JPH0589813A - 荷電粒子ビーム発生装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム発生装置Info
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- JPH0589813A JPH0589813A JP4078750A JP7875092A JPH0589813A JP H0589813 A JPH0589813 A JP H0589813A JP 4078750 A JP4078750 A JP 4078750A JP 7875092 A JP7875092 A JP 7875092A JP H0589813 A JPH0589813 A JP H0589813A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
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- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/06308—Thermionic sources
- H01J2237/06316—Schottky emission
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放射電子銃またはイオンビーム源銃、す
なわち、荷電粒子ビーム発生装置のビームの明るさ、電
流密度および解像度を増大することにある。 【構成】 電界放射源は中エネルギビームに関して従来
考え得るより小さいスポツトの大きさに集束されるより
大きな大きさのビーム電流を有する電子銃を提供するた
めに３要素の非対称レンズ系に関連して使用される。３
要素非対称レンズ系は、大きな電流およびエネルギ拡散
を有するビームの精密な集束を可能にする、従来の静電
銃より低い周辺収差および非常に低い色収差係数を有す
る。電子銃は、放射源ビームの比較的大きな受容角度お
よびエネルギ拡散に拘わらず、小さなスポツト区域に集
束されるビームの高い電流密度を発生する。
なわち、荷電粒子ビーム発生装置のビームの明るさ、電
流密度および解像度を増大することにある。 【構成】 電界放射源は中エネルギビームに関して従来
考え得るより小さいスポツトの大きさに集束されるより
大きな大きさのビーム電流を有する電子銃を提供するた
めに３要素の非対称レンズ系に関連して使用される。３
要素非対称レンズ系は、大きな電流およびエネルギ拡散
を有するビームの精密な集束を可能にする、従来の静電
銃より低い周辺収差および非常に低い色収差係数を有す
る。電子銃は、放射源ビームの比較的大きな受容角度お
よびエネルギ拡散に拘わらず、小さなスポツト区域に集
束されるビームの高い電流密度を発生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子ビーム発生装置
に関し、より詳細には、とくに半導体製造用のリソグラ
フ装置に使用する、目標上の小さな区域に荷電粒子ビー
ムを集束するための静電レンズ系を備えた高電流、中エ
ネルギ電子およびイオンビームを発生する電界電子およ
びイオン化源、すなわち、低収差電界放射電子銃に関す
るものである。
に関し、より詳細には、とくに半導体製造用のリソグラ
フ装置に使用する、目標上の小さな区域に荷電粒子ビー
ムを集束するための静電レンズ系を備えた高電流、中エ
ネルギ電子およびイオンビームを発生する電界電子およ
びイオン化源、すなわち、低収差電界放射電子銃に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】低収差の３電極静電レンズは周知の単一
レンズから引き出された最新の開発である。単一レンズ
が始めて、アール・ゼーリガーは、オプテイク４、２５
８ページ（１９４８年）「電子レンズの開口収差の新規
な決定方法」において、物理的に非対称な内方（集束）
電極が周辺収差を低減することに注目した。
レンズから引き出された最新の開発である。単一レンズ
が始めて、アール・ゼーリガーは、オプテイク４、２５
８ページ（１９４８年）「電子レンズの開口収差の新規
な決定方法」において、物理的に非対称な内方（集束）
電極が周辺収差を低減することに注目した。
【０００３】リードおよびイムホフ（１９６８年の科学
機器１、８５９ページ）は、目標に衝突するような可変
エネルギおよび可変倍率ビームの使用を許容するズーム
レンズを製造するために単一レンズの３つの電極を電気
的に切り離した。同等に、可変銃集束は軸線に沿って物
体を動かす必要なしに得られる。
機器１、８５９ページ）は、目標に衝突するような可変
エネルギおよび可変倍率ビームの使用を許容するズーム
レンズを製造するために単一レンズの３つの電極を電気
的に切り離した。同等に、可変銃集束は軸線に沿って物
体を動かす必要なしに得られる。
【０００４】フエネクラーゼンおよびジーゲル（１９７
２年の応用物理４３、４９８９ページ）は電界放射伝達
電子顕微鏡用途に比較的複雑な単一レンズ「プレアクセ
レレータ」電極ジオメトリを開発した。彼らは、高い倍
率作動の使用が、静電および磁気レンズの間に相違があ
ると仮定されるとき原理が一貫して適用されないけれど
も、銃の収差を低減することができることに注目した。
実際に、原理は両方の場合に適用でき、そして最初に１
９５８年のオプテイク１５、３０４ページのケー・ジエ
イ・ハンツエンによる電子光学用途に実験的に示され、
そして周辺収差を減少するための周知の代表的な光学結
果の再発見である（エー・セプテイエの光学電子顕微
鏡、第１刷、２２１ページ参照）。
２年の応用物理４３、４９８９ページ）は電界放射伝達
電子顕微鏡用途に比較的複雑な単一レンズ「プレアクセ
レレータ」電極ジオメトリを開発した。彼らは、高い倍
率作動の使用が、静電および磁気レンズの間に相違があ
ると仮定されるとき原理が一貫して適用されないけれど
も、銃の収差を低減することができることに注目した。
実際に、原理は両方の場合に適用でき、そして最初に１
９５８年のオプテイク１５、３０４ページのケー・ジエ
イ・ハンツエンによる電子光学用途に実験的に示され、
そして周辺収差を減少するための周知の代表的な光学結
果の再発見である（エー・セプテイエの光学電子顕微
鏡、第１刷、２２１ページ参照）。
【０００５】クロダ等（１９７４年の応用物理４５、２
３３６ページ）はリードおよびイムホフの結果を採用し
かつそれを電界放射走査電子顕微鏡用レンズを開発する
のに応用した。この設計はその機能性を維持しながらフ
エネクラーゼンのプレアクセレレータの複雑さを減少し
た。
３３６ページ）はリードおよびイムホフの結果を採用し
かつそれを電界放射走査電子顕微鏡用レンズを開発する
のに応用した。この設計はその機能性を維持しながらフ
エネクラーゼンのプレアクセレレータの複雑さを減少し
た。
【０００６】ジー・クツチ・エヌ・リドルは１９７８年
の真空科学技術１５、８５７ページにおいて電界放射銃
用の１組の１６個の３電極レンズジオメトリを研究し
た。彼は物理的に非対称な集束電極ジオメトリが周辺収
差を低減することを見出しかつ単一（アインツエル）レ
ンズジオメトリが小さな周辺収差を有するというゼーリ
ガーの最初の所見を確認した。リドルはまたこの設計が
研究されたすべてのレンズの最低の色収差を有すること
を認めた。これらの収差はこの分野で働く者には周知で
ある。ビーム直径に対する色収差の寄与はｄC ＝ＣC ・
ΔＥ／Ｅ・αであり、ここで、ＣC は色収差係数、αは
ビーム半角、ΔＥはビームエネルギ分布の測定値、およ
びＥはビームエネルギの平均値である。ビームの大きさ
に対する周辺収差分布はｄS ＝１／２・ＣS ・α3 であ
り、Ｃ3 は周辺収差係数である。他の方法で述べると、
周辺収差はビームの軸ずれ距離を有する焦点距離の変化
によりビームの大きさを増大する。色収差はビームの速
度バラツキによりビームの大きさを増大する。
の真空科学技術１５、８５７ページにおいて電界放射銃
用の１組の１６個の３電極レンズジオメトリを研究し
た。彼は物理的に非対称な集束電極ジオメトリが周辺収
差を低減することを見出しかつ単一（アインツエル）レ
ンズジオメトリが小さな周辺収差を有するというゼーリ
ガーの最初の所見を確認した。リドルはまたこの設計が
研究されたすべてのレンズの最低の色収差を有すること
を認めた。これらの収差はこの分野で働く者には周知で
ある。ビーム直径に対する色収差の寄与はｄC ＝ＣC ・
ΔＥ／Ｅ・αであり、ここで、ＣC は色収差係数、αは
ビーム半角、ΔＥはビームエネルギ分布の測定値、およ
びＥはビームエネルギの平均値である。ビームの大きさ
に対する周辺収差分布はｄS ＝１／２・ＣS ・α3 であ
り、Ｃ3 は周辺収差係数である。他の方法で述べると、
周辺収差はビームの軸ずれ距離を有する焦点距離の変化
によりビームの大きさを増大する。色収差はビームの速
度バラツキによりビームの大きさを増大する。
【０００７】オーロフおよびスワンソン（参考として本
書に組み込まれるアメリカ合衆国特許第４，４２６，５
８２号）はイオンビームマイクロプローブ用の集束要素
としてリドルの低色収差銃レンズを使用した。彼らはま
たマンロの電子光学コンピユータプログラムを使用する
レンズの収差特性を証明しかつこのレンズがクルーまた
はマンロの２電極レンズのいずれよりも良好な性能を有
することを示した。オーロフおよびスワンソン特許の開
示は３要素静電レンズの使用からなるけれども、その第
１の主張は液体金属イオン源に関してのその応用につい
てである。レンズは低収差特性を有するとして強調され
るけれども、収差を減少するための物体の距離の減少は
彼らにより重要とはみなされない。また、かれらの応用
において周辺収差は主な要因に考えられずかつしたがつ
て彼らは銃画像平面においてビームクロスオーバーの大
きさに寄与するこの要因を減少するような他の方策を考
えなかつた。オーロフおよびスワンソンの装置はそれゆ
えその大きな収差ののため大きな電流およびミクロン以
下のビームを要求するリソグラフ装置における使用に適
さない。
書に組み込まれるアメリカ合衆国特許第４，４２６，５
８２号）はイオンビームマイクロプローブ用の集束要素
としてリドルの低色収差銃レンズを使用した。彼らはま
たマンロの電子光学コンピユータプログラムを使用する
レンズの収差特性を証明しかつこのレンズがクルーまた
はマンロの２電極レンズのいずれよりも良好な性能を有
することを示した。オーロフおよびスワンソン特許の開
示は３要素静電レンズの使用からなるけれども、その第
１の主張は液体金属イオン源に関してのその応用につい
てである。レンズは低収差特性を有するとして強調され
るけれども、収差を減少するための物体の距離の減少は
彼らにより重要とはみなされない。また、かれらの応用
において周辺収差は主な要因に考えられずかつしたがつ
て彼らは銃画像平面においてビームクロスオーバーの大
きさに寄与するこの要因を減少するような他の方策を考
えなかつた。オーロフおよびスワンソンの装置はそれゆ
えその大きな収差ののため大きな電流およびミクロン以
下のビームを要求するリソグラフ装置における使用に適
さない。
【０００８】上記で引用したオーロフおよびスワンソン
特許の開示および彼らの１９７９年の応用物理、第５０
巻（４）、２４９４ないし２５０１ページの論文におい
て、物体対放射源の距離はＺO ＝１５ないし２０ｍｍで
ある。本出願の図１はオーロフおよびスワンソン特許の
開示による。イオン銃１は液体金属電界イオン化源１
１、静電光学系１３、偏向装置２１、および目標９を含
んでいる。
特許の開示および彼らの１９７９年の応用物理、第５０
巻（４）、２４９４ないし２５０１ページの論文におい
て、物体対放射源の距離はＺO ＝１５ないし２０ｍｍで
ある。本出願の図１はオーロフおよびスワンソン特許の
開示による。イオン銃１は液体金属電界イオン化源１
１、静電光学系１３、偏向装置２１、および目標９を含
んでいる。
【０００９】電界イオン化源１１は放出子支持体１１
Ａ、および放出子１１Ｂを含んでいる。タングステン電
界放出子１１Ｂは放出子を抵抗的に加熱するようにタン
グステンループ１１Ａに溶接される。
Ａ、および放出子１１Ｂを含んでいる。タングステン電
界放出子１１Ｂは放出子を抵抗的に加熱するようにタン
グステンループ１１Ａに溶接される。
【００１０】上述した要素は支持体３上の真空室５内に
支持される。目標９は支持体７上にある。該支持体７は
真空室５の壁を貫通して放出子１１Ｂから放出されかつ
静電レンズ系１３により集束されるビームと目標９の一
直線の整列を許容する。イオンビームは一般に点線１９
に沿って目標９に集束される。
支持される。目標９は支持体７上にある。該支持体７は
真空室５の壁を貫通して放出子１１Ｂから放出されかつ
静電レンズ系１３により集束されるビームと目標９の一
直線の整列を許容する。イオンビームは一般に点線１９
に沿って目標９に集束される。
【００１１】それに開口１５Ａを有する抽出器リング１
５が放出子１１Ｂの頂部のすぐ下に支持されかつそれと
整列される。抽出器リング１５は静電光学系１３の要素
１３Ａと同一の電位にありかつ該要素１３Ａに物理的に
取着される。
５が放出子１１Ｂの頂部のすぐ下に支持されかつそれと
整列される。抽出器リング１５は静電光学系１３の要素
１３Ａと同一の電位にありかつ該要素１３Ａに物理的に
取着される。
【００１２】非対称な静電レンズ系１３は頂部要素１３
Ａ、中央要素１３Ｃ、および底部要素１３Ｆを含んでい
る。
Ａ、中央要素１３Ｃ、および底部要素１３Ｆを含んでい
る。
【００１３】第１（頂部）要素１３Ａは軸線１９のまわ
りに心出しされた円形開口１３Ｂを有する円板状導体で
ありそしてこの第１要素は軸線１９に対して垂直であ
る。開口１３Ｂは３ｍｍの直径Ｄを有する。第１要素１
３Ａの厚さはｔ’で１ｍｍに等しい。
りに心出しされた円形開口１３Ｂを有する円板状導体で
ありそしてこの第１要素は軸線１９に対して垂直であ
る。開口１３Ｂは３ｍｍの直径Ｄを有する。第１要素１
３Ａの厚さはｔ’で１ｍｍに等しい。
【００１４】第２（中央）要素１３Ｃは物理的に非対称
であり、そして第１要素１３Ａから間隔Ｓが置かれてお
り、Ｓは３ｍｍであり、物理的な非対称は第２要素１３
Ｃを通って大きさを変化する開口から結果として生じ
る。第２要素１３Ｃの上方部分１３Ｄは厚さｔおよび開
口直径Ｄを有し、ｔは３ｍｍである。第２要素１３Ｃの
下方部分１３Ｅは１４ｍｍの厚さおよび１８ｍｍである
開口の直径Ｄ’を有する。開口の直径Ｄ’と下方部分１
３Ｅの厚さの比はそれゆえ１４ｍｍで割られる１８ｍ
ｍ、または約１．３である。
であり、そして第１要素１３Ａから間隔Ｓが置かれてお
り、Ｓは３ｍｍであり、物理的な非対称は第２要素１３
Ｃを通って大きさを変化する開口から結果として生じ
る。第２要素１３Ｃの上方部分１３Ｄは厚さｔおよび開
口直径Ｄを有し、ｔは３ｍｍである。第２要素１３Ｃの
下方部分１３Ｅは１４ｍｍの厚さおよび１８ｍｍである
開口の直径Ｄ’を有する。開口の直径Ｄ’と下方部分１
３Ｅの厚さの比はそれゆえ１４ｍｍで割られる１８ｍ
ｍ、または約１．３である。
【００１５】第３要素１３Ｆは第１要素１３Ａに対して
平行でありかつそれからＳｍｍ間隔が置かれる。第３要
素１３Ｆは厚さｔ’および開口直径Ｄを有する。第１、
第２および第３要素１３Ａ，１３Ｃおよび１３Ｆは軸線
１９に対してすべて軸方向に整列される。
平行でありかつそれからＳｍｍ間隔が置かれる。第３要
素１３Ｆは厚さｔ’および開口直径Ｄを有する。第１、
第２および第３要素１３Ａ，１３Ｃおよび１３Ｆは軸線
１９に対してすべて軸方向に整列される。
【００１６】放出子１１Ｂの先端と頂部要素１３Ａの上
面の平面との間の間隔は１５ｍｍである。目標９上の目
標スポツトと頂部要素１３Ａの上面の平面との間の間隔
は７５ｍｍである。
面の平面との間の間隔は１５ｍｍである。目標９上の目
標スポツトと頂部要素１３Ａの上面の平面との間の間隔
は７５ｍｍである。
【００１７】静電偏向装置２１は図１において第３要素
１３Ｆの下に配置されかつ軸線１９と軸方向に整列され
る。電圧ＶE が放出子に印加される。
１３Ｆの下に配置されかつ軸線１９と軸方向に整列され
る。電圧ＶE が放出子に印加される。
【００１８】初期または第１電圧Ｖ１が第１要素１３Ａ
にフイードスルー１７Ａによつて放出子に印加される。
電圧Ｖ１はまた図１の装置において抽出器リング１５に
印加される。制御電圧Ｖ２がフイードスルー１７Ｂによ
つて中央電極１３Ｃに印加される。
にフイードスルー１７Ａによつて放出子に印加される。
電圧Ｖ１はまた図１の装置において抽出器リング１５に
印加される。制御電圧Ｖ２がフイードスルー１７Ｂによ
つて中央電極１３Ｃに印加される。
【００１９】第３または最終電圧Ｖ３がフイードスルー
１７Ｃによつて底部要素１３Ｆに印加される。Ｖ１，Ｖ
２およびＶ３はイオン化源１１の電圧ＶE に関連してい
る。Ｖ３はアース電位に設定されかつビームの最終エネ
ルギはＶE により決定される。抽出電圧はＶE とＶ１と
の間の差によつて決定される。
１７Ｃによつて底部要素１３Ｆに印加される。Ｖ１，Ｖ
２およびＶ３はイオン化源１１の電圧ＶE に関連してい
る。Ｖ３はアース電位に設定されかつビームの最終エネ
ルギはＶE により決定される。抽出電圧はＶE とＶ１と
の間の差によつて決定される。
【００２０】フイードスルー１７Ｄは静電偏向装置２１
の偏光板に適宜な電圧を印加する。上述したオーロフお
よびスワンソン銃に基づきかつＦＥＩ社により製造され
た、市場で手に入るシヨツトキーＳＥＭ銃はＺ0 ＝２０
ｍｍを使用する。
の偏光板に適宜な電圧を印加する。上述したオーロフお
よびスワンソン銃に基づきかつＦＥＩ社により製造され
た、市場で手に入るシヨツトキーＳＥＭ銃はＺ0 ＝２０
ｍｍを使用する。
【００２１】
【発明が解決すべき課題】公知のように、電界放出カソ
ードはレンズ用の仮想源を生じる放出子と抽出器電極と
の間の初期ダイオード領域に形成された拡散電子軌道を
有する。かかる装置はまたそれらの高電流放出特性によ
り特徴付けられかつその動作がシヨツトキー型に広がる
加熱カソードを含んでいる。
ードはレンズ用の仮想源を生じる放出子と抽出器電極と
の間の初期ダイオード領域に形成された拡散電子軌道を
有する。かかる装置はまたそれらの高電流放出特性によ
り特徴付けられかつその動作がシヨツトキー型に広がる
加熱カソードを含んでいる。
【００２２】本発明の目的は、電界放出電子銃またはイ
オンビーム源銃のビームの明るさ、電流密度、および解
像度を増加することにある。
オンビーム源銃のビームの明るさ、電流密度、および解
像度を増加することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、軸線に沿って荷電粒子ビームを発生しかつ該荷電
粒子ビームを目標スポツト上に集束する荷電粒子ビーム
発生装置において、前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿
って放出する放射手段；および前記荷電粒子ビームを前
記目標スポツト上に集束するために前記放射手段から間
隔が置かれかつ該放射手段の下に前記軸線のまわりに配
置される静電レンズ系からなり、該静電レンズ系が、
（ｉ）第１電圧を導きかつそれに前記荷電粒子ビームが
通過する第１開口を有する第１レンズ要素を含み、前記
第１開口が前記軸線のまわりに心出しされており；（ｉ
ｉ）第２電圧を導きかつ前記荷電粒子ビームが前記第１
開口を出た後通過する第２開口を含む第２レンズ要素を
含み、該第２レンズ要素は前記第１レンズ要素から間隔
が置かれかつ該第１レンズ要素の下に配置されており、
前記第２開口が円形でかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、そして第１直径を有する上方部分を有し、前記第２
開口がほぼ筒状でありかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、ならびに第２直径を有し、そして前記軸線の方向に
予め定めた厚さを有する下方部分を有し、前記第２直径
が前記第１直径より大きく；（ｉｉｉ）前記第２開口の
下に配置されかつ第３電圧を導きそして前記荷電粒子ビ
ームが前記第２開口を出た後のみ通過する第３開口を有
する第３レンズ要素を含み、前記第３開口は前記軸線の
まわりに心出しされ、前記放射手段と前記第１レンズ要
素との間の間隔が約８ｍｍであることにより達成され
る。
れば、軸線に沿って荷電粒子ビームを発生しかつ該荷電
粒子ビームを目標スポツト上に集束する荷電粒子ビーム
発生装置において、前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿
って放出する放射手段；および前記荷電粒子ビームを前
記目標スポツト上に集束するために前記放射手段から間
隔が置かれかつ該放射手段の下に前記軸線のまわりに配
置される静電レンズ系からなり、該静電レンズ系が、
（ｉ）第１電圧を導きかつそれに前記荷電粒子ビームが
通過する第１開口を有する第１レンズ要素を含み、前記
第１開口が前記軸線のまわりに心出しされており；（ｉ
ｉ）第２電圧を導きかつ前記荷電粒子ビームが前記第１
開口を出た後通過する第２開口を含む第２レンズ要素を
含み、該第２レンズ要素は前記第１レンズ要素から間隔
が置かれかつ該第１レンズ要素の下に配置されており、
前記第２開口が円形でかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、そして第１直径を有する上方部分を有し、前記第２
開口がほぼ筒状でありかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、ならびに第２直径を有し、そして前記軸線の方向に
予め定めた厚さを有する下方部分を有し、前記第２直径
が前記第１直径より大きく；（ｉｉｉ）前記第２開口の
下に配置されかつ第３電圧を導きそして前記荷電粒子ビ
ームが前記第２開口を出た後のみ通過する第３開口を有
する第３レンズ要素を含み、前記第３開口は前記軸線の
まわりに心出しされ、前記放射手段と前記第１レンズ要
素との間の間隔が約８ｍｍであることにより達成され
る。
【００２４】本発明の銃の応用は集積回路の製造のため
の電子ビームリソグラフイ用多重レンズコラムにおける
初期光学要素としてである。かかるリソグラフ用途は小
さな目標収束角度によりミクロン以下の区域に集束され
る比較的大きな電流を要求する。小さな目標収束角度は
偏向収差を減少しかつ焦点深さを増大する。大きな銃開
口が十分な電流が電界放射型の放射源により供給される
典型的に低い角度的強さから抽出されることができるよ
うに使用される。
の電子ビームリソグラフイ用多重レンズコラムにおける
初期光学要素としてである。かかるリソグラフ用途は小
さな目標収束角度によりミクロン以下の区域に集束され
る比較的大きな電流を要求する。小さな目標収束角度は
偏向収差を減少しかつ焦点深さを増大する。大きな銃開
口が十分な電流が電界放射型の放射源により供給される
典型的に低い角度的強さから抽出されることができるよ
うに使用される。
【００２５】この低い角度的強さはカソード内に形成さ
れる実際の小さな放射源の大きさ（そして使用し得るビ
ーム電流に寄与するカソードの比較的小さい区域）に関
連付けられる。大きな開口によつてより高い銃の明るさ
を生じるために、ミクロン以下の電子ビームリソグラフ
イの場合であるように、コラムが単一倍率近くで作動す
るとき銃の収差を低下することにより大きな強調が置か
れねばならない。銃はまた独立して制御し、ビームを集
束しかつビーム電圧を設定しなければならない。オーロ
フおよびスワンソンの従来の銃において、収差を減少す
るために物体の間隔の減少が重要であるようには考えら
れなかつた。これに反して、かかる物体の間隔の減少は
本発明によれば有利である。
れる実際の小さな放射源の大きさ（そして使用し得るビ
ーム電流に寄与するカソードの比較的小さい区域）に関
連付けられる。大きな開口によつてより高い銃の明るさ
を生じるために、ミクロン以下の電子ビームリソグラフ
イの場合であるように、コラムが単一倍率近くで作動す
るとき銃の収差を低下することにより大きな強調が置か
れねばならない。銃はまた独立して制御し、ビームを集
束しかつビーム電圧を設定しなければならない。オーロ
フおよびスワンソンの従来の銃において、収差を減少す
るために物体の間隔の減少が重要であるようには考えら
れなかつた。これに反して、かかる物体の間隔の減少は
本発明によれば有利である。
【００２６】静電集束（磁気集束に対して）はレンズの
機械的な複雑さを最小にし、消散される熱を減少し、そ
してレンズ電極およびビームの光学的かつ機械的な整列
を簡単化する。
機械的な複雑さを最小にし、消散される熱を減少し、そ
してレンズ電極およびビームの光学的かつ機械的な整列
を簡単化する。
【００２７】本発明の利点は改良された銃の明るさから
生じる。明るさ（ＡＭＰＳ／ｃｍ2 ステラジアンの単位
で表される）はｉ／πｒ2 πα2 でありかつ半径（ｒ）
および半角（α）とスポツトに集束される電流（ｉ）に
より決定される。より大きな電流が本発明によれば静電
レンズを使用して以前に可能であつたよりミクロン以下
のスポツト直径範囲に供給される。より小さい目標収束
角度がビーム偏向収差を減少しかつ焦点深さを増大す
る。迅速に、より正確な露光が銃が１０ｋＶの電子ビー
ムリソグラフイ用の通常のコラムと結合されるとき可能
である。結果としてラスタ−走査装置の１６０ＭＨｚの
ブランキング率において２．５μクーロン／ｃｍ2 の感
度を有するレジストの露光は多重レンズコラムの目標に
０．０５ないし０．３０μｍのスポツト直径範囲にわた
つて４００Ａ／ｃｍ2 のビーム電流密度をならびに０．
３０ないし０．５０μｍのスポツト直径範囲にわたつて
２５０Ａ／ｃｍ2 を供給することにより可能となる。
生じる。明るさ（ＡＭＰＳ／ｃｍ2 ステラジアンの単位
で表される）はｉ／πｒ2 πα2 でありかつ半径（ｒ）
および半角（α）とスポツトに集束される電流（ｉ）に
より決定される。より大きな電流が本発明によれば静電
レンズを使用して以前に可能であつたよりミクロン以下
のスポツト直径範囲に供給される。より小さい目標収束
角度がビーム偏向収差を減少しかつ焦点深さを増大す
る。迅速に、より正確な露光が銃が１０ｋＶの電子ビー
ムリソグラフイ用の通常のコラムと結合されるとき可能
である。結果としてラスタ−走査装置の１６０ＭＨｚの
ブランキング率において２．５μクーロン／ｃｍ2 の感
度を有するレジストの露光は多重レンズコラムの目標に
０．０５ないし０．３０μｍのスポツト直径範囲にわた
つて４００Ａ／ｃｍ2 のビーム電流密度をならびに０．
３０ないし０．５０μｍのスポツト直径範囲にわたつて
２５０Ａ／ｃｍ2 を供給することにより可能となる。
【００２８】静電銃の明るさを改良することにより、こ
の銃は半導体を製造するためのチツプおよびマスクリソ
グラフイに必要とされる高電流および高解像度の条件に
合致する。静電レンズの相対的な簡単化は従来の磁気集
束（フオーカツシング）に比べて実際的な利点である。
それゆえ本発明により光学的（従来の静電レンズに関連
して）にもかつ機械的（磁気レンズに関連して）にも利
点が得られる。従来のオーロフおよびスワンソンレンズ
のより大きな周辺収差上述したマイクロリソグラフの用
途におけるその使用を阻止する。本発明による装置のみ
がリソグラフの用途において磁気的に集束された銃の性
能と同じ性能を提供するのに十分低い収差を有する。静
電的に集束された銃−レンズの機械的な利点は、機械的
な設計の複雑さが少なく、構成要素が少なく、そして重
量が軽いということである。また、電力消散が少なくか
つ強力なレンズとして作用しなければならない磁石の電
流励起が除去されるという利点があり、そしてさらに、
電流効率を増加する制限開口を含むのが容易でかつアラ
インメント（整列）の非常に容易であるという利点をも
有する。
の銃は半導体を製造するためのチツプおよびマスクリソ
グラフイに必要とされる高電流および高解像度の条件に
合致する。静電レンズの相対的な簡単化は従来の磁気集
束（フオーカツシング）に比べて実際的な利点である。
それゆえ本発明により光学的（従来の静電レンズに関連
して）にもかつ機械的（磁気レンズに関連して）にも利
点が得られる。従来のオーロフおよびスワンソンレンズ
のより大きな周辺収差上述したマイクロリソグラフの用
途におけるその使用を阻止する。本発明による装置のみ
がリソグラフの用途において磁気的に集束された銃の性
能と同じ性能を提供するのに十分低い収差を有する。静
電的に集束された銃−レンズの機械的な利点は、機械的
な設計の複雑さが少なく、構成要素が少なく、そして重
量が軽いということである。また、電力消散が少なくか
つ強力なレンズとして作用しなければならない磁石の電
流励起が除去されるという利点があり、そしてさらに、
電流効率を増加する制限開口を含むのが容易でかつアラ
インメント（整列）の非常に容易であるという利点をも
有する。
【００２９】レンズ電極のジオメトリは低い収差をもた
らしかつ（ａ）１０ｐｐｍで安定性を有する電源が使用
されることができかつ電気的破壊の可能性が最小である
ように３０ｋＶ以下に集束電圧を保持し；（ｂ）良好な
機械的アラインメント導き、かくしてそれらのミスアラ
インメント（誤配列）から生起するひずみおよび収差を
減少し；（ｃ）実際のステイグメータの強さがそれを補
正することができるように非点収差を最小にし、これが
ビームに相互に作用しかつそれを集束する電界の回転対
称を保つように大きな電極間ギヤツプの静電シールドに
より行われ；（ｄ）高電流効率、すなわち全放出電流に
対する使用された電流の大きな比を生じる伝達された全
放出電流を制限する開口を有し、それにより荷電および
ビーム空間電荷およびエネルギの広がりの心身に有害な
作用を減少し；（ｅ）放射源から軸線上５０ないし２０
０ｍｍに銃の像を発生する一方、また１０ｋＶビーム電
圧において抽出電圧変化が１２ｋＶにまでなされるのを
許容する。オーロフおよびスワンソン装置はまたこれら
の条件に合致するが、著しく大きい収差を有し、かつそ
れゆえ付与された電流によりスポツトの大きさを小さく
することができない。
らしかつ（ａ）１０ｐｐｍで安定性を有する電源が使用
されることができかつ電気的破壊の可能性が最小である
ように３０ｋＶ以下に集束電圧を保持し；（ｂ）良好な
機械的アラインメント導き、かくしてそれらのミスアラ
インメント（誤配列）から生起するひずみおよび収差を
減少し；（ｃ）実際のステイグメータの強さがそれを補
正することができるように非点収差を最小にし、これが
ビームに相互に作用しかつそれを集束する電界の回転対
称を保つように大きな電極間ギヤツプの静電シールドに
より行われ；（ｄ）高電流効率、すなわち全放出電流に
対する使用された電流の大きな比を生じる伝達された全
放出電流を制限する開口を有し、それにより荷電および
ビーム空間電荷およびエネルギの広がりの心身に有害な
作用を減少し；（ｅ）放射源から軸線上５０ないし２０
０ｍｍに銃の像を発生する一方、また１０ｋＶビーム電
圧において抽出電圧変化が１２ｋＶにまでなされるのを
許容する。オーロフおよびスワンソン装置はまたこれら
の条件に合致するが、著しく大きい収差を有し、かつそ
れゆえ付与された電流によりスポツトの大きさを小さく
することができない。
【００３０】したがつて、本発明の独特な態様は、オー
ロフおよびスワンソンの従来装置に比して低い色収差を
維持しながら、従来の銃の減少を超える電子銃の周辺収
差の顕著な減少を提供することである。この態様は電極
構造および電子源に対するレンズの配置の幾つかの新規
な幾何学的特徴により達成される。その場合により大き
な電流がより小さな最終角度においてミクロン以下のス
ポツトに集束される。偏向収差は減少されかつ焦点深さ
はこの銃を使用する多重レンズコラムのために改善され
る。特別な特徴は電子源（カソード）とレンズの焦点視
野の開始との間の減少された間隔である。
ロフおよびスワンソンの従来装置に比して低い色収差を
維持しながら、従来の銃の減少を超える電子銃の周辺収
差の顕著な減少を提供することである。この態様は電極
構造および電子源に対するレンズの配置の幾つかの新規
な幾何学的特徴により達成される。その場合により大き
な電流がより小さな最終角度においてミクロン以下のス
ポツトに集束される。偏向収差は減少されかつ焦点深さ
はこの銃を使用する多重レンズコラムのために改善され
る。特別な特徴は電子源（カソード）とレンズの焦点視
野の開始との間の減少された間隔である。
【００３１】周辺収差は非常に減少されかつ低い色収差
が本発明により維持される。大きな電極孔および電極間
ギヤツプが収差をさらに低減しかつしかもレンズ集束電
圧の上限を維持するように設定される。銃倍率の増加は
物体側収差のより大きな減少により補正される。これ
は、結局、銃のビームクロスオーバーの大きさを低減す
る。
が本発明により維持される。大きな電極孔および電極間
ギヤツプが収差をさらに低減しかつしかもレンズ集束電
圧の上限を維持するように設定される。銃倍率の増加は
物体側収差のより大きな減少により補正される。これ
は、結局、銃のビームクロスオーバーの大きさを低減す
る。
【００３２】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づ
き説明する。
き説明する。
【００３３】
【実施例】３要素の静電レンズの動作に特有の２つの集
束モードの１つに関して各々最適にされた２つの実施例
がここでは開示される。以下に説明される特徴を除い
て、他の点において本発明の銃は上述したと同様な従来
のものである。ＡＣＣＥＬ銃はより低い収差を有するが
高い集束電圧を要求する。ＡＣＣＥＬ銃のレンズジオメ
トリは最小のビームクロスオーバーの大きさを発生する
が、本質的に高い集束電圧を有する。この電圧は１０ｋ
Ｖビーム電圧において３０ｋＶ以下であるように抑えら
れる。ＡＣＣＥＬ銃のモードはより高い収差を有する
が、２ｋＶ以下の集束電圧で作動する。
束モードの１つに関して各々最適にされた２つの実施例
がここでは開示される。以下に説明される特徴を除い
て、他の点において本発明の銃は上述したと同様な従来
のものである。ＡＣＣＥＬ銃はより低い収差を有するが
高い集束電圧を要求する。ＡＣＣＥＬ銃のレンズジオメ
トリは最小のビームクロスオーバーの大きさを発生する
が、本質的に高い集束電圧を有する。この電圧は１０ｋ
Ｖビーム電圧において３０ｋＶ以下であるように抑えら
れる。ＡＣＣＥＬ銃のモードはより高い収差を有する
が、２ｋＶ以下の集束電圧で作動する。
【００３４】１実施例において本出願で説明される銃は
周辺収差を減少しかつ小さな放射源−物体間隔の使用に
より低い色収差を維持する最大の利点を得るＺ0 ＝８ｍ
ｍの値に設定する。放射源対レンズの位置の減少に加え
て、本発明はさらに収差を低減するためにレンズの形状
を最適にする。かくして、オーロフおよびスワンソンに
より開示された従来の銃の物体間隔が８ｍｍに減じられ
たとしても、この従来の銃はここに開示された銃のスポ
ツトの大きさと同じ位小さいスポツトの大きさを発生し
ない。本出願のレンズ電極ジオメトリは１実施例におい
てＡＣＣＥＬ銃に関して３０ｋＶ以下の集束電圧を保つ
ように抑制される。
周辺収差を減少しかつ小さな放射源−物体間隔の使用に
より低い色収差を維持する最大の利点を得るＺ0 ＝８ｍ
ｍの値に設定する。放射源対レンズの位置の減少に加え
て、本発明はさらに収差を低減するためにレンズの形状
を最適にする。かくして、オーロフおよびスワンソンに
より開示された従来の銃の物体間隔が８ｍｍに減じられ
たとしても、この従来の銃はここに開示された銃のスポ
ツトの大きさと同じ位小さいスポツトの大きさを発生し
ない。本出願のレンズ電極ジオメトリは１実施例におい
てＡＣＣＥＬ銃に関して３０ｋＶ以下の集束電圧を保つ
ように抑制される。
【００３５】図２はＤＥＣＥＬ銃に関する回転対称の放
射源−レンズの中心線に沿う頂部断面側面図を示す。レ
ンズジオメトリ（ＡＣＣＥＬ銃と呼ばれる）の第２実施
例は図３に示される。ＡＣＣＥＬ銃の全体の断面図は図
４に示される。示される３要素レンズに関して、代表的
には２つの集束モードがある、すなわち、特定の軸方向
間隔において像を発生するる２つの別個の集束電圧があ
る。選ばれた特定のモードは（ｉ）収差の絶対最小の要
求および（ｉｉ）許容されることができる集束電圧の上
限に依存する。ＤＥＣＥＬ集束モードはＡＣＣＥＬモー
ドより低い集束電圧を有する。両方の場合に電極ジオメ
トリは考え得る最小の収差を達成する。ＤＥＣＥＬおよ
びＡＣＣＥＬ銃の、かつ従来のオーロフおよびスワンソ
ン銃（Ｏ−Ｓ）の種々の寸法は図５の表に示され、これ
らの寸法はｍｍで表される。
射源−レンズの中心線に沿う頂部断面側面図を示す。レ
ンズジオメトリ（ＡＣＣＥＬ銃と呼ばれる）の第２実施
例は図３に示される。ＡＣＣＥＬ銃の全体の断面図は図
４に示される。示される３要素レンズに関して、代表的
には２つの集束モードがある、すなわち、特定の軸方向
間隔において像を発生するる２つの別個の集束電圧があ
る。選ばれた特定のモードは（ｉ）収差の絶対最小の要
求および（ｉｉ）許容されることができる集束電圧の上
限に依存する。ＤＥＣＥＬ集束モードはＡＣＣＥＬモー
ドより低い集束電圧を有する。両方の場合に電極ジオメ
トリは考え得る最小の収差を達成する。ＤＥＣＥＬおよ
びＡＣＣＥＬ銃の、かつ従来のオーロフおよびスワンソ
ン銃（Ｏ−Ｓ）の種々の寸法は図５の表に示され、これ
らの寸法はｍｍで表される。
【００３６】本発明による銃がオーロフおよびスワンソ
ン装置と異なるのは、（１）より小さい放射源対集束視
野間隔を使用することであり、我々は１実施例において
Ｚ0 ＝８ｍｍを使用するが、彼らはＺ0 ＝１５ないし２
０ｍｍを使用する、（２）我々は新規なレンズ電極ジオ
メトリを使用するということである。これらの特別な寸
法的特徴は図５の表に示される。この表においてＴ0 ＝
（Ｚ0 ＋１）は放射源対集束視野間隔の測定値であり、
この発明により最適にされる重要な幾何学的パラメータ
である。
ン装置と異なるのは、（１）より小さい放射源対集束視
野間隔を使用することであり、我々は１実施例において
Ｚ0 ＝８ｍｍを使用するが、彼らはＺ0 ＝１５ないし２
０ｍｍを使用する、（２）我々は新規なレンズ電極ジオ
メトリを使用するということである。これらの特別な寸
法的特徴は図５の表に示される。この表においてＴ0 ＝
（Ｚ0 ＋１）は放射源対集束視野間隔の測定値であり、
この発明により最適にされる重要な幾何学的パラメータ
である。
【００３７】ＡＣＣＥＬおよびＤＥＣＥＬの実施例は、
各集束モードに対して１つの、収差を最小にする２つの
別個のレンズジオメトリである。装置の条件に依存し
て、ＤＥＣＥＬレンズは非常に低い集束電圧で低い収差
を発生し、これに反してＡＣＣＥＬレンズは同様により
低い収差を有するが、集束電圧は高い。
各集束モードに対して１つの、収差を最小にする２つの
別個のレンズジオメトリである。装置の条件に依存し
て、ＤＥＣＥＬレンズは非常に低い集束電圧で低い収差
を発生し、これに反してＡＣＣＥＬレンズは同様により
低い収差を有するが、集束電圧は高い。
【００３８】両方の場合においてレンズは３つの銃機能
の独立した制御を提供するために３つの電極（抽出器、
集束、および接地アノードまたは最終電極）を有する。
前記銃の３つの機能は、 １）抑制子対放射源電圧により決定される２次電流制御
によるカソードと抽出器との間の電圧ＶX により設定さ
れるビーム電流。抽出器電圧ＶXは代表的には４ｋＶな
いし１２ｋＶの範囲にわたつて作動し、この範囲はシヨ
ツトキー放出原理において動作するジルコン酸化物を含
浸させた＜１００＞−方向のタングステン単一結晶カソ
ードである１μｍ頂部半径カソードを使用するとき０．
１＜ｉΩ（ｍＡ／ｓｒ）＜１．０かそれにほぼ等しい範
囲の角度強度を提供する。 ２）５０ないし２００ｍｍの範囲の銃の像間隔ｚi を有
する、集束電圧により設定されたｚ−軸方向のビーム移
動。 ３）ビーム電圧、ＶB ＝１０ｋＶ。 である。
の独立した制御を提供するために３つの電極（抽出器、
集束、および接地アノードまたは最終電極）を有する。
前記銃の３つの機能は、 １）抑制子対放射源電圧により決定される２次電流制御
によるカソードと抽出器との間の電圧ＶX により設定さ
れるビーム電流。抽出器電圧ＶXは代表的には４ｋＶな
いし１２ｋＶの範囲にわたつて作動し、この範囲はシヨ
ツトキー放出原理において動作するジルコン酸化物を含
浸させた＜１００＞−方向のタングステン単一結晶カソ
ードである１μｍ頂部半径カソードを使用するとき０．
１＜ｉΩ（ｍＡ／ｓｒ）＜１．０かそれにほぼ等しい範
囲の角度強度を提供する。 ２）５０ないし２００ｍｍの範囲の銃の像間隔ｚi を有
する、集束電圧により設定されたｚ−軸方向のビーム移
動。 ３）ビーム電圧、ＶB ＝１０ｋＶ。 である。
【００３９】図２および図３の銃は両方ともカソード−
放射源２８Ｂからの放出電流により作動する。カソード
２８Ｂは抽出器３８の次に配置されたカソードを抵抗的
に加熱するのに使用される金属の「ヘアピン」２８に取
着される（図２、図３および図４において同一参照符号
は同様な構造を示す）。高い電界の初期ダイオード領域
は放射源２８Ｂ−抑制子３４構体と抽出器３８の上側
（上流端）との間のギヤツプ３２により画成される。放
出される大多数の電子は抽出器電極３８の電界の無い内
部凹所４０を通って走行し内部に配置される銃制限開口
４２により停止させられる。この開口４２は銃の受容半
角α0 を画成する。銃制限開口４２を超えて３１４ｎＡ
の電流を送るために１０ｍｒａｄの半角が、放射源２８
Ｂが１ｍＡ／ステラジアンを放出すると仮定するとき、
画成される。伝送された電子はレンズ集束視野の最初の
部分に入る。
放射源２８Ｂからの放出電流により作動する。カソード
２８Ｂは抽出器３８の次に配置されたカソードを抵抗的
に加熱するのに使用される金属の「ヘアピン」２８に取
着される（図２、図３および図４において同一参照符号
は同様な構造を示す）。高い電界の初期ダイオード領域
は放射源２８Ｂ−抑制子３４構体と抽出器３８の上側
（上流端）との間のギヤツプ３２により画成される。放
出される大多数の電子は抽出器電極３８の電界の無い内
部凹所４０を通って走行し内部に配置される銃制限開口
４２により停止させられる。この開口４２は銃の受容半
角α0 を画成する。銃制限開口４２を超えて３１４ｎＡ
の電流を送るために１０ｍｒａｄの半角が、放射源２８
Ｂが１ｍＡ／ステラジアンを放出すると仮定するとき、
画成される。伝送された電子はレンズ集束視野の最初の
部分に入る。
【００４０】開口４２の下流の抽出器３８の形状は２つ
の目的に役立つ。第１に、それが視野を成形しかつそれ
により収差を減少することである。第２に、それが同中
心性を達成しかつそれゆえ収差を減少するために他の電
極（集束およびアノード）と機械的に容易に整列される
ことができる最終部分を提供する。これは集束電極５０
の入口部分４８と同一の孔４６を有することにより達成
される。レンズ−物体間隔は放射源２８Ｂ対集束視野の
分離により画成される。レンズ集束視野の原点Ｚ0 ＝０
は抽出器３８の出口の後ろ１．０ｍｍに幾何学的に画成
される。放射源２８ＢはＺ0 ＝−８ｍｍにおいて軸方向
に配置される。ビームは集束電極５０および接地アノー
ド電極５４を通過しそして抽出、集束およびビーム電圧
により決定されるクロスオーバー（図示せず）において
集束される。
の目的に役立つ。第１に、それが視野を成形しかつそれ
により収差を減少することである。第２に、それが同中
心性を達成しかつそれゆえ収差を減少するために他の電
極（集束およびアノード）と機械的に容易に整列される
ことができる最終部分を提供する。これは集束電極５０
の入口部分４８と同一の孔４６を有することにより達成
される。レンズ−物体間隔は放射源２８Ｂ対集束視野の
分離により画成される。レンズ集束視野の原点Ｚ0 ＝０
は抽出器３８の出口の後ろ１．０ｍｍに幾何学的に画成
される。放射源２８ＢはＺ0 ＝−８ｍｍにおいて軸方向
に配置される。ビームは集束電極５０および接地アノー
ド電極５４を通過しそして抽出、集束およびビーム電圧
により決定されるクロスオーバー（図示せず）において
集束される。
【００４１】図４はまた集束および抽出電極をそれぞれ
支持しかつ抑制子およびカソードから構成される放射源
構体を支持する通常の支持構造６２，６４を示す。
支持しかつ抑制子およびカソードから構成される放射源
構体を支持する通常の支持構造６２，６４を示す。
【００４２】電圧フイードスルー６０，３４，２８は集
束電極、抑制子、およびカソードに最終ビーム電位を供
給するカソードフイラメントリード線とそれぞれ接触す
る。抽出器用の電圧電極フイードスルーは図示してな
い。
束電極、抑制子、およびカソードに最終ビーム電位を供
給するカソードフイラメントリード線とそれぞれ接触す
る。抽出器用の電圧電極フイードスルーは図示してな
い。
【００４３】図６は（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃、（Ｄ）−Ｄ
ＥＣＥＬ銃、ａｃｃｅｌ集束モードにおいて作動される
従来のオーロフおよびスワンソンレンズである（Ｏ−
Ｓ）／ａ、およびｄｅｃｅｌモードにおいて作動される
従来のオーロフおよびスワンソンレンズである（Ｏ−
Ｓ）／ｄに関する１０ｋＶビーム電圧における銃クロス
オーバー直径（垂直軸）対銃受容半角特性の比較を示
す。グラフは、 ｉ）（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃はより低い収差を有しかつ
（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃より小さいスポツトの大きさを発
生する。トレードオフは述べられた条件に関するもので
あり、（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃はビームを集束するために
２６．７ｋＶ接地を基礎にした集束電圧を要求するが、
（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃はカソードに言及される１．３ｋ
Ｖ浮遊集束電圧のみを要求する。 ｉｉ）（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃および（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ
銃は両方とも開口角度α0 ＞４ｍｒａｄかそれにほぼ等
しいについてｄｅｃｅｌかまたはａｃｃｅｌ集束モード
において作動される（Ｏ−Ｓ）レンズに比して改善され
た結果を生じる。測定値として明るさを考慮するとき、
（Ｏ−Ｓ）レンズに比較して改善は同様により大きい。
例えば、α0 ＝１０ｍｒａｄにおいて、１ｍＡ／ステラ
ジアン放射源を使用すると、３１４ｎＡの電流が利用で
きる。これらの条件下で比較によりレンズのクロスオー
バーでの有効な明るさ（ＢCO）と電流密度（Ｊ）は、 （Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃ＢCO ＝４．７×１０7 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ， Ｊ＝２９０Ａ／ｃｍ2 （Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃ＢCO ＝１．３×１０7 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝１０９Ａ／ｃｍ2 （Ｏ−Ｓ）−ａｃｃｅｌモードＢCO ＝２．０×１０6 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝１８Ａ／ｃｍ2 （Ｏ−Ｓ）−ｄｅｃｅｌモードＢCO ＝７．８×１０5 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝８Ａ／ｃｍ2 である。
ＥＣＥＬ銃、ａｃｃｅｌ集束モードにおいて作動される
従来のオーロフおよびスワンソンレンズである（Ｏ−
Ｓ）／ａ、およびｄｅｃｅｌモードにおいて作動される
従来のオーロフおよびスワンソンレンズである（Ｏ−
Ｓ）／ｄに関する１０ｋＶビーム電圧における銃クロス
オーバー直径（垂直軸）対銃受容半角特性の比較を示
す。グラフは、 ｉ）（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃はより低い収差を有しかつ
（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃より小さいスポツトの大きさを発
生する。トレードオフは述べられた条件に関するもので
あり、（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃はビームを集束するために
２６．７ｋＶ接地を基礎にした集束電圧を要求するが、
（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃はカソードに言及される１．３ｋ
Ｖ浮遊集束電圧のみを要求する。 ｉｉ）（Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃および（Ｄ）−ＤＥＣＥＬ
銃は両方とも開口角度α0 ＞４ｍｒａｄかそれにほぼ等
しいについてｄｅｃｅｌかまたはａｃｃｅｌ集束モード
において作動される（Ｏ−Ｓ）レンズに比して改善され
た結果を生じる。測定値として明るさを考慮するとき、
（Ｏ−Ｓ）レンズに比較して改善は同様により大きい。
例えば、α0 ＝１０ｍｒａｄにおいて、１ｍＡ／ステラ
ジアン放射源を使用すると、３１４ｎＡの電流が利用で
きる。これらの条件下で比較によりレンズのクロスオー
バーでの有効な明るさ（ＢCO）と電流密度（Ｊ）は、 （Ａ）−ＡＣＣＥＬ銃ＢCO ＝４．７×１０7 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ， Ｊ＝２９０Ａ／ｃｍ2 （Ｄ）−ＤＥＣＥＬ銃ＢCO ＝１．３×１０7 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝１０９Ａ／ｃｍ2 （Ｏ−Ｓ）−ａｃｃｅｌモードＢCO ＝２．０×１０6 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝１８Ａ／ｃｍ2 （Ｏ−Ｓ）−ｄｅｃｅｌモードＢCO ＝７．８×１０5 Ａ／ｃｍ2 ｓｒ Ｊ＝８Ａ／ｃｍ2 である。
【００４４】改善された銃の明るさは放射源対レンズの
間隔の減少により達成される。主たる利益は、低い色成
分を維持しながら、従来技術の水準を超える、周辺収差
の顕著な減少である。
間隔の減少により達成される。主たる利益は、低い色成
分を維持しながら、従来技術の水準を超える、周辺収差
の顕著な減少である。
【００４５】集束−アノードギヤツプの外側の通常の静
電シールド（図示せず）が中心対称の静電電界を維持す
ることにより非点収差を減少するために１実施例におい
て銃に使用される。内方孔を開放することは収差を減少
するが、集束電圧は増大する。
電シールド（図示せず）が中心対称の静電電界を維持す
ることにより非点収差を減少するために１実施例におい
て銃に使用される。内方孔を開放することは収差を減少
するが、集束電圧は増大する。
【００４６】本発明の上記説明は例示でありしかも限定
しておらず、それに対するさらに他の変更はこの開示に
鑑みて当該技術に熟練した者には明らかである。とく
に、収差は、集束電圧が上述した３０ｋＶ限界以上に増
大させられるならばＡＣＣＥＬ銃においてさらに減少さ
れることができる。
しておらず、それに対するさらに他の変更はこの開示に
鑑みて当該技術に熟練した者には明らかである。とく
に、収差は、集束電圧が上述した３０ｋＶ限界以上に増
大させられるならばＡＣＣＥＬ銃においてさらに減少さ
れることができる。
【００４７】
【発明の効果】叙上のごとく、本発明は、軸線に沿って
荷電粒子ビームを発生しかつ該荷電粒子ビームを目標ス
ポツト上に集束する荷電粒子ビーム発生装置において、
前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿って放出する放出手
段；および前記荷電粒子ビームを前記目標スポツト上に
集束するために前記放出手段から間隔が置かれかつ該放
出手段の下に前記軸線のまわりに配置される静電レンズ
系からなり、該静電レンズ系が、（ｉ）第１電圧を導き
かつそれに前記荷電粒子ビームが通過する第１開口を有
する第１レンズ要素を含み、前記第１開口が前記軸線の
まわりに心出しされており；（ｉｉ）第２電圧を導きか
つ前記荷電粒子ビームが前記第１開口を出た後通過する
第２開口を含む第２レンズ要素を含み、該第２レンズ要
素は前記第１レンズ要素から間隔が置かれかつ該第１レ
ンズ要素の下に配置されており、前記第２開口が円形で
かつ前記軸線のまわりに心出しされ、そして第１直径を
有する上方部分を有し、前記第２開口がほぼ筒状であり
かつ前記軸線のまわりに心出しされ、ならびに第２直径
を有し、そして前記軸線の方向に予め定めた厚さを有す
る下方部分を有し、前記第２直径が前記第１直径より大
きく；（ｉｉｉ）前記第２開口の下に配置されかつ第３
電圧を導きそして前記荷電粒子ビームが前記第２開口を
出た後のみ通過する第３開口を有する第３レンズ要素を
含み、前記第３開口は前記軸線のまわりに心出しされ、
前記放出手段と前記第１レンズ要素との間の間隔が約８
ｍｍである構成であるので、独立して制御し、ビームを
集束しかつビーム電圧を設定し、レンズの機械的な複雑
さを最小にし、消散される熱を減少し、そしてレンズ電
極およびビームの光学的かつ機械的な整列を簡単化する
荷電粒子ビーム発生装置を提供することができる。
荷電粒子ビームを発生しかつ該荷電粒子ビームを目標ス
ポツト上に集束する荷電粒子ビーム発生装置において、
前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿って放出する放出手
段；および前記荷電粒子ビームを前記目標スポツト上に
集束するために前記放出手段から間隔が置かれかつ該放
出手段の下に前記軸線のまわりに配置される静電レンズ
系からなり、該静電レンズ系が、（ｉ）第１電圧を導き
かつそれに前記荷電粒子ビームが通過する第１開口を有
する第１レンズ要素を含み、前記第１開口が前記軸線の
まわりに心出しされており；（ｉｉ）第２電圧を導きか
つ前記荷電粒子ビームが前記第１開口を出た後通過する
第２開口を含む第２レンズ要素を含み、該第２レンズ要
素は前記第１レンズ要素から間隔が置かれかつ該第１レ
ンズ要素の下に配置されており、前記第２開口が円形で
かつ前記軸線のまわりに心出しされ、そして第１直径を
有する上方部分を有し、前記第２開口がほぼ筒状であり
かつ前記軸線のまわりに心出しされ、ならびに第２直径
を有し、そして前記軸線の方向に予め定めた厚さを有す
る下方部分を有し、前記第２直径が前記第１直径より大
きく；（ｉｉｉ）前記第２開口の下に配置されかつ第３
電圧を導きそして前記荷電粒子ビームが前記第２開口を
出た後のみ通過する第３開口を有する第３レンズ要素を
含み、前記第３開口は前記軸線のまわりに心出しされ、
前記放出手段と前記第１レンズ要素との間の間隔が約８
ｍｍである構成であるので、独立して制御し、ビームを
集束しかつビーム電圧を設定し、レンズの機械的な複雑
さを最小にし、消散される熱を減少し、そしてレンズ電
極およびビームの光学的かつ機械的な整列を簡単化する
荷電粒子ビーム発生装置を提供することができる。
【図１】従来のレンズ系を示す概略断面図である。
【図２】本発明によるレンズを略示する部分断面図であ
る。
る。
【図３】本発明によるレンズを略示する部分断面図であ
る。
る。
【図４】本発明によるレンズを略示する断面図である。
【図５】本発明によるレンズと従来装置の種々の寸法を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図６】本発明によるレンズの性能をグラフで示す説明
図である。
図である。
２８ ヘアピン ２８Ｂ カソード−放射源 ３２ ギヤツプ ３４ 抑制子 ３８ 抽出子 ４０ 内方凹所 ４２ 開口 ５０ 集束電極 ５４ 接地電極（アノード）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 軸線に沿って荷電粒子ビームを発生しか
つ該荷電粒子ビームを目標スポツト上に集束する荷電粒
子ビーム発生装置において、 前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿って放出する放射手
段；前記荷電粒子ビームを前記目標スポツト上に集束す
るために前記放射手段から間隔が置かれかつ該放射手段
の下に前記軸線のまわりに配置される静電レンズ系から
なり、該静電レンズ系が、 （ｉ）第１電圧を導きかつそれに前記荷電粒子ビームが
通過する第１開口を有する第１レンズ要素を含み、前記
第１開口が前記軸線のまわりに心出しされており； （ｉｉ）第２電圧を導きかつ前記荷電粒子ビームが前記
第１開口を出た後通過する第２開口を含む第２レンズ要
素を含み、該第２レンズ要素は前記第１レンズ要素から
間隔が置かれかつ該第１レンズ要素の下に配置されてお
り、 前記第２開口が円形でかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、そして第１直径を有する上方部分を有し、 前記第２開口がほぼ筒状でありかつ前記軸線のまわりに
心出しされ、ならびに第２直径を有し、そして前記軸線
の方向に予め定めた厚さを有する下方部分を有し、前記
第２直径が前記第１直径より大きく； （ｉｉｉ）前記第２開口の下に配置されかつ第３電圧を
導きそして前記荷電粒子ビームが前記第２開口を出た後
のみ通過する第３開口を有する第３レンズ要素を含み、
前記第３開口は前記軸線のまわりに心出しされ、前記放
射手段と前記第１レンズ要素との間の間隔が約８ｍｍで
あることを特徴とする荷電粒子ビーム発生装置。 - 【請求項２】 前記第２レンズ要素の前記上方部分は約
９ｍｍ前記軸線に沿って延在することを特徴とする請求
項１に記載の荷電粒子ビーム発生装置。 - 【請求項３】 前記軸線に沿う前記第２レンズ要素と前
記第３レンズ要素との間の間隔は約１４ｍｍであること
を特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム発生装
置。 - 【請求項４】 前記第１直径は約８ｍｍであることを特
徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム発生装置。 - 【請求項５】 前記第１レンズ要素は前記軸線に沿って
約４ｍｍの距離に延在することを特徴とする請求項１に
記載の荷電粒子ビーム発生装置。 - 【請求項６】 前記第３レンズ要素は前記軸線に沿って
約４ｍｍの距離に延在することを特徴とする請求項１に
記載の荷電粒子ビームの発生装置。 - 【請求項７】 前記電圧は約２ｋＶ以下であることを特
徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム発生装置。 - 【請求項８】 軸線に沿って荷電粒子ビームを発生しか
つ該荷電粒子ビームを目標スポツト上に集束する荷電粒
子ビーム発生装置において、 前記荷電粒子ビームを前記軸線に沿って放出する放射手
段；前記荷電粒子ビームを前記目標スポツト上に集束す
るために前記放射手段から間隔が置かれかつ該放射手段
の下に前記軸線のまわりに配置される静電レンズ系から
なり、該静電レンズ系が、 （ｉ）第１電圧を導きかつそれに前記荷電粒子ビームが
通過する第１開口を有する第１レンズ要素を含み、前記
第１開口が前記軸線のまわりに心出しされかつ前記軸線
に沿って約３ｍｍ延在し； （ｉｉ）第２電圧を導きかつ前記荷電粒子ビームが前記
第１開口を出た後通過する第２開口を含む第２レンズ要
素を含み、該第２レンズ要素は前記第１レンズ要素から
間隔が置かれかつ該第１レンズ要素の下に配置されてお
り、 前記第２開口が円形でかつ前記軸線のまわりに心出しさ
れ、そして第１直径を有する上方部分を有し、 前記第２開口が前記軸線に沿って約９ｍｍ延在しそして
ほぼ筒状でありかつ前記軸線のまわりに心出しされ、な
らびに第２直径を有し、そして前記軸線の方向に予め定
めた厚さを有する下方部分を有し、前記第２直径が前記
第１直径より大きく； （ｉｉｉ）前記第２開口の下に配置されかつ前記軸線に
沿って前記第２レンズ要素から約１４ｍｍでありならび
に第３電圧を導きそして前記荷電粒子ビームが前記第２
開口を出た後のみ通過する第３開口を有する第３レンズ
要素を含み、前記第３開口は前記軸線のまわりに心出し
されかつ前記軸線に沿って約４ｍｍ延在し、前記放射手
段と前記第１レンズ要素との間の間隔が約８ｍｍである
ことを特徴とする荷電粒子ビーム発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07-671-425 | 1991-03-04 | ||
| US07/671,425 US5196707A (en) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Low aberration field emission electron gun |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589813A true JPH0589813A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=24694462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4078750A Pending JPH0589813A (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-02 | 荷電粒子ビーム発生装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5196707A (ja) |
| EP (1) | EP0502401B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0589813A (ja) |
| KR (1) | KR0137199B1 (ja) |
| CA (1) | CA2061160C (ja) |
| DE (1) | DE69202782T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304888A (en) * | 1992-01-24 | 1994-04-19 | Etec Systems, Inc. | Mechanically stable field emission gun |
| DE19638109A1 (de) * | 1995-09-25 | 1997-03-27 | Jeol Ltd | Elektronenstrahl-Lithographie-System |
| DE69605053T2 (de) * | 1996-12-24 | 2000-02-24 | Advantest Corp., Saitama | Kanonenlinse zur Partikelstrahlerzeugung |
| US6137110A (en) * | 1998-08-17 | 2000-10-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Focused ion beam source method and apparatus |
| WO2000079565A1 (en) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Philips Electron Optics B.V. | Particle-optical apparatus including a particle source that can be switched between high brightness and large beam current |
| US6469433B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-10-22 | Extreme Devices Incorporated | Package structure for mounting a field emitting device in an electron gun |
| JP4473964B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2010-06-02 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Ｆｉｂカラム |
| US6617597B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Circuits and methods for electron-beam control |
| US20040245224A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-12-09 | Nano-Proprietary, Inc. | Nanospot welder and method |
| JP4317779B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2009-08-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電界放出型電子銃およびそれを用いた電子ビーム応用装置 |
| US7391034B1 (en) * | 2005-03-16 | 2008-06-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electron imaging beam with reduced space charge defocusing |
| JP5872541B2 (ja) | 2010-04-09 | 2016-03-01 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッドＥ．Ａ．Ｆｉｓｃｈｉｏｎｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ， Ｉｎｃ． | 改良型イオン源 |
| CN103000479B (zh) * | 2012-12-24 | 2015-07-15 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种新型电子枪 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426582A (en) * | 1980-01-21 | 1984-01-17 | Oregon Graduate Center | Charged particle beam apparatus and method utilizing liquid metal field ionization source and asymmetric three element lens system |
-
1991
- 1991-03-04 US US07/671,425 patent/US5196707A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-13 CA CA002061160A patent/CA2061160C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-24 EP EP92103103A patent/EP0502401B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-24 DE DE69202782T patent/DE69202782T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-02 JP JP4078750A patent/JPH0589813A/ja active Pending
- 1992-03-04 KR KR1019920003668A patent/KR0137199B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5196707A (en) | 1993-03-23 |
| DE69202782T2 (de) | 1995-10-12 |
| EP0502401B1 (en) | 1995-06-07 |
| KR0137199B1 (ko) | 1998-04-24 |
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| EP0502401A3 (en) | 1992-09-16 |
| CA2061160A1 (en) | 1992-09-05 |
| CA2061160C (en) | 2000-04-04 |
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