JP6368425B2 - シリカ膜及び分離膜フィルタ - Google Patents
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Description
多孔質基材と、
前記多孔質基材上に形成された上述のいずれかに記載のシリカ膜と、
を備えたものである。
長手方向に沿って直径2.5mmの貫通直線孔(貫通孔)を55個有する直径30mm、長さ160mmの多孔質アルミナ質の円柱状部材(モノリス形状支持部材)を押出成形および焼成により作製した。次に、アルミナ及びチタニアの精密ろ過膜を貫通孔内部に成膜、焼成により形成して、支持体を得た。この精密ろ過膜を形成したモノリス形状基材の両端部にガラスを溶融してシールを施した(シール部)。次に、貫通孔内にチタニアの限外ろ過膜(UF膜)を成膜した。まず、チタンプロポキシドを硝酸の存在下で加水分解し、チタニアゾル液を得た。動的光散乱法で測定されたゾル粒径は100nmであった。このチタニアゾル液を水で希釈し、適宜有機バインダーであるPVAを添加したものを成膜ゾルとした。基材セル内に流通、接触させることにより、セル内に膜を形成した。乾燥後、400〜500℃にて焼成した。この流通、乾燥、焼成工程を成膜1サイクルとし、2〜6回行い、支持体上に限外ろ過膜を形成した多孔質基材を得た。最終焼成後、多孔質基材(支持体及び限外ろ過膜)の透水量を測定した。多孔質基材の透水量は、チタニアゾル濃度と成膜回数により限外ろ過膜付着量(膜厚)を、焼成温度やPVAの添加量により細孔径を制御することで調整された。
チタニアゾル濃度、焼成温度、成膜回数を適宜変更することによって、表1に示す限外ろ過膜を作製した。表1には、得られた限外ろ過膜の透水量も示した。さらに、表2に示すシリカゾル濃度、成膜回数、焼成温度にて、限外ろ過膜上にアリール基を有するp−トリルシリカ膜を形成した。限外ろ過膜及びシリカ膜を表1、2に示した条件で作製したものをそれぞれ実験例1〜18とした。なお、表2には、評価結果をまとめて示した。
限外ろ過膜の平均細孔径を、以下の方法により求めた。まず、限外ろ過膜にn−ヘキサンと窒素を同時に流し、n−ヘキサンの分圧を変化させて、そのときの窒素透過流量を測定した。次に、測定したn−ヘキサン分圧の値をケルビンの凝縮式に当てはめて得られる細孔径分布から限外ろ過膜の平均細孔径を求めた(Journal of Membrane Science 186(2001)257-265を参照)。ヘキサンの分圧0のときの窒素透過流量を1としてその値が半分となる細孔径を平均細孔径とした。
限外ろ過膜の膜厚を測定した。まず、上記作製したシリカ膜フィルタを切断し、その断面を電子顕微鏡観察した。この電子顕微鏡画像において、任意の10箇所を選択し、限外ろ過膜の最上部と最下部との垂直距離を測定し、この平均値を限外ろ過膜の厚さとした。なお、限外ろ過膜の膜厚の測定を任意の10箇所行うが、電子顕微鏡観察においては少なくとも1視野以上行い、複数視野行うことがより好ましい。例えば、2箇所の膜厚測定を5視野で行うものとしてもよい。また、同様の手法により、シリカ膜の膜厚についても測定した。
限外ろ過膜の透水量は、以下のように測定した。まず、限外ろ過膜(多孔質基材)の出口側にシール部を配設することによりセルの一方を目封じした状態とし、入り口側から蒸留水をセル内に供給し、供給水の流量、圧力、水温を測定した(図2参照)。得られた値を0.1MPa加圧条件下、25℃に換算し、単位膜面積あたりの膜を透過した水量を透水量(m/day)とした。
得られたシリカ膜フィルタの断面に対して、シリカ膜のエネルギー分散型X線分光法(EDX)での元素分析を行った。シリカ膜の領域からランダムに10箇所を選び、EDX元素分析を行った。各測定箇所における元素分析の結果により原子数比Si/Cを求め、その平均値をそのシリカ膜のSi/C値とした。図3は、実験例1のシリカ膜フィルタの電子顕微鏡写真及びEDX測定結果である。また、局所的な測定になることを防ぐために、一測定あたりのEDX分析視野範囲は、少なくとも膜厚に直交する方向に0.2μm程度以上、膜厚方向にXμm程度以上とした。なお、Xμmは、その視野でのシリカ膜厚(μm)×0.5)程度以上とした。
シリカ膜の表面をスパチュラでかき取り、膜粉末を採取した。そのサンプルを拡散反射法にて測定器としてBio−Rad Diglab社製FTS−55Aを用いて測定した。測定は、膜粉末を測定カップに充填して行った。測定後の拡散反射スペクトルはKubelka−Munk関数によって補正した。シリカ強度は、SiO2由来の吸収である1050cm-1近傍のピーク強度Xとし、p−トリル基に基づく吸収強度は、Si−Ph−CH3(Phはベンゼン環)由来の吸収である3073cm-1近傍のピーク強度Yとした。測定は、10サンプルの膜粉末を測定し、X/Yを求め、その平均値とした。図4は、実験例1のシリカ膜のFT−IR測定結果である。なお、ピーク強度は、ベースラインを差し引いた値とした。例えば、大きいブロードなピークの上に小さなピークが存在する場合は、このブロードピークをベースラインとして差し引いて小さなピークのピーク強度を求めた。
エタノール、イソオクタンの混合液体を、質量比でエタノール:イソオクタン=10:90となるよう調製した。シリカ膜フィルタのセル内に温度60℃の上記混合液体を流通させ、シリカ膜フィルタの側面から6kPaの真空度で減圧し、シリカ膜フィルタの側面から流出する透過蒸気を、液体窒素にて冷却したトラップにて捕集した。捕集した透過蒸気の液化物の質量から全透過流束を算出した。また、透過蒸気の液化物をガスクロマトグラフィーにて分析し、透過蒸気の組成を決定した。
エタノール、n−オクタン、o−キシレンの混合液体を、質量比でエタノール:n−オクタン:o−キシレン=10:45:45となるよう調製した。シリカ膜フィルタのセル内に温度70℃の上記混合液体を流通させ、シリカ膜フィルタの側面から6kPaの真空度で減圧し、シリカ膜フィルタの側面から流出する透過蒸気を、液体窒素にて冷却したトラップにて捕集した。捕集した透過蒸気の液化物の質量から全透過流束を算出した。また、透過蒸気の液化物をガスクロマトグラフィーにて分析し、透過蒸気の組成を決定した。
表2に示すように、実験例1〜11、15〜17のSi/Cが0.2以上15以下の範囲では、エタノールの透過速度が高く、且つエタノールの濃度(選択性)も高いことがわかった。具体的に検討すると、表1、2に示すように、実験例1では、より良好な限外ろ過膜の細孔径、膜厚により透水量を小さくすることにより、シリカ膜の付着量を小さくし、より良好なp−トリル基の残存量に制御することができ、高いエタノールの透過速度を発現したものと推察される。実験例2では、限外ろ過膜の膜厚が薄いため透水量が高くなり、シリカ膜の付着量が多くなることでp−トリル基の残存量が多くなり、エタノール透過速度が低めになった。実験例3では、限外ろ過膜の細孔径が小さいため、透水量が比較的小さく、シリカ膜の付着量は少ないものの、限外ろ過膜の細孔内にシリカが浸入できず、シリカ表面層が多くなり、エタノール透過速度が若干低下した。実験例4では、シリカゾル濃度が高いことにより、膜付着量が多くなり、p−トリル基の残存量も多くなったため、エタノール透過速度が若干低下した。実験例5では、限外ろ過膜の細孔径が大きいため、限外ろ過膜を厚くしても透水量が所望まで低下せず、シリカ膜の付着量、p−トリル基の残存量が多くなり、エタノール透過速度は若干低下した。実験例6では、限外ろ過膜の細孔径がさらに大きいため、限外ろ過膜を厚くしても透水量が所望まで低下せず、シリカ膜の付着量、p−トリル基の残存量が多くなり、エタノール透過速度は低下した。実験例7では、限外ろ過膜の透水量が小さいため、シリカ膜の付着量が小さくなり、p−トリル基の残存量も小さくなったため、エタノール透過速度は向上したが、p−トリル基の残存量が低くなったためにエタノールとの相互作用が小さくなり、透過エタノール濃度が若干低下した(エタノール選択性が低下した)。実験例8,9では、焼成温度が高く、シリカ膜の付着量、p−トリル基の残存量が低くなったため、エタノール透過速度が向上したが、透過エタノール濃度は若干低下した。実験例10では、シリカ膜厚が厚いため、エタノール透過速度は若干低下したが、エタノール選択性が向上した。実験例11では、アリール基をフェニル基としたが、p−トリル基と同様の結果が得られた。実験例12では、焼成温度が高く、p−トリル基の残存量が低くなったため、透過エタノール濃度が低下した。実験例13では、焼成温度が低く、p−トリル基の残存量が多くなり、エタノール透過速度が低下した。実験例14では、限外ろ過膜の細孔径と膜厚の調整により透水量が所望まで低下しなかったため、シリカ膜の付着量、p−トリル基の残存量が多くなり、エタノール透過速度が低下した。実験例15、17では、フェニル基を有するシリカ膜であって、その膜厚が比較的薄いものであるが、エタノール透過速度及び透過エタノール濃度が良好であった。実験例18では、焼成温度が高く、Si/Cが高いため、エタノール選択性が低下した。実験例16では、焼成温度は低いが、シリカ膜厚が比較的好適であり、比較的高いエタノール透過速度及び透過エタノール濃度が得られた。
Claims (10)
- アリール基を有し、エネルギー分散型X線分光法(EDX)での元素分析による原子数比Si/Cが0.2以上15以下の範囲であり、
フーリエ変換赤外吸収スペクトル(FT−IR)における、Si−O−Si結合の吸収強度Xと前記アリール基に基づく吸収強度Yとの比X/Yが5.0以上200以下の範囲であり、
透水量が0.5m/day以上6.0m/day以下の範囲である多孔質基材上に形成されている、
シリカ膜。 - 前記Si/Cが0.5以上である、請求項1に記載のシリカ膜。
- 前記Si/Cが8.0以下である、請求項1又は2に記載のシリカ膜。
- 膜厚が30nm以上300nm以下の範囲である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ膜。
- 多孔質基材上に形成され、膜付着量が0.3g/m2以上5.2g/m2以下の範囲である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリカ膜。
- 前記シリカ膜は、前記多孔質基材の限外ろ過膜上に形成されており、
前記限外ろ過膜は、平均細孔径が2nm以上25nm以下の範囲である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリカ膜。 - 前記シリカ膜は、前記多孔質基材の限外ろ過膜上に形成されており、
前記限外ろ過膜は、膜厚が0.2μm以上5μm以下の範囲である、請求項1〜6のいずれか1項に記載のシリカ膜。 - 前記シリカ膜は前記多孔質基材の限外ろ過膜上に形成されており、
前記限外ろ過膜は、Tiを主成分とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のシリカ膜。 - 前記アリール基は、p−トリル基及びフェニル基のうち1以上である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のシリカ膜。
- 多孔質基材と、
前記多孔質基材上に形成された請求項1〜9のいずれか1項に記載のシリカ膜と、
を備えた分離膜フィルタ。
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