JP6381921B2 - 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018173664A (ja) * 2018-08-01 2018-11-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20220014300A (ko) 2020-07-28 2022-02-04 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크, 및 그들의 제조 방법
KR20220122614A (ko) 2019-12-27 2022-09-02 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그들의 제조 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7193344B2 (ja) * 2016-10-21 2022-12-20 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP6915280B2 (ja) * 2017-01-23 2021-08-04 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクブランク
KR20240025717A (ko) 2017-03-03 2024-02-27 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6861095B2 (ja) * 2017-03-03 2021-04-21 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US11281088B2 (en) 2017-04-17 2022-03-22 AGC Inc. Reflective mask blank for EUV exposure, and reflective mask
US11150550B2 (en) 2017-08-10 2021-10-19 AGC Inc. Reflective mask blank and reflective mask
JP6998181B2 (ja) * 2017-11-14 2022-02-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法
JP6557381B1 (ja) * 2018-05-08 2019-08-07 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
TWI811369B (zh) 2018-05-25 2023-08-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法
SG11202011370VA (en) 2018-05-25 2020-12-30 Hoya Corp Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method
JP7250511B2 (ja) * 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
KR102624893B1 (ko) 2021-12-13 2024-01-16 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법
WO2023112767A1 (ja) * 2021-12-13 2023-06-22 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP7392236B1 (ja) 2022-07-05 2023-12-06 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
WO2024204068A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118143A (ja) * 2002-04-11 2008-05-22 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
JP2006173446A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP5082681B2 (ja) * 2007-08-29 2012-11-28 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法
WO2009122972A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法
JP5282507B2 (ja) * 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法
KR101358483B1 (ko) * 2009-04-02 2014-03-07 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 및 반사형 포토마스크 블랭크
CN102640021B (zh) * 2009-12-04 2014-06-25 旭硝子株式会社 Euv光刻用光学构件及带反射层的euv光刻用衬底的制造方法
KR20140004101A (ko) * 2011-02-01 2014-01-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP5772135B2 (ja) * 2011-03-28 2015-09-02 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP6125772B2 (ja) * 2011-09-28 2017-05-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
JP2013122952A (ja) * 2011-12-09 2013-06-20 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法
JP5874407B2 (ja) * 2012-01-23 2016-03-02 大日本印刷株式会社 位相欠陥の影響を低減するｅｕｖ露光用反射型マスクの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018173664A (ja) * 2018-08-01 2018-11-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20220122614A (ko) 2019-12-27 2022-09-02 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그들의 제조 방법
KR20220014300A (ko) 2020-07-28 2022-02-04 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크, 및 그들의 제조 방법
US11822229B2 (en) 2020-07-28 2023-11-21 AGC Inc. Reflective mask blank for EUV lithography, mask blank for EUV lithography, and manufacturing methods thereof
US12216397B2 (en) 2020-07-28 2025-02-04 AGC Inc. Reflective mask blank for EUV lithography, mask blank for EUV lithography, and manufacturing methods thereof

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