JP6367294B2 - 検査装置、コンピュータ装置および検査方法 - Google Patents
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Description
Claims (14)
- 検査装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサへ接続されたメモリと、
前記プロセッサへ接続された画像化デバイスであって、レチクルまたは半導体ウェーハのうち少なくとも1つのセルツーセル検査のために構成された画像化デバイスと、
コンピュータで実行可能なプログラムコードであって、前記プログラムコードは、前記プロセッサ上において実行するように構成され、
半導体設計データベースに基づいてセルツーセル検査に適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域のセルツーセル検査を行うことであって、前記セルツーセル検査に適切であると特定された領域は真に同一である複数の要素を含む、ことと、
前記半導体設計データベースに基づいてセルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域のセルツーセル検査を禁止することであって、セルツーセル検査に不適切である領域は、実質的に同一であるが同一ではない複数の要素を含むとともに、前記実質的に同一であるが同一ではない複数の要素は、真に同一である複数の要素と比較して実質的に同一であるが同一ではなく、真に同一である複数の要素に対して光近接効果補正によって変更されている要素を含むことと、を行うように構成されている、
コンピュータで実行可能なプログラムコードと
を含み、
前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記半導体設計データベースを分析して、セルツーセル検査に適した前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域を特定するようにさらに構成されるるとともに、
前記半導体設計データベースを分析することは、自己相関分析、またはパターンの詳細な記述とそのパターンの位置の表示からなる階層の記述についての分析である階層分析のうち少なくとも1つを含む、装置。 - 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、セルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域に対し、前記半導体設計データベースに基づいてセルツーセル検査以外の検査プロセスを行うようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリは、前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域マップを保存するように構成され、
前記領域マップは、セルツーセル検査に適した前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域を特定するように構成され、
前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、
前記領域マップを読み出すことと、
前記領域マップを前記レチクルまたは半導体ウェーハ上の1つ以上の参照へと方向付けることと、
を行うようにさらに構成される、
請求項1に記載の装置。 - 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記領域マップ内においてセルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域のセルツーセル検査を禁止するように、さらに構成される、請求項3に記載の装置。
- 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記領域マップ内においてセルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域に対し、セルツーセル検査以外の検査プロセスを行うようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
- コンピュータ装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサへ接続されたメモリであって、前記メモリは、レチクルまたは半導体ウェーハの領域マップを保存するように構成される、メモリと、
コンピュータで実行可能なプログラムコードであって、
前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、
半導体設計データベースを読み出すことと、
半導体設計データベースを分析しセルツーセル検査に適切である領域を特定することと、
半導体設計データベースの分析に基づき、有効セルツーセル検査領域の領域マップを生成することであって、前記セルツーセル検査に適切であると特定された領域は真に同一である複数の要素を含む、ことと、
前記半導体設計データベースに基づいてセルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域のセルツーセル検査を禁止することであって、セルツーセル検査に不適切である領域は、実質的に同一であるが同一ではない複数の要素を含むとともに、前記実質的に同一であるが同一ではない複数の要素は、真に同一である複数の要素と比較して実質的に同一であるが同一ではなく、真に同一である複数の要素に対して光近接効果補正によって変更されている要素を含むことと、
を行うように構成される、コンピュータで実行可能なプログラムコードと、
を含み
前記半導体設計データベースを分析することは、自己相関分析、またはパターンの詳細な記述とそのパターンの位置の表示からなる階層の記述についての分析である階層分析のうち少なくとも1つを含む、コンピュータ装置。 - 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記半導体設計データベースをレンダリングするようにさらに構成される、請求項6に記載の装置。
- 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、セル間マッチング領域を自己相関閾値に基づいて捨象するようにさらに構成される、請求項7に記載の装置。
- 前記プロセッサへ接続された半導体画像化デバイスをさらに含み、前記半導体画像化デバイスは、前記レチクルまたは半導体ウェーハのセルツーセル検査のために構成される、請求項6に記載の装置。
- 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記レチクルまたは半導体ウェーハ上の1つ以上の参照へ前記領域マップを方向付けるように、さらに構成される、請求項9に記載の装置。
- 前記コンピュータで実行可能なプログラムコードは、前記領域マップ内においてセルツーセル検査対象として無効であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域に対し、セルツーセル検査以外の検査プロセスを行うようにさらに構成される、請求項10に記載の装置。
- 検査方法であって、
半導体設計データベースを分析して、セルツーセル検査に適した領域を特定することであって、前記セルツーセル検査に適切であると特定された領域は真に同一である複数の要素を含む、ことと、
半導体設計データベースの分析に基づき、セルツーセル検査に適した領域の領域マップを生成することと、
前記半導体設計データベースに基づいてセルツーセル検査に不適切であると特定された前記レチクルまたは半導体ウェーハの領域のセルツーセル検査を禁止することであって、セルツーセル検査に不適切である領域は、実質的に同一であるが同一ではない複数の要素を含むとともに、前記実質的に同一であるが同一ではない複数の要素は、真に同一である複数の要素と比較して実質的に同一であるが同一ではなく、真に同一である複数の要素に対して光近接効果補正によって変更されている要素を含むことと
を含み、
前記半導体設計データベースを分析することは、自己相関分析、またはパターンの詳細な記述とそのパターンの位置の表示からなる階層の記述についての分析である階層分析のうち少なくとも1つを含む、方法。 - 前記領域マップをレチクルまたは半導体ウェーハのうち1つへと方向付けることと、
前記領域マップ内においてセルツーセル検査に適していると特定された領域に対してセルツーセル検査をイネーブルすることと、
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記領域マップ内においてセルツーセル検査に不適切であると特定された領域に対し、セルツーセル検査以外の検査を行うことをさらに含む、請求項12に記載の方法。
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