JP6403964B2 - Ｘ線散乱分析用のｘ線分析システム - Google Patents

Description

本発明は、Ｘ線散乱分析用のＸ線分析システムであって、透過軸に沿って伝搬するＸ線ビームを発生させるＸ線源と、Ｘ線ビームの断面の形状を画定するアパーチャを有する少なくとも１つのハイブリッドスリットと、ハイブリッドスリットによって成形されたＸ線ビームがその表面に導かれる試料と、試料から生じたＸ線を検出するＸ線検出器とを備え、ハイブリッドスリットが、複数のハイブリッドスリット要素を備え、複数のハイブリッドスリット要素はそれぞれ、基部にテーパ角α≠０で接合された単結晶基板を備え、複数のハイブリッドスリット要素の単結晶基板がアパーチャを限定し、複数のハイブリッドスリット要素（７）は、透過軸（３）に沿った射影で見たときにｎ＞４であるｎ個のエッジを有する多角形を形成するように配置されているＸ線分析システムに関する。

このようなＸ線分析システムはＷＯ ２０１１ ０８６ １９１ Ａ１から知られている。

Ｘ線測定法、特にＸ線回折（ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）（ＸＲＤ）測定法およびＸ線小角散乱（ｓｍａｌｌ ａｎｇｌｅ ｘ−ｒａｙ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）（ＳＡＸＳ）測定法は、さまざまな用途の試料の化学分析および構造解析に使用されている。

特に、実験室源（ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｓｏｕｒｃｅ）を使用するＳＡＸＳ測定では、光子束が大きく、バックグラウンドが低いことが重要である。光子束が重要なのは、データ取得時間を短くするためであり、低いバックグラウンドが重要なのは、散乱信号がしばしば非常に低いためである。スリットのアパーチャは、達成可能な分解能に対する重要なパラメータであるビーム断面のサイズおよび形状ならびにビームの発散を画定する。

多結晶材料のスリットのアパーチャにＸ線を導くことによって、寄生回折が起こることがあり、これが起こると信号対雑音比が低下する。Ｘ線ビームの発散を制限するため、Ｘ線ビームの光路内で３つのアパーチャスリットを使用することが知られている。しかしながら、この方法は、光子束の低減、したがって測定時間の増大に帰着する。

リ・ユーリ（Ｌｉ Ｙｏｕｌｉ）、ベック・ロイ（Ｂｅｃｋ Ｒｏｙ）、ホワン・ツオ（Ｈｕａｎｇ Ｔｕｏ）他（「小角Ｘ線散乱および高分解能Ｘ線回折用の無散乱ハイブリッド金属単結晶スリット（Ｓｃａｔｔｅｒｌｅｓｓ ｈｙｂｒｉｄ ｍｅｔａｌ−ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔａｌ ｓｌｉｔ ｆｏｒ ｓｍａｌｌ ａｎｇｌｅ ｘ−ｒａｙ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）」、ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＣＲＹＳＴＡＬＬＯＧＲＡＰＨＹ、４１巻、１１３４〜１１３９頁（２００８年））は、エッジがゲルマニウム、ケイ素などの単結晶でできたハイブリッドスリットの使用を提案している。このハイブリッドスリットは、長方形の単結晶基板が取り付けられた金属基部を備え、このハイブリッドスリット要素の単結晶基板がアパーチャを限定する。全反射に起因する寄生散乱および結晶粒界における散乱を回避することができる。ハイブリッドスリットの導入は、２つのスリット（正方形のピンホール）だけを使用し、それでもバックグラウンドを低く維持することを可能にした。

ＷＯ ２０１１ ０８６ １９１ Ａ１は、ＳＡＸＳ測定用のＸ線分析システムであって、互いに向かい合って配置され、長方形または正方形のアパーチャを形成する２つ一組の２組のハイブリッドスリット要素を備えるハイブリッドスリットを使用するシステムを開示している。ＳＡＸＳ測定では、達成可能な最も小さな散乱角によって分解能が決まり、この達成可能な最も小さな散乱角は、適当なビームストップ（ｂｅａｍｓｔｏｐ）によって遮断されるダイレクトビーム（ｄｉｒｅｃｔ ｂｅａｍ）の断面のサイズに依存する。ビームストップの最小サイズは、ビーム断面の中心から最も外側の点までの距離によって決まるため、ＷＯ ２０１１ ０８６ １９１ Ａ１から知られているＸ線分析システムの分解能は、ハイブリッドスリット要素の寸法によって制限される。

本発明の目的は、分解能および信号対雑音比が向上したＸ線分析システムを提案することにある。

本発明によれば、この目的は、ハイブリッドスリット要素を、透過軸に沿って互い違いにオフセットして配置することによって達成される。

試料の表面にＸ線ビームが導かれ、これによって、ハイブリッドスリットの単結晶基板のエッジが、Ｘ線源によって発生したＸ線ビームの断面を限定する。したがって、ハイブリッドスリット要素は、その基部が透過軸とは反対の方を向き、その単結晶基板が透過軸の方を向くようにして、透過軸を中心とする円の円周に沿って配置される。

ハイブリッドスリット要素の本発明の互い違い配置によって、単結晶基板は、透過軸に沿って異なる位置に（ｚ方向にずらして）配置され、この際、単結晶基板は、互いに妨害することなしに、（透過軸に沿った射影で見たときに）部分的に重なり合うことができる。これにより、ハイブリッドスリットのアパーチャのサイズを、ハイブリッドスリット要素のサイズから独立して選択することができ、ハイブリッドスリット要素の数を適当に選択することにより、アパーチャの形状を、アパーチャのサイズから独立して選択することができる。単結晶基板の対応する部分間のオフセットは、透過軸の方向の単結晶基板の寸法に従うことが好ましい。その場合、ハイブリッドスリット要素のオフセットは単結晶基板の厚さに依存する。

ハイブリッドスリット要素を互い違いに配置することによって、多数のエッジを有する多角形断面を実現することができ、その多角形断面は、エッジの数が多いにもかかわらず小さなサイズを示す。ハイブリッドスリット要素の基部は高密度金属でできていることが好ましく、材料欠陥が最小数であること（完璧な単結晶）を保証するため、単結晶基板は高い品質を有し、Ｇｅ、Ｓｉでできた単結晶基板が使用されることが好ましい。

ハイブリッドスリット、試料および検出器は透過軸に沿って配置され、これによってハイブリッドスリットと検出器の間に試料が配置されることが好ましい。ハイブリッドスリットは、Ｘ線源と試料の間のビームの光路内に配置される。より広い角度範囲を測定するため、検出器を、光路に対して垂直に変位させることも可能である。この場合、ダイレクトビーム（散乱することなくハイブリッドスリットを通過したビーム）は検出器のエッジに導かれる。

発明の好ましい実施形態
好ましい一実施形態では、ハイブリッドスリット要素が、透過軸に沿った射影で見たときにｎ＞４、特にｎ≧８であるｎ個のエッジを有する多角形を形成するように配置される。

好ましくは、アパーチャによって画定されるビームの断面の形状が正多角形である。多角形のエッジの数が多いほど、多角形は円に近づき、したがって、多角形を通過する光子束はより大きくなる。光子束が増大することにより、スリットの数、したがって分析システムのサイズを低減させることができる。単結晶基板の無視してもよいオフセットに関しては、ハイブリッドスリットのアパーチャの形状も正多角形であり、透過軸までの単結晶基板の距離は、全ての単結晶基板で同じである。無視できないオフセットに関しては、単結晶基板の距離ｄが、透過軸に沿った単結晶基板の位置によって変化する（Δｄ＝ＯＳｔａｎ（２θ）。このとき、Δｄ＝透過軸までの距離の差、２θ＝発散角、ＯＳ＝隣接する単結晶基板間のオフセットである）。

本発明のＸ線分析システムの特別な実施形態では、ハイブリッドスリット要素が、透過軸に対して垂直方向に、特に半径方向に移動可能である。ハイブリッドスリット要素の半径方向の位置を変更することによって、ハイブリッドスリットのアパーチャのサイズおよび／または形状を変更することができる。

対向するハイブリッドスリット要素は互いに妨害しないため、対向するハイブリッドスリット要素は対をなすことができ、ハイブリッドスリット要素は対単位で互い違いに配置される。すなわち、対向するハイブリッドスリット要素は同じｚ位置に配置される。これによってハイブリッドスリットの寸法を低減させることができる。

好ましい一実施形態では、Ｘ線分析システムが、ハイブリッドスリットと検出器の間に配置され、入射Ｘ線を遮断するビームストップを備える小角Ｘ線回折分析システムである。ＳＡＸＳ測定では、大きなナノ粒子の信号を検出するために、Ｘ線源の透過軸の近くに検出器が配置される。ビームストップは、分析する試料と検出器の間に配置される。ビームストップは、ダイレクトビームのいかなる部分も検出器に当たることを防ぐ。ダイレクトビームが検出器に当たると、検出器が飽和することがあり、回折したＸ線エネルギーの測定がより困難になることがある。したがって、ビームストップは、ダイレクトビームが当たりうるエリアをカバーする十分な大きさを有していなければならない。一方、散乱角はできるだけ小さくあるべきであり、したがってできるだけ小さなビームストップが選択される。

好ましくは、ハイブリッドスリット要素の半径方向位置および透過軸に沿った位置が、散乱し検出されるＸ線の光子束を最適化するように選択される。Ｘ線ビームの発散のため、単一のハイブリッドスリット要素の半径方向位置は、透過軸に沿ったハイブリッドスリット要素のそれぞれの位置に依存する。光子束を最適化するためには、ハイブリッドスリットを通過するＸ線ビームの断面が、（通常は円形の）ビームストップの形状およびサイズに似ているべきである。

最も好ましくは、Ｘ線源が実験室源、例えばシールド管（ｓｅａｌｅｄ ｔｕｂｅ）、回転陽極、マイクロ源（ｍｉｃｒｏｓｏｕｒｃｅ）または金属ジェット源である。実験室源は、束の損失につながる大きな発散を示す。実験室源と組み合わせたとき、本発明のＸ線分析システムは、（現状技術のＸ線分析システムに比べて）光子束をかなり増大させ、その一方で、バックグラウンドは依然として低い。

好ましくは、テーパ角がビームの発散よりも大きく、特にα＞１０°である。異常な透過を阻止するため、ビームを画定する単結晶基板は、入射ビームに関して、ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）ピーク位置から離れる方向を向く。さらに、スリットからの表面散乱を阻止するため、十分に広いテーパ角を選択すべきである。

非常に好ましい実施形態では、２つのハイブリッドスリットが設けられており、これらのスリットは、透過軸に沿って互いに間隔を置いて配置されている。さらに、追加のスリット、特に円形のピンホールを設けることができる。ビーム断面を試料の要件に適合させるため、これらの２つのハイブリッドスリットは別々に調整可能であることが好ましい。

本発明はさらに、ＳＡＸＳ測定、特に実験室源を使用したＳＡＸＳ測定において、上記の本発明の装置を使用して、光子束を最適化することに関する。

更なる利点は、本明細書の説明および添付図面から得ることができる。前述の特徴および後述する特徴は、本発明に従って、別々に、または任意の組合せで集合的に使用することができる。記載された実施形態を網羅的な列挙と理解すべきではなく、それらの実施形態はむしろ、本発明を記述するための例示的な特徴を有する。

本発明は添付図面に示されている。

本発明のＸ線分析システムの好ましい一構成を示す図である。 ８角形構成を有する本発明のハイブリッドスリットの（透過軸に沿った）正面図である。 単一のハイブリッドスリット要素の正面図である。 ハイブリッドスリット要素の（透過軸に対して垂直な）側面図である。 ８角形のハイブリッドスリットを通過したビームの断面を示す図である。

図１は、本発明のＸ線分析システム１、例えばＳＡＸＳ測定用の本発明のＸ線分析システム１の一実施形態を示す。Ｘ線分析システム１は、透過軸３に沿ってＸ線ビームＸＢを発射するＸ線源２、特に実験室源を備える。ビーム成形要素４によってこのＸ線ビームＸＢを調製することができる。ビーム成形要素４は、発射されたＸ線を集め、画定された発散および単色性を有するビームを発生させる。このビームは次いで２つのアパーチャスリット５ａ、５ｂに導かれる。アパーチャスリット５ａ、５ｂは透過軸３に沿って距離を隔てて配置され、試料６に導かれるＸ線ビームＸＢの断面のサイズを限定する。

試料６の近くに配置されたアパーチャスリット５ｂ（ハイブリッドスリット）は、透過軸３を中心とする円の円周に沿って配置されたいくつかのハイブリッドスリット要素７を備える。ハイブリッドスリット要素７はそれぞれ、基部９に接合された単結晶基板８を備える（図２ｂ）。単結晶基板８は、Ｘ線ビームＸＢに対してあるテーパ角αだけ傾けられている（図２ｃ参照）。単結晶基板８のこの傾斜配置のため、ビームＸＢの断面のサイズおよび形状は、透過軸３に面した単結晶基板８の明りょうなエッジ（ｓｈａｒｐ ｅｄｇｅ）１２によって画定される。単結晶基板８を含むハイブリッドスリット要素７を使用することによって、結晶粒界および欠陥に起因する寄生散乱を回避することができる。さらに、全反射角よりも広い単結晶基板８のテーパ角αを選択することによって、全反射に起因する寄生散乱を低減させることができる。

Ｘ線ビームＸＢは、透過軸３の方向に沿ってハイブリッドスリット５ｂから距離を隔てて配置された試料６に導かれる。散乱したＸ線は、透過軸３の方向に沿って試料６から距離を隔てて配置されたＸ線検出器１０（ここでは位置感応型２次元検出器（ｐｏｓｉｔｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｒｅａ ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によって検出される。検出器１０の飽和を防ぐため、ダイレクトビームＸＢは、試料６と検出器１０の間に配置されたビームストップ１１によって遮断される。透過軸３はビームストップ１１の中心を通る。多角形ハイブリッドスリット５ｂのサイズおよびビームストップ１１のサイズは、ダイレクトビームＸＢの最も発散したＸ線１３（図２では細い黒の線で示されている）がハイブリッドスリット５ｂおよび試料６を通過し、試料６がビームストップ１１によって遮断されるように選択される。通常、散乱角２θはできるだけ小さいことが望まれ、したがって、できるだけ小さいビームストップ１１が選択されるべきである。

図２ａは、８つのハイブリッドスリット要素４を有するハイブリッドスリット５ｂの好ましい一実施形態を示す。ハイブリッドスリット要素７の単結晶基板８は、８角形の内側輪郭を形成する。一般に、ｎ個のエッジを有する多角形のアパーチャを有するハイブリッドスリット５ｂに対しては、少なくともｎ個のハイブリッドスリット要素７が必要である。

本発明によれば、ハイブリッドスリット要素７が、透過軸３に沿って互い違いにオフセットして配置される。ハイブリッドスリット要素７のこの互い違い配置は、ハイブリッドスリット要素７を部分的に重なり合うように配置することを可能にする。したがって、単結晶基板８のサイズから独立して、小さなアパーチャスリットサイズを達成することができる（アパーチャのエッジの長さＩが単結晶基板８の長さＬだけに限定されない。図２ｂ、２ｃを参照されたい）。隣接する２つのハイブリッドスリット要素７間のオフセットは、対応する単結晶基板８の厚さ（透過軸３の方向の寸法）に一致する（隣接する単結晶基板８が互いに接触するかまたは互いにほぼ接触する）ことが好ましい。既知のハイブリッドスリットとは対照的に、ハイブリッドスリット要素７を互い違いに配置することによって、アパーチャスリット５ｂを形成するハイブリッドスリット要素７の数を増やすことができる。したがって、円形に近づけることによって光子束を増大させ、同時に、傾斜した単結晶基板８を使用することによって寄生散乱を低減させることができる。しかしながら、ハイブリッドスリット要素の数は、Ｘ線分析システムに組み込むことができるハイブリッドスリット５ｂの最大長によって制限される。

源２とハイブリッドスリット５ｂの間に配置されるアパーチャスリット５ａは円形のピンホールとすることができる。円形のピンホールは、スリットの総面積を増大させ、したがって光子束も増大させるためである。バックグラウンドを決定するのはほぼ完全にハイブリッドスリット５ｂであり、したがって、ハイブリッドスリット５ｂだけが多角形であればよいが、次に示すように多角形のハイブリッドスリットは全ての場合に光子束を増大させるため、両方のアパーチャスリット５ａ、５ｂを多角形のハイブリッドスリットとすることもできる。

ビームストップ１１は、ハイブリッドスリット５ｂを通過する全てのＸ線を止めることができなければならないため、半径Ｒの所与のサイズのビームストップ１１に対する多角形のハイブリッドスリット５ｂの最大直径は予め定まる。図３は、８角形ハイブリッドスリット構成５ｂを通過したＸ線ビームの断面を示す。断面の最大直径は２Ｒである。

多角形ハイブリッドスリットのエッジの数が多いほど、多角形ハイブリッドスリットは円に近づき、したがって、多角形ハイブリッドスリットを通過する光子束はより大きくなる。ｎ個の辺を有する多角形の面積は下式のとおりであり、

この式は、ｎ＝４の正方形に関してはＡ＝２Ｒ^２を与え、８角形に関してはＡ＝２．８２８４３Ｒ^２を与える。無限大のｎに対して多角形は円に近似され、これに関してはＡ＝Ｒ^２πとなる。アパーチャスリット５ａに対して円形のスリットを使用し、アパーチャスリット５ｂに対して正方形のハイブリッドスリットを使用した場合と比較すると、アパーチャスリット５ａに対して円形のスリットを使用し、アパーチャスリット５ｂに対して８角形のハイブリッドスリットを使用した場合の光子束の利得係数（ｇａｉｎ ｆａｃｔｏｒ）は１．４１４、したがって４１．４％である。２つの正方形ハイブリッドスリットを使用した場合と比較すると、アパーチャスリット５ａに対して円形のスリットを使用し、アパーチャスリット５ｂに対して８角形のハイブリッドスリットを使用した場合の光子束の利得係数は２．２２１、したがって１２２．１％である。実験では、予測した値に非常に近い利得係数が得られた。

ハイブリッドスリット要素７は、透過軸３の方向に沿っておよび／または（透過軸３に対して垂直な）半径方向に沿って移動可能なように取り付けることができる。半径方向に沿って移動可能である場合、さまざまなサイズのビームストップ１１を使用するさまざまな用途にハイブリッドスリット５ｂを適合させるために、さまざまなサイズおよび／またはさまざまな形状を有するハイブリッドスリット５ｂを作り出すことができる。Ｘ線ビームＸＢの発散およびハイブリッドスリット要素７の互い違い配置のため、Ｘ線ビームの断面を対称形にするためには、異なるハイブリッドスリット要素７を、透過軸３までの距離が異なるところに配置しなければならないことに留意されたい。ハイブリッドスリット要素７は互いの近くに互い違いに配置されることが好ましいため、ハイブリッドスリット要素７から透過軸３までの距離の差は小さく、図２ａにはこの差が示されていない。これに対応して、ハイブリッドスリット５ｂのアパーチャのサイズを変化させ、同時にハイブリッドスリット５ｂのアパーチャの形状を維持するためには、異なるハイブリッドスリット要素７を、透過軸３に沿ったそれらのハイブリッドスリット要素７の位置に応じた異なる距離だけ移動させなければならない。すなわち、Ｘ線源２からより離れたハイブリッドスリット要素７ほど、半径方向に大きく移動させなければならない。

ハイブリッドスリット要素７の本発明の互い違い配置は、ハイブリッドスリット５ｂのアパーチャのサイズおよび形状に関してより高い柔軟性を提供する。多数のハイブリッドスリット要素７を使用して、単結晶基板８の長さよりも短い多数のエッジ、特に５つ以上のエッジを有する多角形のアパーチャを形成することができる。したがって、所与のビームストップサイズに対する光子束を増大させることができ、またはビームストップサイズを小さくし、所与の光子束に対するＸ線分析システム１の分解能を増大させることができる。

１ Ｘ線分析システム
２ Ｘ線源
３ 透過軸
４ ビーム成形要素
５ａ アパーチャスリット
５ｂ アパーチャスリット／ハイブリッドスリット
６ 試料
７ ハイブリッドスリット要素
８ 単結晶基板
９ 基部
１０ Ｘ線検出器
１１ ビームストップ
１２ 単結晶基板の明りょうなエッジ
１３ Ｘ線ビームの最も発散したＸ線
２θ 散乱角
α テーパ角
ＸＢ Ｘ線ビーム

Claims (11)

1. Ｘ線散乱分析用のＸ線分析システム（１）であって、
   − 透過軸（３）に沿って伝搬するＸ線ビーム（ＸＢ）を発生させるＸ線源（２）と、
   − 前記ビーム（ＸＢ）の断面の形状を画定するアパーチャを有する少なくとも１つのハイブリッドスリット（５ｂ）と、
   − 前記ハイブリッドスリット（５ｂ）によって成形された前記ビーム（ＸＢ）がその表面に導かれる試料（６）と、
   − 前記試料（６）から生じたＸ線を検出するＸ線検出器（１０）と
   を備え、
   前記ハイブリッドスリット（５ｂ）が、複数のハイブリッドスリット要素（７）を備え、前記複数のハイブリッドスリット要素（７）はそれぞれ、基部（９）にテーパ角α≠０で接合された単結晶基板（８）を備え、前記複数のハイブリッドスリット要素（７）の前記単結晶基板（８）が前記アパーチャを限定し、
   前記複数のハイブリッドスリット要素（７）は、前記透過軸（３）に沿った射影で見たときにｎ＞４であるｎ個のエッジを有する多角形を形成するように配置されているＸ線分析システム（１）において、
   前記複数のハイブリッドスリット要素（７）は、前記透過軸（３）に沿って互い違いにオフセットして配置され、
   前記複数のハイブリッドスリット要素（７）は、前記透過軸（３）の方向に沿って、及び／または、前記透過軸（３）に対して垂直方向に移動可能であり、前記複数のハイブリッドスリット要素（７）は、前記透過軸（３）に沿う位置に応じて異なる距離を移動可能であることを特徴とするＸ線分析システム（１）。
2. 前記複数のハイブリッドスリット要素（７）の数はｎ≧８であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線分析システム（１）。
3. 前記アパーチャによって画定される前記ビーム（ＸＢ）の断面の形状が正多角形であることを特徴とする請求項２に記載のＸ線分析システム（１）。
4. 前記複数のハイブリッドスリット要素（７）が、前記透過軸（３）に対して垂直方向に移動可能であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
5. 対向するハイブリッドスリット要素（７）が対をなし、前記ハイブリッドスリット要素が対単位で互い違いに配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
6. 前記ハイブリッドスリット（５ｂ）と前記検出器（１０）の間に配置された入射Ｘ線を遮断するビームストップ（１１）を備える小角Ｘ線回折分析システムであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
7. 前記複数のハイブリッドスリット要素（７）の半径方向位置および前記透過軸（３）に沿った位置が、検出された散乱Ｘ線束を最適化するように選択されることを特徴とする請求項６に記載のＸ線分析システム（１）。
8. 前記Ｘ線源（２）が実験室源であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
9. 前記テーパ角αがビームの発散２θよりも大きいことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
10. アパーチャスリット（５ａ）と、画定された発散及び単色性を有するビーム（ＸＢ）を発生させるビーム成形要素（４）とが設けられ、
    前記アパーチャスリット（５ａ）及び前記ハイブリッドスリット（５ｂ）は共に、前記ビーム成形要素（４）と前記試料（６）の間に位置し、前記透過軸（３）に沿って互いに距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のＸ線分析システム（１）。
11. 前記アパーチャスリット（５ａ）は、さらなるハイブリッドスリットであることを特徴とする請求項１０に記載のＸ線分析システム（１）。