JP7324817B2 - 研磨液組成物 - Google Patents
研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7324817B2 JP7324817B2 JP2021164712A JP2021164712A JP7324817B2 JP 7324817 B2 JP7324817 B2 JP 7324817B2 JP 2021164712 A JP2021164712 A JP 2021164712A JP 2021164712 A JP2021164712 A JP 2021164712A JP 7324817 B2 JP7324817 B2 JP 7324817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- polishing
- mass
- substrate
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
このような要求に対して、例えば、特許文献１には、コロイダルシリカ分散液とポリアクリル酸ポリマーとを含む合成石英ガラス基板用研磨液組成物が開示されている（同文献の実施例）。
特許文献２には、有機酸と、含窒素複素環化合物と、酸化剤と、コロイダルシリカ等の砥粒と、ポリカルボン酸等の水溶性高分子とを含む化学機械研磨用水系分散体が開示されている。
特許文献３には、バリア除去を促進するための酸化剤と、砥粒と、配線金属の除去を低減するためのインヒビタ－と、少なくとも２つのカルボン酸官能基を含むポリマーの繰り返し単位の少なくとも１つを有するカルボン酸ポリマーとを含むケミカルメカニカルプラナリゼーション組成物が開示されている。
特許文献２には、有機酸と、含窒素複素環化合物と、酸化剤と、コロイダルシリカ等の砥粒と、ポリカルボン酸等の水溶性高分子とを含む化学機械研磨用水系分散体が開示されている。
特許文献３には、バリア除去を促進するための酸化剤と、砥粒と、配線金属の除去を低減するためのインヒビタ－と、少なくとも２つのカルボン酸官能基を含むポリマーの繰り返し単位の少なくとも１つを有するカルボン酸ポリマーとを含むケミカルメカニカルプラナリゼーション組成物が開示されている。
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチ及びうねりをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。この点に関しては、特許文献１～３に記載のポリマーを用いたとしても、未だ十分に満足のいくものではなかった。
そこで、本開示は、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減できる研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。
本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と、化合物（成分Ｂ）と、酸（成分Ｃ）と、水系媒体と、を含有し、成分Ｂは、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表される化合物であり、ｐＨが３以下である、研磨液組成物に関する。
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、水素原子又は疎水性基であり、ｍ及び
ｎは０～２０であり、ｍ＋ｎ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ1及びＲ2は同時に水素原子とはならない。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子又は疎水性基であり、ｋ及びｌは０～２０であり、ｋ＋ｌ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ3及びＲ4は同時に水素原子とはならない。Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。
ｎは０～２０であり、ｍ＋ｎ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ1及びＲ2は同時に水素原子とはならない。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子又は疎水性基であり、ｋ及びｌは０～２０であり、ｋ＋ｌ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ3及びＲ4は同時に水素原子とはならない。Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法に関する。
本開示の研磨組成物によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減できるという効果が奏されうる。
本開示は、シリカ粒子、所定の化合物、酸、及び水系媒体を含有し、ｐＨ３以下の研磨液組成物を磁気ディスク基板の研磨に用いると、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減できるという知見に基づく。
すなわち、本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と、化合物（成分Ｂ）と、酸（成分Ｃ）と、水系媒体と、を含有し、成分Ｂは、上記式（Ｉ）又は上記式（ＩＩ）で表される化合物であり、ｐＨが３以下である、研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
成分Ｂである化合物は、その末端に有する疎水性基と基板表面とが相互作用することで基板表面に吸着する。一方、マレイン酸もしくは無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位、又は、マレイン酸、無水マレイン酸もしくはマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位を含む主鎖が基板表面のニッケル原子をキレートすることで、結果的に、基板表面の溶解性が向上し、研磨速度が向上すると考えられる。さらに、成分Ｂにより基板表面を均一にエッチングできるため、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できると考えられる。また、基板がエッチングされることで、基板最表層が脆弱・軟質化し、研磨パッドと接触する際に軟質化部位がスムーズに切削されやすくなり、平坦性が向上し、うねりが低減できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
成分Ｂである化合物は、その末端に有する疎水性基と基板表面とが相互作用することで基板表面に吸着する。一方、マレイン酸もしくは無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位、又は、マレイン酸、無水マレイン酸もしくはマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位を含む主鎖が基板表面のニッケル原子をキレートすることで、結果的に、基板表面の溶解性が向上し、研磨速度が向上すると考えられる。さらに、成分Ｂにより基板表面を均一にエッチングできるため、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できると考えられる。また、基板がエッチングされることで、基板最表層が脆弱・軟質化し、研磨パッドと接触する際に軟質化部位がスムーズに切削されやすくなり、平坦性が向上し、うねりが低減できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示において、基板表面のスクラッチは、例えば、光学式欠陥検査装置により検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。スクラッチ数は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。
本開示において、基板の「うねり」とは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいう。本開示において、例えば、６０～１６０μｍの波長により観測されるうねりを「超短波長うねり」といい、例えば、５０～５００μｍの波長により観測されるうねりを「短波長うねり」という。研磨後の基板表面のうねり（超短波長うねり、短波長うねり）が低減されることにより、磁気ディスクドライブにおいて磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができ、磁気ディスクの記録密度の向上が可能となる。昨今の磁気ディスクの高記録密度化により、「超短波長うねり」は特に重要な指標となっており、記録密度の向上だけでなく、長時間の使用における耐久性にも影響を与えることが分かっている。基板表面のうねり（超短波長うねり、短波長うねり）は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。本開示において、「うねりの低減」とは、超短波長うねり及び短波長うねりの少なくとも一方が低減されることをいう。
本開示において、基板の「うねり」とは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいう。本開示において、例えば、６０～１６０μｍの波長により観測されるうねりを「超短波長うねり」といい、例えば、５０～５００μｍの波長により観測されるうねりを「短波長うねり」という。研磨後の基板表面のうねり（超短波長うねり、短波長うねり）が低減されることにより、磁気ディスクドライブにおいて磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができ、磁気ディスクの記録密度の向上が可能となる。昨今の磁気ディスクの高記録密度化により、「超短波長うねり」は特に重要な指標となっており、記録密度の向上だけでなく、長時間の使用における耐久性にも影響を与えることが分かっている。基板表面のうねり（超短波長うねり、短波長うねり）は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。本開示において、「うねりの低減」とは、超短波長うねり及び短波長うねりの少なくとも一方が低減されることをいう。
［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子（以下「成分Ａ」ともいう）としては、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子（以下「成分Ａ」ともいう）としては、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ａの動的光散乱法により測定される散乱強度分布に基づく平均粒径は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましく、７０ｎｍ以下が更に好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの動的光散乱法により測定される散乱強度分布に基づく平均粒径は、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましく、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましく、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、「シリカ粒子の動的光散乱法により測定される散乱強度分布に基づく平均粒径」とは、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径（平均二次粒子径）をいう。シリカ粒子の平均粒径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度を向上させる観点から、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、スクラッチ及びうねり低減の観点から、ＳｉＯ2換算で、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。さらに、本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上のシリカ粒子からなる場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。
［化合物（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、化合物（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含む。成分Ｂは、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、一又は複数の実施形態において、マレイン酸又は無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位を主鎖として含み、その少なくとも一方の末端に疎水性基（以下、「末端疎水性基」ともいう）を有する化合物（以下、「成分Ｂ１」ともいう）、及び、マレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位を主鎖として含み、その少なくとも一方の末端に末端疎水性基を有する化合物（以下、「成分Ｂ２」ともいう）から選ばれる少なくとも１種である。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、化合物（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含む。成分Ｂは、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、一又は複数の実施形態において、マレイン酸又は無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位を主鎖として含み、その少なくとも一方の末端に疎水性基（以下、「末端疎水性基」ともいう）を有する化合物（以下、「成分Ｂ１」ともいう）、及び、マレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位を主鎖として含み、その少なくとも一方の末端に末端疎水性基を有する化合物（以下、「成分Ｂ２」ともいう）から選ばれる少なくとも１種である。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
（末端疎水性基）
末端疎水性基は、特に限定されるものではないが、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香環含有炭化水基から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、又はデシル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が挙げられる。芳香環含有炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、炭素数１～３のアルキルベンジル基、ナフチル基、又は炭素数１～３のアルキルナフチル基等が挙げられる。
これらの中でも、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、好ましくは芳香環含有炭化水素基、より好ましくはベンジル基又は炭素数１～３のアルキルベンジル基であり、更に好ましくは炭素数１～３のアルキルベンジル基である。炭素数１～３のアルキルベンジル基としては、例えば、メチルベンジル基等が挙げられる。本開示において、「末端」とは、ポリマー主鎖の末端を示す。末端疎水性基は、一又は複数の実施形態において、ポリマーの構成単位（繰り返し単位）ではない。
末端疎水性基は、特に限定されるものではないが、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香環含有炭化水基から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、又はデシル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が挙げられる。芳香環含有炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、炭素数１～３のアルキルベンジル基、ナフチル基、又は炭素数１～３のアルキルナフチル基等が挙げられる。
これらの中でも、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、好ましくは芳香環含有炭化水素基、より好ましくはベンジル基又は炭素数１～３のアルキルベンジル基であり、更に好ましくは炭素数１～３のアルキルベンジル基である。炭素数１～３のアルキルベンジル基としては、例えば、メチルベンジル基等が挙げられる。本開示において、「末端」とは、ポリマー主鎖の末端を示す。末端疎水性基は、一又は複数の実施形態において、ポリマーの構成単位（繰り返し単位）ではない。
（マレイン酸又は無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位）
成分Ｂが成分Ｂ１である場合、成分Ｂ１を構成する全構成単位中に占めるマレイン酸又は無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、９０モル％以上が好ましく、９５モル％以上がより好ましく、１００モル％が更に好ましい。
成分Ｂが成分Ｂ１である場合、成分Ｂ１を構成する全構成単位中に占めるマレイン酸又は無水マレイン酸を由来とする繰り返し単位の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、９０モル％以上が好ましく、９５モル％以上がより好ましく、１００モル％が更に好ましい。
成分Ｂ１としては、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、例えば、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、水素原子又は疎水性基であり、ｍ及びｎは０～２０であり、ｍ＋ｎ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ1及びＲ2は同時に水素原子とはならない。なお、ｍ及びｎはそれぞれ平均付加モル数を示す。前記疎水性基としては、上述した末端疎水性基と同じものが挙げられる。
式（Ｉ）において、ｍは、研磨液組成物中における保存安定性確保、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。ｍは、同様の観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上が更に好ましい。ｍは、同様の観点から、1以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下が更に好ましい。
式（Ｉ）において、ｎは、研磨液組成物中における保存安定性確保及び研磨特性確保の観点から、１０以下が好ましく、５以下がより好ましく、３以下が更に好ましい。
式（Ｉ）において、ｍは、研磨液組成物中における保存安定性確保、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。ｍは、同様の観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上が更に好ましい。ｍは、同様の観点から、1以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下が更に好ましい。
式（Ｉ）において、ｎは、研磨液組成物中における保存安定性確保及び研磨特性確保の観点から、１０以下が好ましく、５以下がより好ましく、３以下が更に好ましい。
成分Ｂ１を構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。
（マレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位）
成分Ｂが成分Ｂ２である場合、成分Ｂ２を構成する全構成単位中に占めるマレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、９０モル％以上が好ましく、９５モル％以上がより好ましく、１００モル％が更に好ましい。
成分Ｂが成分Ｂ２である場合、成分Ｂ２を構成する全構成単位中に占めるマレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステルを由来とする繰り返し単位の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、９０モル％以上が好ましく、９５モル％以上がより好ましく、１００モル％が更に好ましい。
成分Ｂ２としては、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、例えば、下記式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子又は疎水性基であり、ｋ及びｌは０～２０であり、ｋ＋ｌ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ3及びＲ4は同時に水素原子とはならない。Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。なお、ｋ及びｌは平均付加モル数を示す。前記疎水性基としては、上述した末端疎水性基と同じものが挙げられる。
式（ＩＩ）において、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、又はプロピル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。
式（ＩＩ）において、平均付加モル数がｋである繰り返し単位の一部は、隣接する２つのカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が脱水縮合して環構造を形成していてもよい。
式（ＩＩ）において、ｋは、研磨液組成物中における保存安定性確保、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。ｋは、同様の観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上が更に好ましい。ｋは、同様の観点から、１以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下が更に好ましい。
式（ＩＩ）において、ｌは、研磨液組成物中における保存安定性確保および研磨特性確保の観点から、１０以下が好ましく、５以下がより好ましく、３以下が更に好ましい。
式（ＩＩ）において、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、又はプロピル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。
式（ＩＩ）において、平均付加モル数がｋである繰り返し単位の一部は、隣接する２つのカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が脱水縮合して環構造を形成していてもよい。
式（ＩＩ）において、ｋは、研磨液組成物中における保存安定性確保、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１０以下が更に好ましい。ｋは、同様の観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上が更に好ましい。ｋは、同様の観点から、１以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下が更に好ましい。
式（ＩＩ）において、ｌは、研磨液組成物中における保存安定性確保および研磨特性確保の観点から、１０以下が好ましく、５以下がより好ましく、３以下が更に好ましい。
成分Ｂ２を構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。
成分Ｂは、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、上記式（Ｉ）又は上記式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
成分Ｂを構成する全構成単位中に占める下記式で表される繰り返し単位の含有率は、一又は複数の実施形態において、ポリマーの溶解性向上の観点から、８０モル％以上が好ましく、８５モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更に好ましい。
本開示において、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本開示において、成分Ｂが２種以上の構成単位を含む場合、２つの構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２つの構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。
成分Ｂは、本開示の効果が大きく損なわれない範囲で、マレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸アルキルエステル由来の構成単位以外のその他の構成単位をさらに有していてもよい。成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるその他の構成単位の含有率は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、１０モル％以下が好ましく、５モル％以下がより好ましく、実質的に０モル％が更に好ましい。
成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、少なくとも一方の末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有するポリマレイン酸、マレイン酸又は無水マレイン酸由来の繰り返し単位を主鎖として含み、その少なくとも一方の末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有する高分子、並びに、マレイン酸、無水マレイン酸又はマレイン酸ジエチル由来の繰り返し単位を含み、その少なくとも一方の末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有する高分子から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
成分Ｂ１の製造方法としては、例えば、マレイン酸又は無水マレイン酸をキシレン等の溶媒に溶解させ、重合開始剤を添加し、反応を開始する。所定の時間反応させ、所定の化合物を得ることにより製造できる。
成分Ｂ２の製造方法としては、例えば、マレイン酸又は無水マレイン酸とマレイン酸アルキルエステルをキシレン等の溶媒に溶解させ、重合開始剤を添加し、反応を開始する。所定の時間反応させ、所定の化合物を得ることにより製造できる。
成分Ｂ２の製造方法としては、例えば、マレイン酸又は無水マレイン酸とマレイン酸アルキルエステルをキシレン等の溶媒に溶解させ、重合開始剤を添加し、反応を開始する。所定の時間反応させ、所定の化合物を得ることにより製造できる。
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨液組成物中における保存安定性確保、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、２，０００以下が好ましく、１，５００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、２００以上が好ましく、３００以上がより好ましく、５００以上が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｂの重量平均分子量は、２００以上２，０００以下が好ましく、３００以上１，５００以下がより好ましく、５００以上１，０００以下が更に好ましい。本開示において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定される値とする。成分Ｂの重量平均分子量が２００以上２，０００以下である場合、成分Ｂは強酸性下（例えば、ｐＨ３以下）で安定に存在でき、ｐＨ３以下の研磨液組成物の保存安定性を向上できると考えられる。
成分Ｂのニッケル溶解促進定数Ｋは、研磨速度向上の観点から、１０５以上が好ましく、１０７以上がより好ましく、１１０以上が更に好ましい。
本開示においてニッケル溶解促進定数Ｋは、下記式（ＩＩＩ）により表されるものであり、具体的には、実施例に記載の方法により測定できる。
Ｋ＝Ｓ／Ｓ0×１００ （ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）中、Ｓ0は、ニッケルを含む被研磨基板を、過酸化水素 ０．５質量％、リン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。Ｓは、前記被研磨基板を、成分Ｂ ０．１質量％、過酸化水素 ０．５質量％及びリン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。
本開示においてニッケル溶解促進定数Ｋは、下記式（ＩＩＩ）により表されるものであり、具体的には、実施例に記載の方法により測定できる。
Ｋ＝Ｓ／Ｓ0×１００ （ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）中、Ｓ0は、ニッケルを含む被研磨基板を、過酸化水素 ０．５質量％、リン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。Ｓは、前記被研磨基板を、成分Ｂ ０．１質量％、過酸化水素 ０．５質量％及びリン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．００８質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．１質量％以下が好ましく、０．０９質量％以下がより好ましく、０．０８質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上０．１質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上０．０９質量％以下がより好ましく、０．００８質量％以上０．０８質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量である。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｂの質量比（成分Ｂの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、０．００１以上がより好ましく、０．００２以上が更に好ましく、０．００３以上が更に好ましく、０．００４以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．０２以下が好ましく、０．０１５以下がより好ましく、０．０１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の質量比（成分Ｂの含有量／成分Ａの含有量）は、０．００１以上０．０２以下が好ましく、０．００２以上０．０１５以下がより好ましく、０．００３以上０．０１以下が更に好ましく、０．００４以上０．０１以下が更に好ましい。
［酸（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ｃとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。中でも、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、無機酸及び有機ホスホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましい。無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、リン酸がより好ましい。有機ホスホン酸としては、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属としては、周期表の１～１１族に属する金属が挙げられる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｃの質量比Ｃ／Ａ（成分Ｃの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねり低減の観点から、０．００２以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０８以上が更に好ましく、０．２以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．６以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の質量比Ｃ／Ａは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０２以上０．８以下がより好ましく、０．０８以上０．６以下が更に好ましく、０．２以上０．６以下が更に好ましい。
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
［酸化剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねりの更なる低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねりの更なる低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ｄとしては、研磨速度の確保、並びにスクラッチ及びうねりの更なる低減の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。
本開示の研磨液組成物が成分Ｄを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度確保、並びにスクラッチ及びうねりの更なる低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．５質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せである場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物及び脂環式アミン化合物から選ばれる少なくとも１種をさらに含有することができる。これら各成分について以下に説明する。
［複素環芳香族化合物（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ｅとしては、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下が更に好ましく、３個以上５個以下が更に好ましく、３又は４個が更に好ましい。
成分Ｅとしては、一又は複数の実施形態において、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、及びこれらのアルキル置換体若しくはアミン置換体から選ばれる少なくとも１種が好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の低級アルキル基が挙げられ、一又は複数の実施形態において、メチル基、エチル基が挙げられる。前記アミン置換体としては、一又は複数の実施形態において、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾールが挙げられる。
これらの中でも、スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｅとしては、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾールがより好ましく、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が更に好ましい。
これらの中でも、スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｅとしては、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾールがより好ましく、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物が成分Ｅを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．０２質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
前記脂肪族アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＡ）が更に好ましい。
前記脂環式アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、１－アミノ－４－メチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）がより好ましい。
本開示の研磨液組成物が成分Ｆを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましくは、０．０２質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の組合せである場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ｂ以外の高分子化合物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ｂ以外の高分子化合物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。
［研磨液組成物中の成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの含有量］
本開示の研磨液組成物中の成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びに、スクラッチ及びうねり低減の観点から、成分Ａの含有量が、ＳｉＯ2換算で、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、更に好ましくは３質量％以上、そして、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下であり、且つ、成分Ｂの含有量が、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、更に好ましくは０．００８質量％以上、そして、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０９質量％以下、更に好ましくは０．０８質量％以下であり、且つ、成分Ｃの含有量が、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、更に好ましくは１質量％以上、そして、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、更に好ましくは３質量％以下である。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保、並びに、スクラッチ及びうねり低減の観点から、成分Ａの含有量が、ＳｉＯ2換算で、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、更に好ましくは３質量％以上、そして、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下であり、且つ、成分Ｂの含有量が、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、更に好ましくは０．００８質量％以上、そして、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０９質量％以下、更に好ましくは０．０８質量％以下であり、且つ、成分Ｃの含有量が、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、更に好ましくは１質量％以上、そして、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、更に好ましくは３質量％以下である。
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の確保及びスクラッチの更なる低減の観点から、３以下であって、２．５以下が好ましく、２以下がより好ましく、２未満が更に好ましく、１．９以下が更に好ましく、１．８以下が更に好ましく、１．７以下が更に好ましく、１．６以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１．２以上が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．５以上３以下が好ましく、０．５以上２．５以下がより好ましく、０．５以上２以下が更に好ましく、０．８以上１．９以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の確保及びスクラッチの更なる低減の観点から、３以下であって、２．５以下が好ましく、２以下がより好ましく、２未満が更に好ましく、１．９以下が更に好ましく、１．８以下が更に好ましく、１．７以下が更に好ましく、１．６以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１．２以上が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．５以上３以下が好ましく、０．５以上２．５以下がより好ましく、０．５以上２以下が更に好ましく、０．８以上１．９以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類のシリカ粒子からなる場合、複数種類のシリカ粒子は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の化合物からなる場合、複数種類の化合物は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及びその他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類のシリカ粒子からなる場合、複数種類のシリカ粒子は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の化合物からなる場合、複数種類の化合物は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。
本開示における研磨液組成物中の各成分の含有量は、一又は複数の実施形態において、各成分の配合量とみなすことができる。
本開示における研磨液組成物中の各成分の含有量は、一又は複数の実施形態において、各成分の配合量とみなすことができる。
本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０～１００倍とすることができる。
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含むシリカ分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ～Ｆ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減できる研磨液組成物が得られうる。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含むシリカ分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ～Ｆ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりを低減できる研磨液組成物が得られうる。
［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ－Ｐメッキ処理したものをいう。
被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２～９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．４～２ｍｍ程度である。
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができ、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度の確保の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、スクラッチ及びうねり低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。本開示の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における本開示の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ及びうねり低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５ｍＬ／分以上１５ｍＬ／分以下であり、より好ましくは０．０６ｍＬ／分以上１０ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上１ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下である。
本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。
本開示の基板製造方法によれば、本開示における研磨液組成物を用いることで、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本開示の研磨方法における、研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチ及びうねりが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本開示の研磨方法における、研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
１．化合物Ｂ１～Ｂ６
表１に示す化合物Ｂ１～Ｂ６には、以下のものを用いた。
Ｂ１：下記のようにして合成した、末端に疎水性基を有するマレイン酸系重合体（Ｉ）［末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有するマレイン酸／無水マレイン酸共重合体、重量平均分子量：７００］（式（Ｉ）中、Ｒ1＝水素原子、Ｒ2＝キシレン基（メチルベンジル基）、ｍ及びｎは後述する「３．各パラメータの測定」の「（４）平均付加モル数ｍ、ｎ、ｋ、ｌ、及びモル比の測定」に示す通りである。）
Ｂ２：下記のようにして合成した、末端に疎水性基を有するマレイン酸系重合体（ＩＩ）［末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有するマレイン酸／マレイン酸ジエチル共重合体、重量平均分子量：７００］（式（ＩＩ）中、Ｒ3＝水素原子、Ｒ4＝キシレン基（メチルベンジル基）、Ｒ5＝エチル基、Ｒ6＝エチル基、ｋ及びｌは後述する「３．各パラメータの測定」の「（４）平均付加モル数ｍ、ｎ、ｋ、ｌ、及びモル比の測定」に示す通りである。）
Ｂ３：ポリアクリル酸［花王株式会社製、重量平均分子量：３０，０００］
Ｂ４：アクリル酸／マレイン酸共重合体（モル比：８３／１７）［花王社製、商品名：カオーセラ２１１０、重量平均分子量：２４，０００］
Ｂ５：スチレンスルホン酸／マレイン酸共重合体（モル比：５０／５０）［アクゾノーベル社製、商品名：ＹＥ－９２０、重量平均分子量：２０，０００］
Ｂ６：マレイン酸／イソブチレン共重合体（モル比５０／５０）［クラレ社製、商品名：イソバン１０４、重量平均分子量：６０，０００］
表１に示す化合物Ｂ１～Ｂ６には、以下のものを用いた。
Ｂ１：下記のようにして合成した、末端に疎水性基を有するマレイン酸系重合体（Ｉ）［末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有するマレイン酸／無水マレイン酸共重合体、重量平均分子量：７００］（式（Ｉ）中、Ｒ1＝水素原子、Ｒ2＝キシレン基（メチルベンジル基）、ｍ及びｎは後述する「３．各パラメータの測定」の「（４）平均付加モル数ｍ、ｎ、ｋ、ｌ、及びモル比の測定」に示す通りである。）
Ｂ２：下記のようにして合成した、末端に疎水性基を有するマレイン酸系重合体（ＩＩ）［末端にキシレン基（メチルベンジル基）を有するマレイン酸／マレイン酸ジエチル共重合体、重量平均分子量：７００］（式（ＩＩ）中、Ｒ3＝水素原子、Ｒ4＝キシレン基（メチルベンジル基）、Ｒ5＝エチル基、Ｒ6＝エチル基、ｋ及びｌは後述する「３．各パラメータの測定」の「（４）平均付加モル数ｍ、ｎ、ｋ、ｌ、及びモル比の測定」に示す通りである。）
Ｂ３：ポリアクリル酸［花王株式会社製、重量平均分子量：３０，０００］
Ｂ４：アクリル酸／マレイン酸共重合体（モル比：８３／１７）［花王社製、商品名：カオーセラ２１１０、重量平均分子量：２４，０００］
Ｂ５：スチレンスルホン酸／マレイン酸共重合体（モル比：５０／５０）［アクゾノーベル社製、商品名：ＹＥ－９２０、重量平均分子量：２０，０００］
Ｂ６：マレイン酸／イソブチレン共重合体（モル比５０／５０）［クラレ社製、商品名：イソバン１０４、重量平均分子量：６０，０００］
＜成分Ｂ１の合成例＞
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、５０ｍＬの容量の滴下ろうと、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、を接続した３００ｍＬの容量の３つ口ガラスフラスコに無水マレイン酸（東京化成工業株式会社製、３０ｇ）、キシレン（富士フィルム和光純薬株式会社製、試薬一級、１００ｇ）を加え、オイルバスを用いて１００度に昇温し溶解させる。次に過酸化ベンゾイル（東京化成工業株式会社製、５ｇ）をキシレン（２０ｇ）に溶解させ、上記の滴下漏斗に加える。窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、上記の滴下漏斗から過酸化ベンゾイル／キシレンを６０分かけて均一な速度で滴下する。滴下後、１００℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却する。ポリマーが沈殿物として得られるため、沈殿物を取り出し、水１００ｇを加え溶解させる。次にエバポレーターを用いてキシレンを減圧除去することで、成分Ｂ１を得た。
＜成分Ｂ２の合成例＞
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、５０ｍＬの容量の滴下ろうと、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、を接続した３００ｍＬの容量の3つ口ガラスフラスコに無水マレイン酸（東京化成工業株式会社製、３０ｇ）、マレイン酸ジエチル（東京化成工業株式会社製、２ｇ）、キシレン（富士フィルム和光純薬株式会社製、試薬一級、１００ｇ）を加え、オイルバスを用いて１００℃に昇温し溶解させる。次に過酸化ベンゾイル（東京化成工業株式会社製、５ｇ）をキシレン（２０ｇ）に溶解させ、上記の滴下漏斗に加える。窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、上記の滴下漏斗から過酸化ベンゾイル/キシレンを６０分かけて均一な速度で滴下する。滴下後、１００℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却する。ポリマーが沈殿物として得られるため、沈殿物を取り出し、水１００ｇを加え溶解させる。次にエバポレーターを用いてキシレンを減圧除去することで、成分Ｂ２を得た。
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、５０ｍＬの容量の滴下ろうと、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、を接続した３００ｍＬの容量の３つ口ガラスフラスコに無水マレイン酸（東京化成工業株式会社製、３０ｇ）、キシレン（富士フィルム和光純薬株式会社製、試薬一級、１００ｇ）を加え、オイルバスを用いて１００度に昇温し溶解させる。次に過酸化ベンゾイル（東京化成工業株式会社製、５ｇ）をキシレン（２０ｇ）に溶解させ、上記の滴下漏斗に加える。窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、上記の滴下漏斗から過酸化ベンゾイル／キシレンを６０分かけて均一な速度で滴下する。滴下後、１００℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却する。ポリマーが沈殿物として得られるため、沈殿物を取り出し、水１００ｇを加え溶解させる。次にエバポレーターを用いてキシレンを減圧除去することで、成分Ｂ１を得た。
＜成分Ｂ２の合成例＞
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、５０ｍＬの容量の滴下ろうと、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、を接続した３００ｍＬの容量の3つ口ガラスフラスコに無水マレイン酸（東京化成工業株式会社製、３０ｇ）、マレイン酸ジエチル（東京化成工業株式会社製、２ｇ）、キシレン（富士フィルム和光純薬株式会社製、試薬一級、１００ｇ）を加え、オイルバスを用いて１００℃に昇温し溶解させる。次に過酸化ベンゾイル（東京化成工業株式会社製、５ｇ）をキシレン（２０ｇ）に溶解させ、上記の滴下漏斗に加える。窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、上記の滴下漏斗から過酸化ベンゾイル/キシレンを６０分かけて均一な速度で滴下する。滴下後、１００℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却する。ポリマーが沈殿物として得られるため、沈殿物を取り出し、水１００ｇを加え溶解させる。次にエバポレーターを用いてキシレンを減圧除去することで、成分Ｂ２を得た。
２．研磨液組成物の調製（実施例１～６、実施例１０～１５、比較例１～５）
（実施例１～６、実施例１０～１５、比較例１～５の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ又は非成分Ｂ（表１に示す化合物Ｂ１～Ｂ６）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１～６、実施例１０～１５及び比較例１～５の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ、及び成分Ｄを除いた残余である。
（実施例７～９、実施例１６～１８の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ（表１に示す化合物Ｂ１、Ｂ２）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、添加剤（成分Ｅ：ＢＴＡ、成分Ｆ：ＨＥＰ、その他の成分：ＢｉｓＳ／ＰｈＳ）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例７～９及び実施例１６～１８の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、及び添加剤（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）を除いた残余である。
（実施例１～６、実施例１０～１５、比較例１～５の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ又は非成分Ｂ（表１に示す化合物Ｂ１～Ｂ６）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１～６、実施例１０～１５及び比較例１～５の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ、及び成分Ｄを除いた残余である。
（実施例７～９、実施例１６～１８の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ（表１に示す化合物Ｂ１、Ｂ２）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、添加剤（成分Ｅ：ＢＴＡ、成分Ｆ：ＨＥＰ、その他の成分：ＢｉｓＳ／ＰｈＳ）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例７～９及び実施例１６～１８の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、及び添加剤（成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）を除いた残余である。
各研磨液組成物の調製において、成分Ｃ及び添加剤（成分Ｄ～成分Ｆ及びその他の成分）には以下のものを使用した。
リン酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素水［濃度３５質量％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＢＴＡ［１，２，３－ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］（成分Ｅ）
ＨＥＰ［Ｎ－ヒドロキシエチルピペラジン、和光純薬工業社製］（成分Ｆ）
ＢｉｓＳ／ＰｈＳ［ビスフェノールＳ／フェノールスルホン酸ホルマリン縮合物、小西化学社製、比率：２０／８０、重量平均分子量：５，０００］（その他の成分）
リン酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素水［濃度３５質量％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＢＴＡ［１，２，３－ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］（成分Ｅ）
ＨＥＰ［Ｎ－ヒドロキシエチルピペラジン、和光純薬工業社製］（成分Ｆ）
ＢｉｓＳ／ＰｈＳ［ビスフェノールＳ／フェノールスルホン酸ホルマリン縮合物、小西化学社製、比率：２０／８０、重量平均分子量：５，０００］（その他の成分）
３．各パラメータの測定
（１）コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）と、成分Ｃ（リン酸）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した。標準試料中における成分Ａ及び成分Ｃの含有量はそれぞれ、１質量％、２質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製DLS-6500）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。結果を表２に示す。
（１）コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）と、成分Ｃ（リン酸）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した。標準試料中における成分Ａ及び成分Ｃの含有量はそれぞれ、１質量％、２質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製DLS-6500）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。結果を表２に示す。
（２）化合物（成分Ｂ及び非成分Ｂ）の重量平均分子量
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。結果を表１及び表２に示す。
＜測定条件＞
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ+ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。結果を表１及び表２に示す。
＜測定条件＞
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ+ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
（３）ｐＨの測定
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表２に示す。
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表２に示す。
（４）平均付加モル数ｍ、ｎ、ｋ、ｌ及びモル比の測定
［成分Ｂ１の平均付加モル数ｍ、ｎ及びモル比の測定］
測定試料（成分Ｂ１）２０ｍｇをメタノール１０ｍＬに溶解させ、下記条件のもと液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣ／ＭＳ）による測定を行った。測定の結果、成分Ｂ１は、式（Ｉ）においてｍ＝３、ｎ＝１の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝４、ｎ＝０の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝５、ｎ＝０の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝６、ｎ＝０の化合物との混合物であった。それぞれのピーク強度から成分Ｂ１のｍ、ｎの含有比率を計算すると、成分Ｂ１における、平均付加モル数がｍである繰り返し単位の含有比率は９８．５モル％、平均付加モル数がｎである繰り返し単位の含有比率は１．５モル％だった。
［成分Ｂ２の平均付加モル数ｋ、ｌ及びモル比の測定］
測定試料（成分Ｂ２）２０ｍｇをメタノール１０ｍＬに溶解させ、下記条件のもと液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣ／ＭＳ）による測定を行った。測定の結果、成分Ｂ２は、式（ＩＩ）においてｋ＝３、ｌ＝１の化合物と、式（ＩＩ）においてｋ＝４、ｌ＝１の化合物と、式（ＩＩ）においてｋ＝５、ｌ＝１の化合物との混合物であった。それぞれのピーク強度から成分Ｂ２のｋ、ｌの含有比率を計算すると、成分Ｂ２における、平均付加モル数がｋである繰り返し単位の含有比率は９６モル％、平均付加モル数がｌである繰り返し単位の含有比率は４モル％だった。
＜分析条件＞
装置： Ｔｈｅｒｍｏ 社製Ｑ－Ｅｘａｃｔｉｖｅ
カラム： Ｌ－ｃｏｌｕｍｎ２ ＯＤＳ(２．１ × １５０ ｍｍ)
Ａ： １０ ｍＭ 酢酸アンモニウム水溶液
Ｂ： １０ ｍＭ 酢酸アンモニウムメタノール溶液
オーブン温度： ４０℃
注入量： ５ μＬ
流量：０．２ ｍＬ／ｍｉｎ
Ｂ％(ｍｉｎ)： ５(０)－５(３)－１００(１５)－１００(２０)－５(２０．１)－５(３０)
検出器：ＭＳ(ＥＳＩ) ｐｏｓｉｔｉｖｅ, ｎｅｇａｔｉｖｅ
スキャン範囲: ｍ／ｚ ５００－１０００
［成分Ｂ１の平均付加モル数ｍ、ｎ及びモル比の測定］
測定試料（成分Ｂ１）２０ｍｇをメタノール１０ｍＬに溶解させ、下記条件のもと液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣ／ＭＳ）による測定を行った。測定の結果、成分Ｂ１は、式（Ｉ）においてｍ＝３、ｎ＝１の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝４、ｎ＝０の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝５、ｎ＝０の化合物と、式（Ｉ）においてｍ＝６、ｎ＝０の化合物との混合物であった。それぞれのピーク強度から成分Ｂ１のｍ、ｎの含有比率を計算すると、成分Ｂ１における、平均付加モル数がｍである繰り返し単位の含有比率は９８．５モル％、平均付加モル数がｎである繰り返し単位の含有比率は１．５モル％だった。
［成分Ｂ２の平均付加モル数ｋ、ｌ及びモル比の測定］
測定試料（成分Ｂ２）２０ｍｇをメタノール１０ｍＬに溶解させ、下記条件のもと液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣ／ＭＳ）による測定を行った。測定の結果、成分Ｂ２は、式（ＩＩ）においてｋ＝３、ｌ＝１の化合物と、式（ＩＩ）においてｋ＝４、ｌ＝１の化合物と、式（ＩＩ）においてｋ＝５、ｌ＝１の化合物との混合物であった。それぞれのピーク強度から成分Ｂ２のｋ、ｌの含有比率を計算すると、成分Ｂ２における、平均付加モル数がｋである繰り返し単位の含有比率は９６モル％、平均付加モル数がｌである繰り返し単位の含有比率は４モル％だった。
＜分析条件＞
装置： Ｔｈｅｒｍｏ 社製Ｑ－Ｅｘａｃｔｉｖｅ
カラム： Ｌ－ｃｏｌｕｍｎ２ ＯＤＳ(２．１ × １５０ ｍｍ)
Ａ： １０ ｍＭ 酢酸アンモニウム水溶液
Ｂ： １０ ｍＭ 酢酸アンモニウムメタノール溶液
オーブン温度： ４０℃
注入量： ５ μＬ
流量：０．２ ｍＬ／ｍｉｎ
Ｂ％(ｍｉｎ)： ５(０)－５(３)－１００(１５)－１００(２０)－５(２０．１)－５(３０)
検出器：ＭＳ(ＥＳＩ) ｐｏｓｉｔｉｖｅ, ｎｅｇａｔｉｖｅ
スキャン範囲: ｍ／ｚ ５００－１０００
４．研磨方法
前記のように調製した実施例１～１８及び比較例１～５の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表２に示す。
前記のように調製した実施例１～１８及び比較例１～５の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表２に示す。
［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．８ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。Ｎｉ－Ｐメッキ中におけるＮｉとＰの比率は質量比で８８：１２であった。
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．８ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。Ｎｉ－Ｐメッキ中におけるＮｉとＰの比率は質量比で８８：１２であった。
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
５．評価
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）－ 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）－ 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
［スクラッチの評価］
測定機器：ＫＬＡ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
測定機器：ＫＬＡ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
［超短波長及び短波長うねりの評価］
研磨後の１０枚の基板から任意に３枚の基板を選択し、選択した各基板の両面を任意の
４点（計２４点）について、下記の条件で測定した。その２４点の測定値の平均値を基板
の超短波長うねり及び短波長うねりとして算出した。そして、比較例１を１００とした相対値を表２に示した。
＜測定条件＞
測定機：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ７３００（Ｚｙｇｏ社製）
レンズ：２．５倍
ズーム：０．５倍
超短波長領域：６０～１６０μｍ
短波長領域：５０～５００μｍ
解析ソフト：Ｚｙｇｏ Ｍｅｔｒｏ Ｐｒｏ（Ｚｙｇｏ社製）
研磨後の１０枚の基板から任意に３枚の基板を選択し、選択した各基板の両面を任意の
４点（計２４点）について、下記の条件で測定した。その２４点の測定値の平均値を基板
の超短波長うねり及び短波長うねりとして算出した。そして、比較例１を１００とした相対値を表２に示した。
＜測定条件＞
測定機：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ７３００（Ｚｙｇｏ社製）
レンズ：２．５倍
ズーム：０．５倍
超短波長領域：６０～１６０μｍ
短波長領域：５０～５００μｍ
解析ソフト：Ｚｙｇｏ Ｍｅｔｒｏ Ｐｒｏ（Ｚｙｇｏ社製）
［溶解性の評価］
富士フィルム和光純薬株式会社製のニッケル標準液（Ｎｉ１０００）をイオン交換水で希釈することによって、ニッケルの濃度を１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍとしたニッケル水溶液を調製し、下記の分析条件で測定を行うことで検量線を作成した。
次に成分Ｂ ０．１質量％、過酸化水素０．５質量％、リン酸２．０質量％を含む水溶液Ｉ（ｐＨ１．６、残部はイオン交換水）１００ｇに対して実施例に記載の被研磨基板（表面積は１３１．９ｃｍ2）1枚を２５℃、常圧で１２０分間、前記基板全体に均一に液が接触するようにして撹拌せずに開放系で静置浸漬した。１２０分経過後、前記基板を取り出し、残った水溶液Ｉに含まれるニッケルの量を下記の分析条件で測定し、作成した検量線を用いて補正を行うことで水溶液Ｉ中のニッケル濃度を測定した。得られたニッケル濃度と水溶液Ｉの質量から、水溶液Ｉ中のニッケル溶解量（ｎｇ）を算出し、これをＳ(ｎｇ)とした。
また、過酸化水素０．５質量％、リン酸２．０質量％を含む水溶液ＩＩ（ｐＨ１．６、残部はイオン交換水）１００ｇに対して上記と同様の条件で実験を行い、水溶液ＩＩ中のニッケル溶解量（ｎｇ）を算出し、これをＳ0(ｎｇ)とした。
そして、ニッケル溶解促進定数Ｋを下記式から算出し、比較例１を１００とした相対値を表２に記載した。
Ｋ＝Ｓ／Ｓ0×１００
＜分析条件＞
装置：ＩＣＰ－ＯＥＳ ５１１０(Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ)
リードタイム：５ｓ
補助ガス：１．０ Ｌ／ｍｉｎ
ＲＦパワー：１．２ ｋＷ
ネブライザー流量：０．７ Ｌ／ｍｉｎ
安定化時間：１５ｓ
プラズマ流量：１２．０ Ｌ／ｍｉｎ
観測モード：アキシャル
観測元素：Ｎｉ
観測波長：２３１．６０４ｎｍ
富士フィルム和光純薬株式会社製のニッケル標準液（Ｎｉ１０００）をイオン交換水で希釈することによって、ニッケルの濃度を１０ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍとしたニッケル水溶液を調製し、下記の分析条件で測定を行うことで検量線を作成した。
次に成分Ｂ ０．１質量％、過酸化水素０．５質量％、リン酸２．０質量％を含む水溶液Ｉ（ｐＨ１．６、残部はイオン交換水）１００ｇに対して実施例に記載の被研磨基板（表面積は１３１．９ｃｍ2）1枚を２５℃、常圧で１２０分間、前記基板全体に均一に液が接触するようにして撹拌せずに開放系で静置浸漬した。１２０分経過後、前記基板を取り出し、残った水溶液Ｉに含まれるニッケルの量を下記の分析条件で測定し、作成した検量線を用いて補正を行うことで水溶液Ｉ中のニッケル濃度を測定した。得られたニッケル濃度と水溶液Ｉの質量から、水溶液Ｉ中のニッケル溶解量（ｎｇ）を算出し、これをＳ(ｎｇ)とした。
また、過酸化水素０．５質量％、リン酸２．０質量％を含む水溶液ＩＩ（ｐＨ１．６、残部はイオン交換水）１００ｇに対して上記と同様の条件で実験を行い、水溶液ＩＩ中のニッケル溶解量（ｎｇ）を算出し、これをＳ0(ｎｇ)とした。
そして、ニッケル溶解促進定数Ｋを下記式から算出し、比較例１を１００とした相対値を表２に記載した。
Ｋ＝Ｓ／Ｓ0×１００
＜分析条件＞
装置：ＩＣＰ－ＯＥＳ ５１１０(Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ)
リードタイム：５ｓ
補助ガス：１．０ Ｌ／ｍｉｎ
ＲＦパワー：１．２ ｋＷ
ネブライザー流量：０．７ Ｌ／ｍｉｎ
安定化時間：１５ｓ
プラズマ流量：１２．０ Ｌ／ｍｉｎ
観測モード：アキシャル
観測元素：Ｎｉ
観測波長：２３１．６０４ｎｍ
上記表２に示すとおり、実施例１～１８の研磨液組成物は、比較例１～５の研磨液組成物に比べて、研磨速度を確保しつつ、スクラッチ及びうねりが効果的に低減されていた。
本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。
Claims (10)
- シリカ粒子（成分Ａ）と、化合物（成分Ｂ）と、酸（成分Ｃ）と、水系媒体と、を含有し、
成分Ｂは、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表される化合物であり、
ｐＨが３以下である、研磨液組成物。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子又は芳香環含有炭化水素基であり、ｋ及びｌは０～２０であり、ｋ＋ｌ＝１～２０の関係を満たす。但し、Ｒ3及びＲ4は同時に水素原子とはならない。Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基である。但し、Ｒ5及びＲ6は同時に水素原子とはならない。 - 成分Ｂは、下記式（ＩＩＩ）で表されるニッケル溶解促進定数Ｋが１０５以上である、請求項１に記載の研磨液組成物。
Ｋ＝Ｓ／Ｓ0×１００ （ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）中、Ｓ0は、ニッケルを含む被研磨基板を、過酸化水素 ０．５質量％及びリン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。Ｓは、前記被研磨基板を、成分Ｂ ０．１質量％、過酸化水素 ０．５質量％及びリン酸 ２．０質量％を含む水溶液１００ｇに２５℃で１２０分間浸漬したときの該水溶液中のニッケル溶解量（ｎｇ）を示す。 - 成分Ｂの重量平均分子量は２００以上２，０００以下である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
- 成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上０．１質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 成分Ａの動的光散乱法により測定される散乱強度分布に基づく平均粒径は１００ｎｍ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 酸化剤をさらに含有する、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物及び脂環式アミン化合物から選ばれる少なくとも１種をさらに含有する、請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 前記研磨液組成物が磁気ディスク基板用研磨液組成物である、請求項１から７のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項１から８のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項１から８のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020171482 | 2020-10-09 | ||
| JP2020171482 | 2020-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022063246A JP2022063246A (ja) | 2022-04-21 |
| JP7324817B2 true JP7324817B2 (ja) | 2023-08-10 |
Family
ID=81126960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021164712A Active JP7324817B2 (ja) | 2020-10-09 | 2021-10-06 | 研磨液組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7324817B2 (ja) |
| TW (1) | TW202227584A (ja) |
| WO (1) | WO2022075413A1 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003193037A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009131947A (ja) | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2012028516A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| WO2013137220A1 (ja) | 2012-03-14 | 2013-09-19 | 日立化成株式会社 | 研磨方法 |
| WO2017169808A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2019167404A (ja) | 2018-03-22 | 2019-10-03 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用組成物及び回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190109450A (ko) * | 2017-02-28 | 2019-09-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 연마액, 연마액의 제조 방법, 연마액 원액, 연마액 원액 수용체, 화학적 기계적 연마 방법 |
-
2021
- 2021-10-06 JP JP2021164712A patent/JP7324817B2/ja active Active
- 2021-10-07 WO PCT/JP2021/037168 patent/WO2022075413A1/ja active Application Filing
- 2021-10-08 TW TW110137495A patent/TW202227584A/zh unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003193037A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009131947A (ja) | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2012028516A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| WO2013137220A1 (ja) | 2012-03-14 | 2013-09-19 | 日立化成株式会社 | 研磨方法 |
| WO2017169808A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2019167404A (ja) | 2018-03-22 | 2019-10-03 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用組成物及び回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202227584A (zh) | 2022-07-16 |
| WO2022075413A1 (ja) | 2022-04-14 |
| JP2022063246A (ja) | 2022-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI509039B (zh) | 研磨液組合物 | |
| TWI479015B (zh) | The abrasive composition | |
| JP6148858B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6251033B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2006306924A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6116888B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6425303B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP7324817B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP4286168B2 (ja) | ナノスクラッチを低減する方法 | |
| JP6935140B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2007301721A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP7083680B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6243713B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6316680B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP7396868B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6925958B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP7138477B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6168657B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6173876B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2024043189A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2024073235A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6910940B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2022077841A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2022062618A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2022124318A (ja) | 磁気ディスク用シリカ分散液の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230405 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230703 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230706 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230731 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7324817 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |