JP5284792B2 - 検査サンプル上で検出された欠陥分類のための方法とシステム - Google Patents
検査サンプル上で検出された欠陥分類のための方法とシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5284792B2 JP5284792B2 JP2008545978A JP2008545978A JP5284792B2 JP 5284792 B2 JP5284792 B2 JP 5284792B2 JP 2008545978 A JP2008545978 A JP 2008545978A JP 2008545978 A JP2008545978 A JP 2008545978A JP 5284792 B2 JP5284792 B2 JP 5284792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- image
- patterned features
- inspection
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 468
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 356
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 291
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 305
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 3
- 238000012552 review Methods 0.000 claims 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 8
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
Description
12、14 参照イメージ
16 欠陥
18〜22パターン化されたフューチャ
26 ビン
30 コンタクトビン
32 虚偽ビン
34 第一試験イメージ
36 欠陥
38 パターン化されたフューチャ
40 第二試験イメージ
42 欠陥
44 フューチャ
46 ステップ
48 第三試験イメージ
50 第三欠陥
52 パターン化されたフューチャ
56 キャリア媒体
58 プログラム命令
60 コンピュータ・サブシステム
62 検査サンプル
64 光源
66 ビーム・スプリッタ
68 対物レンズ
70 検出器
72 ステージ
Claims (26)
- 試験イメージが、検査サンプル上で検知された欠陥に近接した検査サンプル上に形成された一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含み、かつ、参照イメージが、検査サンプル上に形成された素子の範囲内で個々の異なる対象領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含む条件下で試験イメージを参照イメージに比較することと、
試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致する場合、参照イメージの一つに関連した対象領域に対応するビンに欠陥を割り当てること、
を含む検査サンプル上で検知された欠陥を分類するためのコンピュータ実施方法であって、
参照イメージが、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを更に含む条件下で、更に試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数の参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致した場合、該欠陥を虚偽欠陥として識別することを更に含むことを特徴とする、コンピュータ実施方法。 - 異なる対象領域が、対象となる欠陥が存在するかもしれない素子領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴のいずれにも合致しない場合、該欠陥を虚偽欠陥として識別することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴のいずれかにも合致しない場合、該欠陥を虚偽欠陥として識別することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージが更に欠陥イメージを含むことを更に特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージが、一つ又は複数のパターン化された特徴が位置し、かつ更なる欠陥が存在しない欠陥より離れた所にある検査サンプル上の位置で取得されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 割り当て結果に基づき、素子設計の潜在的に問題となり得る部分を含む対象領域を識別することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 割り当て結果に基づき、検査サンプル製造に用いられる潜在的に問題となるプロセスを識別することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致した場合、該欠陥が繰り返し欠陥であるか否か決定することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 欠陥の一つ又は複数の属性に基づき欠陥を分類することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 欠陥の一つ又は複数の属性と、欠陥に近接した検査サンプル上に形成された一つ又は複数のパターン化された特徴の一つ又は複数のパターン化された属性に基づき、欠陥を分類することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 割り当て結果に基づき、更なる処理のために、検査サンプル上で検知された欠陥のサンプリングを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 素子欠陥に近接した一つ又は複数のパターン化された特徴の更なる事例を見出すことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 検査サンプル欠陥に近接した一つ又は複数のパターン化された特徴の更なる事例を見出すことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 光学的検査により試験イメージを取得することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 電子ビーム検査により試験イメージを取得することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 電子ビームレビューにより試験イメージを取得することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 空間画像投影技術により試験イメージを取得することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 検査サンプルの検査中に実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 検査サンプルの検査中に取得された試験イメージを用い実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 欠陥のレビュー中に実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 検査サンプル上に形成された素子の設計データを分析することで試験イメージを取得することを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージ上で実施された統計学的方法と組み合わせて実施されることを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 試験イメージが、検査サンプル上で検知された欠陥に近接した検査サンプル上に形成された一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含み、更に参照イメージが、検査サンプル上に形成された素子の範囲内で個々の異なる対象領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含む条件下で試験イメージを参照イメージに比較することと、
試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致する場合、参照イメージの一つに関連した対象領域に対応するビンに欠陥を割り当てること、
を含む検査サンプル上で検知された欠陥を分類するための方法を実施するためのコンピュータ・システム上で実行され得るプログラム命令を含むキャリア媒体であって、
参照イメージが、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを更に含む条件下で、更に試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数の参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致した場合、該欠陥を虚偽欠陥として識別することを更に含むことを特徴とする、キャリア媒体。 - 検査サンプル上で検知された欠陥に近接した検査サンプル上に形成された一つ又は複数のパターン化された特徴の試験イメージを取得するように設定された検査サブシステムと、
コンピュータ・サブシステムと、
キャリア媒体とを含み、キャリア媒体は、
参照イメージが、検査サンプル上に形成された素子の範囲内で個々の異なる対象領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含む条件下で試験イメージを参照イメージに比較することと、
試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致する場合、参照イメージの一つに関連した対象領域に対応するビンに欠陥を割り当てること、
のためのコンピュータ・システム上で実行されるプログラム命令を含み、
参照イメージが、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを更に含む条件下で、更に試験イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴が、虚偽欠陥が存在するかもしれない素子領域に関連した一つ又は複数の参照イメージの一つ又は複数のパターン化された特徴に合致した場合、該欠陥を虚偽欠陥として識別することを更に含む、
ことを特徴とする検査サンプル上で検知された欠陥を分類するように設定されたシステム。 - 検査サブシステムが、参照イメージを取得するように更に設定されていることを含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/300,172 US7570800B2 (en) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | Methods and systems for binning defects detected on a specimen |
US11/300,172 | 2005-12-14 | ||
PCT/US2006/062100 WO2007079344A2 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-14 | Methods and systems for binning defects detected on a specimen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009520952A JP2009520952A (ja) | 2009-05-28 |
JP5284792B2 true JP5284792B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=38139425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008545978A Active JP5284792B2 (ja) | 2005-12-14 | 2006-12-14 | 検査サンプル上で検出された欠陥分類のための方法とシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7570800B2 (ja) |
JP (1) | JP5284792B2 (ja) |
WO (1) | WO2007079344A2 (ja) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9188974B1 (en) | 2004-02-13 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for improved monitor and control of lithography processes |
JP2006098151A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
JP4165580B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2008-10-15 | トヨタ自動車株式会社 | 画像処理装置及び画像処理プログラム |
US7970201B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-06-28 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and system for defect detection |
US7707528B1 (en) * | 2007-02-24 | 2010-04-27 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for performing verification based upon both rules and models |
US7725845B1 (en) | 2007-02-24 | 2010-05-25 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for layout optimization using model-based verification |
US7689948B1 (en) | 2007-02-24 | 2010-03-30 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for model-based scoring and yield prediction |
US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
TWI469235B (zh) | 2007-08-20 | 2015-01-11 | Kla Tencor Corp | 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法 |
US9710903B2 (en) * | 2008-06-11 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corp. | System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features |
WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
JP5641463B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2014-12-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及びその方法 |
US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US8453075B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Automated lithographic hot spot detection employing unsupervised topological image categorization |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US9098893B2 (en) * | 2011-12-21 | 2015-08-04 | Applied Materials Israel, Ltd. | System, method and computer program product for classification within inspection images |
US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
US9401013B2 (en) * | 2012-02-03 | 2016-07-26 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method of design-based defect classification and system thereof |
TWI574136B (zh) * | 2012-02-03 | 2017-03-11 | 應用材料以色列公司 | 基於設計之缺陷分類之方法及系統 |
US9715723B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd | Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification |
US9595091B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-03-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Defect classification using topographical attributes |
US9858658B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-01-02 | Applied Materials Israel Ltd | Defect classification using CAD-based context attributes |
US10043264B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-08-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Integration of automatic and manual defect classification |
US9607233B2 (en) | 2012-04-20 | 2017-03-28 | Applied Materials Israel Ltd. | Classifier readiness and maintenance in automatic defect classification |
US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
US20140064596A1 (en) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Micron Technology, Inc. | Descriptor guided fast marching method for analyzing images and systems using the same |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) * | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
US9202763B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect pattern evaluation method, defect pattern evaluation apparatus, and recording media |
WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US9430824B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-08-30 | Kla-Tencor Corporation | Machine learning method and apparatus for inspecting reticles |
US9214317B2 (en) * | 2013-06-04 | 2015-12-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method of SEM overlay metrology |
US10114368B2 (en) | 2013-07-22 | 2018-10-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Closed-loop automatic defect inspection and classification |
US9766185B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Block-to-block reticle inspection |
JP6310676B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線応用装置及びそれを用いた欠陥分類方法 |
US9529255B2 (en) * | 2013-12-04 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image process method to improve mask inspection performance |
US8938695B1 (en) * | 2014-01-09 | 2015-01-20 | Dmo Systems Limited | Signature analytics for improving lithographic process of manufacturing semiconductor devices |
US10127652B2 (en) * | 2014-02-06 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Defect detection and classification based on attributes determined from a standard reference image |
US9401016B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-07-26 | Kla-Tencor Corp. | Using high resolution full die image data for inspection |
US9535010B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-01-03 | Kla-Tencor Corp. | Defect sampling for electron beam review based on defect attributes from optical inspection and optical review |
US10127653B2 (en) * | 2014-07-22 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Determining coordinates for an area of interest on a specimen |
US9766186B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
US9766187B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Repeater detection |
US9582869B2 (en) * | 2014-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic binning for diversification and defect discovery |
US10483081B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corp. | Self directed metrology and pattern classification |
US9286675B1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-03-15 | Applied Materials Israel Ltd. | Iterative defect filtering process |
CN104316538A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-01-28 | 北京凯瑞德图像技术有限责任公司 | 一种电缆包覆流程中闪缝检测方法及装置 |
US10747830B2 (en) * | 2014-11-21 | 2020-08-18 | Mesh Labs Inc. | Method and system for displaying electronic information |
US9891538B2 (en) * | 2015-03-16 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive sampling for process window determination |
JP2016180976A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ネオ セミテック. カンパニー リミテッドNEO SEMITECH. Co., Ltd | フォトマスク検査装置および検査方法 |
US9767548B2 (en) * | 2015-04-24 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Outlier detection on pattern of interest image populations |
US9735064B2 (en) * | 2015-07-29 | 2017-08-15 | Globalfoundries Inc. | Charge dynamics effect for detection of voltage contrast defect and determination of shorting location |
US10360477B2 (en) * | 2016-01-11 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Accelerating semiconductor-related computations using learning based models |
EP3208657A1 (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-23 | Paul Scherrer Institut | Method and system for high-throughput defect inspection using the contrast in the reduced spatial frequency domain |
KR102309569B1 (ko) * | 2017-06-14 | 2021-10-07 | 캠텍 리미티드 | 자동 결함 분류 |
US10755405B2 (en) * | 2017-11-24 | 2020-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for diagnosing a semiconductor wafer |
US11514357B2 (en) | 2018-03-19 | 2022-11-29 | Kla-Tencor Corporation | Nuisance mining for novel defect discovery |
US11151711B2 (en) * | 2018-06-06 | 2021-10-19 | Kla-Tencor Corporation | Cross layer common-unique analysis for nuisance filtering |
US10957034B2 (en) * | 2019-01-17 | 2021-03-23 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of examination of a specimen and system thereof |
US11238301B2 (en) * | 2019-05-09 | 2022-02-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Computer-implemented method of detecting foreign object on background object in an image, apparatus for detecting foreign object on background object in an image, and computer-program product |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4579455A (en) * | 1983-05-09 | 1986-04-01 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection |
JP3243894B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-01-07 | オムロン株式会社 | 濃淡画像処理装置 |
US5867590A (en) * | 1995-01-11 | 1999-02-02 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and apparatus for determining a location on a surface of an object |
US5991699A (en) * | 1995-05-04 | 1999-11-23 | Kla Instruments Corporation | Detecting groups of defects in semiconductor feature space |
US6137893A (en) * | 1996-10-07 | 2000-10-24 | Cognex Corporation | Machine vision calibration targets and methods of determining their location and orientation in an image |
TW368640B (en) * | 1996-12-25 | 1999-09-01 | Hitachi Ltd | Image processor, image processing device and image processing method |
DE19709317B4 (de) * | 1997-03-07 | 2008-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung eines Fahrzeugs |
US6330354B1 (en) * | 1997-05-01 | 2001-12-11 | International Business Machines Corporation | Method of analyzing visual inspection image data to find defects on a device |
JP3998334B2 (ja) * | 1997-09-22 | 2007-10-24 | 株式会社東芝 | 欠陥検査方法 |
US6104835A (en) * | 1997-11-14 | 2000-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor |
US6975764B1 (en) * | 1997-11-26 | 2005-12-13 | Cognex Technology And Investment Corporation | Fast high-accuracy multi-dimensional pattern inspection |
US6850646B1 (en) * | 1997-12-31 | 2005-02-01 | Cognex Corporation | Fast high-accuracy multi-dimensional pattern inspection |
JP3120767B2 (ja) * | 1998-01-16 | 2000-12-25 | 日本電気株式会社 | 外観検査装置、外観検査方法及び外観検査プログラムを記録した記録媒体 |
US6947587B1 (en) * | 1998-04-21 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection method and apparatus |
JP4206192B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2009-01-07 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
JP2000194864A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Jeol Ltd | パタ―ン欠陥分類装置 |
US6539106B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Feature-based defect detection |
JP2000260699A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Canon Inc | 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた半導体露光装置 |
US6650779B2 (en) * | 1999-03-26 | 2003-11-18 | Georgia Tech Research Corp. | Method and apparatus for analyzing an image to detect and identify patterns |
JP3524819B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2004-05-10 | 株式会社日立製作所 | 画像比較によるパターン検査方法およびその装置 |
US20040081350A1 (en) * | 1999-08-26 | 2004-04-29 | Tadashi Kitamura | Pattern inspection apparatus and method |
US6577758B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-06-10 | Cognex Technology And Investment Corporation | Image position detection technique in which input parameters can be easily determined |
US6445199B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures |
US6748104B1 (en) * | 2000-03-24 | 2004-06-08 | Cognex Corporation | Methods and apparatus for machine vision inspection using single and multiple templates or patterns |
CN100401043C (zh) * | 2000-04-18 | 2008-07-09 | 香港大学 | 一种检验含缺陷织物的方法 |
JP3990981B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-10-17 | ケイエルエイ−テンコー コーポレイション | 基板を検査するための方法及び装置 |
US6771808B1 (en) * | 2000-12-15 | 2004-08-03 | Cognex Corporation | System and method for registering patterns transformed in six degrees of freedom using machine vision |
JP2002261136A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 異物検査方法 |
JP4230674B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2009-02-25 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
US6829382B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-12-07 | Shih-Jong J. Lee | Structure-guided automatic alignment for image processing |
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
JP2003107022A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置及び検査方法 |
US6735745B2 (en) * | 2002-02-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and system for detecting defects |
AU2003247868A1 (en) * | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables |
DE10245621B4 (de) * | 2002-09-30 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Übergabe einer Meßposition eines auf einer Maske zu bildenden Strukturelementes |
US6718526B1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-04-06 | Kla-Tencor Corporation | Spatial signature analysis |
US6930782B1 (en) * | 2003-03-28 | 2005-08-16 | Lam Research Corporation | End point detection with imaging matching in semiconductor processing |
KR100514169B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 정렬 방법 및 장치 |
JP4260587B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2009-04-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置 |
US7142992B1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-11-28 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing |
JP5006520B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
US7760347B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system |
-
2005
- 2005-12-14 US US11/300,172 patent/US7570800B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-14 JP JP2008545978A patent/JP5284792B2/ja active Active
- 2006-12-14 WO PCT/US2006/062100 patent/WO2007079344A2/en active Application Filing
-
2009
- 2009-08-03 US US12/534,709 patent/US20090290784A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7570800B2 (en) | 2009-08-04 |
WO2007079344A3 (en) | 2008-10-02 |
US20090290784A1 (en) | 2009-11-26 |
US20070133860A1 (en) | 2007-06-14 |
JP2009520952A (ja) | 2009-05-28 |
WO2007079344A2 (en) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5284792B2 (ja) | 検査サンプル上で検出された欠陥分類のための方法とシステム | |
US11348222B2 (en) | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data | |
JP6719462B2 (ja) | プロセスウィンドウキャラクタライゼーションのための仮想検査システム | |
TWI670685B (zh) | 在圖案化晶圓上缺陷之子像素及子解析度局部化 | |
US7769225B2 (en) | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern | |
US7729529B2 (en) | Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle | |
KR20140141648A (ko) | 체계적 결함 필터를 갖는 레티클 결함 검사 | |
IL262464A (en) | Systems and methods for automatic correction of deviation between testing and design for a massive model search | |
CN110892516B (zh) | 识别晶片上的干扰缺陷的来源 | |
TWI778258B (zh) | 缺陷偵測之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體 | |
US10140698B2 (en) | Polygon-based geometry classification for semiconductor mask inspection | |
TW202044097A (zh) | 用於測試影像與設計對準之設計檔案選擇 | |
CN111837227B (zh) | 用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统 | |
CN109314067B (zh) | 在逻辑及热点检验中使用z层上下文来改善灵敏度及抑制干扰的系统及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120229 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120322 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5284792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |