JP6455511B2 - Ｃｆ２ｏ結合基とトラン骨格を有する液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、ＣＦ_２Ｏ結合基とトラン骨格を有する液晶化合物、この化合物を含有し、ネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学的異方性、誘電率異方性などの物性を利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）、ＰＳＡ（polymer sustained alignment）などのモードがある。

このような液晶表示素子では、適切な物性を有する液晶組成物が使われている。液晶表示素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の（１）〜（８）で示す物性を有するのが好ましい。
（１）熱、光などに対する高い安定性
（２）高い透明点
（３）液晶相の低い下限温度
（４）小さな粘度（η）
（５）大きな光学的異方性（Δｎ）
（６）大きな誘電率異方性（Δε）
（７）適切な弾性定数（Ｋ）
（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱、光などに対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を大きくする。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

（５）のように、大きな光学的異方性を有する化合物は、素子のコントラストを向上させる。素子の設計に応じて、大きな光学的異方性または小さな光学的異方性、すなわち適切な光学的異方性を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学的異方性を有する化合物が適している。（６）のように大きな誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。一方、小さな誘電率異方性を有する化合物は、組成物の粘度を小さくすることによって、素子の応答時間を短くする。

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。

これまでに、大きな誘電率異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた。大きな光学的異方性を有する液晶化合物も種々合成されてきた。新規な化合物には、従来の化合物にはない優れた物性が期待されるからである。新規な化合物を液晶組成物に添加することによって、少なくとも２つの物性の間の適切なバランスが得られると期待されるからである。このような状況から、上記の物性（１）〜（８）に関して優れた物性と適切なバランスを有する化合物、とりわけ誘電率異方性（Δε）と光学的異方性（Δｎ）が共に大きな化合物が望まれている。

特許文献１にはＣＦ_２Ｏ基とトラン骨格を有する化合物（Ｓ−１）が記載されている。

非特許文献２にはＣＦ_２Ｏ基とトラン骨格を有する化合物（Ｓ−２）が記載されている。

国際公開第９６／０１１８９７号パンフレット．

Liq. Cryst. 2013. 40. Ｐ91-96． Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, Ｐ109． Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, Ｐ327．

本発明の第一の課題は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学的異方性、大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。類似の化合物と比較して、大きな光学的異方性と大きな誘電率異方性を有する化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学的異方性、大きな誘電率異方性、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

本発明は、式（１）で表される化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ¹およびＺ²は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であるが、少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはハロゲンであるが、少なくとも１つはハロゲンであり；
ｍおよびｎは独立して、０、１、または２であり、ｍおよびｎの和は１または２である。

本発明の第一の長所は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学的異方性、大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。類似の化合物と比較して、大きな光学的異方性と大きな誘電率異方性を有する化合物を提供することである（比較例１を参照）。第二の長所は、本発明中の化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学的異方性、大きな誘電率異方性、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この長所は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、本発明中の組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

この明細書における用語の使い方は、次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが、上限温度、下限温度、粘度、誘電率異方性のような組成物の物性を調節する目的で添加する化合物の総称である。これらの化合物は、１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を有し、その分子構造は棒状（rod like）である。このような液晶性化合物を混合することによって液晶組成物が調製される。液晶性化合物の割合（含有量）は、この液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。この組成物に、重合可能な化合物、重合開始剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、消泡剤、色素のような添加物が必要に応じて添加される。添加物の割合（添加量）は、液晶性化合物の割合と同様に、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。重量百万分率（ｐｐｍ）が用いられることもある。

液晶表示素子は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。透明点は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。液晶相の下限温度は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。ネマチック相の上限温度は、液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。

式（１）で表される化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）〜（１５）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ^１、Ｃ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ｃ^１などに対応する。末端基Ｒ^１１の記号を複数の化合物に用いる。これらの化合物において、任意の２つのＲ^１１が表す２つの基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がエチルであるケースがある。化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がプロピルであるケースもある。このルールは、他の末端基、環などの記号にも適用される。式（５）において、ｉが２のとき、２つの環Ｃ^１が存在する。この化合物において、２つの環Ｃ^１が表す２つの基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。このルールは、ｉが２より大きいときの任意の２つにも適用される。このルールは、他の環、結合基などの記号にも適用される。

「少なくとも１つの“Ａ”は、“Ｂ”で置き換えられてもよい」の表現は、“Ａ”の数が１つのとき、“Ａ”の位置は任意であり、“Ａ”の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。「少なくとも１つのＡが、Ｂ、Ｃ、またはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合、さらに複数のＡがＢ、Ｃ、Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合を含むことを意味する。例えば、「少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキル」には、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

ハロゲンはフッ素、塩素、臭素およびヨウ素を意味する。好ましいハロゲンは、フッ素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。液晶性化合物のアルキルは直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、一般的に分岐状アルキルよりも好ましい。これらのことは、アルコキシ、アルケニルなどの末端基についても同様である。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き（Ｌ）であってもよいし、右向き（Ｒ）であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、環から水素を２つ除くことによって生成した非対称な二価基にも適用される。

本発明は、下記の項などである。

項１． 式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ¹およびＺ²は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であるが、少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはハロゲンであるが、少なくとも１つはハロゲンであり；
ｍおよびｎは独立して、０、１、または２であり、ｍおよびｎの和は１または２である。

項２． 項１に記載の式（１）において、
Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキル、炭素数２から１５のアルケニル、炭素数２から１５のアルコキシ、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数１から１５のアルキル、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルケニル、または少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルコキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であり、ｍ個のＺ¹およびｎ個のＺ²のうちの少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはハロゲンであるが、少なくとも１つはハロゲンであり；
ｍおよびｎは独立して、０、１、または２であり、ｍおよびｎの和は１または２である。

項３． 式（１−１）〜（１−３）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物

式（１−１）〜（１−３）において、
Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；
環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であり、ｍ個のＺ^１およびｎ個のＺ^２のうちの少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはフッ素であり、少なくとも１つはフッ素である。

項４． 式（１−１）〜（１−３）において、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；Ｌ^１は、フッ素、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３である、項３に記載の化合物。

項５． 式（１−４）〜（１−２８）のいずれか１つで表される、項１に記載の化合物

式（１−４）〜（１−２８）において、Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、およびＹ^６は独立して、水素、フッ素、または塩素であり；Ｌ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはフッ素であるが、少なくとも１つはフッ素である。

項６． 式（１−４）〜（１−２８）において、Ｌ^１は、フッ素または−ＣＦ_３である、項５に記載の化合物。

項７． 項１から６のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。

項８． 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、
Ｒ^１１は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３のいずれかが−Ｃ≡Ｃ−である場合、他方は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３のいずれかが−ＣＦ_２Ｏ−である場合、他方は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。

項９． 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７または８に記載の液晶組成物。

式（５）において、
Ｒ^１２は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

項１０． 式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１２）において、
Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓ^１１は水素またはメチルであり；
Ｘ^１3およびＸ^１4は独立して、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒおよびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

項１１． 式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１３）〜（１５）において、
Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルまたはアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１９、Ｚ^２０およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

項１２． 重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、項７から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

項１３． 項７から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

項１４． 項７から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物をカプセルに内包させることを特徴とする、項１３に記載の液晶表示素子。

項１５． 項７から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を２Ｄ−３Ｄ間スイッチングに利用されるレンズに使用することを特徴とする、項１３に記載の液晶表示素子。

本発明の化合物、液晶組成物および液晶表示素子について、順に説明する。

１．本発明の化合物（１）
１−１．好ましい例
本発明の化合物（１）は、−ＣＦ_２Ｏ−および−Ｃ≡Ｃ−を有することを特徴とする。化合物（１）は、類似の化合物と比較して、大きな誘電率異方性（Δε）と大きな光学的異方性（Δｎ）を有する。化合物（１）の好ましい例について説明をする。化合物（１）における末端基、環構造、結合基、および置換基の好ましい例は、化合物（１）の下位式にも適用される。

式（１）において、Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

Ｒ^１の例は、炭素数１から１５のアルキル、炭素数２から１５のアルケニル、炭素数１から１５のアルコキシ、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数１から１５のアルキル、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルケニル、または少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数１から１５のアルコキシである。

Ｒ^１の例は、炭素数１から１５のアルキル、炭素数２から１５のアルケニル、炭素数２から１５のアルコキシ、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数１から１５のアルキル、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルケニル、または少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルコキシでもある。

このような左末端基Ｒ^１の例は、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキシ、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル、およびアルコキシアルケニルである。これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。好ましいハロゲンは、フッ素または塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。これらの基は、直鎖または分岐鎖であり、シクロヘキシルのような環状基を含まない。これらの基において分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い透明点または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327、に詳細な説明がある。

アルキルの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、または−Ｃ_７Ｈ_１５である。

アルコキシの例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、または−ＯＣ_７Ｈ_１５である。

アルコキシアルキルの例は、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４−ＯＣＨ_３、または−（ＣＨ_２）_５−ＯＣＨ_３である。

アルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

アルケニルオキシの例は、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５である。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの例は、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＣｌ_２、−ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＣｌ_３、−ＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、または−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの例は、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_３−Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_４−Ｆ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｆ、−Ｏ−（ＣＦ_２）_５−Ｆ、−ＯＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＨＣｌ_２、−ＯＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨ_２Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌ_２、−ＯＣＨ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_３−Ｃｌ、−ＯＣＣｌ_２ＣＨＣｌＣＣｌ_３、−ＯＣＨＣｌＣＣｌ_２ＣＣｌ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_４−Ｃｌ、−Ｏ−（ＣＨ_２）_５−Ｃｌ、または−Ｏ−（ＣＣｌ_２）_５−Ｃｌである。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＣｌ＝ＣＨＣｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＣｌ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_３、または−ＣＨ＝ＣＨＣＣｌ_２ＣＣｌ_３である。

Ｒ^１の好ましい例は、炭素数１から１５のアルキル、炭素数２から１５のアルケニル、炭素数１から１４のアルコキシ、または炭素数１から１４のアケニルオキシである。Ｒ^１の、より好ましい例は、炭素数１から７のアルキル、炭素数１から７のアルコキシ、炭素数２から８のアルケニル、または炭素数２から８のアルケニルオキシである。Ｒ^１のさらに好ましい例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５である。Ｒ^１の最も好ましい例は、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２である。

式（１）において、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。

環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３の好ましい例は、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンの好ましい例は、式（Ａ−１）〜（Ａ−５）である。

２−フルオロ−１，４−フェニレンは、左右対称ではない。化学式において、フッ素が左末端基の側に位置する場合（左向き；Ａ−６）と、右末端基の側に位置する場合（右向き；Ａ−１）とが存在する。好ましい２−フルオロ−１，４−フェニレンは、誘電率異方性を大きくするために右向き（Ａ−１）である。このことは、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンなどにも当てはまる。すなわち、フッ素が右末端基の側に位置する場合である、式（Ａ−１）〜（Ａ−５）が好ましい。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンのさらに好ましい例は、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−６−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジクロロ−１，４−フェニレン、または２−クロロ−１，４−フェニレンである。少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンの最も好ましい例は、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。

環Ａ^１、環Ａ^２、または環Ａ^３のさらに好ましい例は、環Ａ^１は、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり、環Ａ^２または環Ａ^３は、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、または２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレンである。

式（１）において、Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であるが、少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−である。すなわち化合物（１）は、−ＣＦ_２Ｏ−および−Ｃ≡Ｃ−を有する。化合物（１）は２つの−Ｃ≡Ｃ−を有してもよい。化合物（１）の好ましい例を項５に示した。これらの化合物において、さらに好ましい例は、化合物（１−４）、化合物（１−５）、化合物（１−６）、およいび化合物（１−１６）から化合物（１−２４）である。特に好ましい例は、化合物（１−７）から化合物（１−１５）である。

式（１）において、Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；Ｌ^２、Ｌ^３は独立して、水素またはハロゲンであるが、少なくとも１つはハロゲンである。Ｌ^１の好ましい例は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり、Ｌ^２およびＬ^３の好ましい例は、フッ素または塩素である。Ｌ^１のさらに好ましい例は、フッ素、−ＯＣＦ_３または−ＣＦ_３であり、Ｌ^２およびＬ^３のさらに好ましい例は、フッ素である。Ｌ^２およびＬ^３の好ましい組み合わせは、Ｌ^２およびＬ^３の一方が水素であり、他方がフッ素であるか、またはＬ^２およびＬ^３の両方がフッ素である。Ｌ^２およびＬ^３のさらに好ましい組み合わせは、Ｌ^２およびＬ^３の両方がフッ素である。

式（１）において、ｍおよびｎは独立して、０、１、または２であり、ｍおよびｎの和は、１または２である。ｍおよびｎの和が１のとき、この化合物は３環を有する。ｍおよびｎの和が２のとき、この化合物は４環を有する。低粘度の観点から、好ましい組み合わせは、ｍは１でｎは０である。高い上限温度の観点から、好ましい組み合わせは、ｍは１でｎは１、またはｍは２でｎは０である。

１−２．化合物（１）の物性
化合物（１）において、Ｒ^１、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、およびＬ^３の種類を適切に組み合わせることによって、透明点、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。Ｒ^１などの種類が化合物（１）の物性に及ぼす主要な効果を以下に説明する。

左末端基Ｒ^１が直鎖であるときは、液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^１が分岐鎖であるときは、他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^１が光学活性である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１が光学活性でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^１がアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、小さい粘度、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。

環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３のすべてが１，４−シクロヘキシレンであるときは、透明点が高く、粘度が小さい。環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３の少なくとも１つが、１，４−フェニレンであるとき、または少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレンであるときは、光学的異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が比較的大きい。環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３のすべてが、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、またはこれらの組み合わせであるときは、光学的異方性が特に大きい。環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３の少なくとも１つが、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであるときは、誘電率異方性が大きい。

結合基Ｚ^１が、単結合であるときは、化学的安定性が高く、粘度が小さい。Ｚ^１が−Ｃ≡Ｃ−であるときは、光学的異方性および誘電的異方性が大きく、上限温度が高い。

Ｌ^２およびＬ^３の一方がフッ素であるときは、誘電率異方性が大きい。Ｌ^２およびＬ^３の両方がフッ素であるときは、誘電率異方性が特に大きい。

化合物（１）の好ましい例は、化合物（１−１）、化合物（１−２）、および化合物（１−３）である。化合物（１−１）は、低い下限温度の観点から好ましい。化合物（１−２）または化合物（１−３）は高い上限温度の観点から好ましい。化合物（１−２）は大きな光学的異方性の観点から好ましい。化合物（１−３）は低温での優れた相溶性の観点から好ましい。化合物（１−１）〜化合物（１−３）の好ましい例は、光学的異方性や誘電率異方性の観点から化合物（１−４）〜化合物（１−２８）である。

以上のように、環構造、末端基、結合基などの種類を適切に選択することによっての物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡのようなモードの液晶表示素子に用いられる液晶組成物の成分として有用である。

１−３．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法について説明する。化合物（１）は有機合成化学の合成法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、「オーガニック・シンセシス」（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc.）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座」（丸善）などの成書に記載されている。

１−３ａ．結合基の生成
化合物（１）における結合基を生成する方法は、下記のスキームのとおりである。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、少なくとも１つの環を有する一価の有機基である。複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表す一価の有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｇ）は、化合物（１）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と化合物（２２）を、炭酸塩、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で反応させ、化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒の存在下で化合物（２２）を反応させても合成される。

（ＩＩ）−ＣＯＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。化合物（２４）と、化合物（２１）から公知の方法で合成されるフェノール（２５）とをＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。

（ＩＩＩ）−ＣＦ_２Ｏ−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬で硫黄化し、化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化して化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）をＤＡＳＴ（（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。

（ＩＶ）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２２）をｎ−ブチルリチウム、次いでＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）と反応させてアルデヒド（２７）を得る。ホスホニウム塩（２８）とカリウムｔ−ブトキシドを反応させて発生させたリンイリドを、アルデヒド（２７）と反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（Ｖ）−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素触媒の存在下で水素化し、化合物（１Ｅ）を合成する。

（ＶＩ）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとヨウ化銅の触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（２９）を得る。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（２９）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

（ＶＩＩ）−ＣＨ_２Ｏ−の生成
化合物（２７）を水素化ホウ素ナトリウムで還元して化合物（３０）を得る。これを臭化水素酸で臭素化して化合物（３１）を得る。炭酸カリウムの存在下、化合物（３２）と化合物（３１）を反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。

１−３ｂ．環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３の生成
１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、などの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

１−３ｃ．合成例
化合物（１−Ａ）を合成する方法の例は、次のとおりである。既存の方法により合成できる化合物（３２）にｓ−ブチルリチウム、ついでヨウ素と反応させることにより化合物（３３）を得る。化合物（３３）にビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリドおよびヨウ化銅（Ｉ）の存在下でエチニルトリメチルシランを反応させて化合物（３４）を得る。化合物（３４）を炭酸カリウムの存在下で脱シリル化させて化合物（３５）を得る。既存の方法により合成できる化合物（３６）にＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２）および炭酸セシウムの存在下で化合物（３５）と反応させて化合物（１−Ａ）を合成する。

化合物（１−Ｂ）を合成する方法の例は、次のとおりである。既存の方法により合成できる化合物（３７）にビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリドおよびヨウ化銅（Ｉ）の存在下で化合物（３８）を反応させて化合物（３９）を得る。化合物（３９）にｓ−ブチルリチウム、ついでイソプロポキシボロン酸ピナコールを反応させて化合物（４０）を得る。化合物（４０）をテトラキス（トリフェニルスホフィン）パラジウム（０）およびリン酸カリウムの存在下で、既存の方法により合成できる化合物（３６）と反応させて化合物（１−Ｂ）を合成する。

これらの化合物において、Ｒ^１、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、Ｌ^１、Ｌ^２、およびＬ^３の定義は、前記と同じである。

２．液晶組成物
２−１．化合物（２）〜（１５）
本発明の液晶組成物について説明をする。この組成物は、少なくとも１つの化合物（１）を成分Ａとして含む。組成物は、２つまたは３つ以上の化合物（１）を含んでいてもよい。組成物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物は、化合物（１）の少なくとも１つを１重量％から９９重量％の範囲で含有することが、優良な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５重量％から６０重量％の範囲である。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。組成物は、化合物（１）と、本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含んでもよい。

好ましい組成物は、以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選択された化合物を含有する。組成物を調製するときには、例えば、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。ＴＦＴ、ＩＰＳ、ＦＦＳなどのモード用に誘電率異方性が正の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分Ａ、ＢおよびＥである。ＳＴＮ、ＴＮなどのモード用に誘電率異方性が正の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分Ａ、ＣおよびＥである。ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用に誘電率異方性が負の組成物を調製するとき、主要な成分は、成分ＤおよびＥであり、成分Ａは素子の電圧−透過率曲線を調整する目的で添加される。成分を適切に選択した組成物は、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学的異方性、大きな誘電率異方性、および適切な弾性定数を有する。

成分Ｂは、化合物（２）〜（４）である。成分Ｃは化合物（５）である。成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。成分Ｅは、化合物（１３）〜（１５）である。これらの成分について、順に説明する。

成分Ｂは、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物である。成分Ｂの好ましい例として、化合物（２−１）〜（２−１６）、化合物（３−１）〜（３−１１３）、または化合物（４−１）〜（４−５７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１１およびＸ^１１の定義は、前記の項８と同一である。

成分Ｂは、誘電率異方性が正であり、熱、光などに対する安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ、ＩＰＳ、ＦＦＳなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｂの含有量は、組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、より好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。この組成物は、化合物（１３）〜（１５）（成分Ｅ）をさらに添加することにより粘度を調整することができる。

成分Ｃは、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（５）である。成分Ｃの好ましい例として、化合物（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｃ）において、Ｒ^１２およびＸ^１２の定義は、前記の項９と同一である。

成分Ｃは、誘電率異方性が正であり、その値が大きいのでＳＴＮ、ＴＮ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。成分Ｃは、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学的異方性を調整する、という効果がある。成分Ｃは、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

ＳＴＮ、ＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は、組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適しているが、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、より好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。この組成物は、成分Ｅを添加することにより液晶相の温度範囲、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などを調整できる。

成分Ｄは、化合物（６）〜（１２）である。これらの化合物は、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたベンゼン環を有する。成分Ｄの好ましい例として、化合物（６−１）〜（６−８）、化合物（７−１）〜（７−１７）、化合物（８−１）、化合物（９−１）〜（９−３）、化合物（１０−１）〜（１０−１１）、化合物（１１−１）〜（１１−３）、または化合物（１２−１）〜（１２−３）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｄ）において、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５の定義は、前記の項１０と同一である。

成分Ｄは、誘電率異方性が負の化合物である。成分Ｄは、主としてＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分Ｄのうち、化合物（６）は２環化合物であるので、主として、粘度の調整、光学的異方性の調整、または誘電率異方性の調整の効果がある。化合物（７）および（８）は３環化合物であるので、上限温度を高くする、光学的異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（９）〜（１２）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分Ｄの含有量は、組成物の重量に基づいて、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０重量％から９５重量％の範囲である。成分Ｄを誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分Ｄの含有量が組成物の重量に基づいて３０重量％以下が好ましい。成分Ｄを添加することにより、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

成分Ｅは、２つの末端基がアルキルなどである化合物である。成分Ｅの好ましい例として、化合物（１３−１）〜（１３−１１）、化合物（１４−１）〜（１４−１９）、または化合物（１５−１）〜（１５−７）を挙げることができる。これらの化合物（成分Ｅ）において、Ｒ^１６およびＲ^１７の定義は、前記の項１１と同一である。

成分Ｅは、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。化合物（１３）は、主として粘度の調整または光学的異方性の調整の効果がある。化合物（１４）および（１５）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学的異方性の調整の効果がある。

成分Ｅの含有量を増加させると組成物の誘電率異方性が小さくなるが、粘度が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。したがって、組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物の重量に基づいて、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

２−１．添加物
組成物の調製は、必要な成分を高い温度で溶解させるなどの方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、消泡剤、色素などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

組成物は、少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有してもよい。光学活性化合物は、液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐという効果を有する。光学活性化合物の好ましい例として、下記の化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。

化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｆは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２１は炭素数１から１０のアルキルである。

組成物は、このような光学活性化合物を添加して、らせんピッチを調整する。らせんピッチは、ＴＦＴモード用およびＴＮモード用の組成物であれば４０μｍから２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮモード用の組成物であれば６μｍから２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＢＴＮモード用の組成物の場合は、１．５μｍから４μｍの範囲に調整するのが好ましい。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

組成物は、重合可能な化合物を添加することによってＰＳＡモード用に使用することもできる。重合可能な化合物の例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどである。重合可能な化合物は、紫外線照射などにより重合する。光重合開始剤などの開始剤を添加してもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。重合可能な化合物の好ましい例として、化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）を挙げることができる。

化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）において、Ｒ^２５、Ｒ^２６およびＲ^２７は独立して、水素またはメチルであり；ｕ、ｘおよびｙは独立して、０または１であり；ｖおよびｗは独立して、１から１０の整数であり；Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３、Ｌ^２４、Ｌ^２５、およびＬ^２６は独立して、水素またはフッ素である。

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）または（ＡＯ−２）；ＩＲＧＡＮＯＸ(登録商標) ４１５、ＩＲＧＡＮＯＸ ５６５、ＩＲＧＡＮＯＸ １０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ １０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ ３１１４、またはＩＲＧＡＮＯＸ １０９８を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）または（ＡＯ−４）；ＴＩＮＵＶＩＮ(登録商標) ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮ Ｐ、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ ３２８、ＴＩＮＵＶＩＮ ９９−２；または１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）または（ＡＯ−６）、ＴＩＮＵＶＩＮ １４４、ＴＩＮＵＶＩＮ ７６５、またはＴＩＮＵＶＩＮ ７７０ＤＦを挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩＲＧＡＦＯＳ １６８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。ＧＨ（guest host）モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に添加される。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^３０は炭素数１から２０のアルキル、炭素数１から２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^３１または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^３１であり、Ｒ^３１は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）において、Ｒ^３２は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、Ｒ^３２は炭素数１から２０のアルキルであり；Ｒ^３３は水素、メチルまたはＯ^・（酸素ラジカル）であり；環Ｇは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり；ｚは、１、２、または３である。

組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ（guest host）モード用に使用することもできる。

３．液晶表示素子
組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＰＳＡモードなどの動作モードを有し、アクティブマトリックス（ＡＭ方式）で駆動する液晶表示素子に使用できる。組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどの動作モードを有し、パッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらのＡＭ方式およびＰＭ方式の素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）、ポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）、ナノカプセル分散型液晶表示素子にも使用できる。この組成物は、立体画像表示装置にも用いることができる。この装置では、通常の液晶表示素子に液晶レンズパネルが組み合わされる。このパネルに電圧を印加して液晶の屈折率を変化させることによって、レンズ状態または非レンズ状態にすることができる。このようにして、２Ｄ表示と３Ｄ表示の間のスイッチングが可能になる。化合物（１）は、このようなスイッチ液晶の成分としても有用である。

実施例（合成例、使用例を含む）により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれら実施例によっては制限されない。本発明は、使用例１の組成物と使用例２の組成物との混合物を含む。本発明は、使用例の組成物の少なくとも２つを混合することによって調製した組成物をも含む。

１．化合物（１）の実施例
化合物（１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物や組成物の物性、および素子の特性は、下記の方法により測定した。

ＮＭＲ分析
測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で測定した。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

測定試料
相構造および転移温度を測定するときには、液晶性化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学的異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物を母液晶に混合して調製した組成物を試料として用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、次のように測定した。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表される外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

母液晶としては、下記の母液晶（ｉ）を用いた。母液晶（ｉ）の成分の割合を重量％で示す。

測定方法
物性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；以下、ＪＥＩＴＡと略す）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

（２）転移温度（℃）
測定には、パーキンエルマー社製の示差走査熱量計Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステム、またはエスアイアイ・ナノテクノロジー社製の高感度示差走査熱量計Ｘ−ＤＳＣ７０００を用いた。３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から等方性液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

（３）低温相溶性
化合物の割合が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶またはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。試料が化合物と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物と成分Ｂなどとの混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定には東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

（７）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

（８）光学的異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学的異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（９）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

（１０）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ）
測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０ボルトから２０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を「液晶デバイスハンドブックク」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．９９）からＫ_１１およびＫ_３３の値を得た。次に１７１頁にある式（３．１８）に、先ほど求めたＫ_１１およびＫ_３３の値を用いてＫ_２２を算出した。弾性定数Ｋは、このようにして求めたＫ_１１、Ｋ_２２、およびＫ_３３の平均値で表した。

（１１）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が０．４５/Δｎ(μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

（１２）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子に２５℃でパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（１３）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
電圧保持率（ＶＨＲ−２）は、８０℃で測定した以外はＶＨＲ−１と同様の方法で求めた。得られた結果をＶＨＲ−２の記号で示した。

原料
ソルミックス（登録商標）Ａ−１１は、エタノール（８５．５％）、メタノール（１３．４％）と２−プロパノール（１．１％）の混合物であり、日本アルコール販売（株）から入手した。

［合成例１］
化合物（１−６−７７）の合成

第１工程：
公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１）（１１．４ｇ，３０．９６ｍｍｏｌ）とビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２．１７ｇ，３．１０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．５９ｇ，３．１０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１７５ｍｌ）溶液に、エチニルトリメチルシラン（３．３４ｇ，３４．０４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水（２５０ｍｌ）を加え、トルエン（２５０ｍｌ）で抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−２）（９．５９ｇ，２８．３３ｍｍｏｌ、９１．５％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−２）（９．５９ｇ，２８．３３ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（５５ｍｌ）およびメタノール（５５ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（５．２８ｇ，３８．１８ｍｏｌ）を固体のまま少しずつ添加したのち、室温にて２時間撹拌した。反応混合物を水（１５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−３）（６．７５ｇ、２５．３４ｍｍｏｌ、７９．７％）を得た。

第３工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２４６ｇ，０．０３ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（４．９８３ｇ，１５．２９ｍｍｏｌ）に第２工程で得られた化合物（Ｔ−３）（２．２２ｇ，８．３３ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（２．７０ｇ，６．９４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１２ｍｌ）溶液を混合し、２．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−６−７７）（２．２２ｇ、３．８７ｍｍｏｌ、５５．７％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．５１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．４０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，８．１Ｈｚ），７．３６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．３Ｈｚ，１０．６Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ），６．９８（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，７．４Ｈｚ），２．６６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３６−１．３４（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）．

化合物（１−６−７７）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ６０．３ Ｓ_Ａ ８１．８ Ｎ １６１．５ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１２５．７℃；誘電率異方性（Δε）＝３９．５；光学的異方性（Δｎ）＝０．２７０．

［合成例２］
化合物（１−６−４２）の合成

第１工程：
化合物（Ｔ−４）（５．００ｇ，１９．２１ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉを滴下した。−７０℃で２．２５時間撹拌した後、ヨウ素（５．８５ｇ，２３．０５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を滴下した。−７０℃で２時間撹拌した後、反応混合物を室温に戻した。チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−５）（７．９０ｇ、１９．２１ｍｍｏｌ、定量的）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−５）（７．９０ｇ、１９．２１ｍｍｏｌ）とビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（１．４４ｇ，２．０５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．３９ｇ，２．０５ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１２０ｍｌ）溶液に、エチニルトリメチルシラン（３．３４ｇ，３４．０４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で４時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水（１５０ｍｌ）を加え、トルエン（１５０ｍｌ）で抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−６）（７．２５ｇ，２０．３４ｍｍｏｌ、９９．４％）を得た。

第３工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−６）（７．２５ｇ，２０．３４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（４０ｍｌ）およびメタノール（４０ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（３．３７ｇ，２４．４０ｍｏｌ）を固体のまま少しずつ添加したのち、室温にて１．５時間撹拌した。反応混合物を水（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝５０／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−７）（４．８４ｇ、１７．０２ｍｍｏｌ、８３．７％）を得た。

第４工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０３１１ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（５．７２９ｇ，１７．５８ｍｍｏｌ）に第３工程で得られた化合物（Ｔ−７）（２．５ｇ，８．７９ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（２．７ｇ，６．９４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１３ｍｌ）溶液を混合し、３時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−６−４２）（２．２２ｇ、３．８７ｍｍｏｌ、５５．７％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．２８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．２０（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１０．８Ｈｚ），６．９８（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．１Ｈｚ，７．４Ｈｚ），２．６６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．３５−１．３４（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）．

化合物（１−６−４２）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
相転移温度：Ｃ ８７．５ Ｓ_Ａ １０９．１ Ｎ １６３．１ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１３．７℃；誘電率異方性（Δε）＝４８．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５７．

［合成例３］
化合物（１−６−１１）の合成

第１工程：
公知の方法で合成した化合物（Ｔ−８）（１２．５０ｇ，４２．７９ｍｍｏｌ）と（３，５−ジフルオロフェニル）ボロン酸（Ｔ−９）（７．４３ｇ，４７．０７ｍｍｏｌ）のトルエン（６３ｍｌ）溶液に、炭酸カリウム（１７．７４ｇ，１２８．４ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（２．７６ｇ，８．５６ｍｍｏｌ）のソルミックス（６３ｍｌ）懸濁液を加えた。そこにパラジウム炭素（０．２７７ｇ，２．６ｍｍｏｌ）と水（６３ｍｌ）を加え混合し、１．５時間還流した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水（１００ｍｌ）を加え、トルエン（１００ｍｌ）で抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−１０）（１０．３７ｇ、３７．２６ｍｍｏｌ、８７．０％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−１０）（１０．３７ｇ、３７．２６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉを滴下した。−７０℃で２．５時間撹拌した後、ヨウ素（１１．３５ｇ，４４．７１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液を滴下した。−７０℃で１時間撹拌した後、反応混合物を室温に戻した。チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−１１）（１３．４４ｇ、３３．２５ｍｍｏｌ、８９．２％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−１１）（８．００ｇ、１９．７９ｍｍｏｌ）とビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．３９ｇ，１．９８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．３８ｇ，１．９８ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１１０ｍｌ）溶液に、エチニルトリメチルシラン（２．１４ｇ，２１．７７ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で２．５時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−１２）（６．６１ｇ，１７．６７ｍｍｏｌ、８９．２％）を得た。

第４工程：
第３工程で得られた化合物（Ｔ−１２）（６．６１ｇ，１７．６７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（４０ｍｌ）およびメタノール（４０ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（２．９２ｇ，２１．１８ｍｏｌ）を固体のまま少しずつ添加したのち、室温にて１時間撹拌した。反応混合物を水（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水（および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−１３）（４．９８ｇ、１６．４７ｍｍｏｌ、９３．３％）を得た。

第５工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２９３ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（５．３９ｇ，１６．５４ｍｍｏｌ）に第４工程で得られた化合物（Ｔ−１３）（２．５０ｇ，８．２７ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（３．８６ｇ，９．９２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（２６ｍｌ）溶液を混合し、４．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−６−１１）（２．９９ｇ、４．９０ｍｍｏｌ、５９．２％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．３４（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．２２−７．１９（４Ｈ，ｍ），７．０７−６．９７（４Ｈ，ｍ），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３７−１．３２（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）．

化合物（１−６−１１）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ９２．０ Ｓ_Ａ １５６．３ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝９９．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５４．６；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５０．

［合成例４］
化合物（１−５−３２）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２６６ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（４．８９ｇ，１７．５８ｍｍｏｌ）に、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１４）（１．４７ｇ，７．５０ｍｍｏｌ）および公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０１）（４．０ｇ，７．５０ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１００ｍｌ）溶液を加え、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝４／１、容積比）、続いて再結晶（ヘプタン／ソルミックス＝１／４、容積比）にて精製し、化合物（１−５−３２）（１．１ｇ、１．７１ｍｍｏｌ、２２．８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４４−７．３６（２Ｈ，ｍ）、７．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０５Ｈｚ），７．２５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６５Ｈｚ），６．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ），６．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．７Ｈｚ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６３（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．３７−１．２９（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）．

化合物（１−５−３２）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ７９．２ Ｓ_Ａ ９９．２ Ｎ １５０．６ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１０３．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５７．４；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５０．

［合成例５］
化合物（１−６−８４）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０４３ｇ，０．０６ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（７．４２ｇ，２２．７８ｍｍｏｌ）に、前項で合成した化合物（Ｔ−３）（３．０３ｇ，１１．４ｍｍｏｌ）および公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０２）（５．０ｇ，１１．３９ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１５０ｍｌ）溶液を加え、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝４／１、容積比）、続いて再結晶（ヘプタン／ソルミックス＝１／４、容積比）にて精製し、化合物（１−６−８４）（１．５２ｇ、２．４３ｍｍｏｌ、２１．４％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７０Ｈｚ），７．５１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１５Ｈｚ），７．３８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，８．０Ｈｚ），７．３６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１０．７Ｈｚ），７．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１０Ｈｚ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），６．９７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．９Ｈｚ），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３８−１．３２（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−６−８４）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ９２．９ Ｎ １５６．４ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１９．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５２．８；光学的異方性（Δｎ）＝０．２６４．

［合成例６］
化合物（１−５−５０）の合成

第１工程：
公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１５）（５．００ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｓ−ＢｕＬｉ（１．０１Ｍ；シクロヘキサン溶液、２２．３ｍｌ）を滴下した。−７０℃で２時間撹拌した後、化合物（Ｔ−１６）（４．５６ｍｌ，２２．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を滴下し、室温に戻した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）へ注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣を再結晶（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−１７）（４．６４ｇ、１１．８ｍｍｏｌ、６３％）を得た。

第２工程：
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２６７ｇ，０．２３ｍｍｏｌ）とリン酸カリウム（４．９１ｇ，２３．１ｍｍｏｌ）に化合物（Ｔ−１７）（３．６３ｇ，９．２５ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（３．００ｇ，７．７１ｍｍｏｌ）の１，４−ジオキサン（３０ｍｌ）溶液を混合し、１０時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝１０／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール）によって精製し、化合物（１−５−５０）（２．５３ｇ、４．４０ｍｍｏｌ、５７％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）、７．４２−７．３９（２Ｈ，ｍ）、７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ）、７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ）、７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）、７．０２−６．９７（２Ｈ，ｍ）、２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１．６３（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、１．３７−１．２９（４Ｈ，ｍ）、０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．

化合物（１−５−５０）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ６３．３ Ｎ １４９．３ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１９℃；誘電率異方性（Δε）＝３７．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５７．

［合成例７］
化合物（１−７−３１）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；４６．２ｍｇ，０．０６５２ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（８．０４ｇ，２４．７ｍｍｏｌ）に化合物（Ｔ−１４）（２．８２ｇ，１４．８ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０３）（５．９６ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１２０ｍｌ）溶液を混合し、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水（２００ｍｌ）および飽和食塩水（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝１０／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝５／１、容積比）によって精製し、化合物（１−７−３１）（３．４９ｇ、５．８９ｍｍｏｌ、４８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４３−７．３４（２Ｈ，ｍ），７．１８−７．１２（６Ｈ，ｍ），６．９９−６．９３（２Ｈ，ｍ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３８−１．２６（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．

化合物（１−７−３１）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ７４．７ Ｎ １２６．４ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝８４．４℃；誘電率異方性（Δε）＝４７．５；光学的異方性（Δｎ）＝０．２３０．

［合成例８］
化合物（１−４−１０）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０６７ｇ，０．０９ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（６．１７ｇ，１８．９２ｍｍｏｌ）に（Ｔ−１４）（１．８０ｇ，９．４６ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（４．０５ｇ，１０．４１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３２ｍｌ）溶液を混合し、８時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−４−１０）（１．３９ｇ、２．７９ｍｍｏｌ、２９．５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４１（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６），６．９９−６．９５（４Ｈ，ｍ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３５−１．３０（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−４−１０）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ４．４ Ｎ １６．２ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝２５．０℃；誘電率異方性（Δε）＝３８．６；光学的異方性（Δｎ）＝０．１６４．

［合成例９］
化合物（１−４−３２）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０７４ｇ，０．１０ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（６．８０ｇ，２０．９０ｍｍｏｌ）に１−エチニル−４−ペンチルベンゼン（１．８０ｇ，１０．４５ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（４．８８ｇ，１２．５４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３２ｍｌ）溶液を混合し、１１．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−４−３２）（１．１７ｇ、２．４４ｍｍｏｌ、２３．３％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．１２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），６．９７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，６．１Ｈｚ）．２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．３５−１．３０（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−４−３２）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ３０．６ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝３３．０℃；誘電率異方性（Δε）＝３２．６；光学的異方性（Δｎ）＝０．１７７．

［合成例１０］
化合物（１−５−２３）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２６６ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（４．８９ｇ，１７．５８ｍｍｏｌ）に公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１８））（１．４７ｇ，７．５０ｍｍｏｌ）および公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０１）（４．０ｇ，７．５０ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１００ｍｌ）へ加え、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水（５０ｍｌ）および飽和食塩水（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘプタン／トルエン＝４／１（容積比））によって分取後、再結晶（溶媒：ヘプタン／ソルミックス＝１／５）にて精製し、化合物（１−５−２３）（１．２ｇ、１．８２ｍｍｏｌ、２４．２％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６−７．３８（３Ｈ，ｍ）、７．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ），６．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．８５Ｈｚ），６．７８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１０Ｈｚ），２．６２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６５Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４５Ｈｚ），１．３７−１．２９（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−５−２３）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ １１２．７ ＳｍＡ １３３．９ Ｎ １６３．７ Ｉ．
上限温度（ＮＩ）＝９７．７℃；誘電率異方性（Δε）＝６２．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２３７．

［合成例１１］
化合物（１−５−２８）の合成

第１工程：
２−フルオロ−４−ヒドロキシベンゾニトリル（５０．００ｇ，３６４．７ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）と炭酸カリウム（５０．４２ｇ，３６４．８２ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍｌ）溶液を５０℃で１時間加熱した後、１−ブロモブタン（５０．０１ｇ，３６４．９９ｍｍｏｌ）を滴下した。８０℃で３時間加熱した後、反応混合物を室温に戻した。水（３００ｍｌ）へ注ぎトルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（トルエン）によって精製し、化合物（Ｔ−１９）（６４．６７ｇ、３６０．７ｍｍｏｌ、９８．９％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−１９）（３３．１８ｇ，１７１．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３５０ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ジイソブチルアンモニウムヒドリド（１８０ｍｌ，１８１．８０ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃で２時間撹拌した。室温まで戻し、室温で１５時間撹拌した後、３Ｎ−ＨＣｌへ注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮し、化合物（Ｔ−２０）（３２．２８ｇ、１６４．８ｍｍｏｌ、９５．８％）を得た。

第３工程：
四臭化炭素（１０４．０３ｇ，３９６．６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２００ｍｌ）溶液を０℃に冷却し、トリフェニルホスフィン（６５．７１ｇ，１９８．1ｍｍｏｌ）を滴下し１０分撹拌した。第２工程で得られた化合物（Ｔ−２０）（３２．２８ｇ，１６４．５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（７０ｍｌ）を滴下し、０℃で１時間撹拌した。反応混合物をヘプタンで薄め、セライトろ濾過し、固体残渣を除去し、溶液を減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（トルエン）によって精製し、化合物（Ｔ−２１）（６２．０３ｇ，１６０．５ｍｍｏｌ、９７．６％）を得た。

第４工程：
第３工程で得られた化合物（Ｔ−２１）（５６．４９ｇ，１６０．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３００ｍｌ）溶液を−７０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（２０５．６ｍｌ，３２９．０ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃で１時間撹拌した。室温まで戻し、反応混合物を水（５００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−２２）（７．９８ｇ、４１．５１ｍｍｏｌ、２５．９％）を得た。

第５工程：
１−ブロモ−２−フルオロ−４−ヨードベンゼン（１０．８７ｇ，３６．１３ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（０．３６７ｇ，０．５２ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．０７５ｇ，０．３９ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１００ｍｌ）溶液を混合し、第４工程で得られた化合物（Ｔ−２２）（７．４８ｇ，３６．１９ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１８時間撹拌した。反応混合物を減圧下で濃縮し、トルエンに溶解し、塩化アンモニウム、水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝４／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール）にて精製し、化合物（１−２３）（７．５１ｇ、２０．５６ｍｍｏｌ、５６．８％）を得た。

第６工程：
第５工程で得られた化合物（Ｔ−２３）（３．９１ｇ，１０．７１ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０５）（４．６７ｇ，１０．７１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニル）パラジウム（０）（０．６７ｇ，０．５８ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（０．８９ｇ，２．７６ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（２．２１ｇ，１６．０ｍｍｏｌ）のトルエン（７ｍｌ）、ソルミックス（７ｍｌ）および水（７ｍｌ）溶液を混合し、４６時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝３／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール）にて精製し、化合物（１−５−２８）（２．１８ｇ、３．６７ｍｍｏｌ、３４．３％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４４−７．３９（３Ｈ，ｍ），７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ），７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ），７．００（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６．０），６．７１−６．６６（２Ｈ，ｍ），３．９８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．７９（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．５４−１．４６（２Ｈ，ｍ），０．９９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）．

化合物（１−５−２８）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ８２．５ Ｓ_Ａ １２４．９ Ｎ １８４．３ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１２４．４℃；誘電率異方性（Δε）＝４３．４；光学的異方性（Δｎ）＝０．２６４．

［合成例１２］
化合物（１−５−３１）の合成

第１工程：
前項で合成した化合物（Ｔ−２３）（３．２０ｇ，８．７６ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０４）（４．２７ｇ，８．７８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニル）パラジウム（０）（０．６１ｇ，０．５３ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（０．７１ｇ，２．２０ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（１．８１ｇ，１３．１０ｍｍｏｌ）のトルエン（７ｍｌ）、ソルミックス（７ｍｌ）および水（７ｍｌ）溶液を混合し、２８時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝３／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール）にて精製し、化合物（１−５−３１）（２．９０ｇ、４．５０ｍｍｏｌ、５１．４％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４２−７．３９（３Ｈ，ｍ），７．３６（１Ｈ，ｄ，１１．４Ｈｚ），７．２５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．３），６．９９（２Ｈ， ｄ，Ｊ＝９．９），６．７１−６．６６（２Ｈ，ｍ），３．９８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），１．７９（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．５４−１．４６（２Ｈ，ｍ），０．９９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．

化合物（１−５−３１）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ８０．２ Ｃ ８８．５ Ｓ_Ａ １４８．３ Ｎ １８２．８ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１８．４℃；誘電率異方性（Δε）＝５８．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５７．

［合成例１３］
化合物（１−５−４９）の合成

第１工程：
１−ブロモ−２−フルオロ−４−ヨードベンゼン（６２，７５ｇ，２０８．５ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（１３．３１ｇ，１８．９６ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（３．６１ｇ，１８．９６ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（５００ｍｌ）溶液を混合し、１−ブチル−４−エチニルベンゼン（３０．００ｇ，１８９．６ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）を滴下し、室温で１７時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−２４）（５９．９９ｇ，１８１．１ｍｍｏｌ、９５．５％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−２４）（１５．３７ｇ，４６．４０ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０６）（１７．２５ｇ，４８．７２ｍｍｏｌ）、パラジウム炭素（１．６４ｇ，０．７６９ｍｍｏｌ）、Ａｍｐｈｏｓ（１．９２ｍｇ，０．００７２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１２．８３ｇ，９２．８１ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（２．９９ｇ，９．２８ｍｍｏｌ）のトルエン（７０ｍｌ）、ソルミックス（７０ｍｌ）および水（７０ｍｌ）溶液を混合し、２時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−５−４９）（１５．３３ｇ、２７．３５ｍｍｏｌ、５８．９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．４２−７．３９（２Ｈ，ｍ），７．３５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．６），７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．７），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１），７．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．２），２．６４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６１（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），１．３６（２Ｈ，ｓｅｘｔ，Ｊ＝７．４），０．９４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．

化合物（１−５−４９）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ５６．４ Ｎ １４７．３ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１３．７℃；誘電率異方性（Δε）＝３６．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５０．

［合成例１４］
化合物（１−５−５４）の合成

第１工程：
１−ブロモ−２−フルオロ−４−ヨードベンゼン（４．７１ｇ，１５．６５ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（０．５４９ｇ，０．７８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．２９８ｇ，１．５７ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（３０ｍｌ）溶液を混合し、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−２５）（３．００ｇ，１７．２２ｍｍｏｌ）滴下し、室温で１５時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水（５０ｍｌ）および飽和食塩水（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−２６）（４．３８ｇ，１３．０１ｍｍｏｌ、８３．１％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−２６）（４．７７ｇ，１３．７４ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０６）（５．１１ｇ，１４．４２ｍｍｏｌ）、パラジウム炭素（０．１１７ｇ，０．０５ｍｍｏｌ）、Ａｍｐｈｏｓ（７．２９ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．８０ｇ，２７．４８ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（０．８９ｇ，２．７５ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）、ソルミックス（２０ｍｌ）および水（２０ｍｌ）溶液を混合し、９時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−５−５４）（５．６３ｇ、９．７７ｍｍｏｌ、７１．１％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．４３−７．３９（２Ｈ，ｍ），７．３３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．７），７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ），７．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４），６．９１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７），４．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５），１．８０（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），１．５６−１．４８（２Ｈ，ｍ），１．００（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．

化合物（１−５−５４）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ７８．７ Ｓ_Ａ ９２．１ Ｎ １８３．８Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１３６．４℃；誘電率異方性（Δε）＝３８．８；光学的異方性（Δｎ）＝０．２７７．

［合成例１５］
化合物（１−５−５６）の合成

第１工程：
１−フルオロ−３−ヨードベンゼン（１０．００ｇ，４５．０５ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（３．１６ｇ，４．５０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．８５８ｇ，４．５０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１３０ｍｌ）溶液を混合し、１−エチニル−４−ペンチルベンゼン（８．５３ｇ，４９．５５ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水（１００ｍｌ）および飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−２７）（１１．７９ｇ，４４．２６ｍｍｏｌ、９８．３％）を得た。

第２工程
第１工程で得られた化合物化合物（Ｔ−２７）（１１．７４ｇ，４４．０８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１２０ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｓ−ＢｕＬｉ（４８．９７ｍｌ，５２．８９ｍｍｏｌ）を滴下した。−７０℃で６時間撹拌した後、ヨウ素（１５．６６ｇ，６１．７１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２２０ｍｌ）溶液を滴下した。−７０℃で２時間撹拌した後、反応混合物を室温に戻した。チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンで抽出した。抽出液を水（１５０ｍｌ）および飽和食塩水（１５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−２８）（１６．３４ｇ、４１．６６ｍｍｏｌ、９４．５％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−２８）（１．７０ｇ，４．３４ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０７）（１．４６ｇ，３．６１ｍｍｏｌ）、パラジウムカーボン（０．０３１９ｇ，０．３０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．００ｇ，７．２３ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（０．２３ｇ，０．７２ｍｍｏｌ）のトルエン（９ｍｌ）、ソルミックス（９ｍｌ）および水（９ｍｌ）溶液を混合し、８．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−５−５６）（０．８６ｇ、１．３７ｍｍｏｌ、３７．９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．４２−７．４１（２Ｈ，ｍ），７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．７），７．２５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１），６．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．９），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝４．９），１．６３（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．３５−１．３０（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．

化合物（１−５−５６）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ８６．８ Ｎ １４０．０ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１２．４℃；誘電率異方性（Δε）＝５０．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２４４．

［合成例１６］
化合物（１−６−４９）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０４０ｇ，０．０６ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（７．４２ｇ，２２．７８ｍｍｏｌ）に公知の方法で合成した化合物（Ｔ−２９）（３．２４ｇ，１１．４ｍｍｏｌ）および公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０２）（５．０ｇ，１１．３９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１５０ｍｌ）へ加え、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水（５０ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水（５０ｍｌ）および飽和食塩水（５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘプタン／トルエン＝４／１（容積比））によって分取後、再結晶（溶媒：ヘプタン／ソルミックス＝１／４）にて精製し、化合物（１−６−４９）（３．８６ｇ、６．０１ｍｍｏｌ、５２．８％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１５Ｈｚ）、７．２７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１５Ｈｚ），７．１７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．８５Ｈｚ），６．９６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．７５Ｈｚ），２．６４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６５Ｈｚ），１．６４（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４０Ｈｚ），１．３９−１．３０（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−６−４９）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ１ ５．４ Ｃ２ １００ ＳｍＸ １０７．４ ＳｍＡ １２４．２ Ｎ １６１．４ Ｉｓｏ．
上限温度（ＮＩ）＝１０５．７℃；誘電率異方性（Δε）＝６０．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５７．

［合成例１７］
化合物（１−６−６２）の合成

第１工程：
１−クロロ−４−ヨードベンゼン（２５．００ｇ，４１．９４ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（７．３６ｇ，４．１９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（２．００ｇ，４．１９ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（２５０ｍｌ）溶液を混合し、トリメチルシリルアセチレン（１１．３３ｇ，４６．１３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水（１５０ｍｌ）および飽和食塩水（１５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−３０）（１８．８７ｇ，９０．３９ｍｍｏｌ、８６．２％）を得た。

第２工程
第２工程で得られた化合物（Ｔ−３０）（１８．８７ｇ，９０．３９ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１５０ｍｌ）およびメタノール（１５０ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（１４．９９ｇ，１０８．５ｍｏｌ）を添加したのち、室温にて１６時間撹拌した。反応混合物を水（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水（１００ｍｌ）および飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）によって精製し、化合物（Ｔ−３１）（９．６３ｇ、７０．５１ｍｍｏｌ、７８．０％）を得た。

第３工程：
公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（１１．７３ｇ，３０．１４ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．４３ｇ，０．６０ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（１９．６４．６０．２８ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１２０ｍｌ）溶液を混合し、第２工程で得られた化合物（Ｔ−３１）（５．９４ｇ，４３．４９ｍｍｏｌ）を加え、１４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−３２）（１２．２０ｇ、２７．４３ｍｍｏｌ、９１．０％）を得た。

第４工程：
第３工程で得られた化合物（Ｔ−３２）（６．８８ｇ，１５．４７ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成された化合物（Ｔ−３３）（３．９０ｇ，１８．６ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．１１ｇ，０．１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（４．２７ｇ，３０．９４ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（１．００ｇ，３．０９ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）、ソルミックス（２０ｍｌ）および水（２０ｍｌ）溶液を混合し、９時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−６−６２）（４．４８ｇ、７．８０ｍｍｏｌ、５０．４％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５９（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．９Ｈｚ，３．２Ｈｚ），７．３５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１），７．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６），７．０５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．１Ｈｚ，１．１Ｈｚ），７．０１−６．９７（３Ｈ，ｍ），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．３７−１．３２（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．

化合物（１−６−６２）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ８４．３ Ｎ １４５．３ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１２１．０℃；誘電率異方性（Δε）＝４２．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．２５７．

［合成例１８］
化合物（１−６−８３）の合成

第１工程：
４−ブロモ−２−フルオロベンズアルデヒド（１０．００ｇ，４９．２６ｍｍｏｌ）、エチレングリコール（３．９７ｇ，６４．０４ｍｍｏｌ）とｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．４７ｇ，２．４６ｍｍｏｌ）のトルエン（２００ｍｌ）溶液を4時間加熱還流した。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウムへ注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−３４）（１１．４９ｇ，４６．５１ｍｍｏｌ、９４．４％）を得た。

第２工程
第１工程で得られた化合物（Ｔ−３４）（１１．４９ｇ，４６．５１ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−３５）（９．３９ｇ，４８．３９ｍｍｏｌ）、パラジウムカーボン（０．４１ｇ，３．８６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１２．８６ｇ，９３．０１ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（３．００ｇ，９．３０ｍｍｏｌ）のトルエン（４０ｍｌ）、ソルミックス（４０ｍｌ）および水（４０ｍｌ）溶液を混合し、９時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝８／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−３６）（１２．５２ｇ、３９．５７ｍｍｏｌ、８５．１％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−３６）（１２．５２ｇ、３９．５７ｍｍｏｌ）、ギ酸（２０．９０ｍｌ，５５４．０ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（０．２９ｇ，１１．８７ｍｍｏｌ）のトルエン（１２５ｍｌ）溶液を室温にて１７．５時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−３７）（９．６８ｇ，３５．６ｍｍｏｌ、８９．９％）を得た。

第４工程：
トリフェニルホスフィン（１４．８３ｇ，５６．５５ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（７０ｍｌ）に四臭化炭素（９．３８ｇ，２８．２８ｍｍｏｌ）を加え、室温で３．５時間撹拌し、第３工程で得られた化合物化合物（Ｔ−３７）（３．５ｇ，１２．８５ｍｍｏｌ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液を加え１５時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１０／１）によって精製し、化合物（Ｔ−３８）（５．３６ｇ、１２．５２ｍｍｏｌ、９７．４％）を得た。

第５工程：
第４工程で得られた化合物（Ｔ−３８）（１１．４５ｇ，２６．７４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１１５ｍｌ）溶液を−７０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（３３．４３ｍｌ，５３．４０ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃で２時間撹拌した。室温まで戻し、反応混合物を氷水（２００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１）によって精製し、化合物（Ｔ−３９）（４．６０ｇ、１７．１４ｍｍｏｌ、６４．１％）を得た。

第６工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．１５ｇ，０．２８ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（２．１９ｇ，６．７１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（５ｍｌ）溶液に第５工程で得られた化合物（Ｔ−３９）（１．５０ｇ，５．５９ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（２．３９ｇ，６．１５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１５ｍｌ）溶液を混合し、７．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝４０／１）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−６−８３）（０．７９ｇ、１．３７ｍｍｏｌ、２４．５％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５５−７．５２（３Ｈ，ｍ），７．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１．７Ｈｚ），７．３３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．７，１．２Ｈｚ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），６．９９−６．９６（４Ｈ，ｍ），４．０２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．８０（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．５６−１．４８（２Ｈ，ｍ），０．９９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）．

化合物（１−６−８３）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ １１０．３ Ｓ_Ａ １４４．１ Ｎ １９６．２ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１４２．７℃；誘電率異方性（Δε）＝３９．８；光学的異方性（Δｎ）＝０．２８７．

［合成例１９］
化合物（１−６−８６）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．１３ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（１．８５ｇ，５．６７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（５ｍｌ）溶液に前項で合成した化合物（Ｔ−３９）（１．２７ｇ，４．７３ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０２）（２．１８ｇ，４．９７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１０ｍｌ）溶液を混合し、１３時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝４０／１）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−６−８６）（０．６４ｇ、１．０２ｍｍｏｌ、２１．６％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５５−７．５１（３Ｈ，ｍ），７．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１．７Ｈｚ），７．３３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ，１．５Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），７．００−６．９７（４Ｈ，ｍ），４．０２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．８０（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．５５−１．４８（２Ｈ，ｍ），１．００（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）．

化合物（１−６−８６）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が３重量％：９７重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ ７０．８ Ｃ １３５．０ Ｎ １９０．７ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１３１．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５１．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．３０４．

［合成例２０］
化合物（１−７−３２）の合成

第１工程
１−フルオロ−３−プロピルベンゼン（９０．９１ｇ，５２１．７ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）のＴＨＦ（５００ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｓ−ＢｕＬｉ（５００ｍｌ，５４０．００ｍｍｏｌ）を滴下した。−７０℃で２時間撹拌した後、ヨウ素（１３９．４ｇ，５４９．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５００ｍｌ）溶液を滴下し、反応混合物を室温に戻した。塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）へ注ぎ、チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）によって精製し、化合物（Ｔ−４０）（１００．６ｇ、３８１．０ｍｍｏｌ、７３．０％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物化合物（Ｔ−４０）（６０．００ｇ，２２７．２ｍｍｏｌ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（１．６２９ｇ，２．３２ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．４４１ｇ，２．３２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（５００ｍｌ）溶液を混合し、トリメチルシリルアセチレン（２４．８８ｇ，２５３．３１ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で３時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４１）（４６．８４ｇ，１９９．８６ｍｍｏｌ、８８．０％）を得た。

第３工程
第２工程で得られた化合物（Ｔ−４１）（５２．９３ｇ，２２５．８３ｍｍｏｌ）をメタノール（３００ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（３７．６２ｇ，２７２．２ｍｏｌ）を添加したのち、室温にて６時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝９／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−４２）（３６．６３ｇ、２２５．８３ｍｍｏｌ、９２．６％）を得た。

第４工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０７６ｇ，０．１１ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（１３．５６ｇ，４１．６２ｍｍｏｌ）に第３工程で得られた化合物（Ｔ−４２）（３．５６ｇ，２１．９５ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０３）（１０．００ｇ，２０．７０ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（８０ｍｌ）溶液を混合し、４時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝６／１、容積比）、続いて再結晶（トルエン）にて精製し、化合物（１−７−３２）（３．１０ｇ、５．４９ｍｍｏｌ、２６．５％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４１（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．３７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．６），７．１８−７．１３（６Ｈ，ｍ），６．９８−６．９４（２Ｈ，ｍ），２．６１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｓｅｘｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），０．９５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．

化合物（１−７−３２）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が３重量％：９７重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ １１８．８ Ｎ １３２．５ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝８８．４℃；誘電率異方性（Δε）＝５５．２；光学的異方性（Δｎ）＝０．２３７．

［合成例２１］
化合物（１−８−９）の合成

第１工程
公知の方法で合成した化合物Ｔ−１０８（５．００ｇ，１３．４７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７８ｇ，０．６７ｍｍｏｌ）のトルエン（３５ｍｌ）および２Ｎ―炭酸カリウム水溶液（７０ｍｌ）を混合し、公知の方法で合成された化合物（Ｔ−３３）（３．１１ｇ，１４．８２ｍｍｏｌ）のソルミックス（３５ｍｌ）溶液を加え、５．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４２）（５．８１ｇ、１２．７３ｍｍｏｌ、９４．５％）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−４２）（５．８９ｇ，１２．９１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（８０ｍｌ）溶液を−７０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（８．８７ｍｌ，１４．２０ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃で２時間撹拌し、ヨウ素（３．９３ｇ，１５．４９ｍｍｌ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液を滴下した。０℃まで戻し、反応混合物を亜硫酸ナトリウム水溶液へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４３）（５．０１ｇ、１１．８９ｍｍｏｌ、９２．１％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−４３）（５．４４ｇ，９．３４ｍｍｏｌ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（０．６５６ｇ，０．９３ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．１７８ｇ，０．９３ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１１０ｍｌ）溶液を混合し、トリメチルシリルアセチレン（１．４４ｍｌ，１０．２８ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で４時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１）によって精製し、化合物（Ｔ−４４）（４．９０ｇ，８．８７ｍｍｏｌ、９５．０％）を得た。

第４工程：
第３工程で得られた化合物（Ｔ−４４）（４．９０ｇ，８．８７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２５ｍｌ）およびメタノール（２５ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（１．４７ｇ，１０．６４ｍｏｌ）を添加したのち、室温にて２時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４５）（３．７６ｇ、７．８３ｍｍｏｌ、８８．３％）を得た。

第５工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２７ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（４．９８ｇ，１５．２８ｍｍｏｌ）に第４工程で得られた化合物（Ｔ−４５）（３．６７ｇ，７．６４ｍｍｏｌ）と１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン（１．９３ｇ，９．１７ｍｍｏｌ，ジーベンケミカル）のアセトニトリル（２５ｍｌ）溶液を混合し、１１時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−８−９）（１．７９ｇ、２．９３ｍｍｏｌ、３８．４％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．３３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），７．２３−７．１８（４Ｈ，ｍ），７．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１．１Ｈｚ），７．０２（１Ｈ，ｄｄ，１２．０Ｈｚ，０．９Ｈｚ），６．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．３８−１．３１（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−８−９）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ ９７．２ Ｎ １３４．０ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝８３．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５２．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２１７．

［合成例２２］
化合物（１−１０−２４）の合成

第１工程：
１−フルオロ−３−ヨードベンゼン（４．２４ｇ，２２．３０ｍｍｏｌ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（１．４２ｇ，２．０３ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．３８６ｇ，２．０３ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（６７．５ｍｌ）溶液を混合し、Ｔ−１４（４．５０ｇ，２０．２７ｍｍｏｌ）滴下し、室温で２時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４７）（５．１２ｇ，１８．００ｍｍｏｌ、８８．８％）を得た。

第２工程
第１工程で得られた化合物化合物（Ｔ−４７）（５．５６ｇ，１９．５５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（９０ｍｌ）溶液を、−７０℃に冷却し、ｓ−ＢｕＬｉ（２２．７８ｍｌ，２３．７８ｍｍｏｌ）を滴下した。−７０℃で３時間撹拌した後、ヨウ素（６．２０ｇ，２４．４４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液を滴下し、反応混合物を室温に戻した。チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）へ注ぎ、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４８）（７．９３ｇ、１９．３３ｍｍｏｌ、９８．９％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物化合物（Ｔ−４８）（６．３２ｇ，１５．４１ｍｍｏｌ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（１．０８ｇ，１．５４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（０．２９３ｇ，１．５４ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（９４．８ｍｌ）溶液を混合し、トリメチルシリルアセチレン（１．６６ｇ，１６．９５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で６．５時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−４９）（４．８１ｇ，１２．６４ｍｍｏｌ、８２．１％）を得た。

第４工程
第３工程で得られた化合物（Ｔ−４９）（４．８１ｇ，１２．６４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍｌ）およびメタノール（２０ｍｌ）に溶解した。炭酸カリウム（２．１０ｇ，１５．１７ｍｏｌ）を添加したのち、室温にて４．５時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−５０）（３．５９ｇ、１１．６４ｍｍｏｌ、９２．１％）を得た。

第５工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０２５８ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（４．７４ｇ，１４．５５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（２０ｍｌ）溶液に第４工程で得られた化合物（Ｔ−５０）（２．６９ｇ，８．７３ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（２．８３ｇ，７．２７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３０ｍｌ）溶液を混合し、５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）、続いて再結晶（トルエン／２−プロパノール＝１／５、容積比）にて精製し、化合物（１−１０−２４）（２．８２ｇ、４．５８ｍｍｏｌ、６２．９％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．４１（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６），７．３５−７．２９（２Ｈ，ｍ），７．１７（２Ｈ， ｄ，Ｊ＝９．３），６．９９−６．９４（４Ｈ，ｍ），２．６２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６２（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３８−１．２７（４Ｈ，ｍ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−１０−２４）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ９２．５ Ｓ_Ａ １１２．５ Ｎ １８７．４ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１３２．４℃；誘電率異方性（Δε）＝４７．９；光学的異方性（Δｎ）＝０．３２４．

［合成例２３］
化合物（１−５−５７）の合成

第１工程：
前項で合成した化合物（Ｔ−２６）（２．５４ｇ，７．３３ｍｍｏｌ）、公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０４）（３．７４ｇ，７．６９ｍｍｏｌ）、パラジウム炭素（０．６２４ｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、Ａｍｐｈｏｓ（３．８９ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．０３ｇ，１４．６５ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（０．４７２ｇ，１．４７ｍｍｏｌ）のトルエン（１０ｍｌ）、ソルミックス（１０ｍｌ）および水（１０ｍｌ）溶液を混合し、１１時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−５−５７）（３．１９ｇ、５．０９ｍｍｏｌ、６９．５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．９Ｈｚ），７．４３−７．３８（２Ｈ，ｍ）），７．３３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．９Ｈｚ），７．２８−７．２４（２Ｈ，ｍ），６．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．９Ｈｚ），６．８９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），３．９９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．７９（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．５０（２Ｈ，ｓｅｘｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），０．９８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）．

化合物（１−５−５７）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が１０重量％：９０重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ １０９．９ Ｎ １７７．２ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１２７．７℃；誘電率異方性（Δε）＝５０．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２６７．

［合成例２４］
化合物（１−６−６６）の合成

第１工程：
４−ブロモ−３−フェノール（３．５０ｇ，１８．３２ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、１−ブロモブタン（２．５１ｇ，１８．３２ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム（５．０７ｇ，３６．６５ｍｍｏｌ）のアセトン（７０ｍｌ）溶液を１４．５時間加熱還流した後、反応混合物を室温に戻した。水へ注ぎ酢酸エチルで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン）によって精製し、化合物（Ｔ−５１）（４．１３ｇ、１６．７１ｍｍｏｌ、９１．２％）を得た。

第２工程：
塩化イソプロピルマグネシウム（９．１９ｍｌ，１８．３８ｍｍｏｌ）を−１０℃に冷却し、第１工程で得られた化合物（Ｔ−５１）（４．１３ｇ、１６．７１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３５ｍｌ）を滴下し、−１０℃で２時間撹拌した。ホウ酸トリメチル（１．９１ｇ，１８．３８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍｌ）溶液を滴下し、−１０℃で１時間撹拌した。反応混合物を室温に戻し、１Ｎ−ＨＣｌへ注ぎ、１時間撹拌し、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣ヘプタンを加え、濾過し減圧下で乾燥し、化合物（Ｔ−５２）（１．３２ｇ、６．２３ｍｍｏｌ、３７．３％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−５２）（１．３２ｇ、６．２３ｍｍｏｌ）、Ｔ−３１（２．３１ｇ，５．１９ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．０３６７ｇ，０．０５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．４３ｇ，１０．３８ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（０．３３４ｇ，１．０４ｍｍｏｌ）のトルエン（７ｍｌ）、ソルミックス（７ｍｌ）および水（７ｍｌ）溶液を混合し、８．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）、続いて再結晶（２−プロパノール／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、化合物（１−６−６６）（０．４５ｇ、０．７８ｍｍｏｌ、１５．１％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．３７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．１８−７．１３（４Ｈ，ｍ），７．１０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），６．８９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），３．９９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．７９（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．５０（２Ｈ，ｓｅｘｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），０．９９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．

化合物（１−６−６６）の物性は、次のとおりであった。なお、上限温度、光学的異方性および誘電率異方性の測定には、化合物と母液晶との割合が５重量％：９５重量％である試料を用いた。
相転移温度： Ｃ １０２．８ Ｎ １７６．５ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１３９．７℃；誘電率異方性（Δε）＝４０．１；光学的異方性（Δｎ）＝０．２７７．

［合成例２５］
化合物（１−７−９０）の合成

第１工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．１２ｇ，０．１７ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（１．８５ｇ，５．６７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（５ｍｌ）溶液に前項で合成した化合物（Ｔ−２５）（１．５９ｇ，９．１５ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１０３）（４．０２ｇ，８．３２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３５ｍｌ）溶液を混合し、７．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１）、続いて再結晶（酢酸エチル／２−プロパノール＝１／１０、容積比）にて精製し、化合物（１−７−９０）（２．６６ｇ、４．６１ｍｍｏｌ、５５．５％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５９−７．５４（４Ｈ，ｍ），７．３６（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ），６．９８（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６．４Ｈｚ），６．７８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２．４Ｈｚ），６．７２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．８，２．４Ｈｚ），４．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．８０（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．５１（２Ｈ，ｓｅｘｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），１．００（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．

化合物（１−７−９０）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ ５６．７ Ｃ ７０．０Ｎ １５１．９ Ｉ．

［合成例２６］
化合物（１−６−９２）の合成

第１工程：
１−ブロモ−３−フルオロ−４−ヨードベンゼン（２０．００ｇ，６６．４７ｍｍｏｌ，ＴＣＩ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(ＩＩ)ジクロリド（４．６７ｇ，６．６５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（I）（１．２７ｇ，６．６５ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（２００ｍｌ）溶液を混合し、２−メチル−３−ブチン−２−オール（６．１５ｇ，７３．１２ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応混合物をろ紙で濾過し、パラジウム残渣をトルエンにて洗浄し、一緒にした濾液を濃縮した。残渣に水を加え、トルエンで抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝８／１）によって精製し、化合物（Ｔ−５３）（１７．０９ｇ，６６．４７ｍｍｏｌ、定量的）を得た。

第２工程：
第１工程で得られた化合物（Ｔ−５３）（１７．３６ｇ、６７．５２ｍｍｏｌ）、ビス(ピナコラート)ジボロン（１８．００ｇ，７０．９０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１９．８８ｇ，２０２．６ｍｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７８０ｇ，０．６８ｍｍｏｌ）の１，４−ジオキサン（１７５ｍｌ）溶液を混合し、１１．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝４／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−５４）（１８．７０ｇ、６１．４８ｍｍｏｌ、９１．１％）を得た。

第３工程：
第２工程で得られた化合物（Ｔ−５４）（１７．８０ｇ、５９．８４ｍｍｏｌ）、Ｔ−５５（９．８２ｇ、５４．４０ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．３７７ｇ，０．５４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１４．７１ｇ，１０８．８ｍｍｏｌ）とテトラブチルアンモニウムブロミド（３．４３ｇ，１０．８８ｍｍｏｌ）のトルエン（６０ｍｌ）、ソルミックス（６０ｍｌ）および水（６０ｍｌ）溶液を混合し、８．５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝１００／１、容積比）によって精製し、化合物（Ｔ−５６）（１３．７５ｇ、４２．１２ｍｍｏｌ、７９．２％）を得た。

第４工程：
第３工程で得られた化合物（Ｔ−５６）（９．９８ｇ、３０．５７ｍｍｏｌ）および水酸化カリウム（１．８７ｇ，３３．３３ｍｍｏｌ）のトルエン（２００ｍｌ）を混合し、３時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、塩化アンモニウム水溶液へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（トルエン）によって精製し、化合物（Ｔ−５７）（８．０４ｇ、２９．８７ｍｍｏｌ、９７．７％）を得た。

第５工程：
ＰｄＣｌ_２（Ａｍｐｈｏｓ）_２（Ｐｄ−１３２；０．１０７ｇ，０．１５ｍｍｏｌ）と炭酸セシウム（１９．５６ｇ，６０．０３ｍｍｏｌ）に第４工程で得られた化合物（Ｔ−５７）（８．０４ｇ，２９．８７ｍｍｏｌ）と公知の方法で合成した化合物（Ｔ−１００）（１１．８０ｇ，３０．３３ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（１００ｍｌ）溶液を混合し、時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水へ注ぎ、トルエンにて抽出した。抽出液を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝１／４、容積比）、続いて再結晶（トルエン／２−プロパノール＝１／１）にて精製し、化合物（１−６−９２）（５．９０ｇ、１０．２３ｍｍｏｌ、３４．３％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：８．６５（２Ｈ，ｓ），８．２５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．２，１．２），８．２２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．６），７．６２（１Ｈ，ｔ，７．５Ｈｚ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ），６．９８（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．２，６．２Ｈｚ），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．６７（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．３７−１．３５（４Ｈ，ｍ），０．９１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．

化合物（１−６−９２）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度： Ｃ １０５．６ ＳＡ １５３．０ Ｎ １８１．２ Ｉ．
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１３４．４℃；誘電率異方性（Δε）＝５６．８；光学的異方性（Δｎ）＝０．２７０．

［比較例１］
比較するために、下記の化合物（Ａ）を選んだ。この化合物は、−ＣＦ_２Ｏ−を有するが、−Ｃ≡Ｃ−を有しないからである。化合物（Ａ）は、国際公開第９６／０１１８９７号パンフレットの記載に従って合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．６８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．５５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），７．３０−７．２５（４Ｈ，ｍ），７．００（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．０，７．５Ｈｚ），２．６５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．６５（２Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．４４−１．３４（４Ｈ，ｍ），０．９６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）

化合物（Ａ）の物性は、次のとおりであった。
相転移温度：Ｃ １０８．６ Ｎ １３９．９ Ｉ．上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１１７．７℃；誘電率異方性（Δε）＝２５．６；光学的異方性（Δｎ）＝０．２０４．

合成例１〜２４、２６と比較例１で合成した化合物の物性を表１にまとめた。この結果から、化合物（１）は比較化合物（Ａ）よりも大きな誘電率異方性（Δε）と大きな光学的異方性（Δｎ）を有している点で優れていることがわかった。

既に記載した化合物（１）の合成法に従って以下の化合物（１−４−１）〜（１−４−４５）、化合物（１−５−１）〜（５−１−９９）、化合物（１−６−１）〜（１−６−１２４）、化合物（１−７−１）〜（１−７−１１５）、化合物（１−８−１）〜（１−８−１１５）、化合物（１−９−１）〜（１−９−１０４）、化合物（１−１０−１）〜（１−１０−９０）、化合物（１−１１−１）〜（１−１１−２４）、化合物（１−１２−１）〜（１−１２−５５）、化合物（１−１３−１）〜（１−１３−５７）、または化合物（１−１４−１）〜（１−１４−６０）を合成する。

２．組成物の実施例
実施例により本発明の組成物を詳細に説明する。本発明は、使用例１の組成物と使用例２の組成物との混合物を含む。本発明は、使用例の組成物の少なくとも２つを混合した混合物をも含む。使用例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。使用例において記号の後にあるかっこ内の番号は、化合物が属する化学式を表す。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を（外挿することなく）そのまま記載した。

［使用例１］
５−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−５０） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ８％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ６％
ＮＩ＝８２．２℃；Δｎ＝０．１１０；Δε＝９．３；η＝２３．４ｍＰａ・ｓ．

［使用例２］
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−１１） ５％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １５％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ３％
ＮＩ＝１０４．２℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝６．７；η＝２０．９ｍＰａ・ｓ．

［使用例３］
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−４２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−４） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １４％
２−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １０％
ＮＩ＝８７．３℃；Δｎ＝０．１２１；Δε＝７．８；η＝２６．４ｍＰａ・ｓ．

［使用例４］
５−ＢＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−７７） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １６％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１５−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
ＮＩ＝１１１．９℃；Δｎ＝０．０９７；Δε＝５．２；η＝１８．７ｍＰａ・ｓ．

［使用例５］
５−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−７−３１） ５％
５−ＨＢ−Ｆ （２−２） １２％
６−ＨＢ−Ｆ （２−２） ９％
７−ＨＢ−Ｆ （２−２） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ６％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （３−３） ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （３−５） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １０％
５−ＨＢＢＨ−３ （１５−１） ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （１５−１） ３％

［使用例６］
５−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−３２） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−４） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １０％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １０％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％

［使用例７］
５−ＢＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−６−８４） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ （１３−２） ２０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ６％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０３） ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０６） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ７％

［使用例８］
５−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−９−３６） ４％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１３−５） １３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ６％

［使用例９］
４Ｏ−ＢＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−８３） ５％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１３−５） １５％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
６−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−１２） ６％

［使用例１０］
４Ｏ−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−２８） ５％
２−ＨＨ−５ （１３−１） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １５％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １３％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） ９％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％

［使用例１１］
４Ｏ−ＢＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−６−８６） ５％
２−ＨＨ−３ （１３−１） ２１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
１−ＢＢ−３ （１３−８） ９％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ９％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ６％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １１％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １８％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−８） ２％

［使用例１２］
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−８−３５） ５％
２−ＨＨ−３ （１３−１） １６％
７−ＨＢ−１ （１３−５） １０％
５−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ３％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５
（１０−６） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （１５−５） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （１５−５） １０％

［使用例１３］
５−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−４−１０） ５％
２−ＨＨ−３ （１３−１） ６％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） １０％
１Ｖ２−ＨＨ−１ （１３−１） ８％
１Ｖ２−ＨＨ−３ （１３−１） ７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ８％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ４％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） ７％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） ７％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １７％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−３） ６％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ２％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ （８−１） １０％

［使用例１４］
５−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−５０） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−５７） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ４１％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） ７％
３−ＨＨＥＨ−５ （１４−１３） ３％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （１４−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（３−９７） ６％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（３−１１３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
ＮＩ＝８２．２℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝７．５；η＝１２．９ｍＰａ・ｓ．

［使用例１５］
５−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−５６） ５％
２−ＨＢ−Ｃ （５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １１％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １４％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ３％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ６％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％
ＮＩ＝１００．２℃；Δｎ＝０．１０６；Δε＝６．８；η＝２２．３ｍＰａ・ｓ．

［使用例１６］
４−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−４９） ６％
３−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １２％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ２２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （１５−５） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （１５−５） ４％
ＮＩ＝７１．０℃；Δｎ＝０．１２２；Δε＝７．２；η＝２１．５ｍＰａ・ｓ．

［使用例１７］
４Ｏ−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−５−５４） ４％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−４） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） １０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ （３−２２） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １０％
ＮＩ＝８７．４℃；Δｎ＝０．１２１；Δε＝７．０；η＝２７．１ｍＰａ・ｓ．

［使用例１８］
４Ｏ−ＢＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−５７） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １６％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １２％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （３−１） ３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （１５−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１５） ３％
ＮＩ＝１１５．３℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝６．０；η＝２２．３ｍＰａ・ｓ．

［使用例１９］
５−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−２３） ３％
５−ＨＢ−Ｆ （２−２） １２％
６−ＨＢ−Ｆ （２−２） ９％
７−ＨＢ−Ｆ （２−２） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ６％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ３％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （３−４） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （３−３） ４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （３−５） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２３） １０％
５−ＨＢＢＨ−３ （１５−１） ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （１５−２） ３％
ＮＩ＝８５．２℃；Δｎ＝０．０９６；Δε＝６．１；η＝１６．２ｍＰａ・ｓ．

［使用例２０］
４Ｏ−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−３１） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２４） １４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ５％
ＮＩ＝８１．７℃；Δｎ＝０．１１１；Δε＝１１．２；η＝２６．２ｍＰａ・ｓ．

［使用例２１］
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−６−４９） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ６％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１） ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１３） ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ （３−１９） １５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ４％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （３−２１） ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （３−２１） １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２１） ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２６） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２６） １０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３９） ５％
ＮＩ＝７０．８℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝９．９；η＝２６．６ｍＰａ・ｓ．

［使用例２２］
５−Ｂ（Ｆ）ＢＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−６２） ４％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−４） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １０％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １４％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ７％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ６％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１５） ５％
ＮＩ＝８２．２℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝７．５；η＝１２．９ｍＰａ・ｓ．

［使用例２３］
５−Ｂ（Ｆ）ＢＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−６６） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
３−ＨＨ−５ （１３−１） １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （３−１０） ７％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ８％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１２） ５％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ５％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ６％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１０９） ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−３） ５％
ＮＩ＝７１．１℃；Δｎ＝０．０７２；Δε＝６．９；η＝１９．６ｍＰａ・ｓ．

［使用例２４］
５−ＰｙＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−６−９２） ５％
３−ＨＢ−Ｏ１ （１３−５） １４％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ２％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （７−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−１） １３％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ６％
ＮＩ＝８８．０℃；Δｎ＝０．０９７；Δε＝−３．１；η＝３６．８ｍＰａ・ｓ．

［使用例２５］
３−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−７−３２） ３％
２−ＨＨ−５ （１３−１） ３％
３−ＨＨ−４ （１３−１） １５％
３−ＨＨ−５ （１３−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １４％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−４） １４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （７−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （７−７） ９％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
ＮＩ＝７６．５℃；Δｎ＝０．０９７；Δε＝−３．９；η＝２０．４ｍＰａ・ｓ．

［使用例２６］
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−８−９） ３％
２−ＨＨ−３ （１３−１） ２１％
３−ＨＨ−４ （１３−１） ９％
１−ＢＢ−３ （１３−８） ９％
３−ＨＢ−Ｏ２ （１３−５） ２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ９％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） ６％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １２％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） ２０％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （１４−１） ３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−６） ２％
ＮＩ＝８２．２℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝７．５；η＝１２．９ｍＰａ・ｓ．

［使用例２７］
５−Ｂ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ）ＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−１０−２４） ５％
１−ＢＢ−３ （１３−８） ９％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ２９％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−３） １２％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １９％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−５） １３％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ７％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （１４−６） ６％
ＮＩ＝７７．１℃；Δｎ＝０．１１６；Δε＝−２．８；η＝１６．５ｍＰａ・ｓ．

［使用例２８］
５−ＢＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−４−３２） ５％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （５−１５） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （５−１） １７％
２−ＢＴＢ−１ （１３−１０） １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ （１３−１） ２９％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （１４−１） １０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （１４−１７） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （１４−１７） ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （１４−１７） ４％
ＮＩ＝７８．９℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝７．２；η＝１２．４ｍＰａ・ｓ．

［使用例２９］
５−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＴＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
（１−５−２３） ２％
４Ｏ−ＢＴＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（１−７−９０） １％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （１３−１） ３８％
３−ＨＨ−Ｖ１ （１３−１） ７％
３−ＨＨＥＨ−５ （１４−１３） ３％
３−ＨＨＢ−１ （１４−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （１４−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （１４−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１３−８） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（３−９７） １１％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−６） ３％

本発明の液晶性化合物は、優れた物性を有する。この化合物を含有する液晶組成物は、パソコン、テレビなどに用いる液晶表示素子に広く利用できる。

Claims (15)

1. 式（１）で表される化合物。
   
   

   

   
   式（１）において、
   Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキルであり、このアルキルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
   環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ¹およびＺ²は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であるが、少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
   Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
   Ｌ^２およびＬ^３は独立して、ハロゲンであり；
   ｍおよびｎは独立して、０、１または２であり、ｍおよびｎの和は１または２である。
2. 請求項１に記載の式（１）において、
   Ｒ^１は、炭素数１から１５のアルキル、炭素数２から１５のアルケニル、炭素数２から１５のアルコキシ、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数１から１５のアルキル、少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルケニル、または少なくとも１つの水素がハロゲンにより置き換えられた炭素数２から１５のアルコキシであり；
   環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であり、ｍ個のＺ¹およびｎ個のＺ²のうちの少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
   Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
   Ｌ^２およびＬ^３は独立して、ハロゲンであり；
   ｍおよびｎは独立して、０、１、または２であり、ｍおよびｎの和は１または２である。
3. 式（１−１）〜（１−３）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物
   
   

   

   
   式（１−１）〜（１−３）において、
   Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；
   環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合または−Ｃ≡Ｃ−であり、ｍ個のＺ^１およびｎ個のＺ^２のうちの少なくとも１つは−Ｃ≡Ｃ−であり；
   Ｌ^１は、ハロゲン、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；
   Ｌ^２およびＬ^３は独立して、フッ素である。
4. 式（１−１）〜（１−３）において、環Ａ^１、環Ａ^２、および環Ａ^３は独立して、１，４−フェニレン、２−ハロゲノ−１，４−フェニレン、２，６−ジハロゲノ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであり；Ｌ^１は、フッ素、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３である、請求項３に記載の化合物。
5. 式（１−４）〜（１−２８）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物
   
   

   

   
   

   

   
   式（１−４）〜（１−２８）において、Ｒ^１は、炭素数１〜１５のアルキル、炭素数２〜１５のアルケニル、炭素数１〜１４のアルコキシ、または炭素数２〜１４のアルケニルオキシであり；Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、およびＹ^６は独立して、水素、フッ素、または塩素であり；Ｌ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、または−ＣＦ_３であり；Ｌ^２およびＬ^３は独立して、水素またはフッ素であるが、少なくとも１つはフッ素である。
6. 式（１−４）〜（１−２８）において、Ｌ^１は、フッ素または−ＣＦ_３である、請求項５に記載の化合物。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。
8. 式（２）〜（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（２）〜（４）において、
   Ｒ^１１は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
   環Ｂ^１、環Ｂ^２および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３のいずれかが−Ｃ≡Ｃ−である場合、他方は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２およびＺ^１３のいずれかが−ＣＦ_２Ｏ−である場合、他方は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
   Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素である。
9. 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７または８に記載の液晶組成物。
   
   

   

   
   式（５）において、
   Ｒ^１２は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
   Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
   環Ｃ^１は、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
   Ｚ^１４は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
   Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して水素またはフッ素であり；
   ｉは、１、２、３、または４である。
10. 式（６）〜（１２）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
    
    

    

    
    式（６）〜（１２）において、
    Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
    Ｒ^１５は、水素、フッ素、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
    Ｓ^１１は水素またはメチルであり；
    Ｘ^１3およびＸ^１4は独立して、−ＣＦ_２−、−Ｏ−、または−ＣＨＦ−であり；
    環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
    環Ｄ^５および環Ｄ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
    Ｚ^１５、Ｚ^１６、Ｚ^１７、およびＺ^１８は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
    Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、フッ素または塩素であり；
    ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒおよびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。
11. 式（１３）〜（１５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
    
    

    

    
    式（１３）〜（１５）において、
    Ｒ^１６およびＲ^１７は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルまたはアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
    環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
    Ｚ^１９、Ｚ^２０およびＺ^２１は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。
12. 重合可能な化合物、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、および消泡剤の少なくとも１つをさらに含有する、請求項７から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
13. 請求項７から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
14. 液晶組成物をカプセルに内包させることを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示素子。
15. 液晶組成物を２Ｄ−３Ｄ間スイッチングに利用されるレンズに使用することを特徴とする、請求項１３に記載の液晶表示素子。