JP2019160911A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板の反りの抑制を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10では、第1の主面20aにおける開口径D1が第2の主面20bにおける開口径D2よりも大きい貫通孔22が、第1の主面20a側が凸となるような反りを半導体基板20に生じさせる要因となる。半導体装置10においては、第1の絶縁層30の厚さT1が第2の絶縁層40の厚さT2よりも厚くなっているため、上記反りの抑制が図られている。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、半導体装置として、Si等で構成された半導体基板を含み、かつ、半導体基板の表裏面にそれぞれ設けられた配線層を貫通配線によって接続する構成を有する半導体装置が知られている。たとえば下記特許文献1には、半導体基板にエッチングで設けた貫通孔が貫通配線で充たされた構成を有する半導体装置が開示されている。特許文献1でも述べられているとおり、半導体基板にエッチングで貫通孔を設けると、貫通孔の開口径が表裏面で互いに異なることがある。
発明者らは、鋭意研究の末、貫通孔の開口径が表裏面で異なる場合、半導体基板に反りが生じやすくなるとの知見を得た。発明者らは、さらに研究を重ね、貫通孔の開口径が表裏面で異なる場合であっても半導体基板の反りを抑制することができる技術を新たに見出した。
本発明は、半導体基板の反りの抑制を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一形態に係る半導体装置は、第1の主面と、該第1の主面とは反対側に第2の主面とを有する半導体基板と、半導体基板を厚さ方向に沿って貫通する貫通孔と、第1の主面における貫通孔の周縁と貫通孔の側面とを連続的に覆う第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に設けられ、第1の主面から貫通孔を介して第2の主面まで延びる第1の配線層と、第2の主面における貫通孔の周縁を覆う第2の絶縁層と、第2の主面上において第2の絶縁層および貫通孔を覆い、貫通孔から第2の主面に露出する第1の配線層と電気的に接続される第2の配線層とを備え、貫通孔は、第1の主面における開口径が第2の主面における開口径よりも大きく、第1の主面上における第1の絶縁層の厚さが、第2の主面上における第2の絶縁層の厚さより厚い。
上記半導体装置においては、第1の主面における開口径が第2の主面における開口径よりも大きい貫通孔が、第1の主面側が凸となるような反りを半導体基板に生じさせる要因となっている。ただし、上記半導体装置では、第1の主面上における第1の絶縁層の厚さが第2の主面上における第2の絶縁層の厚さより厚くなっており、第1の絶縁層により第1の主面側において収縮を生じさせることで、上記反りが抑制されている。
他の形態に係る半導体装置は、第1の主面における第1の配線層の残銅率と、第2の主面における第2の配線層の残銅率とが異なる。この場合、半導体基板の反りをさらに抑制することができる。
他の形態に係る半導体装置は、貫通孔は、第1の主面から第2の主面に向けて漸次縮径しており、貫通孔の側面が半導体基板の厚さ方向に対して傾斜している。
他の形態に係る半導体装置は、第1の絶縁層および第2の絶縁層の少なくとも一方が複数層で構成されている。
本発明の一形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に、第1の主面における開口径が、該第1の主面とは反対側の第2の主面における開口径よりも大きい貫通孔を形成する工程と、第1の主面における貫通孔の周縁と貫通孔の側面とを、第1の絶縁層で連続的に覆う工程と、第1の絶縁層上に、第1の主面から貫通孔を介して第2の主面まで延びる第1の配線層を形成する工程と、第2の主面における貫通孔の周縁に、第1の主面における第1の絶縁層の厚さより薄い第2の絶縁層を形成する工程と、第2の主面上において第2の絶縁層および貫通孔を覆い、貫通孔から第2の主面に露出する第1の配線層と電気的に接続される第2の配線層を設ける工程とを含む。
上記製造方法により得られる半導体装置においては、第1の主面における開口径が第2の主面における開口径よりも大きい貫通孔が、第1の主面側が凸となるような反りを半導体基板に生じさせる要因となっている。ただし、上記半導体装置では、第1の主面上における第1の絶縁層の厚さが第2の主面上における第2の絶縁層の厚さより厚くなっており、第1の絶縁層により第1の主面側において収縮を生じさせることで、上記反りが抑制される。
他の形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の配線層を形成する工程において形成される第1の配線層の第1の主面における残銅率と、第2の配線層を形成する工程において形成される第2の配線層の第2の主面における残銅率とが異なる。この場合、半導体基板の反りをさらに抑制することができる。
他の形態に係る半導体装置の製造方法は、貫通孔を形成する工程において、第1の主面から第2の主面に向けて漸次縮径するように貫通孔を形成して、貫通孔の側面を半導体基板の厚さ方向に対して傾斜させる。
本発明によれば、半導体基板の反りの抑制を図ることができる半導体装置およびその製造方法が提供される。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る半導体装置10は、半導体基板20を備えて構成されている。
半導体基板20は、半導体材料で構成されており、本実施形態ではSiで構成されている。半導体基板20は、平板状を呈し、互いに平行な一対の主面20a、20bを有する。以下、説明の便宜上、一方の主面を第1の主面20a(図1における上面)と称し、他方の主面を第2の主面20b(図1における下面)と称す。半導体基板20の厚さは、たとえば200μm以下であり、本実施形態では100μmである。
半導体基板20には、厚さ方向に沿って貫通する貫通孔22が設けられている。図1では、1つの貫通孔22のみが示されているが、半導体基板20には複数の貫通孔22が設けられている。貫通孔22は、第1の主面20aにおける開口径D1が、第2の主面20bにおける開口径D2よりも大きくなるように設けられている。より具体的には、貫通孔22は、第1の主面20aから第2の主面20bに向けて漸次縮径しており、第1の主面20aにおいて最大径、第2の主面20bにおいて最小径となっている。その結果、貫通孔22の側面20cは、半導体基板20の厚さ方向に対して所定角度だけ傾斜している。貫通孔22の側面20cの傾斜角θは、たとえば7〜15度である。
半導体基板20には、また、第1の絶縁層30および第2の絶縁層40が設けられている。
第1の絶縁層30は、第1の主面20aにおける貫通孔22の周縁と、貫通孔22の側面20cとを連続的に覆っている。第1の絶縁層30は、絶縁性を有する材料で構成されており、SiO2やSiNで構成することができる。本実施形態では、第1の絶縁層30は、2層構造を有し、半導体基板20に近い方からSiO2層31、SiN層32の順に並んでいる。第1の絶縁層30を構成する各層の厚さは、第1の主面20a上において、たとえば、SiO2層31の厚さは5μm、SiN層32の厚さは1〜2μmである。貫通孔の側面20cを覆う部分の第1の絶縁層30の厚さは、貫通孔22の下方に向かうに従って薄くなっている。第1の絶縁層30は貫通孔22の下端において最も薄くなるが、最薄部分であっても絶縁層として十分機能するように、第1の絶縁層30が決定される。
第2の絶縁層40は、第2の主面20bにおける貫通孔22の周縁を覆っている。第2の絶縁層40も、第1の絶縁層30同様、絶縁性を有する材料で構成されており、SiO2やSiNで構成することができる。本実施形態では、図2に示すように、第2の絶縁層40は、第1層41と第2層44とを含んで構成されている。第2の絶縁層40の第1層41は、貫通孔22の縁まで延びており、半導体基板20に近い方からSiO2層42、SiN層43の順に並ぶ2層構造を有する。第2の絶縁層40の第2層44は、後述する第2の配線層26の表面に沿って延びており、半導体基板20に近い方からSiN層45、SiO2層46の順に並ぶ2層構造を有する。第2の主面20b上において、たとえば、SiO2層42の厚さは1μm、SiN層43の厚さは0.15μm、SiN層45の厚さは0.15μm、SiO2層46の厚さは3μmである。
半導体基板20には、さらに、第1の配線層24および第2の配線層26が設けられている。
第1の配線層24は、第1の絶縁層30上に設けられている。第1の配線層24は、第1の絶縁層30を介して、第1の主面20aおよび貫通孔22の側面20cを覆っている。第1の配線層24は、第1の主面20aから貫通孔22を介して第2の主面20bまで延びており、貫通孔22から第2の主面20bに露出している。第1の配線層24は、たとえば金属材料で構成されており、CuやCr等が採用され得る。
第2の配線層26は、第2の主面20b上において第2の絶縁層40の第1層41および貫通孔22を覆っている。そして、第2の配線層26は、貫通孔22から第2の主面20bに露出する第1の配線層24と電気的に接続されている。第2の配線層26は、たとえば金属材料で構成されており、CuやCr等が採用され得る。
なお、第1の主面20aにおける第1の配線層24の形成領域の面積が第2の主面20bにおける第2の配線層26の形成領域の面積よりも小さくなるように設計されており、第1の主面20aにおける第1の配線層24の残銅率(たとえば40%以上50%未満)が第2の主面20bにおける第2の配線層26の残銅率(たとえば50%以上60%以下)より低くなっている。第1の主面20aにおける第1の配線層24の厚さと第2の主面20bにおける第2の配線層26の厚さとは、同一または同程度となるように設計されている。
続いて、半導体基板20の第2の主面20bおよび貫通孔22の側面20cにおける被覆状態について、図2を参照しつつ説明する。
図2に示すように、第2の絶縁層40の第1層41は、貫通孔22の縁まで延び、さらに、第2の主面20bに対して平行に延びるようにして貫通孔22の内側に張り出している。
第1の絶縁層30は、側面20cに沿って貫通孔22の下端まで延び、さらに、第2の絶縁層40の第1層41と重なるようにして貫通孔22の内側に張り出している。第1の絶縁層30と第2の絶縁層40の第1層41とは、ほぼ同じ量だけ貫通孔22の内側に張り出しており、先端は実質的に同じ位置にある。
第2の絶縁層40の第2層44は、第2の配線層26が形成されていない領域においては第1層41と重なっており、その領域では第2の絶縁層40は4層構造を有する。第2層44は、第2の配線層26が形成された領域では、第2の配線層26の表面に沿って延びる。第2層44は、第2の配線層26の側面と、第2の配線層26の下面の一部とを連続的に覆っている。第2層44には、第2の配線層26の下面が第2層44から部分的に露出するように開口部44aが設けられている。第2層44の開口部44aにより露出された領域の第2の配線層26には、たとえば、半導体装置10を実装基板に搭載するためのバンプ端子が設けられる。
次に、上述した半導体装置10を製造するための手順について、図3〜6を参照しつつ説明する。
半導体装置10を製造する際には、図3(a)に示すように、まず、半導体基板20の主面20b(第2の主面)上に、第2の絶縁層40の第1層41およびシード層50を順次形成する。第1層41はCVDを用いて形成することができる。シード層50はスパッタリングまたは無電解めっきを用いて形成することができる。次に、図3(b)に示すように、第2の配線層26が形成されない領域にレジスト51を設け、シード層50を用いた電解めっきによりめっき層52を形成する。そして、図3(c)に示すように、レジスト51と、レジスト51の下側のシード層50とを除去する。それにより、シード層50とめっき層52とで構成された第2の配線層26が形成される。続いて、図3(d)に示すように、第1層41と、第1層41上に形成された第2の配線層26とを一体的に覆うように、第2層44を形成する。第2層44はCVDを用いて形成することができる。
さらに、図4(a)に示すように、第2層44の開口部44aに対応する領域が空いたレジスト53が形成される。そして、図4(b)に示すように、レジスト53を用いてエッチング(ドライエッチング)して、第2層44に開口部44aを設ける。その結果、第2の配線層26の一部の領域が第2層44から露出する。第2層44から露出した部分の第2の配線層26に、必要に応じて、Ni、Pd、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au等をめっきすることができる。次に、図4(c)に示すように、半導体基板20に第2の配線層26側から支持基板54を貼り付ける。支持基板54の貼り付けには接着材55が用いられる。支持基板54には、高い剛性を有する基板を採用することができ、たとえばガラスウェハが用いられる。その後、図4(d)に示すように、半導体基板20の露出面(第2の配線層26側とは反対側の面)を研磨して、半導体基板20を100μm程度まで薄くする。この研磨により、半導体基板20の第1の主面20aが形成される。なお、図4(d)では、図4(c)の半導体基板20の表裏を反転して示している。
次に、図5(a)に示すように、半導体基板20の主面20a上に、貫通孔22が形成される領域が空いたレジスト56が形成される。続いて、図5(b)に示すように、レジスト56を用いてエッチング(DRIE)して、半導体基板20に貫通孔22を設ける。このとき、第1の主面20aにおける開口径D1が、第2の主面20bにおける開口径D2よりも大きい貫通孔22を形成する。開口径D1、D2が異なる貫通孔は、複数のエッチング条件に分けてDRIEをおこなうことで容易に形成することができる。たとえば、第1のエッチング条件として、SF6と、CF4と、O2との混合ガスを用いて主に幅方向(面内方向)に開口を広げるエッチング条件を準備し、第2のエッチング条件としてSF6とO2との混合ガスを用いて主に深さ方向(面直方向)に開口を広げるエッチング条件を準備して、DRIEにおいて第1のエッチング条件の後に第2のエッチング条件をおこなうことで、開口径D1が開口径D2よりも大きくなる。また、第2の絶縁層40は第2の主面20bにおいて貫通孔22の周縁および底面を覆っており、第2の配線層26は第2の絶縁層40を介して貫通孔22を覆っている。さらに、図5(c)に示すように、半導体基板20の第1の主面20aに第1の絶縁層30を形成する。このとき、第1の絶縁層30は、貫通孔22の側面および底面にも形成され、第1の主面20aにおける貫通孔22の周縁と貫通孔22の側面20cとを連続的に覆っている。そして、図5(d)に示すように、貫通孔22の底面に対応する領域が空いたレジスト57が形成される。
次に、図6(a)に示すように、レジスト57を用いてエッチング(ドライエッチング)して、貫通孔22の底面に位置する第1の絶縁層30および第2の絶縁層40の第1層41を除去し、第2の配線層26を露出させる。このとき、第2の絶縁層40は、第2の主面20bにおける貫通孔22の周縁に位置する。そして、図6(b)に示すように、第1の絶縁層30を介して第1の主面20aおよび貫通孔22の側面20cを覆い、かつ、貫通孔22を介して第2の配線層26まで達するシード層58を形成する。シード層58はスパッタリングまたは無電解めっきを用いて形成することができる。次に、図6(c)に示すように、第1の配線層24が形成されない領域にレジスト59を設け、シード層58を用いた電解めっきによりめっき層60を形成する。そして、図6(d)に示すように、レジスト59と、レジスト59の下側のシード層58とを除去する。それにより、シード層58とめっき層60とで構成された第1の配線層24が形成される。このとき、第1の配線層24は、第1の絶縁層30上において、第1の主面20aから貫通孔22を介して第2の主面20bまで延びている。また、貫通孔22から第2の主面20bに露出した第1の配線層24が、第2の配線層26と電気的に接続される。
最後に、接着材55とともに支持基板54を除去することで、図1に示した半導体装置10が得られる。
以上において説明した半導体装置10では、第1の主面20aにおける開口径D1が第2の主面20bにおける開口径D2よりも大きい貫通孔22が、半導体装置10の製造時や駆動時に、図7に示すように、第1の主面20a側が凸となるような反りを半導体基板20に生じさせる要因となる。半導体基板20に貫通孔22が設けられていることで、半導体基板20の上側半分における構成材料の体積が下側半分における構成材料の体積よりも小さいために、上記反りが生じると考えられる。また、上記反りは、貫通孔22の数が多いほど大きくなり、貫通孔22の側面20cの傾斜角θが大きくなるほど大きくなると考えられる。
半導体装置10においては、第1の主面20aに形成される第1の絶縁層30の厚さT1と、第2の主面20bに形成される第2の絶縁層40の厚さT2とを異ならせることで、上記反りの抑制が図られている。具体的には、第1の絶縁層30の厚さT1が第2の絶縁層40の厚さT2よりも厚くなるように設計されている(T1>T2)。その結果、第2の主面20b側が凸となるような反り(すなわち、第1の主面20a側が凸となるような反りを打ち消す反り)が生じる向きの応力が生じ、それにより上記反りが抑制されている。
特に、本実施形態のように、半導体基板20が200μm以下の薄いものである場合には、変形に対する十分な剛性を確保することが困難になり、上記反りが生じやすくなる。このような場合であっても、半導体装置10では、第1の絶縁層30の厚さT1を第2の絶縁層40の厚さT2よりも厚くすることで、上記反りを効果的に抑制している。
また、本実施形態では、第1の主面20aにおける第1の配線層24の残銅率が、第2の主面20bにおける第2の配線層26の残銅率とは異なっている。具体的には、第1の主面20aにおける第1の配線層24の残銅率が、第2の主面20bにおける第2の配線層26の残銅率より低くなっている。このような残銅率の差により第2の主面20b側が凸となるような反り(すなわち、第1の主面20a側が凸となるような反りを打ち消す反り)が生る向きの応力が生じ、第1の絶縁層30と第2の絶縁層40との厚さ差によっても第1の主面20a側が凸となるような反りが多少残る場合に、その反りをさらに抑えることができる。このとき、残銅率がより低い第1の主面20aに設けられた第1の絶縁層30の厚さT1が、残銅率がより高い第2の主面20bに設けられた第2の絶縁層40の厚さT2より厚いとの関係が成り立っている。反対に、第1の絶縁層30と第2の絶縁層40との厚さ差により第2の主面20b側が凸となるような反りが多少生じた場合には、第1の主面20aにおける第1の配線層24の残銅率を第2の主面20bにおける第2の配線層26の残銅率より高くすることで、その反りを抑えることができる。換言すると、第1の主面20aにおける第1の配線層24の残銅率と、第2の主面20bにおける第2の配線層26の残銅率とを異ならせることで、半導体基板20の反りを調整することができる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。たとえば、第1の絶縁層や第2の絶縁層を構成する層の数は、適宜増減することができる。半導体基板に形成される貫通孔の数も、適宜増減することができる。
10…半導体装置、20…半導体基板、20a、20b…主面、22…貫通孔、24…第1の配線層、26…第2の配線層、30…第1の絶縁層、40…第2の絶縁層。
Claims (7)
- 第1の主面と、該第1の主面とは反対側に第2の主面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板を厚さ方向に沿って貫通する貫通孔と、
前記第1の主面における前記貫通孔の周縁と前記貫通孔の側面とを連続的に覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、前記第1の主面から前記貫通孔を介して前記第2の主面まで延びる第1の配線層と、
前記第2の主面における前記貫通孔の周縁を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の主面上において前記第2の絶縁層および前記貫通孔を覆い、前記貫通孔から前記第2の主面に露出する前記第1の配線層と電気的に接続される第2の配線層と
を備え、
前記貫通孔は、前記第1の主面における開口径が前記第2の主面における開口径よりも大きく、
前記第1の主面上における前記第1の絶縁層の厚さが、前記第2の主面上における前記第2の絶縁層の厚さより厚い、半導体装置。 - 前記第1の主面における前記第1の配線層の残銅率と、前記第2の主面における前記第2の配線層の残銅率とが異なる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔は、前記第1の主面から前記第2の主面に向けて漸次縮径しており、前記貫通孔の側面が前記半導体基板の厚さ方向に対して傾斜している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層の少なくとも一方が複数層で構成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板に、第1の主面における開口径が、該第1の主面とは反対側の第2の主面における開口径よりも大きい貫通孔を形成する工程と、
前記第1の主面における前記貫通孔の周縁と前記貫通孔の側面とを、第1の絶縁層で連続的に覆う工程と、
前記第1の絶縁層上に、前記第1の主面から前記貫通孔を介して前記第2の主面まで延びる第1の配線層を形成する工程と、
前記第2の主面における前記貫通孔の周縁に、前記第1の主面における前記第1の絶縁層の厚さより薄い第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の主面上において前記第2の絶縁層および前記貫通孔を覆い、前記貫通孔から前記第2の主面に露出する前記第1の配線層と電気的に接続される第2の配線層を設ける工程と
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記第1の配線層を形成する工程において形成される前記第1の配線層の前記第1の主面における残銅率と、前記第2の配線層を形成する工程において形成される前記第2の配線層の前記第2の主面における残銅率とが異なる、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貫通孔を形成する工程において、前記第1の主面から前記第2の主面に向けて漸次縮径するように前記貫通孔を形成して、前記貫通孔の側面を前記半導体基板の厚さ方向に対して傾斜させる、請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11862535B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-substrate-via with reentrant profile |
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