JP7083680B2 - 研磨液組成物 - Google Patents
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Description
本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
このような要求に対して、例えば、特許文献１には、シリカ粒子と、複素環芳香族化合物と、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有する重合体と、酸とを含有し、複素環芳香族化合物は、複素環内に窒素原子を２個以上含む、磁気ディスク基板用研磨液組成物が開示されている。
特許文献２には、カルボン酸基、カルボン酸基の塩、スルホン酸基及びスルホン酸基の塩の少なくとも１つが主鎖に結合している水溶性ポリマーと、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカとを含有する酸性の研磨液を用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が開示されている。
特許文献３には、研磨材、水性媒体、界面活性剤、及び疎水性界面活性化合物を含む研磨液組成物が開示されている。
特許文献４には、半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、オクタノール／水分配係数の対数値（ＬｏｇＰ）が－０．８５以下である有機酸、並びにＬｏｇＰが１以上である１，２，３－トリアゾール誘導体を含有する金属用研磨液が開示されている。
特許文献５には、窒素分子及びイオン分子の少なくとも一方を含む化合物を含有し、該化合物が被研磨層の研磨摩擦、エッチング速度、研磨速度及び面内均一性のうちの少なくとも一つを制御する研磨液が開示されている。
特許文献２には、カルボン酸基、カルボン酸基の塩、スルホン酸基及びスルホン酸基の塩の少なくとも１つが主鎖に結合している水溶性ポリマーと、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカとを含有する酸性の研磨液を用いて円形ガラス板の主表面を研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が開示されている。
特許文献３には、研磨材、水性媒体、界面活性剤、及び疎水性界面活性化合物を含む研磨液組成物が開示されている。
特許文献４には、半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、オクタノール／水分配係数の対数値（ＬｏｇＰ）が－０．８５以下である有機酸、並びにＬｏｇＰが１以上である１，２，３－トリアゾール誘導体を含有する金属用研磨液が開示されている。
特許文献５には、窒素分子及びイオン分子の少なくとも一方を含む化合物を含有し、該化合物が被研磨層の研磨摩擦、エッチング速度、研磨速度及び面内均一性のうちの少なくとも一つを制御する研磨液が開示されている。
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。
そこで、本開示は、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる、研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。
本開示は、一態様において、研磨材（成分Ａ）、重量平均分子量が５０００以下であるウレタン軟質化剤（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、及び水系媒体を含有する研磨液組成物に関する。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物と、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドとを用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、基板の製造方法に関する。
本開示は、その他の態様において、本開示の記載の研磨液組成物と、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドとを用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法に関する。
本開示の研磨組成物によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという効果が奏されうる。
本開示は、所定のウレタン軟質化剤を含有する研磨液組成物を、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドを用いた研磨に使用すれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。
すなわち、本開示は、一態様において、研磨材（成分Ａ）、重量平均分子量が５０００以下であるウレタン軟質化剤（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、及び水系媒体を含有する研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
本開示の効果発現のメカニズムは明らかではないが、以下のように推察される。
本開示の研磨液組成物中のウレタン軟質化剤によって、研磨パッドの表面部材に含まれるウレタン樹脂が軟質化され、研磨パッドによる粗大粒子の押し込み応力が緩和され、スクラッチ低減に寄与すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示の研磨液組成物中のウレタン軟質化剤によって、研磨パッドの表面部材に含まれるウレタン樹脂が軟質化され、研磨パッドによる粗大粒子の押し込み応力が緩和され、スクラッチ低減に寄与すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示において、基板表面のスクラッチは、例えば、光学式欠陥検査装置により検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。スクラッチ数は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。
［研磨材（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物に含まれる研磨材（以下、「成分Ａ」ともいう）としては、研磨用に一般的に使用されている研磨材を使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。成分Ａの具体例としては、酸化珪素（以下、シリカという）、酸化アルミニウム（以下、アルミナという）、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム（以下、セリアという）、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの１種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、成分Ａとしては、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる研磨材（以下、「成分Ａ」ともいう）としては、研磨用に一般的に使用されている研磨材を使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。成分Ａの具体例としては、酸化珪素（以下、シリカという）、酸化アルミニウム（以下、アルミナという）、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム（以下、セリアという）、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの１種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、成分Ａとしては、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
成分Ａの平均粒径は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの平均粒径は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、「研磨材の平均粒径」とは、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいう。研磨材の平均粒径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量は、研磨速度を向上させる観点から、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。さらに、成分Ａの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の研磨材の組合せである場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。
［ウレタン軟質化剤（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物に含まれるウレタン軟質化剤（成分Ｂ）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、重量平均分子量が５０００以下のウレタン軟質化剤である。成分Ｂは単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれるウレタン軟質化剤（成分Ｂ）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、重量平均分子量が５０００以下のウレタン軟質化剤である。成分Ｂは単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
本開示において、ウレタン軟質化剤とは、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドの表面部材を軟質化させる化合物をいう。一又は複数の実施形態において、成分Ｂによる研磨パッドの軟化率は、スクラッチ低減の観点から、１０％以上であることが好ましく、１３％以上がより好ましく、１５％以上が更に好ましく、そして、研磨パッドの耐久性と研磨速度の確保の観点から、６０％以下が好ましく、５０％以下がより好ましく、４０％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂによる研磨パッドの軟化率は、１０％以上６０％以下が好ましく、１３％以上５０％以下がより好ましく、１５％以上４０％以下が更に好ましい。本開示において、研磨パッドの軟化率は、研磨液組成物中の成分Ｂの濃度と同じ濃度の成分Ｂを含む成分Ｂ水溶液に浸漬させる前の研磨パッドの貯蔵弾性率の値に対する、前記成分Ｂ水溶液に浸漬させる前の研磨パッドの貯蔵弾性率から前記成分Ｂ水溶液に浸漬させた後の研磨パッドの貯蔵弾性率をひいた値の割合であり、具体的には、実施例に記載の方法により算出できる。
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、５０００以下であって、３０００以下が好ましく、１０００以下がより好ましく、８００以下が更に好ましく、６５０以下がより更に好ましく、５００以下がより更に好ましく、そして、同様の観点から、１００以上が好ましく、１５０以上がより好ましく、２００以上が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの重量平均分子量は、１００以上５０００以下が好ましく、１００以上３０００以下がより好ましく、１００以上１０００以下が更に好ましく、１５０以上８００以下がより更に好ましく、２００以上６５０以下がより更に好ましい。本開示において、成分Ｂの重量平均分子量は、例えば、ガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣ－ＭＳ）を用いて算出できる。ＧＣ－ＭＳの測定条件の一例を以下に示す。
＜ＧＣ－ＭＳによる測定条件の一例＞
使用カラム：ＤＢ－５ｍｓ（アジレントテクノロジー社）６０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚１μｍ
カラム温度：４０℃（１０分）－１０℃／分―２００℃
注入口温度：２００℃
インターフェイス温度：２３０℃
キャリアガス：Ｈｅ １．０ｍＬ／分
スプリット比：２０：１
測定方法：走査法 ｍ／Ｚ＝１０～１０００
＜ＧＣ－ＭＳによる測定条件の一例＞
使用カラム：ＤＢ－５ｍｓ（アジレントテクノロジー社）６０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚１μｍ
カラム温度：４０℃（１０分）－１０℃／分―２００℃
注入口温度：２００℃
インターフェイス温度：２３０℃
キャリアガス：Ｈｅ １．０ｍＬ／分
スプリット比：２０：１
測定方法：走査法 ｍ／Ｚ＝１０～１０００
成分ＢのＬｏｇＰ値は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、２以上が好ましく、２．２以上がより好ましく、２．４以上が更に好ましく、そして、成分Ｂの水への溶解性確保の観点から５未満が好ましく、４．９以下がより好ましく、４．８以下が更に好ましい。より具体的には、成分ＢのＬｏｇＰ値は、２以上５未満が好ましく、２．２以上４．９以下がより好ましく、２．４以上４．８以下が更に好ましい。本開示において、ＬｏｇＰとは、化学物質の１－オクタノール／水分配係数である。ＬｏｇＰ値は、例えば、ＬｏｇＫｏｗ法により計算で求めることができる。具体的には、化合物の化学構造を、その構成要素に分解し、各フラグメントの有する疎水性フラグメント定数を積算して求めることができる（Ｍｅｙｌａｎ， Ｗ．Ｍ． ａｎｄ Ｐ．Ｈ． Ｈｏｗａｒｄ． １９９５． Ａｔｏｍ／ｆｒａｇｍｅｎｔ ｃｏｎｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｅｓｔｉｍａｔｉｎｇ ｏｃｔａｎｏｌ－ｗａｔｅｒ ｐａｒｔｉｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ． Ｊ． Ｐｈａｒｍ． Ｓｃｉ． ８４： ８３－９２参照）。また、ＬｏｇＰ値は、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ ｓｏｆｔ社のＣｈｅｍ Ｄｒａｗ等のソフトウエアを用いて算出することもできる。
成分Ｂとしては、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、エステル類及びアルキルアミド類から選ばれる少なくとも１種が好ましい。エステル類としては、例えば、フタル酸エステル類、脂肪酸エステル類、多価アルコールエステル類、燐酸エステル類、トリメリット酸エステル類、ヒドロキシ安息香酸エステル類が挙げられる。アルキルアミド類としては、例えば、トルエンスルホン酸アルキルアミド類、ベンゼンスルホン酸アルキルアミド類が挙げられる。
成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、下記式（Ｉ）で表される化合物、及び、下記式（ＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
式（Ｉ）中、Ｘは、－ＳＯ3Ｒ1、－ＳＯ2ＮＨＲ1及び－ＣＯＯＲ1から選ばれる少なくとも１種を示し、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、－ＳＯ3Ｒ1及び－ＳＯ2ＮＨＲ1の少なくとも一方が好ましい。Ｒ1は、炭素数１～６のアルキル基を示し、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、炭素数１～４のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基が更に好ましい。ｎは１又は２を示す。ｎ＝２の場合、Ｘは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｒ2ＯＯＣ－（ＣＨ2）m－ＣＯＯＲ3 （ＩＩ）
ただし、式（ＩＩ）中、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に、炭素数１～６のアルキル基を示し、成分Ｂの水への溶解性の確保及びスクラッチ低減の観点から、炭素数２～６のアルキル基が好ましく、炭素数３～５のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基が更に好ましい。ｍは２～６の整数を示し、成分Ｂの水への溶解性の確保及びスクラッチ低減の観点から、ｍは３～５の整数が好ましく、４がより好ましい。Ｒ2及びＲ3は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
成分Ｂが式（Ｉ）で表される化合物である場合の具体例としては、ブチルベンゼンスルホンアミド、ブチルベンゼンスルホン酸、フタル酸ジブチル等が挙げられ、成分Ｂが式（ＩＩ）で表される化合物である場合の具体例としては、アジピン酸ジブチル等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００３質量％以上がより好ましく、０．００５質量％以上が更に好ましく、そして、成分Ｂの水への溶解性の確保の観点から、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．００３質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．００５質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｂの質量比Ｂ／Ａ（成分Ｂの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０００１以上が好ましく、０．０００５以上がより好ましく、０．００１以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．２以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０．０１以下が更に好ましい。より具体的には質量比Ｂ／Ａは、０．０００１以上０．２以下が好ましく、０．０００５以上０．０５以下がより好ましく、０．００１以上０．０１以下が更に好ましい。
［酸（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び／又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び／又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
成分Ｃとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、無機酸及び有機ホスホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、リン酸、硫酸及び１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、硫酸が更に好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期表の１～１１族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、上記の酸と、１Ａ族に属する金属又はアンモニアとの塩が好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上２質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の酸からなる場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｃの質量比Ｃ／Ａ（成分Ｃの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．００２以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０８以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１以下が好ましく、０．６以下がより好ましく、０．５以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｃ／Ａは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０２以上０．６以下がより好ましく、０．０８以上０．５以下が更に好ましい。
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
［酸化剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、さらに酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）を含有してもよい。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、ハロゲン原子を含まない酸化剤である。成分Ｄは、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、さらに酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）を含有してもよい。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、ハロゲン原子を含まない酸化剤である。成分Ｄは、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
成分Ｄとしては、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．５質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の酸化剤からなる場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［複素環芳香族化合物（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
本開示の研磨液組成物は、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
成分Ｅとしては、スクラッチ低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下が更に好ましく、３個以上５個以下が更に好ましく、３又は４個が更に好ましい。
成分Ｅの具体例としては、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、及びこれらのアルキル置換体若しくはアミン置換体が好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数１～４の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。前記アミン置換体としては１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾールが挙げられる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｅの含有量は、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の複素環芳香族化合物からなる場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチ低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。スクラッチ低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。
本開示の研磨液組成物は、スクラッチ低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。スクラッチ低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。
前記脂肪族アミン化合物としては、スクラッチ低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＡ）が更に好ましい。
前記脂環式アミン化合物としては、スクラッチ低減の観点から、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、１－アミノ－４－メチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンの少なくとも一方がより好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましくそして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｆの含有量は、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０２質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の脂肪族アミン化合物及び／又は脂環式アミン化合物からなる場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［水溶性高分子（成分Ｇ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチ低減の観点から、水溶性高分子（成分Ｇ）をさらに含有してもよい。成分Ｇは、１種単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。本開示において、「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が０．０１ｇ以上であることをいう。
本開示の研磨液組成物は、スクラッチ低減の観点から、水溶性高分子（成分Ｇ）をさらに含有してもよい。成分Ｇは、１種単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。本開示において、「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が０．０１ｇ以上であることをいう。
成分Ｇとしては、スクラッチ低減の観点から、アニオン性基を有する水溶性高分子（以下、「アニオン性水溶性高分子」ともいう）が好ましい。アニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられ、スクラッチ低減の観点から、カルボン酸基及び／又はスルホン酸基を有するものが好ましい。これらのアニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。
成分Ｇとしては、スクラッチ低減の観点から、（メタ）アクリル酸由来の構成単位とスルホン酸基含有単量体由来の構成単位とを含む共重合体（以下、「（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体」ともいう。）が好ましい。（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体としては、スクラッチ低減の観点から、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体が挙げられ、これらの中でも、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体が好ましい。本開示において、（メタ）アクリル酸とは、メタクリル酸又はアクリル酸を意味する。
アニオン性基を有する水溶性高分子の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等のイオンが挙げられる。
成分Ｇの重量平均分子量は、スクラッチ低減の観点から、１，０００を超えるものが好ましく、１，５００以上がより好ましく、そして、同様の観点から、１０万以下が好ましく、３万以下がより好ましく、１万以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｇの重量平均分子量は、１，０００を超え１０万以下が好ましく、１，５００以上３万以下がより好ましく、１，５００以上１万以下が更に好ましい。成分Ｇの重量平均分子量は、例えば、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ ＰＥＧ換算）により測定できる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｇの含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０３質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｇの含有量は、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０２質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０３質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｇが２種以上の水溶性高分子からなる場合、成分Ｇの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。より具体的には、その他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％超１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。より具体的には、その他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％超１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
［アルミナ砥粒］
本開示の研磨液組成物は、突起欠陥低減の観点から、アルミナ砥粒を実質的に含まないことが好ましい。本明細書において「アルミナ砥粒を実質的に含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の含有量は、特に限定されるわけではないが、５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、実質的に０質量％が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物は、突起欠陥低減の観点から、アルミナ砥粒を実質的に含まないことが好ましい。本明細書において「アルミナ砥粒を実質的に含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の含有量は、特に限定されるわけではないが、５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、実質的に０質量％が更に好ましい。
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、４以下が好ましく、３．５以下がより好ましく、３以下が更に好ましく、２．５以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、１．２以上が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．５以上４以下が好ましく、０．８以上３．５以下がより好ましく、１以上３以下が更に好ましく、１．２以上２．５以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、４以下が好ましく、３．５以下がより好ましく、３以下が更に好ましく、２．５以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、１．２以上が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．５以上４以下が好ましく、０．８以上３．５以下がより好ましく、１以上３以下が更に好ましく、１．２以上２．５以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により、成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａの研磨材は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類の研磨材からなる場合、複数種類の研磨材は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類のウレタン軟質化剤からなる場合、複数種類のウレタン軟質化剤は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により、成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａの研磨材は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類の研磨材からなる場合、複数種類の研磨材は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類のウレタン軟質化剤からなる場合、複数種類のウレタン軟質化剤は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０～１００倍とすることができる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドを用いた研磨に好適に使用されうる。
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットの一実施形態としては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む研磨材分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記研磨材分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される。前記研磨材分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物が得られうる。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットの一実施形態としては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む研磨材分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記研磨材分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される。前記研磨材分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物が得られうる。
［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウアルミノシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ－Ｐメッキ処理したものをいう。
被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２ｍｍ以上９５ｍｍ以下程度であり、その厚みは例えば０．４ｍｍ以上２ｍｍ以下程度である。
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程で使用される研磨パッドとしては、本開示の効果発現の点から、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドが好適に使用されうる。研磨パッドとしては、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用でき、スエードタイプの研磨パッドが好適に使用されうる。
スエードタイプの研磨パッドの一実施形態としては、ベース層と発泡層（表面部材）とを有し、前記発泡層（表面部材）が、ポリウレタンエラストマー等のウレタン樹脂を含む研磨パッドが挙げられる。前記ベース層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエステルフィルムが挙げられる。前記発泡層は、一又は複数の実施形態において、前記ベース層に対して紡錘状気孔を有するものである。前記発泡層の圧縮率は、例えば、２．５％以上２０％以下とすることができる。圧縮率は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｌ１０９６記載の圧縮率測定方法に基づき、圧縮試験機により測定できる。
スエードタイプの研磨パッドの一実施形態としては、ベース層と発泡層（表面部材）とを有し、前記発泡層（表面部材）が、ポリウレタンエラストマー等のウレタン樹脂を含む研磨パッドが挙げられる。前記ベース層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエステルフィルムが挙げられる。前記発泡層は、一又は複数の実施形態において、前記ベース層に対して紡錘状気孔を有するものである。前記発泡層の圧縮率は、例えば、２．５％以上２０％以下とすることができる。圧縮率は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｌ１０９６記載の圧縮率測定方法に基づき、圧縮試験機により測定できる。
研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、４５μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が更に好ましく、３５μｍ以下が更に好ましいそして、パッドの研磨液保持性の観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上が更に好ましく、１０μｍ以上が更に好ましい。研磨パッドの開孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、７０μｍ以下がより好ましく、６０μｍ以下が更に好ましく、５０μｍ以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度の確保の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、スクラッチ低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。より具体的には、研磨荷重は、５．９～２０ｋＰａが好ましく、６．９～１８ｋＰａがより好ましく、７．５～１６ｋＰａが更に好ましい。本開示において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における、本開示の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５～１５ｍＬ／分が好ましく、０．０６～１０ｍＬ／分がより好ましく、０．０７～１ｍＬ／分が更に好ましく、０．０７～０．５ｍＬ／分が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。
本開示の基板製造方法によれば、本開示における研磨液組成物を用いることで、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。具体的な研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。具体的な研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
１．研磨液組成物の調製
（実施例１～３、比較例１）
成分Ａ（コロイダルシリカ、平均粒径２０ｎｍ）、表１に示す成分Ｂ（ウレタン軟質化剤）、成分Ｃ（硫酸）、成分Ｄ（過酸化水素）及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、実施例１～３及び比較例１の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表１に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを除いた残余である。実施例１～３及び比較例１の研磨液組成物のｐＨは１．５であった。ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。
（実施例４～１０、比較例２～３）
成分Ａ（コロイダルシリカ、平均粒径２０ｎｍ）、表２に示す成分Ｂ（ウレタン軟質化剤）又は非成分Ｂ、成分Ｃ（硫酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、成分Ｅ（ＢＴＡ）、成分Ｆ（ＡＥＡ）、成分Ｇ（ＡＡ／ＡＭＰＳ）及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、実施例４～１０及び比較例２～３の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、成分Ａ～Ｄが表２に示すとおりであり、成分Ｅが０．２質量％、成分Ｆが０．０５質量％、成分Ｇが０．０３質量％である。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及び成分Ｇを除いた残余である。実施例４～１０及び比較例２～３の研磨液組成物のｐＨは１．５であった。ｐＨは、実施例１～３及び比較例１と同様にして測定した。
（実施例１～３、比較例１）
成分Ａ（コロイダルシリカ、平均粒径２０ｎｍ）、表１に示す成分Ｂ（ウレタン軟質化剤）、成分Ｃ（硫酸）、成分Ｄ（過酸化水素）及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、実施例１～３及び比較例１の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表１に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを除いた残余である。実施例１～３及び比較例１の研磨液組成物のｐＨは１．５であった。ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。
（実施例４～１０、比較例２～３）
成分Ａ（コロイダルシリカ、平均粒径２０ｎｍ）、表２に示す成分Ｂ（ウレタン軟質化剤）又は非成分Ｂ、成分Ｃ（硫酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、成分Ｅ（ＢＴＡ）、成分Ｆ（ＡＥＡ）、成分Ｇ（ＡＡ／ＡＭＰＳ）及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、実施例４～１０及び比較例２～３の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、成分Ａ～Ｄが表２に示すとおりであり、成分Ｅが０．２質量％、成分Ｆが０．０５質量％、成分Ｇが０．０３質量％である。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ及び成分Ｇを除いた残余である。実施例４～１０及び比較例２～３の研磨液組成物のｐＨは１．５であった。ｐＨは、実施例１～３及び比較例１と同様にして測定した。
表１及び表２に示す研磨液組成物の調製において、成分Ｂ、非成分Ｂ、成分Ｃ～Ｇには以下のものを使用した。
ＢＢＳＡ［ブチルベンゼンスルホンアミド、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２１３．３、ＬｏｇＰ値 ２．５］（成分Ｂ）
ＢＢＳ［ブチルベンゼンスルホン酸、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２１４．２８、ＬｏｇＰ値 ２．８］（成分Ｂ）
ＤＢＡ［アジピン酸ジブチル、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２５８．３６、ＬｏｇＰ値 ４］（成分Ｂ）
ＤＢＰ［フタル酸ジブチル、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２７８．３５、ＬｏｇＰ値 ４．７］（成分Ｂ）
スルファニルアミド［東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 １７２．２、ＬｏｇＰ値 ０．２］（非成分Ｂ）
硫酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素水［濃度３５質量％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＢＴＡ［ベンゾトリアゾール（４０％）、城北化学工業株式会社製］（成分Ｅ）
ＡＥＡ［Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、日本乳化剤株式会社製］（成分Ｆ）
ＡＡ／ＡＭＰＳ［アクリル酸Ｎａ／２－アクリルアミド－２－プロパンスルホン酸Ｎａ共重合体（モル比９０／１０）、東亞合成株式会社、Ａ－６０１２（４０％）］（成分Ｇ）
ＢＢＳＡ［ブチルベンゼンスルホンアミド、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２１３．３、ＬｏｇＰ値 ２．５］（成分Ｂ）
ＢＢＳ［ブチルベンゼンスルホン酸、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２１４．２８、ＬｏｇＰ値 ２．８］（成分Ｂ）
ＤＢＡ［アジピン酸ジブチル、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２５８．３６、ＬｏｇＰ値 ４］（成分Ｂ）
ＤＢＰ［フタル酸ジブチル、東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 ２７８．３５、ＬｏｇＰ値 ４．７］（成分Ｂ）
スルファニルアミド［東京化成工業株式会社製、重量平均分子量 １７２．２、ＬｏｇＰ値 ０．２］（非成分Ｂ）
硫酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素水［濃度３５質量％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＢＴＡ［ベンゾトリアゾール（４０％）、城北化学工業株式会社製］（成分Ｅ）
ＡＥＡ［Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、日本乳化剤株式会社製］（成分Ｆ）
ＡＡ／ＡＭＰＳ［アクリル酸Ｎａ／２－アクリルアミド－２－プロパンスルホン酸Ｎａ共重合体（モル比９０／１０）、東亞合成株式会社、Ａ－６０１２（４０％）］（成分Ｇ）
２．各パラメータの測定
（１）コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）と、成分Ｃ（硫酸）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した。標準試料中における成分Ａ及び成分Ｃの含有量はそれぞれ、１質量％、０．４５質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製DLS-6500）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。
（１）コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）と、成分Ｃ（硫酸）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した。標準試料中における成分Ａ及び成分Ｃの含有量はそれぞれ、１質量％、０．４５質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製DLS-6500）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。
（２）成分Ｂ及び非成分Ｂによる研磨パッドの軟化率
成分Ｂ（又は非成分Ｂ）による研磨パッドの軟化率は、研磨液組成物中の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）の濃度と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）を含む成分Ｂ水溶液（又は非成分Ｂ水溶液）に浸漬前後の研磨パッドの貯蔵弾性率の低減割合から算出した。
具体的には、まず、支持層を剥離した研磨パッド（発泡層：ポリウレタン製、フジボウ社製スエードタイプ）０．２ｇを、研磨液組成物中の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）の濃度と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）を含む成分Ｂ水溶液（又は非成分Ｂ水溶液） １００ｇに浸し、２５℃で２４時間放置した。浸漬後の研磨パッドの発泡層を直径８ｍｍに打ち抜き、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｊａｐａｎ Ｉｎｃ．社製レオメーター「Ａｒｅｓ Ｇ２」を用い、測定温度２５℃、軸力０．５Ｎ、周波数１０Ｈｚ、ひずみ０．１～２００％の条件で測定し、ひずみ０．１％時の貯蔵弾性率を読み取り、貯蔵弾性率Ｙを測定した。浸漬前の研磨パッドの発泡層の貯蔵弾性率Ｘについても同様の条件で測定した。そして、成分Ｂ（非成分Ｂ）による研磨パッドの軟化率を下記式により算出した。
軟化率（％）＝（浸漬前の貯蔵弾性率Ｘ－浸漬後の貯蔵弾性率Ｙ）／浸漬前の貯蔵弾性率Ｘ×１００
成分Ｂ（又は非成分Ｂ）による研磨パッドの軟化率は、研磨液組成物中の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）の濃度と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）を含む成分Ｂ水溶液（又は非成分Ｂ水溶液）に浸漬前後の研磨パッドの貯蔵弾性率の低減割合から算出した。
具体的には、まず、支持層を剥離した研磨パッド（発泡層：ポリウレタン製、フジボウ社製スエードタイプ）０．２ｇを、研磨液組成物中の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）の濃度と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）を含む成分Ｂ水溶液（又は非成分Ｂ水溶液） １００ｇに浸し、２５℃で２４時間放置した。浸漬後の研磨パッドの発泡層を直径８ｍｍに打ち抜き、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｊａｐａｎ Ｉｎｃ．社製レオメーター「Ａｒｅｓ Ｇ２」を用い、測定温度２５℃、軸力０．５Ｎ、周波数１０Ｈｚ、ひずみ０．１～２００％の条件で測定し、ひずみ０．１％時の貯蔵弾性率を読み取り、貯蔵弾性率Ｙを測定した。浸漬前の研磨パッドの発泡層の貯蔵弾性率Ｘについても同様の条件で測定した。そして、成分Ｂ（非成分Ｂ）による研磨パッドの軟化率を下記式により算出した。
軟化率（％）＝（浸漬前の貯蔵弾性率Ｘ－浸漬後の貯蔵弾性率Ｙ）／浸漬前の貯蔵弾性率Ｘ×１００
３．研磨方法
前記のように調製した実施例１～１０及び比較例１～３の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表１及び表２に示す。
前記のように調製した実施例１～１０及び比較例１～３の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表１及び表２に示す。
［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
４．評価
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。実施例１～３の研磨速度の測定結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。実施例４～１０及び比較例３の研磨速度の測定結果を、下記表２に、比較例２を１００とした相対値として示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）－ 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。実施例１～３の研磨速度の測定結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。実施例４～１０及び比較例３の研磨速度の測定結果を、下記表２に、比較例２を１００とした相対値として示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）－ 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
［スクラッチの評価］
測定機器：KLA ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。実施例１～３のスクラッチ数の評価結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。実施例４～１０及び比較例３のスクラッチ数の評価結果を、下記表２に、比較例２を１００とした相対値として示す。
測定機器：KLA ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。実施例１～３のスクラッチ数の評価結果を、下記表１に、比較例１を１００とした相対値として示す。実施例４～１０及び比較例３のスクラッチ数の評価結果を、下記表２に、比較例２を１００とした相対値として示す。
上記表１に示すとおり、実施例１～３の研磨液組成物は、比較例１の研磨液組成物に比べて、研磨速度を確保しつつ、スクラッチが効果的に低減されていた。
上記表２に示すとおり、成分Ｂを含む実施例４～１０の研磨液組成物は、成分Ｂを含まない比較例２及び３の研磨液組成物に比べて、研磨速度を確保しつつ、スクラッチが効果的に低減されていた。
本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。
Claims (7)
- ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドを使用した研磨に使用される研磨液組成物であって、
研磨材（成分Ａ）、重量平均分子量が５０００以下であるウレタン軟質化剤（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）、及び水系媒体を含有し、
成分ＢのＬｏｇＰ値が２以上５未満であり、
成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される化合物、及び、下記式（ＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である、研磨液組成物。
Ｒ2ＯＯＣ－（ＣＨ2）m－ＣＯＯＲ3 （ＩＩ）
ただし、式（ＩＩ）中、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に、炭素数１～６のアルキル基を示し、ｍは２～６の整数を示す。Ｒ2及びＲ3は同一であってもよいし、異なっていてもよい。 - 成分Ｂによる研磨パッドの軟化率は、１０％以上であり、
前記研磨パッドの軟化率は、研磨液組成物中の成分Ｂの濃度と同じ濃度の成分Ｂを含む成分Ｂ水溶液に浸漬させる前の研磨パッドの貯蔵弾性率の値に対する、前記成分Ｂ水溶液に浸漬させる前の研磨パッドの貯蔵弾性率から前記成分Ｂ水溶液に浸漬させた後の研磨パッドの貯蔵弾性率をひいた値の割合である、請求項１に記載の研磨液組成物。 - 研磨材がシリカ粒子である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
- 酸化剤をさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
- Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に用いられる、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物と、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドとを用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、基板の製造方法。
- 請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物と、ウレタン樹脂を含む表面部材を有する研磨パッドとを用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、
前記被研磨基板は磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
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|---|---|---|---|---|
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