JP6445867B2 - 小型高電圧電子銃 - Google Patents
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Description
本願は、その開示が参照により本明細書に組み込まれる「Compact High Voltage Electron Gun」と題する2011年11月29日に出願された米国特許仮出願第61/564,740号の利益を主張するものである。
本発明は、DARPAから受託した契約番号HR0011−07−9−0007の下で、米国政府支援でなされたものである。政府は本発明における一定の権利を有する。
本明細書で開示される小型高電圧電子銃の1つの用途は、電子ビームリソグラフィのための装置にある。電子ビームで特徴を高分解能でパターン形成するために、電子ビームのエネルギーは、典型的には、例えば50keVを超える高いエネルギーである。高エネルギー電子が用いられる理由は、それらがレジストの中で横方向により散乱しにくいためである。より低エネルギーの電子では、レジストの中で散乱することに加えて、電子間の相互作用に起因して電子分解能が低下する。高エネルギー電子を発生させるために電子銃が用いられる。電子銃は、ビームを加速及び合焦させる電子及び電極を生成するために高(負)電圧で浮動するカソードからなる。加速電極及び合焦電極に対する電圧を分離するために、高アルミナセラミック絶縁体が用いられてもよい。
上記の開示は、高電圧電子ビームを生成するための革新的な装置及び方法を提供する。装置及び方法は、電子ビームリソグラフィ、電子ビームイメージング、又は他の用途に用いるのに有利である可能性がある。
Claims (15)
- 高電圧電子銃であって、
第1の開放端及び第2の開放端を有する絶縁性隔離子と、
前記絶縁性隔離子上の抵抗層であり、前記絶縁性隔離子の少なくとも内面上にある、抵抗層と、
前記絶縁性隔離子の前記第1の開放端に結合されるカソードホルダであり、そこから電子が放出されるカソードエミッタを保持する、カソードホルダと、
前記絶縁性隔離子の前記第2の開放端に結合され、前記放出された電子から形成された電子ビームがそれを通って出力される開口部を有する、アノードと、
前記カソードホルダと前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第1の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記第1の制御電極に至る第1の電気接続部と、
前記第1の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第2の制御電極であり、前記第1の制御電極が前記第2の制御電極より小さく、前記第1の制御電極が前記第2の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置し、前記第2の制御電極の内径が前記第1の制御電極の内径より小さい、第2の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記第2の制御電極に至る第2の電気接続部と、
前記第2の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第3の制御電極であり、前記第2の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第2の制御電極が前記第3の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置し、前記第3の制御電極の内径が前記第2の制御電極の内径より小さい、第3の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記第3の制御電極に至る第3の電気接続部と、
を備える電子銃。 - 前記電子ビームにおける電子が10キロ電子ボルトから1メガ電子ボルトの範囲内の平均エネルギーを有するように、前記アノード及び前記カソードエミッタに電圧が印加される、請求項1に記載の電子銃。
- 前記第3の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第4の制御電極であり、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置する、第4の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記第4の制御電極に至る第4の電気接続部と、
をさらに備える、請求項1に記載の電子銃。 - 前記絶縁性隔離子が円筒形であり、前記第1の開放端と前記第2の開放端がそれぞれ円形の端部を備える、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層が金属と金属酸化物の混合物を含む、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層が、その中に金属が拡散されたセラミックを含む、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層がダイヤモンド状炭素を含む、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層が帯電防止コーティングを含む、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層がシリコンクロメートを含む、請求項1に記載の電子銃。
- 前記抵抗層が、5nm〜100ミクロンの範囲内の厚さ及び106〜1015Ω/sqの範囲のシート抵抗を有する、請求項1に記載の電子銃。
- 電子銃の中で電子ビームを形成する方法であって、
カソードエミッタから、抵抗層で被覆される絶縁性隔離子を有する銃チャンバの中に、電子を放出することであり、前記銃チャンバは、前記絶縁性隔離子と、前記絶縁性隔離子の第1の端におけるカソードホルダと、前記絶縁性隔離子の第2の端におけるアノードと、複数の制御電極とによって形成され、
前記銃チャンバの中で電子ビームを形成することであり、前記複数の制御電極に制御電圧を付与して、前記カソードホルダと前記アノードの間で前記銃チャンバ内に前記電子ビームを合焦させることを含み、前記複数の制御電極が、前記カソードホルダと前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第1の制御電極と、前記第1の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第2の制御電極であり、前記第1の制御電極が前記第2の制御電極より小さく、前記第1の制御電極が、前記第2の制御電極より大きい内径を有すると共に、前記第2の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置する、第2の制御電極と、前記第2の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第3の制御電極であり、前記第2の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第2の制御電極が、前記第3の制御電極より大きい内径を有すると共に、前記第3の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置する、第3の制御電極とを含む、電子ビームを形成すること、及び
前記電子ビームを前記アノードの開口部の外に向けて加速すること、
を含む、方法。 - 前記複数の制御電極は、前記第3の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第4の制御電極であり、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極よりも前記電子ビームからより離れて位置する、第4の制御電極をさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 電子ビームリソグラフィのための装置であって、
入射電子ビームを放出する電子銃であり、カソードと、アノードと、前記カソードと前記アノードの間に位置する、抵抗層で被覆された絶縁性隔離子とを有する電子銃と、
前記絶縁性隔離子の中に配置される複数の制御電極であり、
前記電子銃の前記カソードと前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第1の制御電極と、
前記第1の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第2の制御電極であり、前記第1の制御電極が前記第2の制御電極より小さく、前記第1の制御電極が、前記第2の制御電極より大きい内径を有すると共に、前記第2の制御電極よりも前記入射電子ビームからより離れて位置する、第2の制御電極と、
前記第2の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第3の制御電極であり、前記第2の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第2の制御電極が、前記第3の制御電極より大きい内径を有すると共に、前記第3の制御電極よりも前記入射電子ビームからより離れて位置する、第3の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記第3の制御電極に至る第3の電気接続部とを備える複数の制御電極と、
前記絶縁性隔離子を貫通して前記複数の制御電極の各制御電極に至る電気接続部と、
前記入射電子ビームを照射され、パターン形成された電子ビームアレイを反射させる、パターン生成器アレイと、
前記パターン形成された電子ビームアレイを合焦及び縮小させるイメージングシステムと、
前記パターン形成された電子ビームアレイの下にターゲット基板を保持するためのステージと、
を備える装置。 - 前記入射電子ビームにおける電子が、10キロ電子ボルトから1メガ電子ボルトの範囲内の平均エネルギーを有する、請求項13に記載の装置。
- 前記複数の制御電極が、前記第3の制御電極と前記アノードの間で前記絶縁性隔離子内に配置される第4の制御電極であり、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極より小さく、前記第4の制御電極が前記第3の制御電極よりも前記入射電子ビームからより離れて位置する、第4の制御電極をさらに含む、請求項13に記載の装置。
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Families Citing this family (4)
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US9824851B2 (en) * | 2013-01-20 | 2017-11-21 | William M. Tong | Charge drain coating for electron-optical MEMS |
US9269537B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-02-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | E-beam lithography with alignment gating |
US9502315B2 (en) * | 2013-12-04 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Electrical component testing in stacked semiconductor arrangement |
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Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3201637A (en) * | 1961-10-24 | 1965-08-17 | Philco Corp | Cathode ray tube gun assembly |
US3729575A (en) * | 1971-10-28 | 1973-04-24 | Litton Systems Inc | High voltage insulator having a thick film resistive coating |
US3842495A (en) | 1973-01-24 | 1974-10-22 | Gti Corp | Control of rate of change of resistance as a function of temperature in manufacture of resistance elements |
JPS5255468A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Nec Corp | Electron tube containing ceramic surrounding parts |
US4101803A (en) * | 1977-06-01 | 1978-07-18 | Zenith Radio Corporation | Arc suppression and static elimination system for a television crt |
JPS55159550A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Electron gun structure |
US4414485A (en) * | 1981-06-23 | 1983-11-08 | Rca Corporation | Control-screen electrode subassembly for an electron gun and method for constructing the same |
JPS5925153A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電レンズ設計法 |
US4427886A (en) * | 1982-08-02 | 1984-01-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Low voltage field emission electron gun |
US4641103A (en) * | 1984-07-19 | 1987-02-03 | John M. J. Madey | Microwave electron gun |
JPS6354241U (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | ||
US4910249A (en) * | 1988-05-02 | 1990-03-20 | Ppg Industries, Inc. | Acrylic polymers |
WO1996002932A1 (en) * | 1994-07-19 | 1996-02-01 | Philips Electronics N.V. | An electron beam device having a resistive focusing lens structure and method for making such a device |
KR100386182B1 (ko) * | 1994-10-24 | 2004-02-25 | 소니 가부시끼 가이샤 | 음극선관의전자총및음극선관의제조방법 |
US6270390B1 (en) * | 1996-04-11 | 2001-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making electron gun |
US5854822A (en) | 1997-07-25 | 1998-12-29 | Xrt Corp. | Miniature x-ray device having cold cathode |
US6533963B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-03-18 | Robert A. Schleifstein | Electrically conductive flexible compositions, and materials and methods for making same |
US20020089277A1 (en) * | 2001-01-11 | 2002-07-11 | Thomas Skupien | Beam forming region having an array of emitting areas |
US6720719B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-04-13 | Thomson Licensing S. A. | Resistive coating for a tensioned focus mask CRT |
EP1280180A3 (en) * | 2001-07-25 | 2005-02-09 | Lg.Philips Displays Korea Co., Ltd. | Electron gun for cathode ray tube |
JP2003045359A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
RU2206187C1 (ru) | 2001-12-10 | 2003-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Способ изготовления микрополосковых плат для гибридных интегральных схем |
US7053538B1 (en) * | 2002-02-20 | 2006-05-30 | Cdream Corporation | Sectioned resistor layer for a carbon nanotube electron-emitting device |
KR100468422B1 (ko) * | 2002-05-14 | 2005-01-27 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 칼라음극선관용 전자총 |
RU2269181C2 (ru) | 2003-09-03 | 2006-01-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Транс-колор" | Устройство керамической платы, композиция ее покрытия и способ получения последнего |
EP1557863B1 (en) | 2004-01-22 | 2011-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Antistatic film, spacer using it and picture display unit |
JP2005249745A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 試料表面検査方法および検査装置 |
US7177012B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4621621B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置 |
US7465922B1 (en) | 2006-07-12 | 2008-12-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Accelerating electrostatic lens gun for high-speed electron beam inspection |
US7573046B1 (en) | 2007-03-26 | 2009-08-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Thermal field emission electron gun with reduced arcing |
US7821187B1 (en) | 2007-09-07 | 2010-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Immersion gun equipped electron beam column |
JP2010015818A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子源装置及びイオン装置 |
US8089051B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Electron reflector with multiple reflective modes |
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