JP6429865B2 - 誘電半導体膜を有する静電レンズ - Google Patents
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Description
4V(z)r’’(z)+2V’(z)r’(z)+V’’(z)r(z)=0
と書ける等式から直接推論できる(軸対象レンズの場合)。ここで、r(z)は横座標z(横座標は軸に沿って定義される)の電子の軸からの距離、V(z)は電子が位置する横座標(z)における光軸上の電位、r’(z)は軸に沿った横座標zに関するrの導関数、r’’(z)はrの2次導関数、すなわちzに関するr’(z)の導関数、V’(z)は横座標zに関するV(z)の導関数、V’’(z)はV(z)の2次導関数である。
Ei=100kV/cm、Em=0V/cm、且つEo=4kV/cm
Ei=100kV/cm、Em=500V/cm、且つEo=400kV/cm
ε0は真空の誘電率、
eは電子の電荷、
Nは単位体積当たりの原子の個数(この個数は材料の密度に関係し、Nが大きいほど密度は高く、Nが小さいほど低い)、
Zは材料の原子番号、
E0は入射電子のエネルギー、
Iは電子が通過している材料の平均イオン化エネルギーであり、原子番号に依存していて、経験的に決定される。文献に見られる値は、Zが13以上の場合はI=(9.76+58.8×Z1.19)電子ボルト、または簡略化された式I=11.5×Zで与えられる場合がある。
Claims (7)
- 電子ビームを通過させる少なくとも1個の開口が穿たれた少なくとも1個の導電電極(EL2)を備え、前記通過開口が、前記ビームの電子に対して透過的であり、且つ相対誘電率が10超である非縮退半導体の薄膜(M)により少なくとも部分的に塞がれており、前記膜は前記導電電極に電気的に接続されている静電レンズ。
- 前記半導体が、ドーピング密度1019原子/cm3未満のシリコンまたはガリウムヒ素またはシリコンゲルマニウムSiGeであることを特徴とする、請求項1に記載の静電レンズ。
- 前記膜の厚さが2ミクロン未満であることを特徴とする、請求項1または2に記載の静電レンズ。
- 前記膜が湾曲していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の静電レンズ。
- 前記膜が、開口または厚さ調整により、あるいは絶縁、導電または半導体層を堆積させることにより構造化されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の静電レンズ。
- 前記膜の構造化が、多極構成を有していることを特徴とする、請求項5に記載の静電レンズ。
- 前記電極が、複数の開口であって、複数の電子ビームを集束させるべく、各々が半導体膜により塞がれた複数の開口を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の静電レンズ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1354992 | 2013-05-31 | ||
FR1354992A FR3006499B1 (fr) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | Lentille electrostatique a membrane isolante ou semiconductrice |
PCT/EP2014/060866 WO2014191370A1 (fr) | 2013-05-31 | 2014-05-26 | Lentille electrostatique a membrane semiconductrice dielectrique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016522973A JP2016522973A (ja) | 2016-08-04 |
JP6429865B2 true JP6429865B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=49237296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515768A Expired - Fee Related JP6429865B2 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-26 | 誘電半導体膜を有する静電レンズ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9934934B2 (ja) |
EP (1) | EP3005397B1 (ja) |
JP (1) | JP6429865B2 (ja) |
FR (1) | FR3006499B1 (ja) |
WO (1) | WO2014191370A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115680A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 収差補正開孔を有する走査型荷電粒子ビームデバイスおよびその動作方法 |
JP7294981B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2023-06-20 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置及び電極 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2140840A5 (ja) * | 1971-06-09 | 1973-01-19 | Thomson Csf | |
NL8200691A (nl) | 1982-02-22 | 1983-09-16 | Philips Nv | Kathodestraalbuis. |
US4680467A (en) * | 1986-04-08 | 1987-07-14 | Kevex Corporation | Electron spectroscopy system for chemical analysis of electrically isolated specimens |
NL9100294A (nl) | 1991-02-20 | 1992-09-16 | Philips Nv | Geladen deeltjesbundelinrichting. |
US5612588A (en) * | 1993-05-26 | 1997-03-18 | American International Technologies, Inc. | Electron beam device with single crystal window and expansion-matched anode |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Gruenewald Wolfgang Dr Rer Nat | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
US6060839A (en) * | 1995-08-09 | 2000-05-09 | Thermotrex Corporation | Thin diamond electron beam amplifier |
US5633502A (en) * | 1995-08-11 | 1997-05-27 | E. A. Fischione Instruments, Inc. | Plasma processing system for transmission electron microscopy specimens and specimen holders |
US5940678A (en) * | 1997-01-14 | 1999-08-17 | United Microelectronics Corp. | Method of forming precisely cross-sectioned electron-transparent samples |
US6188068B1 (en) * | 1997-06-16 | 2001-02-13 | Frederick F. Shaapur | Methods of examining a specimen and of preparing a specimen for transmission microscopic examination |
US6194720B1 (en) * | 1998-06-24 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Preparation of transmission electron microscope samples |
US6140652A (en) * | 1998-09-09 | 2000-10-31 | Intersil Corporation | Device containing sample preparation sites for transmission electron microscopic analysis and processes of formation and use |
US6195214B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-27 | Etec Systems, Inc. | Microcolumn assembly using laser spot welding |
AU1926501A (en) * | 1999-11-23 | 2001-06-04 | Ion Diagnostics, Inc. | Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool |
WO2004021391A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Technische Universiteit Delft | Device with foil corrector for electron optical aberrations at low energy |
JP4133619B2 (ja) | 2003-06-24 | 2008-08-13 | 日本電子株式会社 | 多極子レンズ及び多極子レンズを備えた観察装置並びに多極子レンズの製造方法 |
US7279686B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-10-09 | Biomed Solutions, Llc | Integrated sub-nanometer-scale electron beam systems |
US8212225B2 (en) * | 2005-05-13 | 2012-07-03 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | TEM grids for determination of structure-property relationships in nanotechnology |
US7348570B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-03-25 | University Of Washington | Unsupported, electron transparent films and related methods |
JP2007189117A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Canon Inc | 荷電粒子線装置 |
WO2007129376A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-15 | Topcon Corporation | 電子レンズ |
WO2008010959A2 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-24 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Beam ablation lithography |
WO2008141147A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Protochips, Inc. | Microscopy support structures |
JPWO2009020208A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2010-11-04 | 国立大学法人京都大学 | 動径多極子型配置レンズ及びそれを用いた荷電粒子光学系装置 |
US20110200787A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-18 | The Regents Of The University Of California | Suspended Thin Film Structures |
JP2014057022A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Canon Inc | 静電レンズユニット |
-
2013
- 2013-05-31 FR FR1354992A patent/FR3006499B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-26 EP EP14726368.5A patent/EP3005397B1/fr not_active Not-in-force
- 2014-05-26 WO PCT/EP2014/060866 patent/WO2014191370A1/fr active Application Filing
- 2014-05-26 US US14/894,800 patent/US9934934B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-26 JP JP2016515768A patent/JP6429865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160111244A1 (en) | 2016-04-21 |
US9934934B2 (en) | 2018-04-03 |
WO2014191370A1 (fr) | 2014-12-04 |
EP3005397A1 (fr) | 2016-04-13 |
EP3005397B1 (fr) | 2018-10-10 |
FR3006499B1 (fr) | 2016-11-25 |
FR3006499A1 (fr) | 2014-12-05 |
JP2016522973A (ja) | 2016-08-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180207 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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