JP6425303B2 - 研磨液組成物 - Google Patents
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Description
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度を損なうことなく研磨後の研磨表面のスクラッチ及びナノ欠陥を低減し、かつ、研磨パットの摩耗を抑制する観点から、(メタ)アクリル酸又はその塩に由来する構成単位(A)、及び、ヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和スルホン酸化合物又はその塩に由来する構成単位(B)を有する共重合体(以下、「本開示に係る共重合体」ともいう)を含有する。本開示に係る共重合体は、水溶性であって、本開示に係る研磨液組成物に溶解する。
本開示に係る共重合体の構成単位(A)は、(メタ)アクリル酸又はその塩に由来する構成単位であって、メタクリル酸、アクリル酸、及びこれらの塩から選択される一種類又は複数種類に由来する構成単位である。構成単位(A)は、一又は複数の実施形態において、下記一般式(I)で表すことができる。
本開示に係る共重合体の構成単位(B)は、ヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和スルホン酸化合物又はその塩に由来する構成単位である。ポリウレタン製の研磨パッドは通常疎水的であるため、共重合体がヒドロキシ基を含有することにより、研磨液組成物の研磨パッドに対する表面張力が高くなるように制御することができる。
本重合体に係る共重合体の重量平均分子量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を損なうことなく研磨後の研磨表面のスクラッチ及びナノ欠陥を低減し、かつ、研磨パットの摩耗を抑制する観点から、5,000以上50,000以下であることが好ましく、より好ましくは6000以上400000以下、更に好ましくは7000以上300000以下、より更に好ましくは10000以上20000以下である。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて実施例に記載の方法により測定した値である。
本開示に係る研磨液組成物における本開示に係る共重合体の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を損なうことなく研磨後の研磨表面のスクラッチ及びナノ欠陥を低減し、かつ、研磨パットの摩耗を抑制する観点から、0.001質量%以上1質量%以下が好ましく、より好ましくは0.005質量%以上0.5質量%以下、更に好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.1質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.075質量%以下である。
本発明の研磨液組成物は、研磨材(砥粒)としてシリカ粒子を含有する。シリカ粒子としては、一又は複数の実施形態において、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられるが、研磨後の基板のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、1種類からなるものであっても、2種類以上のコロイダルシリカを混合したものであってもよい。
本開示における「研磨材の平均粒径」とは、特に言及しない限り、動的光散乱法において検出角90°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいう(以下、「散乱強度分布に基づく平均粒径」ともいう)。研磨材の平均粒径は、研磨後の基板表面のスクラッチを低減する観点から、1nm以上40nm以下が好ましく、より好ましくは5nm以上37nm以下、さらに好ましくは10nm以上35nm以下である。なお、研磨材の平均粒径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
本開示に係る研磨液組成物は、酸を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。酸としては、研磨速度の向上の観点から、その酸のpK1が2以下の化合物が好ましく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、好ましくはpK1が1.5以下、より好ましくは1以下、更に好ましくはpK1で表せない程の強い酸性を示す化合物である。好ましい酸は、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシホスホノ酢酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸、カルボン酸、有機ホスホン酸が好ましく、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、無機酸、有機ホスホン酸がより好ましい。また、無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸がより好ましく、リン酸、硫酸が更に好ましい。カルボン酸の中では、クエン酸、酒石酸、マレイン酸がより好ましく、クエン酸が更に好ましい。有機ホスホン酸の中では、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシホスホノ酢酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの塩がより好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ヒドロキシホスホノ酢酸が更に好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は2種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上、ナノ突起低減及び基板の洗浄性向上の観点から、2種以上を混合して用いることが好ましく、ナノ突起低減、スクラッチ低減、酸化剤の安定性向上及び廃液処理性向上の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸及び1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸からなる群から選択される2種以上の酸を混合して用いることが更に好ましい。ここで、pK1とは有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数(25℃)の逆数の対数値である。各化合物のpK1は例えば改訂4版化学便覧(基礎編)II、pp316−325(日本化学会編)等に記載されている。
本開示に係る研磨液組成物は、酸化剤を含んでもよい。本酸化剤としては、研磨速度向上、並びに研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。
本開示に係る研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被研磨基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。研磨液組成物中の水の含有量は、60質量%以上99.4質量%以下が好ましく、70質量%以上98.9質量%以下がより好ましい。また、本開示に係る効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を配合してもよい。
本開示に係る研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、複素環芳香族化合物を含有してもよい。複素環芳香族化合物は、同様の観点から、複素環内に窒素原子を2個以上含む複素環芳香族化合物であり、複素環内に窒素原子を3個以上有することが好ましく、3〜9個がより好ましく、3〜5個が更に好ましく、3又は4個が更により好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減の観点から、脂肪族ジアミン化合物又は脂環式ジアミン化合物を含有してもよい。
本開示に係る研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、0を超え10質量%以下好ましく、0を超え5質量%以下がより好ましい。但し、本開示の研磨液組成物は、他の成分、とりわけ界面活性剤を含むことなく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥の低減効果を発揮し得る。さらに、本開示に係る研磨液組成物は、アルミナ砥粒を含ませることができ、最終研磨工程より前の粗研磨工程に使用することもできる。
本開示に係る研磨液組成物のpHは、一又は複数の実施形態において、研磨速度を損なうことなく研磨後の研磨表面のスクラッチ及びナノ欠陥を低減し、かつ、研磨パットの摩耗を抑制する観点から、0.5以上3.5以下が好ましく、より好ましくは0.8以上3.0以下、更に好ましくは1.0以上2.5以下、更により好ましくは1.2以上2.0以下である。本開示において、研磨液組成物のpHは、25℃における値であって、pHメータを用いて測定した値である。本開示における研磨液組成物のpHは、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
本開示に係る研磨液組成物は、例えば、シリカ粒子、酸、水、及び、本開示に係る共重合体、必要に応じて、酸化剤、複素環芳香族化合物、脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物を、さらに所望により他の成分を含めて、公知の方法で混合することにより調製できる。この際、シリカ粒子は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。本開示に係る研磨液組成物における各成分の含有量や濃度は、上述した範囲であるが、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を濃縮物として調製してもよい。
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨基板は、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板である。「Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板」とは、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板用アルミニウム合金板材の表面を研削後、無電解Ni−Pメッキ処理したものをいう。Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板の表面を研磨し、さらに、スパッタ等でその基板表面に磁性膜を形成することにより磁気ディスク基板を製造することができる。
本開示は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する研磨工程を有する磁気ディスク基板の製造方法に関する。該研磨工程があることにより、研磨パッドの摩耗が抑制されつつ、かつ、研磨速度が大きく損なうことなく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を好ましくは提供できる。本発明の製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。よって、本発明の製造方法は、その他の態様として、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程を含む垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法である。
使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度を損なうことなく研磨後の研磨表面のスクラッチ及びナノ欠陥を低減し、かつ、研磨パットの摩耗を抑制する観点から、ポリウレタン製のスエードタイプの研磨パッドが好ましい。
本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、好ましくは5.9kPa以上、より好ましくは6.9kPa以上、更に好ましくは7.5kPa以上である。これにより、研磨速度の低下を抑制できるため、生産性の向上が可能となる。なお、本発明の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程において、研磨荷重は20kPa以下が好ましく、より好ましくは18kPa以下、更に好ましくは16kPa以下である。これにより、スクラッチの発生を抑制することができる。したがって、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程において研磨荷重は5.9kPa以上20kPa以下が好ましく、6.9kPa以上18kPa以下がより好ましく、7.5kPa以上16kPa以下が更に好ましい。研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
研磨工程における本開示に係る研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板1cm2当たり、好ましくは0.05mL/分以上15mL/分以下であり、より好ましくは0.06mL/分以上10mL/分以下であり、更に好ましくは0.07mL/分以上1mL/分以下、更により好ましくは0.07mL/分以上0.5mL/分以下である。
本開示は、その他の態様として、本開示に係る研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨することを含む研磨方法に関する。該研磨方法を使用することにより、研磨パッドの摩耗が抑制されつつ、かつ、研磨速度が大きく損なうことなく、研磨後の基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥が低減される研磨が行える。具体的な研磨方法、被研磨基板は、上述のとおである。
<3> 前記構成単位(B)におけるヒドロキシ基の数若しくは平均数が、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2、更により好ましくは1である、<1>又は<2>に記載の研磨液組成物。
<4> 前記共重合体を構成する構成単位(A)及び(B)の合計に対する構成単位(B)の割合が、好ましくは15モル%以上、より好ましくは20モル%以上、更に好ましくは30モル%以上である、<1>から<3>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<5> 前記共重合体を構成する構成単位(A)及び(B)の合計に対する構成単位(B)の割合が、好ましくは70モル%以下、より好ましくは60モル%以下、更に好ましくは50モル%以下である、<1>から<4>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<6> 前記共重合体を構成する構成単位(A)及び(B)の合計に対する構成単位(B)の割合が、好ましくは15モル%以上70モル%以下、より好ましくは20モル%以上60モル以下、更に好ましくは30モル%以上50モル%以下である、<1>から<5>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<7> 前記共重合体を構成する全構成単位中に占める構成単位(A)及び(B)の合計構成単位の含有率が、好ましくは80モル%以上、より好ましくは90モル%以上、更に好ましくは95モル%以上、更により好ましくは実質的に100モル%である、<1>から<6>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<8> 前記共重合体の重量平均分子量が、好ましくは5,000以上50,000以下、より好ましくは6000以上400000以下、更に好ましくは7000以上300000以下、更により好ましくは10000以上20000以下である、<1>から<7>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<9> 前記共重合体の含有量が、好ましくは0.001質量%以上1質量%以下、より好ましくは0.005質量%以上0.5質量%以下、更に好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.1質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.075質量%以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<10> 研磨液組成物における前記シリカ粒子と前記共重合体との含有量比[シリカ粒子の含有量(質量%)/共重合体の含有量(質量%)]が、好ましくは5以上5000以下、より好ましくは10以上1500以下、更に好ましくは25以上750以下である、<1>から<9>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<11> さらに、複素芳香族化合物、及び、脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物を含有する、<1>から<10>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<12> 前記複素環芳香族化合物が、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1H−テトラゾール、5−アミノテトラゾール、1H−ベンゾトリアゾール、1H−トリルトリアゾール、2−アミノベンゾトリアゾール、3−アミノベンゾトリアゾール、及びこられのアルキル置換体、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、<11>に記載の研磨液組成物。
<13> 前記脂肪族ジアミン化合物が、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、3−(ジエチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジブチルアミノ)プロピルアミン、3−(メチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジメチルアミノ)プロピルアミン、N−アミノエチルエタノールアミン、N−アミノエチルイソプロパノールアミン、N−アミノエチル−N−メチルエタノールアミン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、前記脂環式ジアミン化合物が、ピペラジン、2−メチルピペラジン、2、5−ジメチルピペラジン、1−アミノ−4−メチルピペラジン、N−メチルピペラジン、N−ヒドロキシエチルピペラジン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、<11>又は<12>に記載の研磨液組成物。
<14> 研磨液組成物における前記複素環芳香族化合物と前記共重合体との含有量比[複素環芳香族化合物の含有量(質量%)/共重合体の含有量(質量%)]が、好ましくは0.1以上300以下、より好ましくは1以上100以下、更に好ましくは2以上25以下である、<11>から<13>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<15> 研磨液組成物における前記複素環芳香族化合物の含有量が、研磨液組成物全体の質量に対して好ましくは0.01質量%以上10質量%以下、より好ましくは0.05質量%以上5質量%以下、更に好ましくは0.1質量%以上1質量%以下である、<11>から<14>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<16> 研磨液組成物における前記シリカ粒子と前記複素環芳香族化合物との含有量比[シリカ粒子の含有量(質量%)/複素環芳香族化合物の含有量(質量%)]が、好ましくは2以上1000以下、より好ましくは5以上200以下、更に好ましくは10以上100以下である、<11>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<17> 研磨液組成物における前記脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物と前記共重合体との含有量比[脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物の含有量(質量%)/共重合体の含有量(質量%)]が、好ましくは0.1以上100以下、より好ましくは0.25以上50以下、更に好ましく0.5、以10上以下である、<11>から<16>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<18> 研磨液組成物における前記脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物の含有量が、研磨液組成物全体の質量に対して好ましくは0.005質量%以上5質量%以下、より好ましくは0.01質量%以上2質量%以下、更に好ましくは0.02質量%以上1質量%以下である、<11>から<17>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<19> 研磨液組成物における前記シリカ粒子と前記脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物との含有量比[シリカ粒子の含有量(質量%)/脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物の含有量(質量%)]が、好ましくは5以上1000以下、より好ましくは25以上500以下、更に好ましくは50以上250以下である、<11>から<18>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<20> 研磨液組成物における前記複素環芳香族化合物と前記脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物との含有量比[複素環芳香族化合物の含有量(質量%)/脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物の含有量(質量%)]が、好ましくは0.1以上50以下、より好ましくは0.5以上25以下、更に好ましくは1以上10以下である、<11>から<19>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<21> 研磨液組成物におけるシリカ粒子の含有量が、好ましくは0.5質量%以上20質量%以下、より好ましくは1質量%以上15質量%以下、更に好ましくは3質量%以上13質量%以下、更により好ましくは4質量%以上10質量%以下である、<1>から<20>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<22> 前記シリカ粒子の平均粒径が、好ましくは1nm以上40nm以下、より好ましくは5nm以上37nm以下、さらに好ましくは10nm以上35nm以下である、<1>から<21>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<23> 研磨液組成物中における前記酸及びその塩の含有量が、好ましくは0.001質量%以上5質量%以下、より好ましくは0.01質量%以上4質量%以下であり、更に好ましくは0.05質量%以上3質量%以下、更により好ましくは0.1質量%以上2.0質量%以下である、<1>から<22>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<24> さらに、酸化剤含む、<1>から<23>のいずれかに記載の研磨液組成物。
<25> <1>から<24>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
<26> <1>から<24>のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の研磨方法。
実施例1〜9及び比較例1〜5の研磨液組成物(表2)を調製して被研磨基板の研磨を行い、研磨速度、研磨後の基板のスクラッチ、ナノ突起欠陥、及び研磨パッドの表面粗さを評価した。評価結果を下記表2に示す。使用した(共)重合体の組成を表1に示す。また、研磨液組成物の調製方法、各パラメータの測定方法、研磨条件(研磨方法)及び評価方法は以下のとおりである。なお、下記表2において、BTAは1H−ベンゾトリアゾール、AEEAはN−アミノエチルエタノールアミン、HEPはN−ヒドロキシエチルピペラジン、DTPA・Naはジエチレントリアミン5酢酸ナトリウム塩を示す。
研磨液組成物に使用した(共)重合体は下記のA〜Cの水溶性重合体である。これらの重合体の重量平均分子量は下記の条件で測定した。
<共重合体>
A:アクリル酸(AA)/3−アリロキシ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(HAPS)共重合体ナトリウム塩
A1:モル比67/33、重量平均分子量13000
A2:モル比60/40、重量平均分子量18000
B:アクリル酸(AA)/2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(AMPS)共重合体ナトリウム塩
B1:モル比90/10、重量平均分子量18000
B2:モル比80/20、重量平均分子量24000
C:ポリアクリル酸、重量平均分子量19000
AA/HAPS共重合体ナトリウム塩及びポリアクリル酸ナトリウム塩は特開平11−128715の実施例の開示、及び、特開2010−132723の実施例(比較例5)の開示を参照して作製した。
上記の重合体の重量平均分子量は、下記測定条件におけるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した。
カラム:G4000SWXL+G2500SWXL(東ソー製)
溶離液:0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=7/3体積比
温度:40℃
流速:1.0ml/分
試料サイズ:5mg/ml
検出器:RI
標準物質:ポリエチレングリコール(2.4万、10.1万、18.5万、54万:東ソー製、25.8万、87.5万 創和科学製)
研磨液組成物の調製に用いたコロイダルシリカと、硫酸と、過酸化水素水とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した(pH1.5)。標準試料中におけるコロイダルシリカ、硫酸、HEDP、過酸化水素の含有量は、それぞれ5質量%、0.5質量%、0.5質量%とした。この標準試料を動的光散乱装置(大塚電子社製DLS-6500)により、同メーカーが添付した説明書に従って、200回積算した際の検出角90°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の50%となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。
6.0質量%のコロイダルシリカ(平均粒径25nm)、0.4質量%の酸(硫酸)、0.4質量%の酸化剤(過酸化水素)、表1の(共)重合体、水、並びに、必要に応じて、下記表2に記載の複素環芳香族化合物及び脂肪族アミン化合物若しくは脂環式アミン化合物を混合して実施例1〜9及び比較例1〜5の研磨液組成物を調製した。なお、実施例1、2、7、8及び比較例1及び5には、複素環芳香族化合物及び脂肪族アミン化合物若しくは脂環式アミン化合物を添加していない。また、比較例5には(共)重合体を使用していない。実施例1〜9及び比較例1〜5の研磨液組成物のpHは1.5であった。なお、pHは、研磨液組成物の25℃における値であって、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用い、電極の研磨液組成物への浸漬後1分後に測定した数値である。
上記のように調製した実施例1〜9及び比較例1〜5の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度、研磨された基板のナノ突起欠陥及びスクラッチ、並びに、研磨パッドの表面粗さの変化率を以下に示す条件に基づいて測定し、評価を行った。結果を下記表2に示す。下記表2に示すデータは、各実施例及び各比較例につき4枚の被研磨基板を研磨した後、各被研磨基板の両面について測定し、4枚(表裏合わせて計8面)のデータの平均とした。
被研磨基板としては、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚さが1.27mm、外径が95mm、内径が25mmであり、AFM(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)により測定した中心線平均粗さRaが1nm、長波長うねり(波長0.4〜2mm)の振幅は2nm、短波長うねり(波長50〜400μm)の振幅は2nmであった。
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:フジボウ社製スエードタイプ(ポリウレタン製、厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
研磨液組成物供給量:50mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:0.075mL/分)
下定盤回転数:32.5rpm
研磨荷重:12.5kPa
研磨時間:5分間
研磨前後の各基板の重さを重量計(Sartorius社製「BP−210S」)を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を重量減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度(μm/min)に変換した。
研磨速度(μm/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面積(mm2)/Ni−Pメッキ密度(g/cm3)×106
(基板片面面積:6597mm2、Ni−Pメッキ密度:7.99g/cm3として算出)
測定機器:KLA Tencor社製、OSA7100
評価:研磨試験機に投入した基板の中、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10000rpmにてレーザーを照射してナノ突起欠陥及びスクラッチを測定した。その4枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数(本)の合計を8で除して、基板面当たりのナノ突起欠陥及びスクラッチの数を算出した。その結果を、下記表2に、比較例1を100%とした相対値として示す。
使用前と、使用開始から上記の研磨条件で200バッチの研磨を行った後の研磨パッドの表面粗さ(Ra)の変化を触診式の表面粗さ計(商品名:SURFTEST SJ−210、ミツトヨ社製)を用いて測定した。
<測定条件>
粗さ規格:ISO1997
測定速度:0.5mm/s
カットオフ値:0.8mm
<評価基準>
研磨パッドの表面粗さの変化率を下記の式により求めた。
表面粗さ変化率=(200バッチ後の表面粗さ)/(研磨開始前の表面粗さ)×100
Claims (8)
- シリカ粒子と、
酸と、
(メタ)アクリル酸又はその塩に由来する構成単位、及び、ヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和スルホン酸化合物又はその塩に由来する構成単位を有する共重合体と、
を含む、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板用の研磨液組成物。 - 前記ヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和スルホン酸化合物が、3−アリロキシ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(HAPS)である、請求項1に記載の研磨液組成物。
- 前記共重合体の重量平均分子量が、5,000以上50,000以下である、請求項1又は2に記載の研磨液組成物。
- さらに、複素芳香族化合物、及び、脂肪族ジアミン又は脂環式ジアミン化合物を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 前記複素環芳香族化合物が、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1H−テトラゾール、5−アミノテトラゾール、1H−ベンゾトリアゾール、1H−トリルトリアゾール、2−アミノベンゾトリアゾール、3−アミノベンゾトリアゾール、及びこられのアルキル置換体、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項4に記載の研磨液組成物。
- 前記脂肪族ジアミン化合物が、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、3−(ジエチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジブチルアミノ)プロピルアミン、3−(メチルアミノ)プロピルアミン、3−(ジメチルアミノ)プロピルアミン、N−アミノエチルエタノールアミン、N−アミノエチルイソプロパノールアミン、N−アミノエチル−N−メチルエタノールアミン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、前記脂環式ジアミン化合物が、ピペラジン、2−メチルピペラジン、2、5−ジメチルピペラジン、1−アミノ−4−メチルピペラジン、N−メチルピペラジン、N−ヒドロキシエチルピペラジン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項4又は5に記載の研磨液組成物。
- 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨する工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を用いてNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014218644A JP6425303B2 (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | 研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014218644A JP6425303B2 (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | 研磨液組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016084428A JP2016084428A (ja) | 2016-05-19 |
JP6425303B2 true JP6425303B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=55972251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014218644A Active JP6425303B2 (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | 研磨液組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6425303B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019004161A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 花王株式会社 | 研磨液組成物用シリカスラリー |
JP7096714B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2022-07-06 | 花王株式会社 | 研磨液組成物用シリカスラリー |
JP6957232B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-11-02 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP7440326B2 (ja) | 2020-04-01 | 2024-02-28 | 山口精研工業株式会社 | 研磨剤組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4171858B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2008-10-29 | Jsr株式会社 | 研磨用組成物および研磨方法 |
US6632259B2 (en) * | 2001-05-18 | 2003-10-14 | Rodel Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto |
JP2008016677A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Mitsui Chemicals Inc | 研磨用スラリー |
JP2008251939A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
JP6148858B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-06-14 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
-
2014
- 2014-10-27 JP JP2014218644A patent/JP6425303B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016084428A (ja) | 2016-05-19 |
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