JP6456289B2 - チョクラルスキー法による半導体単結晶の引き上げ及び該引き上げに適した石英ガラスるつぼ - Google Patents
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Description
DE 199 17 288 C2には、相互に最大で5mmの間隔、有利には最大で0.1mmの間隔を有している複数の窪みによって開始帯域が粗面化されている、石英ガラスるつぼが開示されている。粗面化によって開始プロセスが簡略になり、また、溶融液面の揺れが減少されることから、種結晶が千切れることが回避される。
EP 1 532 297 A1からは、合成石英ガラスから成る透明な内面層を有しているが、開始帯域の高さでは、天然由来の石英ガラスから成る帯域が挿入されている、石英ガラスるつぼが公知である。この帯域は、少なくとも0.5×H〜0.8×H(Hは、底部最下端から側壁上端面までのるつぼの高さを表す)の領域に延在している。
JP 2011-037708 A1には、シリコン単結晶を引き上げるための石英ガラスるつぼの製造方法が開示されており、この製造方法においては、結晶の引き上げ時の溶融液の振動を回避するために、シリコン溶融液と、るつぼ内壁の石英ガラスとの間の表面張力が制御される。この制御は、表面粗さを調整することによって、また、1mmの厚さの層においてヒドロキシル基含有量及び不純物含有量を所定値に調整することによって行われる。
Claims (15)
- チョクラルスキー法により半導体単結晶を引き上げるための方法であって、
石英ガラスるつぼにおいて半導体溶融液が生成され、前記半導体溶融液から半導体単結晶が引き上げられ、
前記石英ガラスるつぼは、内壁を有しており、
前記半導体溶融液は、溶融液自由表面を有しており、
前記内壁及び前記溶融液自由表面は、前記るつぼ内壁において放射状に周方向に延びている接触帯域の領域において相互に接触しており、且つ、前記内壁及び前記溶融液自由表面はそれぞれ溶融雰囲気に接しており、
前記接触帯域を起点にして、前記溶融液の複数の一次振動が惹起される、方法において、
相互に異なる周波数を有している複数の一次振動が惹起され、
最大振動周波数と最小振動周波数との差は、前記最大振動周波数の少なくとも5%であり、
前記周方向に延びている接触帯域に沿って変化する特性は、前記るつぼ内壁の内部構造、化学的な組成及び/又は表面特性であり、
前記内壁の前記内部構造及び/又は前記表面特性及び/又は前記化学的な組成は、前記接触帯域からるつぼ底部に向かって少なくとも5mmの幅にわたって延在しており、且つ、周方向に延びている変化帯域内で変化し、
前記化学的な組成は、前記るつぼ内壁の前記石英ガラスのヒドロキシル基含有量によって決定され、前記ヒドロキシル基含有量は、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大濃度C OH,max と最小濃度C OH,min との間で変化し、
前記最小濃度C OH,min は、前記最大濃度C OH,max の80%未満であり、
前記るつぼ内壁の前記表面特性は、1cmの測定長さにわたって求められた、前記るつぼ内壁の平均表面粗さR a に関する値によって決定され、
前記平均表面粗さは、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大値R a,max と最小値R a,min との間で変化し、
前記最小値R a,min は、前記最大値R a,max の80%未満である、
方法。 - 前記るつぼ内壁及び/又は前記半導体溶融液の物理的、化学的又は物質的な特性のうちの少なくとも一つが、前記放射状に周方向に延びている接触帯域に沿って変化する、
請求項1に記載の方法。 - 前記特性は、第1の状態及び第2の状態を取り、
前記周方向に延びている接触帯域に沿った前記特性の変化は、前記特性の前記第1の状態から前記第2の状態への段階的又は漸次的な変化であり、
前記特性の前記第1の状態から前記第2の状態への前記段階的又は漸次的な変化は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/10にわたる、
請求項2に記載の方法。 - 前記特性は、第1の状態及び第2の状態を取り、
前記周方向に延びている接触帯域に沿った前記特性の変化は、前記第1の状態及び前記第2の状態が交互に現れる変化であり、
前記特性は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/10にわたり、第2の状態を取る、
請求項2に記載の方法。 - 前記内部構造は、1cmの測定長さにわたって求められた、前記るつぼ内壁の前記石英ガラスの気泡含有量によって決定され、
前記気泡含有量は、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大値Pmaxと最小値Pminとの間で変化し、
前記最小値Pminは、前記最大値Pmaxの50%未満である、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。 - チョクラルスキー法によって半導体単結晶を引き上げるために使用される石英ガラスるつぼにおいて、
前記石英ガラスるつぼは、るつぼ内壁を有しており、前記るつぼ内壁に沿って、放射状に周方向に延びている接触帯域が設けられており、前記接触帯域の物理的、化学的又は物質的な特性のうちの少なくとも一つが変化し
前記周方向に延びている接触帯域に沿って変化する前記特性は、前記るつぼ内壁の内部構造、化学的な組成及び/又は表面特性であり、
前記内壁の前記内部構造及び/又は前記表面特性及び/又は前記化学的な組成は、前記接触帯域からるつぼ底部に向かって少なくとも5mmの幅にわたって延在しており、且つ、周方向に延びている変化帯域内で変化し、
前記化学的な組成は、前記るつぼ内壁の前記石英ガラスのヒドロキシル基含有量によって決定され、前記ヒドロキシル基含有量は、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大濃度C OH,max と最小濃度C OH,min との間で変化し、
前記最小濃度C OH,min は、前記最大濃度C OH,max の80%未満であり、
前記るつぼ内壁の前記表面特性は、1cmの測定長さにわたって求められた、前記るつぼ内壁の平均表面粗さR a に関する値によって決定され、
前記平均表面粗さは、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大値R a,max と最小値R a,min との間で変化し、
前記最小値R a,min は、前記最大値R a,max の80%未満である、
石英ガラスるつぼ。 - 前記るつぼ内壁の物理的、化学的又は物質的な特性のうちの少なくとも一つが、前記放射状に周方向に延びている接触帯域に沿って変化する、
請求項6に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記特性は、第1の状態及び第2の状態を取り、
前記周方向に延びている接触帯域に沿った前記特性の変化は、前記特性の前記第1の状態から前記第2の状態への段階的又は漸次的な変化であり、
前記特性の前記第1の状態から前記第2の状態への前記段階的又は漸次的な変化は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/10にわたる、
請求項7に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記特性の前記第1の状態から前記第2の状態への前記段階的又は漸次的な変化は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/3にわたる、
請求項8に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記特性は、第1の状態及び第2の状態を取り、
前記周方向に延びている接触帯域に沿った前記特性の変化は、前記第1の状態及び前記第2の状態が交互に現れる変化であり、
前記特性は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/10にわたり、第2の状態を取る、
請求項7に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記特性は、前記接触帯域の周長の少なくとも1/3にわたり、第2の状態を取る、
請求項10に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記最小濃度COH,minは、前記最大濃度COH,maxの60%未満である、
請求項6に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記最小値Ra,minは、前記最大値Ra,maxの60%未満である、
請求項6に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記内部構造は、1cmの測定長さにわたって求められた、前記るつぼ内壁の前記石英ガラスの気泡含有量によって決定され、
前記気泡含有量は、前記周方向に延びている接触帯域に沿って、最大値Pmaxと最小値Pminとの間で変化し、
前記最小値Pminは、前記最大値Pmaxの50%未満である、
請求項6乃至13のいずれか一項に記載の石英ガラスるつぼ。 - 前記最小値Pminは、前記最大値Pmaxの30%未満である、
請求項14に記載の石英ガラスるつぼ。
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