JP6413238B2 - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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まず、クラスターイオンのドーズ量と、エピタキシャルシリコンウェーハの不純物金属元素Cuに対するゲッタリング能力との対応関係を予め求めるために、以下の条件でエピタキシャルシリコンウェーハのサンプルウェーハを作製した。
各サンプルウェーハのエピタキシャル層の表面を、Cu汚染液(1.3×1013atoms/cm2)を用いてスピンコート汚染法により強制的に汚染し、次いで、窒素雰囲気中において900℃で10分間の熱処理を施した。その後、各サンプルウェーハについてSIMS測定を行い、深さ方向における炭素濃度およびCu濃度のプロファイルをそれぞれ測定した。代表例として、炭素原子数に換算したドーズ量1.0×1015atoms/cm2のときの濃度プロファイルを図3Aに示す。ここで、図3Aの横軸の深さはサンプルウェーハのエピタキシャル層表面をゼロとしている。図3Aにおいては、深さ0〜4μmまでがエピタキシャル層に相当し、深さ4μm以深がシリコンウェーハに相当する。また、サンプルウェーハのゲッタリングサイトは、クラスターイオンの構成元素としての炭素がバックグラウンド以上に検出される領域であり、かつエピタキシャル層直下である深さ4μm〜5μm(2点鎖線で囲まれた領域)に相当する。
また、ゲッタリング能力評価とは別に、各サンプルウェーハに対して、Surfscan SP1(KLA−Tencor社製)にてNormalモードにて測定を行い、LPD−Nとしてカウントされた個数を確認し、10以上カウントされた場合にエピタキシャル欠陥が発生したとして評価した。炭素原子数に換算したドーズ量が5.0×1015atoms/cm2以下のときには、エピタキシャル欠陥の発生は確認できなかった。一方、ドーズ量が5.0×1015atoms/cm2を超えると、エピタキシャル欠陥が発生することが確認された。
こうして得られた検量線を用いて、目標ゲッタリング能力:1.0×1012atoms/cm2のエピタキシャルシリコンウェーハを作製した。作製にあたり、まず、図3Bに示した検量線と照合した結果、この目標ゲッタリング能力を満足するドーズ量の下限値は、炭素原子数に換算したドーズ量で4.0×1014atoms/cm2であった。目標ゲッタリング能力を満足し、かつ、エピタキシャル欠陥の発生しないドーズ量として、実ドーズ量:4.5×1014atoms/cm2を用いた以外は、前述のサンプルウェーハと同様にしてエピタキシャルシリコンウェーハを作製した。このエピタキシャルシリコンウェーハは目標ゲッタリング能力を満足することが確認でき、かつ、このエピタキシャルシリコンウェーハにエピタキシャル欠陥は確認されなかった。
10A シリコンウェーハの表面
16 クラスターイオン
18 改質層
20 エピタキシャルシリコン層
100 エピタキシャルシリコンウェーハ
Claims (7)
- シリコンウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面部に前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する工程と、該シリコンウェーハの前記改質層上にエピタキシャルシリコン層を形成する工程と、を含むエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、
前記クラスターイオンのドーズ量と、前記エピタキシャルシリコンウェーハの不純物金属元素に対するゲッタリング能力との対応関係を予め求める工程と、
前記対応関係を予め求める工程において求めた前記対応関係に基づき、前記エピタキシャルシリコンウェーハにエピタキシャル欠陥が発生しない範囲であり、かつ、目標ゲッタリング能力を満足する実ドーズ量を決定する工程と、をさらに含み、
前記改質層を形成する工程において、前記実ドーズ量を決定する工程において決定した実ドーズ量の下で、前記クラスターイオン照射を行い、
前記対応関係は、前記エピタキシャルシリコンウェーハと同種のエピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャルシリコン層表面に前記不純物金属元素を汚染させた後、熱処理を施すことにより前記同種のエピタキシャルシリコンウェーハのゲッタリングサイトに捕獲された前記不純物金属元素の濃度を、前記クラスターイオンのドーズ量毎に測定して得た検量線であって、該検量線に前記エピタキシャル欠陥の発生有無の閾値となるドーズ量が盛り込まれていることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記対応関係を予め求める工程において、前記対応関係を複数の不純物金属元素に対して予め求め、
前記実ドーズ量を決定する工程において、前記複数の不純物金属元素のうち、前記目標ゲッタリング能力を満足するために最もドーズ量を必要とする不純物金属元素の前記対応関係に基づき、前記実ドーズ量を決定し、
前記改質層を形成する工程において、該実ドーズ量の下で前記クラスターイオン照射を行う請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記対応関係は、前記シリコンウェーハの、導電型およびドーパント濃度に基づく基板特性毎に予め求められている請求項1または2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む、請求項1〜3いずれか1項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む2種以上の元素を含む、請求項4に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンが、さらにドーパント元素を含み、該ドーパント元素がホウ素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選ばれた1以上の元素である、請求項4に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記クラスターイオンはC n H m (3≦n≦16,3≦m≦10)からなり、
前記複数の不純物金属元素は、Cu,FeおよびNiのうち、少なくともCuとFeを含む、請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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