JP2002543575A - 基板上の電荷の蓄積を減少させる装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 荷電粒子ビームリソグラフィ又は顕微鏡検査におけるターゲット表面の表面電荷を減らすシステムで、荷電粒子ビームを表面に向けて送るビームカラムと、表面とビームカラムとの間に配置される電荷減少デバイスとを含む装置を使用し、この電荷減少デバイスは表面の電荷を中性化するために荷電粒子を送出する。この電荷減少デバイスは、ＭＯＳデバイスと電圧源とを含むことが可能で、この電圧源はＭＯＳデバイスに電圧を提供し、このＭＯＳデバイスに荷電粒子を送出させるために結合する。この電荷減少デバイスは、メカニカルマウント上に取り付けられた複数のＭＯＳデバイスと電圧源とを含むことが可能で、この電圧源はＭＯＳデバイスに電圧を提供し、このＭＯＳデバイスに荷電粒子を送出させるために結合する。表面上の表面電荷を減らすための関連する方法は、荷電粒子ビームをターゲット表面に向けて出力すること、及び結果として表面上で生じた電荷を中性化するために荷電粒子を送出することを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 背景 １．発明の分野 本発明は荷電粒子ビームカラムに関し、特に、ターゲット基板上の表面電荷を
減少させる手法に関する。

【０００２】 ２．関連技術の説明 荷電粒子ビームカラム及びマイクロカラムは、リソグラフィ及び電子ミクロ画
像化の技術、つまり（電子又はイオン等の）荷電粒子ビームを使用して、特徴の
寸法を測定し、荷電粒子ビームに対して高感度の表面を調べる技術において、よ
く知られている。例えば、１９９６年１１月／１２月発刊の真空科学技術紀要第
１４号（第６巻）（Journal of Vacuum Science Technology Bulletin 14(6)）
、３７７４〜３７８１ページのＴ・Ｈ・Ｐチャン他による「リソグラフィ及び関
連する応用のための電子ビームマイクロカラム（Electron-Beam Microcolumns f
or Lithography and Related Applications）」等を参照されたい。なおその内
容は本明細書に全体として援用されている。

【０００３】 図１は、電子ビームリソグラフィ等に関する技術において、よく知られている
従来の荷電粒子ビームカラム１００を表している。従来の荷電粒子ビームカラム
１００は、例えば、荷電粒子ビーム１１４を出力する荷電粒子（電子）ソース１
０２と、荷電粒子ソース１０２からの荷電粒子ビームの方向において下流に位置
する制限アパーチャ１０４と（以後、「下流」は荷電粒子ソースからの荷電粒子
ビームの方向において下流を意味する）、制限アパーチャ１０４の下流に位置し
、荷電粒子ビーム１１４の焦点を制御するトランスファレンズ１０６であるトラ
ンスファレンズ１０６と、トランスファレンズ１０６の下流に位置し、ブランキ
ング偏向器１１６及びブランキングアパーチャ１１８を含み、このブランキング
偏向器１１６が荷電粒子ビーム１１４をブランキングアパーチャ１１８と交差さ
せるブランキングシステム１０８と、ブランキングシステム１０８の下流に位置
し、荷電粒子ビーム１１４が表面１２０と交差する位置を制御する偏向システム
１１０である偏向システム１１０と、偏向システム１１０の下流に位置し、表面
１２０上での荷電粒子ビーム１１４の焦点を合わせ横断面のサイズを制御する対
物レンズ１１２とを含む。

【０００４】 図２は、当業者に広く知られている従来のマイクロカラム２００を示している
。マイクロカラム２００は、例えば、荷電粒子ビーム２０４を送出するビームエ
ミッタ２０２と、ビームエミッタ２０２の下流に位置するソースレンズ２０６と
、ソースレンズ２０６の下流に位置し、荷電粒子ビーム２０４が表面２１２に当
たる位置を制御する偏向システム２０８である偏向システム２０８と、偏向シス
テム２０８の下流に位置するアインツェルレンズ２１０とを含む。

【０００５】 荷電粒子ビーム１００又はマイクロカラム２００等のカラムからの一次荷電粒
子（電子）ビームが、絶縁又は半導体素材で構成された基板、例えば表面１２０
又は表面２１２等に入射した時、二次電子、反射電子、及びいわゆるオージェ電
子等の様々な荷電粒子が生成される。この一次電子は、基板素材に電子ホールの
ペアを作成する。表面の数ナノメートル内で作成された電子は正の電荷を残して
脱出し、その結果として正の表面電位が生じる。ローカルなスケールでは、著し
いレベルの荷電が検出されるが、グローバルなスケールでは、電荷はバランスを
保っている。こうしたローカル及びグローバル両方での荷電効果は、リソグラフ
ィ及び画像化の両方にとって大きな問題を提示する。特に荷電効果は、表面上の
荷電粒子ビームの正確な配置を妨げる。

【０００６】 そのため、こうしたカラムでの望ましくない荷電効果を制御する方法及び装置
が望まれる。

【０００７】 概要 本発明の実施形態では、基板表面に対して荷電粒子ビームを出力するビームカ
ラムと、表面とビームカラムとの間に位置する電荷減少デバイスとを含む装置を
使用して、荷電粒子ビームのターゲットである基板表面の表面電荷を減らし、こ
こで電荷減少デバイスは粒子によって誘導された表面の電荷を中性化するために
荷電粒子を送出する。実施形態の一つにおいて、この電荷減少デバイスは、ＭＯ
Ｓデバイス及び電圧源を含み、この電圧源はＭＯＳデバイスに電圧を提供し、Ｍ
ＯＳデバイスに荷電粒子（電子）を送出させるために結合する。別の実施形態に
おいて、この電荷減少デバイスは、メカニカルマウントに取り付けられた複数の
ＭＯＳデバイスと、電圧源とを含み、この電圧源はＭＯＳデバイスに電圧を提供
し、ＭＯＳデバイスに荷電粒子を送出させるために結合する。

【０００８】 これにより、表面電荷を減少させるための関連する方法は、ターゲット表面に
対して荷電粒子ビームを出力すること、及び表面上で結果として生じた電荷を中
性化するために荷電粒子を送出することを含む。

【０００９】 本発明の実施形態は、表面上の表面電荷を減少させるための関連する方法を提
供し、これは、表面に対して荷電粒子ビームを出力すること、及び表面上で結果
として生じた電荷を中性化するために荷電粒子を送出することを含む。実施形態
において、追加の動作には、荷電粒子ビームが表面上で交差する中央領域に向け
て、漂遊荷電粒子をはね返すことが含まれる。

【００１０】 付随する図面と合わせて以下の詳細な説明を考慮することで、本発明の様々な
実施形態は、より完全に理解される。

【００１１】 詳細な説明 図３は、ビームカラム３０２と電荷減少デバイス３０４とを含む図式化したシ
ステム３００を示している。ビームカラム３０２は、例えば、共に前記した従来
の荷電粒子ビームカラム１００又は従来のマイクロカラム２００のいずれかを含
むことができる。ビームカラム３０２は、荷電粒子ビーム３０８、例えば荷電粒
子ビーム１１４又は荷電粒子ビーム２０４を、表面３０６に対して出力する。表
面３０６は、例えば、ビームカラム３０２が描画（リソグラフィ）又は検査（電
子顕微鏡検査）を行う基板である。電荷減少デバイス３０４はビームカラム３０
２と表面３０６との間に配置され、荷電粒子ビーム３０８と同軸である。荷電減
少デバイス３０４は表面３０６の荷電効果を制御する。

【００１２】 図４Ａは、電荷減少デバイス３０４の実施形態である電荷減少デバイス３０４
Ａの平面図である。この実施形態において、電荷減少デバイス３０４Ａは、荷電
粒子ビーム３０８が通過する開口部４０２を有する金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）
デバイスを含む。この実施形態において、開口部４０２は円形だが、正方形等の
他の形状にすることもできる。電荷減少デバイス３０４Ａの最適な寸法Ｘ及びＹ
は、それぞれ１０ｍｍ及び１０ｍｍである。

【００１３】 図４Ｂは、図４Ａの電荷減少デバイス３０４Ａの線Ａ−Ａでの断面を示してい
る。図４Ｂに示すように、電荷減少デバイス３０４は三つの層、つまりケイ素基
板層４０４、二酸化ケイ素層４０６、金属層４０８を含む。実施形態の一つにお
いて、ケイ素基板層４０４は厚さ約２〜３００μｍで、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂
）層４０６は厚さ約２〜１０ｎｍで、金属層４０８は厚さ約２〜２０ｎｍである
。

【００１４】 図４Ａの電荷減少デバイス３０４Ａを製造するのに適したプロセスは次のとお
りである。ケイ素基板層４０４を形成するために、ｎタイプのドナーイオンによ
り、厚さ約３００μｍの結晶ケイ素基板ウェーハの表面を実施し、このウェーハ
がｎ＋ドーピング又はｎ＋＋ドーピングされるようにする。結果として生じる最
適なウェーハの注入レベルは１×１０¹⁹／ｃｍ³である。次に、二酸化ケイ素層
４０６は、例えば熱成長によって、ケイ素基板層４０４上に形成され、これによ
り５〜１０ｎｍの厚さを有する。次に、金属層４０８は、例えば、アルミニウム
、パラジウム、クロム、又はプラチナで、厚さ３〜２０ｎｍを有するように、従
来の熱蒸発又は電子ビームスパッタリング処理等によって、二酸化ケイ素層４０
６上に形成される。図４Ａの電荷減少デバイス３０４Ａでは、次に、開口部４０
２に対応する直径１〜３ｍｍの円形の開口部が、金属層４０８、二酸化ケイ素層
４０６、ケイ素基板層４０４の組み合わせ全体でエッチングされる。

【００１５】 図４Ｃは、電荷減少デバイス３０４の別の実施形態である電荷減少デバイス３
０４Ｂの平面図を示している。電荷減少デバイス３０４Ｂは、例えばクランプ又
は接着剤によってメカニカルサポート４２０に取り付けられた、四つの個別のＭ
ＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄを含む。このメカニカルサポート４２０は、荷
電粒子ビーム３０８が通過する開口部４３０を含む。開口部４３０の最適な形状
は円形だが、正方形等の他の形状も最適である。開口部４３０の最適な直径は約
１００μｍで、この場合、ビームカラム３０２はマイクロカラム２００を含み、
若しくは約１〜２ｎｍで、この場合、ビームカラム３０２は荷電粒子ビームカラ
ム１００を含む。

【００１６】 各ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄの構造は、電荷減少デバイス３０４Ａに
類似する。各ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄを製造する最適なプロセスは電
荷減少デバイス３０４Ａに関して前に説明しているが、ただしＭＯＳデバイスに
は開口部が形成されない。各ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄの最適な形状は
、約１〜１０ｍｍの横の長さＳを有する正方形である。各ＭＯＳデバイス４１０
Ａ〜４１０Ｄの形状は、例えば円形又は長方形に変化させることができる。各Ｍ
ＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄの最適な厚さは、約３００μｍである。各ＭＯ
Ｓデバイス間の最適な距離Ｄ（図４Ｃ）は、約０．５〜２ｍｍである。ＭＯＳデ
バイス４１０Ａ〜４１０Ｄは、可能な限り開口部４３０の近くに取り付け、荷電
粒子ビーム３０８が表面３０６に交差するエリアの近くに、以下で詳細に説明す
る任意の中性化電荷３１２を送出するようにする。

【００１７】 メカニカルサポート４２０の最適な素材は、例えばアルミニウム、又は金属で
ある。メカニカルサポート４２０の寸法Ｍ及びＮはそれぞれ３０ｍｍ及び３０ｍ
ｍである。

【００１８】 図４Ｄは、図４Ｃの電荷減少デバイス３０４Ｂの線Ｂ−Ｂでの断面を示してい
る。

【００１９】 比較すると、電荷減少デバイス３０４Ａは、開口部４０２の形成によって発生
する欠陥の影響を受ける恐れがあるため、電荷減少デバイス３０４ＢのＭＯＳデ
バイスの動作は、電荷減少デバイス３０４Ａよりも信頼性が高い。

【００２０】 図５に関して、電圧Ｖ_bが金属層４０８とケイ素基板層４０４との間に加わり
、ケイ素基板層４０４に金属層よりも多くの負のバイアスがかかった時、ファウ
ラ・ノルトハイムトンネルにより、電子５０２をケイ素基板層４０４から二酸化
ケイ素層４０６へ移動させる電場が形成される。トンネルを通る電子の大部分は
金属層４０８で非弾性散乱するが、電子のわずかな部分、約１０^-3〜１０^-7は、
金属層４０８を通り抜け、外に出る（電子５０４）。例えば、金属層４０８及び
表面３０６の両方が接地電位にバイアスされ、ケイ素基板層４０４が約−５〜−
１０Ｖにバイアスされ、金属層４０８が表面３０６と向き合っている場合、金属
層４０８から表面３０６に対して低エネルギ電子が送出される可能性が高い。図
３に関して、送出される低エネルギ電子は、中性化電荷３１２に対応し、電荷減
少デバイス３０４と表面３０６との間に送られる。表面３０６上での電荷の中性
化は、少なくとも二つの異なるメカニズムによって達成できる。表面３０６が正
に荷電している時、表面３０６における正の電荷の蓄積は、中性化電荷３１２つ
まり電荷減少デバイス３０４からの低エネルギ電子を引き寄せる電場を作り出す
。こうした低エネルギ電子の表面３０６での吸収は、正の電荷の蓄積を排除又は
最小化する。

【００２１】 若しくは、低エネルギ電子の雲が、表面を低エネルギ電子のソースの電位、例
えば約０Ｖに安定させ、表面電位を低エネルギ電子のエネルギの幅、例えば０．
２ｅＶ〜１ｅＶの範囲内に固定する。高エネルギ一次電子ビームが、約０Ｖの均
一な電位に固定された表面３０６に当たる時、入射する荷電粒子ビーム３０８の
経路を歪める電場が表面３０６において形成されないため、任意の配置又は画像
化の誤りは最小限になる。

【００２２】 図６Ａ及び６Ｂは、電荷減少デバイス３０４Ａと電荷減少デバイス３０４Ｂと
をそれぞれ含むシステム３００の実施形態の側面図をそれぞれ示している。図６
Ａ及び６Ｂに示す実施形態において、電荷減少デバイス３０４Ａ及び電荷減少デ
バイス３０４ＢのＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄの金属層４０８は、両方と
も表面３０６を向いている。ケイ素基板層４０４に金属層４０８よりも大きな負
のバイアスがかかり、電荷減少デバイス３０４Ａ又は３０４Ｂのいずれかが中性
化電荷３１２を送出するように、各金属層４０８とケイ素基板層４０４との間に
電圧Ｖｂが加えられる。表面３０６は金属層４０８と同じ電圧にバイアスされる
。

【００２３】 本発明の実施形態において、電荷減少デバイス３０４と従来のマイクロカラム
２００のアインツェルレンズ２１０の電極層は組み合わされる。具体的には、こ
の実施形態において、アインツェルレンズの電極層は、電荷減少デバイス３０４
のケイ素基板層として機能する。図７は、この実施形態に従って、システム７０
０を図式的に示しており、このシステムは図２に関して前に詳細に説明した従来
のマイクロカラムと修正した電荷減少デバイス７０２とを含み、前者は荷電粒子
ビーム３０８を送出するビーム送出器２０２と、ソースレンズ２０６と、偏向シ
ステム２０８と、電極層７０４、７０６、及び８０２を有し偏向システムの下流
に位置するアインツェルレンズ２１０とを有する。この実施形態において、電極
層８０２は、修正した電荷減少デバイス７０２の基板層である。図８Ａは、修正
した電荷減少デバイス７０２の断面図を示している。

【００２４】 「リソグラフィ及び関連する応用のための電子ビームマイクロカラム」におい
て説明されるように、アインツェルレンズを構築する最適な方法では、アインツ
ェルレンズの各電極層を別個に製造し、その後、電極層を組み立てる。この実施
形態に従った、電極層８０２の最適な実施は、ｎ＋又はｎ＋＋ドーピングされた
ケイ素基板であり、電極層８０２は厚さ約０．２〜１０μｍである。電極層８０
２の最適な注入レベルは１０¹⁹／ｃｍ³である。電極層８０２は、例えばエッチ
ングによって形成される円形開口部７１０を含む。開口部７１０の最適な直径は
約１００μｍである。この実施形態において、電極層７０４及び７０６はそれぞ
れ、円形開口部７１０と同じ直径を有し同様に位置する円形開口部を含み、電極
層７０４、７０６、及び８０２が組み立てられた時に、開口部が一致するように
なる。

【００２５】 電極層８０２は、アインツェルレンズの底部電極として使用され、つまり表面
３０６に最も近く、修正した電荷減少デバイス７０２の基板層として機能する。
次に、二酸化ケイ素層８０４が、例えば熱成長によって、底部電極層８０２上に
５〜１０ｎｍの厚さで形成される。次に、アルミニウム、パラジウム、クロム、
又はプラチナ等の金属層７０６が、従来の熱蒸発処理によって、二酸化ケイ素層
８０４上に形成され、金属層８０６は厚さ３〜２０ｎｍになる。直径約１００〜
３００ｎｍの円形開口部８０８が、次に二酸化ケイ素層８０４及び金属層８０６
を通じてエッチングされる。二酸化ケイ素層８０４及び金属層８０６において定
められた開口部８０８の直径は、電極層８０２において定められた開口部７１０
の直径よりも大きい。更に、開口部８０８は開口部７１０と同軸である。他の実
施形態において、開口部８０８は正方形等の別の形状にすることができる。

【００２６】 図８Ｂは、図８Ａで示した修正した電荷減少デバイス７０２をＣからの矢印で
示した方向から表した底面図である。図８Ｂは、電極層８０２の開口部７１０と
、二酸化ケイ素層８０４及び金属層８０６の組み合わせの開口部８０８との関係
を表している。

【００２７】 その後、電極層７０４及び７０６と修正した電荷減少デバイス７０２の電極層
８０２とは組み合わされ、修正したアインツェルレンズが形成される。例えば、
Ｐｙｒｅｘ（商標）絶縁体は、アインツェルレンズの各電極を分離できる。マイ
クロカラムにおいて、修正した電荷減少デバイス７０２の金属層８０６は外部表
面である。システム７００において、金属層８０６は表面３０６を向いている。

【００２８】 荷電効果を減少させるため、中性化電荷３１２は、荷電粒子ビーム３０８が交
差する表面３０６のエリア（以後「中央領域」）近くに集中させる必要がある。
本発明の実施形態においては、負に荷電した円柱状の金属障壁８００が、電荷減
少デバイス３０４に接触せずにこれを取り囲み、表面３０６に接触せずにその方
向に伸びる。この金属障壁８００は、荷電粒子ビーム３０８が開口部を通過する
ように位置を調整される。図６Ａ、６Ｂ、及び７では、それぞれ障壁８００を側
面図で波線により表している。この実施形態において、障壁８００は、アルミニ
ウム、銅、又はステンレス非磁性鋼で作られる。

【００２９】 金属層４０８及び表面３０６の電圧よりも負であるバイアス電圧が、障壁８０
０に加わる時、障壁８００は表面３０６に比べ負に荷電する。負に荷電した障壁
８００は、漂遊する低エネルギ電子３１４（図６Ａ、６Ｂ、及び７）を中央領域
に移動させる。

【００３０】 前記の実施形態は例示的なものであり、制限的ではない。ここでのすべてのパ
ラメータ及び寸法は例示的なものである。従って、当業者には、本発明の幅広い
態様から離れることなく、変更や修正が可能であることが明らかである。例えば
、ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄ及び電荷減少デバイス３０４Ａの形状及び
寸法、ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄ及び電荷減少デバイス３０４Ａの素材
、ＭＯＳデバイス４１０Ａ〜４１０Ｄの数、バイアス電圧の範囲は、変化させる
ことができる。例えば、電荷減少デバイス３０４は、表面３０６上の負の電荷を
打ち消すために使用することができる。従って、前記特許請求の範囲は、こうし
たすべての変更及び修正を、本発明の範囲に入るものとして包含する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来技術において広く知られる従来の荷電粒子ビームカラム１００を示す図で
ある。

【図２】 従来技術において広く知られる従来のマイクロカラム２００を示す図である。

【図３】 本発明の実施形態に従って、ビームカラム３０２と電荷減少デバイス３０４と
を含む図式化したシステム３００を示す図である。

【図４Ａ】 本発明の実施形態に従った電荷減少デバイス３０４Ａを示す平面図である。

【図４Ｂ】 本発明の実施形態に従った図４Ａの電荷減少デバイス３０４Ａの線Ａ−Ａでの断
面を示す図である。

【図４Ｃ】 本発明の実施形態に従った電荷減少デバイス３０４Ｂを示す平面図である。

【図４Ｄ】 本発明の実施形態に従った図４Ｃの電荷減少デバイス３０４Ｂの線Ｂ−Ｂでの
断面を示す図である。

【図５】 電圧Ｖ_bが加えられた時のＭＯＳデバイスからの荷電粒子の送出を示す図であ
る。

【図６Ａ】 本発明の実施形態に従って、電荷減少デバイス３０４Ａを有するシステム３０
０の実施形態の側面を示す図である。

【図６Ｂ】 本発明の実施形態に従って、電荷減少デバイス３０４Ｂを有するシステム３０
０の実施形態の側面を示す図である。

【図７】 本発明の実施形態に従って、マイクロカラム２００と修正した電荷減少デバイ
ス７０２とを含むシステム７００の実施形態の概略図である。

【図８Ａ】 本発明の実施形態に従って、修正した電荷減少デバイス７０２をより詳細に示
す図である。

【図８Ｂ】 本発明の実施形態に従って、修正した電荷減少デバイス７０２を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１００ … 従来の荷電粒子ビームカラム １０２ … 荷電粒子ソース １０４ … 制限アパーチャ １０６ … トランスファレンズ １０８ … ブランキングシステム １１０、２０８ … 偏向システム １１２ … 対物レンズ １１４、２０４、３０８ … 荷電粒子ビーム １１６ … ブランキング偏向器 １１８ … ブランキングアパーチャ １２０、２１２、３０６ … 表面 ２００ … マイクロカラム ２０２ … ビームエミッタ ２０６ … ソースレンズ ２１０ … アインツェルレンズ ３００ … 図式化したシステム ３０２ … ビームカラム ３０４ … 電荷減少ビーム ３１２ … 中性化電荷 ３０４ … 電荷減少デバイス ４０４ … ケイ素基板層 ４０６、８０４ … 二酸化ケイ素層 ４０８、８０６ … 金属層 ４２０ … メカニカルサポート ４３０、８０８ … 開口部 ５０２、５０４ … 電子 ８００ … 金属障壁 ７００ … システム ７０２ … 修正した電荷減少デバイス ７０４、７０６、８０２ … 電極層 ３１４ … 低エネルギ電子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 5C001 BB07 CC04 CC06 5C030 CC01 CC03 5C033 CC01 UU02 5F056 DA23

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面上の表面電荷を減少させるシステムであって、 前記表面に向けて荷電粒子ビームを送るビームカラムと、 前記表面と前記ビームカラムとの間に配置され、前記表面上に生じる電荷を中
   性化するために荷電粒子を送出する電荷減少デバイスと、 を備えるシステム。
2. 【請求項２】 前記電荷減少デバイスが、 ＭＯＳデバイスと、 前記ＭＯＳデバイスに電圧を印加することにより前記ＭＯＳデバイスに中性化
   荷電粒子を送出させるべく結合された電圧源と、 を備える請求項１記載のシステム。
3. 【請求項３】 更に、前記荷電粒子をはね返す障壁を備え、前記障壁が前記
   電荷減少デバイスの側面を取り囲む請求項２記載のシステム。
4. 【請求項４】 前記ビームカラムが荷電粒子ビームカラムを備える請求項３
   記載のシステム。
5. 【請求項５】 前記ビームカラムがマイクロカラムを備える請求項３記載の
   システム。
6. 【請求項６】 前記電荷減少デバイスが、 前記荷電粒子ビームを前記表面に向けて通過させ得る開口部を含むメカニカル
   サポートと、 前記メカニカルサポートに取り付けられた複数の半導体デバイスと、 前記複数の半導体デバイスのそれぞれに電圧を印加することにより、前記半導
   体デバイスに前記荷電粒子を送出させるべく結合された電圧源と、 を備える請求項１記載のシステム。
7. 【請求項７】 更に、前記荷電粒子をはね返す障壁を備え、前記障壁が前記
   電荷減少デバイスの側面を取り囲む請求項６記載のシステム。
8. 【請求項８】 前記ビームカラムが荷電粒子ビームカラムを備える請求項７
   記載のシステム。
9. 【請求項９】 前記ビームカラムがマイクロカラムを備える請求項７記載の
   システム。
10. 【請求項１０】 前記表面上の前記電荷が正である請求項１記載のシステム
    。
11. 【請求項１１】 表面上の表面電荷を減らす方法であって、 前記表面に向けて荷電粒子ビームを送るステップと、 前記表面の前記電荷を中性化するために荷電粒子を送出するステップと、 を備える方法。
12. 【請求項１２】 更に、漂遊荷電粒子を前記荷電粒子ビームが前記表面上で
    交差する中央領域に向けてはね返すステップを備える請求項１１記載の方法。
13. 【請求項１３】 荷電粒子ビームと共に使用され、前記カラムからの荷電粒
    子にさらされる表面上の電荷の蓄積を制御するアインツェルレンズであって、 第一の電極と、 前記第一の電極から離間した第二の電極と、 前記第二の電極から離間すると共に、電荷減少デバイスが結合され且つ前記表
    面に対向する第三の電極と、 を備えるアインツェルレンズ。
14. 【請求項１４】 前記電荷減少デバイスと前記第三の電極とが共にＭＯＳデ
    バイスを備える請求項１３記載のアインツェルレンズ。
15. 【請求項１５】 前記アインツェルレンズが、更に、 前記ＭＯＳデバイスに電圧を印加することにより、前記ＭＯＳデバイスに荷電
    粒子を送出させるべく結合された電圧源、 を備える請求項１４記載のアインツェルレンズ。
16. 【請求項１６】 前記アインツェルレンズが、更に、 前記荷電粒子をはね返すと共に前記アインツェルレンズの側面を取り囲む障壁
    、 を備える請求項１５記載のアインツェルレンズ。