして、漏れ電流量が100μA以下のものを良品と判断して、各実施例および各比較例におけるLC良品率を算出した。
1.0V/秒のレートで昇圧しながら、上記で良品と判断された電解コンデンサに電圧を印加し、1Aの過電流が流れる破壊耐電圧(BDV)を測定し、平均値を求めた。
以下の要領で導電性高分子層を形成したこと以外、実施例1と同様にして、実施例9の電解コンデンサXを合計250個作製し、同様に評価した。表2に、評価結果を示す。
製造例Aで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を1質量%含む水分散液(第1処理液)に、誘電体層を有する陽極体を浸漬した後、第1処理液から取り出し、120℃で10〜30分の乾燥を行った。第1処理液への浸漬と、乾燥とをさらに1回ずつ繰り返すことで、誘電体層の表面の少なくとも一部を覆うように第1導電性高分子層を形成した。なお、第1導電性高分子層4aの平均厚みを走査型電子顕微鏡(SEM)により測定したところ、約1μmであった。
製造例Hで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を4質量%含む水分散液(第2処理液)に、第1導電性高分子層を有する陽極体を浸漬した後、第2処理液から取り出し、120℃で10〜30分の乾燥を行った。第2処理液への浸漬と、乾燥とをさらに2回ずつ繰り返すことで、第1導電性高分子層の表面の少なくとも一部及び第1導電性高分子層から露出した誘電体層の少なくとも一部を覆うように第2導電性高分子層を形成した。尚、第2導電性高分子層4bの平均厚みを走査型電子顕微鏡(SEM)により測定したところ、約30μmであった。
製造例Jで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を4質量%含む水分散液(第2処理液)を用いたこと以外、実施例1と同様にして、実施例10の電解コンデンサYを合計250個作製し、同様に評価した。表2に、評価結果を示す。
製造例Kで得られた高分子ドーパントがドープされた導電性高分子を4質量%含む水分散液(第2処理液)を用いたこと以外、実施例1と同様にして、実施例11の電解コンデンサZを合計250個作製し、同様に評価した。表2に、評価結果を示す。
2 陽極体
3 誘電体層
4 固体電解質層
4a 第1導電性高分子層
4b 第2導電性高分子層
5 陰極層
5a カーボン層
5b 銀ペースト層
11 コンデンサ素子
12 樹脂外装体
13 陽極端子
13a 陽極端子の第1端部
13b 陽極端子の第2端部
14 陰極端子
14a 陰極端子の第1端部
14b 陰極端子の第2端部
15 陰極部
16 分離部
17 導電性接着剤
Claims (8)
- 陽極体と、前記陽極体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部を覆う導電性高分子層と、を備え、
前記導電性高分子層は、導電性高分子と、高分子ドーパントとを含み、
前記高分子ドーパントは、
(A)重合性基とスルホン酸基とを有する第一モノマーに由来する第一ユニットと、
(B)重合性基とリン含有基とを有する第二モノマーに由来する第二ユニットと、を含み、
前記リン含有基が、
一般式(1):−P(=O)(OR1)(OR2)、
一般式(2):−PH(=O)(OR3)および、
一般式(3):−PH2(=O)
の少なくとも1つで表され、前記一般式(1)〜(3)において、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子、親水性基、C1〜C3のアルキル基またはカチオン性基である、電解コンデンサ。 - 前記リン含有基が、前記一般式(1)で示され、かつ、R1またはR2は、それぞれ独立に水素原子またはカチオン性基である、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記リン含有基が、前記一般式(2)で示され、かつ、R3は水素原子またはカチオン性基である、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記高分子ドーパントは、前記第一ユニットと前記第二ユニットとを含む共重合体を含む、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記高分子ドーパントは、前記第一ユニットを含む第一重合体と、前記第二ユニットを含む第二重合体と、を含む、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記高分子ドーパントに含まれる前記第一ユニットと前記第二ユニットとの合計に対する、前記第二ユニットの割合が、5〜50モル%である、請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記第一モノマーは、スチレンスルホン酸およびスチレンスルホン酸誘導体よりなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記第二モノマーは、(メタ)アクリル酸誘導体およびマレイン酸誘導体の少なくとも1つであり、かつ
一般式(4):R4R5C=CX1R6および一般式(5):R7X2C=CX3R8 の少なくとも1つで表され、前記一般式(4)または(5)において、X1〜X3は、それぞれ独立に一般式(6):−CO−(OCH2CH2)n−O−P(=O)(OR1)(OR2)で表され、
前記一般式(4)〜(6)において、nは1〜10であり、R1およびR2は、それぞれ独立に水素原子またはカチオン性基であり、R4〜R8は、それぞれ独立に水素原子またはメチル基である、請求項4に記載の電解コンデンサ。 - 前記一般式(4)〜(6)において、nは4〜5であり、R4、R5、R7およびR8は、それぞれ水素原子であり、R1およびR2は、それぞれ水素原子またはカチオン性基である、請求項7に記載の電解コンデンサ。
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