JP6453294B2 - レーザ加工システム及び方法 - Google Patents
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Description
本開示では、LDAシステムにおいて使用されるAOD制御方法について説明する。この制御は、LDAアーキテクチャの性能を拡張し、スカイビングされた大きな領域に対するスループットを向上するとともに、トレンチ加工に対する高速動作をサポートする。
一実施形態においては、LDAシステムは、AODサブシステムを用いて加工ビームを操作して、様々な寸法の特徴部を作成する。このセクションでは、この加工の背後にある理論について説明した後、システムアーキテクチャを説明する。
フルエンスFluence=E/A=P×Taod/(Dca×Doa)
フルエンススケールFluenceScale=(Dca×Doa)/Taod
そして、特定されたフルエンスに対するラスタパワー(単位ワット)は以下により求めることができる。
パワーPower=フルエンススケールFluenceScale×フルエンスFluence
Doa=V×Nca×Taod
幅Width=Dca×(Nca−1)
とすると、
フルエンスFluence=P×Taod/(Dca×V×Nca×Taod)
=(P/V)/(幅Width×Nca/(Nca−1))
=線量Dosage/有効幅EffectiveWidth
である。ここで、(例えば図1に示されるY軸に沿った)ビーム速度=V、線量Dosage=P/V、有効幅EffectiveWidth=幅Width×Nca/(Nca−1)=Dca×Ncaである。
以下のセクションでは、AOD動作を行うシステムアーキテクチャ及び構成要素の実施形態について述べる。
Kb=1/(2×Rb)
Rb=R/W
そして、外側速度と内側速度の比は以下のようになる。
Wo/Vi=(2×Rb+1)/(2×Rb−1)
Kb=(Kstart−Kend)/2
ここで、
Kstart=ディザサイクルの開始時のバンク振幅スケーリング
Kend=ディザサイクルの終了時のバンク振幅スケーリング
である。
Kb=1/(2×Rb)
Pouter=Pnom×(1+Kb)
MHzPerRawμm:[AOD MHz]/[未処理ガルボ μm],
MHzPerμm:[AOD MHz]/[μm]
MHzPerRawμm[X,Y]=MHzPerμm/RawμmPerμm[X,Y]
ThetaAod0=ch0とXガルボ軸とのなす角
ThetaAod1=ch1とYガルボ軸とのなす角
K0=AOD ch0対ワーク面の大きさのスケーリング(μmAOD0/μm)
K1=AOD ch1対ワーク面の大きさのスケーリング(μmAOD1/μm)
である。
deltaAod=Ktrans×deltaV
Ktransの値の例としては、4次の3kHzの3次フィルタに対して26.6μm/(m/sec)である。このように、例えば、+2m/secから−2m/secの速度変化をし得る2m/secの加工速度のセグメントに対して、deltaAodの制限=2×(2m/s)×(26.6μm/(m/s))=106.4μmである。
線量Dosage(J/m)=面積Area(μm2)/143+0.3)
線量Dosage=フルエンスFluence×有効幅EffectiveWidth
である。
AODrange=[グリッド幅gridWidth+4×Vseg×Ktrans]×1.10
これは、トレンチに対する必要グリッド幅gridWidth(可変であれば最大グリッド幅gridWidth)による成分と、3次フィルタダイナミクスによる(「Ktrans」倍率を介した)AOD変化域による成分と(セグメント速度Vsegに対して、最大速度変化は2×Vsegであり、pk−pk AOD偏向範囲は2×(2×Vseg)×Ktransであることに留意されたい)、走査フィールド歪み及び速度に依存するディザ角効果を含む10%の安全域による成分とを含んでいる。
一実施形態においては、LDAシステムは3つの異なるモードで材料を加工する。ベクトルモードは、幅及び深さの異なる直線状トレースを加工する。これら幅及び深さはいずれも任意に制御可能である。ラスタモードは、(例えば加工スポットサイズよりも10倍大きな)1つのAOD走査フィールド内で任意の2次元形状を有する小さな特徴部を生成する。スカイブモードは、周囲位置の精度及びスカイブ処理領域内での材料のアブレーション深さの一貫性をうまく制御しつつ、任意の形状を有する大きな領域を加工する。
幅Width=Deff+Nd×Deff×BiteSizeRatio
Nd≧1+ceil((幅Width−Deff)/(Deff×BiteSizeRatio))
ここで、「ceil」は次の整数に切り上げる天井関数である。
Ncmd=ceil(Nd×Taodmin/Tcmd)
Taod=ceil(Ncmd/Nd×Tcmd/Tclock)×Tclock
Nd=ceil((250−25)/(25×0.4))=23
Ncmd=ceil(23×0.5/1.0)=13
Taod=ceil(13/23×1.0/0.02)×0.02=0.580μsec
一実施形態におけるLDAシステムのAOD1020,1022の最大偏向範囲は、10×Deffと等価である。すべてのAOD範囲が使用されている場合はNd≦24である。
AODcmd=TMframe×TMfield×Rdither×Dither
又は
AODcmd=TMaod×Dither
ここで、
AODcmd=それぞれのRFドライバに対するAOD RF周波数コマンド(2要素ベクトル)
TMframe=AOD較正のセクションで定義されたように、AOD XYコマンドをAOD座標系に変換する非直交変換行列
TMfield=ガルボXYフレームにおける局所走査フィールド歪み補正(4要素行列)
Rdither=ビーム軌跡3812に対してディザベクトルを方向付ける回転行列(4要素行列)
Dither=FPGA1028にロードされるディザ(又はラスタ)テーブル
TMaod=上記の構成要素から得られる完全なAODコマンド変換行列(この行列の要素はFPGA1028に送信され、Kw0項、Kw1項を置換する)
である。
SFx=X軸スケーリング(名目上は1.0)
SFy=Y軸スケーリング
Ryx=Y軸のX軸への回転(rad)
Rxy=X軸のY軸への回転
である。
DitherCA=幅Width
DitherOA=Vel×Taod×(Nd−1)
θvel=atan(DitherOA/DitherCA)
θdither=θvel+θtraj+π/2
このように、ディザ角θditherは、ガルボXYフレームに対する全ディザベクトル角である。その後、ディザベクトルは、角θaodによりAODフレームに揃えられてもよい。角θaodは光学縦列レイアウトによりガルボXYフレームに対して回転させてもよい。
ditherRange=現在のディザテーブルの全範囲(μm)
Kw=所望のディザ幅を生成するためにディザテーブルに適用される倍率(セグメントを次第に減らすためにこれが補間される場合がある)
Nd=現在のディザテーブルにおけるディザ点の数(各セグメントで一定である)
Taod=ディザテーブル更新速度(μsec)
Vx,Vy=未処理ガルボXY座標におけるビーム軌跡3812のX成分及びY成分(m/sec)
Vel=sqrt(Vx2+Vy2)=速度ベクトルの大きさ
// スケーリング後の公称クロス軸ディザ幅
ditherCA = ditherRange*Kw(μm);
// ディザ点を揃え続けるために1つのディザ行中に必要なオン軸増分
ditherOA = Vel*Taod*(Nd-1);
// 速度補償による全ディザベクトルの大きさ(OA、CAのベクトル和)
ditherMag = sqrt(ditherOA^2+ditherCA^2);
// ゼロで割ることの問題を避ける。恒等行列に対するデフォルト値
if abs(Vel*ditherMag) <1e-6
cosThetaDither = 1;
sinThetaDither = 0;
else
cosThetaDither = -(Vy*ditherCA + Vx*ditherOA)/(Vel*ditherMag);
sinThetaDither = (Vx*ditherCA - Vy*ditherOA)/(Vel*ditherMag);
end
KwCorr=Kw×ditherMag/ditherCA=ditherMag/ditherRange
cosThetaDitherCorr=−(Vy×ditherCA+Vx×ditherOA)/(Vel×ditherRange)
sinThetaDitherCorr=(Vx×ditherCA−Vy×ditherOA)/(Vel×ditherRange)
あるいは(ditherOA及びditherCAの算出を避けて)、
cosThetaDitherCorr=−(Vy×Kw/Vel+Vx×(Nd−1)×Taod/ditherRange)
sinThetaDitherCorr=(Vx×Kw/Vel−Vy×(Nd−1)×Taod/ditherRange)
と定義すれば、
Kca=Kw/VelIdeal
Koa=Taod×(Ndither−1)/ditherRange
TMdither=TMdither1+Kw×TMdither2
|cosThDitherCorr|=(Vy/Vel×ditherCA+Vx/Vel×ditherOA)/ditherRange
又は
|cosThDitherCorr|=sinThVel×ditherCA/ditherRange+cosThVel×ditherOA/ditherRange
|cosThDitherCorr|=sinThVel+cosThVel
となって、ThVel=45度のときに最大値が1.414となる。同様の制限が|sinThDitherCorr|にも当てはまる。
Kskive=1/(CrossAxisTaps×OnAxisTaps)
Claims (9)
- ワークピースを微細加工するレーザ加工システムであって、
前記ワークピースの表面に特徴部を加工するためのレーザビームを生成するレーザ源と、
前記レーザビームが伝搬可能な経路中に配置され、前記ワークピースの前記表面での前記レーザビームのスポットサイズを変更するように構成される音響光学偏向サブシステムと
を備え、
前記音響光学偏向サブシステムは、
第1の高周波信号を生成可能な第1の音響光学偏向器ドライバと、
前記第1の高周波数信号に応答して前記音響光学偏向サブシステムに入射したレーザビームを第1の方向に沿って偏向可能な第1の音響光学偏向器と、
第2の高周波信号を生成可能な第2の音響光学偏向器ドライバと、
前記第2の高周波数信号に応答して前記第1の音響光学偏向器から出力された前記レーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って偏向可能な第2の音響光学偏向器と、
前記第1の音響光学偏向器ドライバ及び前記第2の音響光学偏向器ドライバが、チャープされた高周波数信号を前記第1の高周波数信号及び前記第2の高周波数信号として生成するように前記第1の音響光学偏向器ドライバ及び前記第2の音響光学偏向器ドライバの動作を制御するように構成される1以上のプロセッサと
を有する、
レーザ加工システム。 - 前記レーザ源がパルスレーザ源である、請求項1に記載のレーザ加工システム。
- 前記音響光学偏向サブシステムによる出力としての前記レーザビームが伝搬可能な経路中に配置されるポジショナであって、前記ワークピースの前記表面に対するレーザビームスポット位置の相対移動を加工軌跡に沿って生じさせるポジショナをさらに備える、請求項1又は2に記載のレーザ加工システム。
- 前記ポジショナは、ガルバノメーター駆動サブシステム又はファーストステアリングミラーサブシステムを含む、請求項3に記載のレーザ加工システム。
- 前記音響光学偏向サブシステムは、前記レーザビームを偏向させるようにさらに構成される、請求項1に記載のレーザ加工システム。
- 前記レーザビームの焦点を前記ワークピースに合わせる走査レンズと、
前記ワークピースの前記表面に対する前記レーザビームの入射角が、前記音響光学偏向サブシステムにより変更される前記レーザビームの角度に対応するように前記走査レンズに対して選択された位置で前記音響光学偏向サブシステムからの前記レーザビームを受けるように配置されたリレーレンズと、
をさらに備える、請求項1に記載のレーザ加工システム。 - 誘電体層と該誘電体層上に形成された金属層とを含むワークピースに特徴部を形成する方法であって、
レーザビームを生成し、
第1の音響光学偏向器及び第2の音響光学偏向器に前記レーザビームを通過させ、
前記第1の音響光学偏向器及び前記第2の音響光学偏向器に前記レーザビームを通過させた後に、前記レーザビームをワークピース上に照射して前記ワークピースに特徴部を形成し、
前記レーザビームの照射は、
前記金属層を切断する第1のプロセス工程と、
前記誘電体層を加工する第2のプロセス工程と
を含み、
前記第2のプロセス工程中に、チャープされた第1の高周波数信号を前記第1の音響光学偏向器に与え、チャープされた第2の高周波数信号を前記第2の音響光学偏向器に与え、
前記チャープされた第1の高周波数信号と前記チャープされた第2の高周波数信号とは、前記第1のプロセス工程中の前記ワークピースでの前記レーザビームのスポットサイズに対して前記第2のプロセス工程中の前記ワークピースでの前記レーザビームのスポットサイズを選択的に変化させる、
方法。 - ワークピースを微細加工するレーザ加工システムであって、
前記ワークピースに特徴部を加工するためのレーザビームを生成するレーザ源と、
偏向角範囲内で前記レーザビームを偏向するように構成された音響光学偏向サブシステムと、
前記レーザビームの焦点を前記ワークピースに合わせる走査レンズと、
前記ワークピースに対するレーザビームスポット位置の移動を加工軌跡に沿って生じさせるために前記レーザビームを偏向するように構成されたポジショナと、
前記ワークピースの表面に対する前記レーザビームの入射角が、前記音響光学偏向サブシステムにより偏向される前記レーザビームの角度に対応するように、前記走査レンズに対して選択された位置で前記音響光学偏向サブシステムから前記レーザビームを受け、前記レーザビームのピボットポイントを前記ポジショナ上に中継するように位置決めされたリレーレンズと
を備えた、レーザ加工システム。 - 前記ポジショナは、ガルバノメーター駆動サブシステム又はファーストステアリングミラーサブシステムを含む、請求項8に記載のレーザ加工システム。
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