JP6450560B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記電極パッドにテストプローブを接触させ、半導体装置の電気特性検査を行うテスト工程と、前記テストプローブの接触により前記電極パッドを構成する金属の一部が凹凸状に変形したプローブ痕が形成された電極パッド上に電解メッキを施すバンプ電極形成工程とを含み、該バンプ電極形成工程は、前記プローブ痕の突出した金属先端がその太さを増すメッキ層を析出させ、前記電極パッド上および前記プローブ痕上に均一な膜厚のメッキ層を析出させる第1の電流密度で電解メッキを行い、第1のメッキ層を形成する第1のメッキ工程と、前記第1のメッキ層上に、前記第1の電流密度より高い第2の電流密度で電解メッキを行い、前記第1のメッキ層より厚い第2のメッキ層を形成する第2のメッキ工程を含むことを特徴とする。
Claims (1)
- 半導体装置の入出力端子となる電極パッドと、該電極パッド上にバンプ電極を備えた半導体装置の製造方法において、
前記電極パッドにテストプローブを接触させ、半導体装置の電気特性検査を行うテスト工程と、
前記テストプローブの接触により前記電極パッドを構成する金属の一部が凹凸状に変形したプローブ痕が形成された電極パッド上に電解メッキを施すバンプ電極形成工程とを含み、
該バンプ電極形成工程は、前記プローブ痕の突出した金属先端がその太さを増すメッキ層を析出させ、前記電極パッド上および前記プローブ痕上に均一な膜厚のメッキ層を析出させる第1の電流密度で電解メッキを行い、第1のメッキ層を形成する第1のメッキ工程と、前記第1のメッキ層上に、前記第1の電流密度より高い第2の電流密度で電解メッキを行い、前記第1のメッキ層より厚い第2のメッキ層を形成する第2のメッキ工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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