JP6394155B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
例えば、強誘電体メモリは、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)とも呼ばれ、キャパシタが備える強誘電体膜のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。その強誘電体膜は、キャパシタの上部電極と下部電極との間に印加される電圧に応じて分極を生じ、その電圧を取り去っても自発分極が残留する。印加電圧の極性を反転すると、この自発分極も反転し、その自発分極の向きを“1”と“0”とに対応させることで、強誘電体膜に情報が書き込まれる。この書き込みに必要な電圧はフラッシュメモリにおけるよりも低く、また、フラッシュメモリよりも高速で書き込みができるという利点がFeRAMにはある。
CRディレイを減らすには、同時に選択されるメモリセル群を、同時に駆動される2本のプレート線に分割して接続することが考えられる。その場合、フォールデッドビット線方式に対応させるため、分割した各メモリセル群は、異なるビット線に接続されるようにプレート線の延伸方向にずらして配置されることになる。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の半導体記憶装置の一例を示す図である。
ワード線WL1〜WL4は、階段状に配置されている。
ビット線BL1〜BL12は、フォールデッドビット線方式で駆動される。例えば、ビット線BL1,BL3,BL5,BL7,BL9,BL11が活性化されるときは、ビット線BL2,BL4,BL6,BL8,BL10,BL12は非活性化される。
メモリセルmc1はビット線BL1に接続され、メモリセルmc2はビット線BL2に接続され、メモリセルmc3はビット線BL3に接続されている。また、メモリセルmc4はビット線BL4に接続され、メモリセルmc5はビット線BL5に接続され、メモリセルmc6はビット線BL6に接続されている。
メモリセル群mcg2は、メモリセル群mcg1と同様にプレート線PL2に接続されているが、ビット線BL7〜BL12が接続される位置に配置されている。メモリセル群mcg2には、さらに部分ワード線WLp1,WLp2が接続されている。メモリセル群mcg3は、プレート線PL1とビット線BL1〜BL6と部分ワード線WLp1,WLp2に接続されている。メモリセル群mcg4は、メモリセル群mcg3と同様にプレート線PL1に接続されているが、ビット線BL7〜BL12が接続される位置に配置されている。メモリセル群mcg4には、さらに、部分ワード線WLp5,WLp6が接続されている。
部分ワード線WLp1,WLp2は、メモリセル群mcg2,mcg3及びワード線WL1,WL2に接続されている。なお、図1の例では、部分ワード線WLp1は、プレート線PL1の下を潜るように形成されており、部分ワード線WLp2は、プレート線PL2の下を潜るように形成されているがこれに限定されない。例えば、上層の配線を用いて、部分ワード線WLp1,WLp2の一部がプレート線PL1,PL2を跨ぐように配置されていてもよい。
メモリセル群mcg2,mcg3同士をワード線WL1,WL2で直接接続しようとすると、例えば、メモリセル群mcg3に接続したワード線WL1,WL2を巡回させて、メモリセル群mcg2にも接続されるように配線することになり配線領域が増える。
以下、第2の実施の形態の半導体記憶装置を説明する。第2の実施の形態の半導体記憶装置は、例えば、強誘電体メモリである。
半導体記憶装置10は、セルアレイ11、周辺回路部12、PLドライバ13、ローアドレスデコーダ14、偶数WLドライバ15a、奇数WLドライバ15bを有する。さらに半導体記憶装置10は、偶数コラムセレクタ/偶数コラムデコーダ16a、奇数コラムセレクタ/奇数コラムデコーダ16b、ライトアンプ17、センスアンプ18を有する。
周辺回路部12は、半導体記憶装置10の外部から入力されるローアドレスやコラムアドレスを受けて、PLドライバ13や、偶数コラムセレクタ/偶数コラムデコーダ16a、奇数コラムセレクタ/奇数コラムデコーダ16bに供給する。
図3では、1T1C(1トランジスタ1キャパシタ)型のメモリセルMCの例が示されており、メモリセルMCは、トランジスタTrとキャパシタCを有している。
図3に示したメモリセルMCと対応する要素については同一符号が付されている。トランジスタTrは、シリコン基板のPタイプウェル20を用いて形成されている。シリコン基板のPタイプウェル20に形成された不純物拡散領域(以下単に拡散領域という)21がトランジスタTrのソース、拡散領域22がトランジスタTrのドレインとなる。トランジスタのゲート23(ワード線wlの一部に相当する)は、拡散領域21,22に跨るようにPタイプウェル20上に形成されている。ゲート23は、例えば、ポリシリコンで形成されている。
拡散領域22は、ビア27を介して配線層28に接続されている。そして配線層28の下部にはビア29を介してキャパシタCが接続されている。キャパシタCは、下部電極30(プレート線plの一部に相当する)と、ビア29に接続された上部電極31との間に接続された強誘電体膜32(例えば、チタン酸ジルコン酸鉛)を有している。
図5は、メモリセルの動作例を示すタイミングチャートである。
横軸は時間を示し、縦軸は電圧を示している。ワード線wl、プレート線pl、ビット線blの電圧の一例の様子が示されている。なお、ビット線blについては、“1”を読み出す(または書き込む)場合の電圧の様子と、“0”を読み出す(または書き込む)場合の電圧の様子が示されている。
図6は、セルアレイの一例を示す平面図である。また、図7は、図6の一部を拡大した図である。
拡散領域52は、ビア91を介して配線層92に接続されている。そして配線層92の下部にはビア93を介して、キャパシタC6が接続されている。キャパシタC6は、下部電極94(プレート線pl4の一部に相当する)と、ビア93に接続された上部電極95との間に接続された強誘電体膜96を有している。
例えば、図7において、部分ワード線wlp1は、一部が拡散領域50,51上に形成されており、キャパシタC2,C4に接続されるトランジスタのゲートとして機能している。また、部分ワード線wlp5は、一部が拡散領域56,57上に形成されており、キャパシタC14,C16に接続されるトランジスタのゲートとして機能している。部分ワード線wlp1,wlp5は、前述したように、ワード線wl5を介して電気的に接続されている。そのため、プレート線pl4,pl5と、ワード線wl5を同時に駆動することで、それぞれキャパシタC2,C4,C14,C16の何れかを含む1T1C型の4つのメモリセルは、同時に選択される。なお、同時に駆動されるプレート線pl4,pl5は、短絡されていてもよい。
以上、実施の形態に基づき、本発明の半導体記憶装置の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
(付記1) 第1プレート線(PL2、pl4)と、
前記第1プレート線に隣接して配置され、前記第1プレート線と同時に駆動される第2プレート線(PL1、pl5)と、
階段状に配置された第1ワード線(WL1、WL2、wl7、wl8)と、
前記第1プレート線に接続され、複数の第1ビット線(BL7〜BL12、bl9〜bl12)に接続される第1の位置に配置された第1メモリセル群(mcg2)と、
前記第2プレート線に接続され、複数の第2ビット線(BL1〜BL6、bl5〜bl8)に接続される第2の位置に配置された第2メモリセル群(mcg3)と、
前記第1メモリセル群、前記第2メモリセル群及び前記第1ワード線に接続された第2ワード線(WLp1、WLp2、wlp3、wlp4)と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置(図1、図6、図7)。
前記第2プレート線に接続され、前記複数の第1ビット線(BL7〜BL12、bl9〜bl12)に接続される第4の位置に配置された第4メモリセル群(mcg4)と、
階段状に配置された第3ワード線(WL3、WL4、wl5、wl6)と、
前記第3メモリセル群及び前記第3ワード線に接続された第4ワード線(WLp3、WLp4、wlp1、wlp2)と、
前記第4メモリセル群及び前記第3ワード線に接続された第5ワード線(WLp5、WLp6、wlp5、wlp6)と、
をさらに有することを特徴とする付記1または2に記載の半導体記憶装置(図1、図7)。
BL1〜BL12 ビット線
mc1〜mc6 メモリセル
mcg1〜mcg4 メモリセル群
PL1,PL2 プレート線
WL1〜WL4 ワード線
WLp1〜WLp6 部分ワード線
Claims (5)
- 第1プレート線と、
前記第1プレート線に隣接して配置され、前記第1プレート線と同時に駆動される第2プレート線と、
階段状に配置された第1ワード線と、
前記第1プレート線に接続され、複数の第1ビット線に接続される第1の位置に配置された第1メモリセル群と、
前記第2プレート線に接続され、複数の第2ビット線に接続される第2の位置に配置された第2メモリセル群と、
前記第1メモリセル群、前記第2メモリセル群及び前記第1ワード線に接続された第2ワード線と、
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第2ワード線は、前記第1ワード線の階段状の形状とは逆向きの階段状の形状で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1プレート線に接続され、前記複数の第2ビット線に接続される第3の位置に配置された第3メモリセル群と、
前記第2プレート線に接続され、前記複数の第1ビット線に接続される第4の位置に配置された第4メモリセル群と、
階段状に配置された第3ワード線と、
前記第3メモリセル群及び前記第3ワード線に接続された第4ワード線と、
前記第4メモリセル群及び前記第3ワード線に接続された第5ワード線と、
をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1ワード線と、前記第2ワード線は、前記第1メモリセル群及び前記第2メモリセル群に対して、それぞれ2本設けられ、前記第1メモリセル群及び前記第2メモリセル群に含まれる隣接するメモリセル同士が互いに異なる前記第2ワード線に接続され、2本の前記第2ワード線は互いに異なる前記第1ワード線に接続されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2ワード線は、前記第1メモリセル群及び前記第2メモリセル群に含まれるトランジスタのゲートとして機能するポリシリコン層で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014156107A JP6394155B2 (ja) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014156107A JP6394155B2 (ja) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2016033948A JP2016033948A (ja) | 2016-03-10 |
JP6394155B2 true JP6394155B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=55452742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6394155B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845279A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその操作方法 |
JP2001319472A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3597185B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2004-12-02 | 沖電気工業株式会社 | 強誘電体メモリ |
JP2006277889A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
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