JP6354661B2 - 正帯電単層型電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、正帯電単層型電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。一般に、電子写真感光体は、感光層を備える。感光層は、電荷発生剤、電荷輸送剤（例えば、正孔輸送剤又は電子輸送剤）、及びこれらを結着させる樹脂（バインダー樹脂）を含有することができる。このような感光層を備える電子写真感光体は、電子写真有機感光体と呼ばれる。また、感光層は、電荷輸送剤と電荷発生剤とを含み、電荷発生と電荷輸送との両方の機能を同一の層で有することもできる。このような電子写真有機感光体は、単層型電子写真感光体と呼ばれる。

電子写真有機感光体の正孔輸送剤として、トリス（４−スチリルフェニル）アミン誘導体が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−２７１３９号公報

しかしながら、電子写真感光体として特許文献１に記載されたトリス（４−スチリルフェニル）アミン誘導体を用いたとしても、転写メモリーの発生を抑制することは難しい。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、転写メモリーの発生を抑制する正帯電単層型電子写真感光体を提供することである。また、このような正帯電単層型電子写真感光体を備えることで画像不良の発生を抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置を提供することである。

本発明の正帯電単層型電子写真感光体は、像担持体と接触して電圧を印加する帯電部を備える画像形成装置において、前記像担持体として使用される。前記正帯電単層型電子写真感光体は、感光層を備える。前記感光層は、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を少なくとも含有する。前記正孔輸送剤は、下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含む。

前記一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１２以下のアリール基を表す。ｍ及びｎは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₁は、各々、同一でも異なっていてもよい。ｎが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₂は、各々、同一でも異なっていてもよい。

本発明のプロセスカートリッジは、上述の正帯電単層型電子写真感光体を備える。

本発明の画像形成装置は、像担持体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記像担持体は、上述の正帯電単層型電子写真感光体である。前記帯電部は、前記像担持体の表面を帯電する。前記帯電部は前記像担持体と接触して電流を印加する。前記帯電部の帯電極性は、正極性である。前記露光部は、前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する。

本発明の正帯電単層型電子写真感光体によれば、転写メモリーの発生を抑制することができる。また、本発明のプロセスカートリッジ、又は画像形成装置によれば、上述の正帯電単層型電子写真感光体を備えることで、転写メモリーにより引き起こされる画像不良（例えば、画像ゴースト）の発生を抑制することができる。

（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、それぞれ、第一実施形態に係る正帯電単層型電子写真感光体の構造を示す概略断面図である。 式（ＨＴ−１）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲチャートである。 式（ＨＴ−２）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲチャートである。 式（ＨＴ−３）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲチャートである。 式（ＨＴ−４）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲチャートである。 式（ＨＴ−５）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲチャートである。 第二実施形態に係る画像形成装置の一態様の構成を示す概略図である。 第二実施形態に係る画像形成装置の別の態様の構成を示す概略図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨を限定するものではない。なお、有機化合物名の後に「系」を付けて、有機化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。

＜第一実施形態：正帯電単層型電子写真感光体＞
第一実施形態は、正帯電単層型電子写真感光体（以下、単に「感光体」と記載する場合がある）に関する。以下、図１を参照して、第一実施形態に係る感光体について説明する。図１は、第一実施形態に係る正帯電単層型電子写真感光体の構造を示す概略断面図である。感光体１は、例えば、図１（ａ）に示すように、導電性基体２と、感光層３とを備える。感光層３は、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を少なくとも含有する。感光層３は、正孔輸送剤として、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含む。

第一実施形態に係る感光体１は、転写メモリーの発生を抑制することができる。その理由は、以下のように推測される。

便宜上、はじめに転写メモリーについて説明する。電子写真方式の画像形成では、例えば、以下の１）〜５）の工程を含む画像形成プロセスが実施される。
１）像担持体の表面を帯電する帯電工程、
２）像担持体の表面に静電潜像を形成する露光工程、
３）静電潜像をトナー像として現像する現像工程、
４）形成されたトナー像を、像担持体から記録媒体へ転写する転写工程、及び
５）記録媒体に転写されたトナー像を加熱して定着する工程。

しかし、このような画像形成プロセスでは、像担持体を回転させて使用するため、転写工程に起因する転写メモリーが発生する場合がある。具体的には、以下の通りである。帯電工程において、像担持体の表面は、一様に一定の正極性の電位まで帯電される。続いて、露光工程及び現像工程を経て、転写工程において、帯電とは逆極性（負極性）の転写バイアスが、記録媒体を介して、像担持体に印加される。印加された転写バイアスの影響により、像担持体表面の非露光領域（非画像領域）の電位が大きく低下し、低下した状態が保持されることがある。この電位低下の影響を受け、非露光領域は、次の周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電されにくい。一方、露光領域（画像領域）の電位は、転写バイアスが印加された状態であっても、露光領域にトナーが付着しているため、感光体表面に直接印加されにくく、低下しにくい。このため、露光領域は、次の周の帯電工程において、所望の正極性の電位まで帯電され易い。その結果、露光領域と非露光領域とで帯電電位が異なり、像担持体の表面を一様に一定の正極性の電位まで帯電させることが困難となる場合がある。このように感光体の前周の作像工程における転写の影響を引きずって非露光領域の帯電能が低下してしまい電位差を生じる現象を、転写メモリーという。

既に述べたように、第一実施形態に係る感光体１は、正孔輸送剤として、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含む。一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、３個のフェニルブタジエニル基を有する。一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、このような構造を有することにより、バインダー樹脂との相溶性に優れる傾向にある。このため、正孔輸送剤であるトリアリールアミン誘導体は、感光層３中で均一に分散することができると考えられる。

一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、感光層３中で均一に分散している。このため、感光体１は、電子の移動性が優れる傾向にある。一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、バインダー樹脂への分散性に優れる。電子輸送剤と、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体とがともに感光層３中に混在する。このため、感光層３中において電子輸送剤とバインダー樹脂との相溶性が向上し、感光層３の電子輸送能が向上され易い。その結果、転写バイアスが感光体１に印加した状態であっても、感光層３中の電子は速やかに移動し、感光層３中に残留しにくい。したがって、第一実施形態に係る感光体１は、転写メモリーの発生を抑制できる。なお、上記説明では、中間転写体を採用しない画像形成装置を例に挙げている。中間転写体を採用する画像形成装置においても同様に、第一実施形態に係る感光体１は、転写メモリーの発生を抑制できる。

引き続き、第一実施形態に係る感光体１について説明する。感光体１は、例えば、図１（ｂ）に示すように、導電性基体２と、感光層３と、中間層４とを備える。また、感光体１は、図１（ｃ）に示すように、導電性基体２と、感光層３と、保護層５とを備える。感光層３は、導電性基体２上に直接又は間接に設けられる。例えば、図１（ａ）に示すように、導電性基体２上に感光層３を直接設けてもよい。あるいは、例えば、図１（ｂ）に示すように、導電性基体２と感光層３との間に中間層４が適宜に設けられていてもよい。また、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、感光層３が最外層として露出していてもよい。あるいは、図１（ｃ）に示すように、感光層３上に保護層５が適宜に備えられていてもよい。

感光層３の厚さは、感光層として充分に作用することができる限り、特に限定されない。感光層３の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

以下、導電性基体２、及び感光層３について説明する。さらに、中間層４について説明する。

［１．導電性基体］
導電性基体２は、感光体１の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体２としては、少なくとも表面部が導電性を有する材料で構成される導電性基体を用いることができる。導電性基体２としては、例えば、導電性を有する材料で構成される導電性基体；及び導電性を有する材料で被覆される導電性基体が挙げられる。導電性を有する材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、又は真鍮が挙げられる。これらの導電性を有する材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて（例えば、合金として）用いてもよい。これらの導電性を有する材料のなかでも、感光層３から導電性基体２への電荷の移動が良好であることから、導電性基体２の材料として、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

導電性基体２の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて適宜選択することができる。例えば、シート状の導電性基体、又はドラム状の導電性基体を使用することができる。また、導電性基体２の厚みは、導電性基体２の形状に応じて、適宜選択することができる。

［２．感光層］
既に上述したように、感光層３は、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を少なくとも含有する。以下、感光層３に含まれる、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂について説明する。また、感光層３に必要に応じて含まれてもよい添加剤について説明する。

［２−１．電荷発生剤］
電荷発生剤は、感光体１用の電荷発生剤であれば、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコンのような無機光導電材料の粉末、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、又はキナクリドン系顔料が挙げられる。フタロシアニン系顔料としては、例えば、無金属フタロシアニン（例えば、Ｘ型無金属フタロシアニン（Ｘ−Ｈ₂Ｐｃ））、又は金属フタロシアニン誘導体が挙げられる。金属フタロシアニン誘導体としては、例えば、チタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、又は酸化チタン以外が配位した金属フタロシアニン（例えば、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン）が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶型としては、例えば、α型チタニルフタロシアニン、β型チタニルフタロシアニン、又はＹ型チタニルフタロシアニンが挙げられる。感光体１用の電荷発生剤として、これらの電荷発生剤のうち、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又は金属フタロシアニンがより好ましい。Ｘ型無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがさらに好ましい。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

所望の領域に吸収波長を有する電荷発生剤を単独で感光体１に用いてもよいし、２種以上の電荷発生剤を組み合わせて感光体１に用いてもよい。さらに、例えば、デジタル光学系の画像形成装置（例えば、半導体レーザーのような光源を使用したレーザービームプリンター、又はファクシミリ）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。そのため、例えば、フタロシアニン系顔料（例えば、Ｘ型無金属フタロシアニン、又はＹ型チタニルフタロシアニン）が好適に用いられる。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、α型、β型、又はＹ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。

短波長レーザー光源（例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下程度の波長を有するレーザー光源）を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料、又はペリレン系顔料が好適に用いられる。

電荷発生剤の含有量は、感光層３においてバインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましい。

［２−２．正孔輸送剤］
感光層３に正孔輸送剤として含有されるトリアリールアミン誘導体は、一般式（Ｉ）で表される。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１２以下のアリール基を表す。ｍ及びｎは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｍが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₁は、各々、同一でも異なっていてもよい。ｎが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₂は、各々、同一でも異なっていてもよい。

既に述べたように、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は感光層３中での分散性に優れる傾向にある。このため、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体が、感光層３の成膜時に結晶化することを抑制できる傾向にある。その結果、感光体１が感光層３を備える場合、感光体１は感度に優れる。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子が挙げられる。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、又はヘキシル基が挙げられる。これらのうち、炭素原子数１以上３以下のアルキル基がより好ましく、メチル基、又はイソプロピル基がさらに好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、又はヘキシルオキシ基が挙げられる。これらのうち、メトキシ基がより好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数６以上１２以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、又はナフチル基が挙げられる。

一般式（Ｉ）において、芳香環（ベンゼン環）における電子の共鳴効果があることから、一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、又はメトキシ基を表すことが好ましい。

Ｒ₁及びＲ₂で表される置換基の結合位置は特に制限されない。例えば、Ｒ₂で表される置換基は、フェニルブタジニエル基のベンゼン環が結合するブタジニエル基に対して、ベンゼン環のオルト位（ｏ位）、メタ位（ｍ位）、及びパラ位（ｐ位）の何れにも置換することができる。Ｒ₂の結合位置により、トリアリールアミン誘導体の対称構造を崩すことができる。また、Ｒ₁で表される置換基は、ベンゼン環が結合する窒素原子に対して、ベンゼン環のオルト位及びメタ位の何れにも置換することができ、ベンゼン環のメタ位に置換することが好ましい。Ｒ₁の結合位置により、トリアリールアミン誘導体の対称構造を崩すことができる。

ｍ及びｎは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。一般式（Ｉ）において、分子構造の安定を確保できることから、ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。ｍが０以上の整数を表す場合、異なる芳香環に存在する複数のＲ₁は、互いに同一であっても異なってもよい。ｍが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₁は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎが０以上の整数を表す場合、異なる芳香環に存在する複数のＲ₂は、互いに同一であっても異なってもよい。ｎが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₂は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は炭素原子数６以上１２以下のアリール基は、置換基を有してもよい。例えば、一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基の置換基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の置換基としては、例えば、一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂が表す炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１２以下のアリール基と同様の基が挙げられる。

正孔輸送剤としては、一般式（Ｉ）で表されるトリアミン誘導体を単独で用いてもよく、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体以外の別の正孔輸送剤を組み合わせて用いてよい。別の正孔輸送剤は、公知の正孔輸送剤から適宜選択できる。また、正孔輸送剤は、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体のうちの１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体の具体例は、式（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）で示される。以下、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−７）と記載する場合がある。

式（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−５）で表されるトリアリールアミン誘導体の¹Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴）チャート（溶媒：ＣＤＣｌ₃、基準物質：ＴＭＳ）を、それぞれ図２〜図６に示す。

一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、例えば、以下の反応式（Ｒ−１）、（Ｒ−２）、及び（Ｒ−３）で表される反応を含む製造方法で製造することができる。

反応式（Ｒ−１）、（Ｒ−２）、及び（Ｒ−３）中のＲ₁、Ｒ₂、ｍ及びｎは、各々、一般式（Ｉ）中のＲ₁、Ｒ₂、ｍ及びｎと同義である。また、反応式（Ｒ−１）、（Ｒ−２）、及び（Ｒ−３）中のＸは、ハロゲン原子を表す。

反応式（Ｒ−１）で表される反応について、以下に述べる。反応式（Ｒ−１）で表される反応では、一般式（１）で表される化合物（以下、「ベンゼン誘導体（１）」と記載する場合がある）と、式（２）で表される化合物（以下、「亜リン酸トリエチル（２）」と記載する場合がある）とを反応させて、一般式（３）で表される化合物（以下、「ホスホナート誘導体（３）」と記載する場合がある）を得る。反応式（Ｒ−１）で表される反応は、例えば、触媒、又は塩基の存在下、溶剤中にて行うことができる。また、得られたホスホナート誘導体（３）は、抽出後に精製することにより取り出すことができる。

ベンゼン誘導体（１）と亜リン酸トリエチル（２）との反応割合は、モル比で、１：１〜１：４であることが好ましい。ベンゼン誘導体（１）の物質量が亜リン酸トリエチル（２）の物質量に比べ過少であると、ホスホナート誘導体（３）の収率が低下する。一方、ベンゼン誘導体（１）の物質量が亜リン酸トリエチル（２）の物質量に比べ過多であると、未反応の亜リン酸トリエチル（２）が残留し、ホスホナート誘導体（３）の精製が困難となる。

反応式（Ｒ−１）で表される反応に関し、所望の反応を比較的簡易な製造設備で効率的に実施できるために、反応温度は１６０℃以上２００℃以下であることが好ましい。同様の理由から、反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。

次に、反応式（Ｒ−２）で表される反応について、以下に述べる。反応式（Ｒ−２）で表される反応では、ホスホナート誘導体（３）と、一般式（４）で表される化合物（以下、「シンナムアルデヒド誘導体（４）」と記載する場合がある）とを反応（以下、「Ｗｉｔｔｉｎｇ反応」と記載する場合がある）させて、一般式（５）で表される化合物（以下、「ジフェニルブタジエン誘導体（５）」と記載する場合がある）を得る。ジフェニルブタジエン誘導体（５）は、抽出後に精製することにより、取り出すことができる。

ホスホナート誘導体（３）とシンナムアルデヒド誘導体（４）との反応割合は、モル比で、１：１〜１：２．５であることが好ましい。ホスホナート誘導体（３）の物質量がシンナムアルデヒド誘導体（４）の物質量に比べ過多であると、ジフェニルブタジエン誘導体（５）の収率が低下する。一方、ホスホナート誘導体（３）の物質量がシンナムアルデヒド誘導体（４）の物質量に比べ過少であると、未反応のシンナムアルデヒド誘導体（４）が残留し、ジフェニルブタジエン誘導体（５）の精製が困難となる。

Ｗｉｔｔｉｎｇ反応に関し、反応温度は０℃以上５０℃以下であることが好ましく、反応時間は２時間以上２４時間以下であることが好ましい。

Ｗｉｔｔｉｎｇ反応は、例えば、触媒の存在下で行うことができる。触媒としては、例えば、ナトリウムアルコキシド（具体的には、ナトリウムメトキシド、又はナトリウムエトキシド）、金属水素化物（水素化ナトリウム、又は水素化カリウム）、又は金属塩（具体的には、ｎ−ブチルリチウム）が挙げられる。これらの触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

触媒の添加量は、シンナムアルデヒド誘導体（４）１モルに対して、１モル以上２モル以下であることが好ましい。触媒の添加量が過少であると、反応性が著しく低下することがある。一方、触媒の添加量が過多であると、反応の制御が困難になることがある。

Ｗｉｔｔｉｎｇ反応は、例えば、溶剤中で行うことができる。溶剤としては、例えば、エーテル類（具体的には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、又はジオキサン）、ハロゲン化炭化水素（具体的には、塩化メチレン、クロロホルム、又はジクロロエタン）、又は芳香族炭化水素（具体的には、ベンゼン、又はトルエン）が挙げられる。

次いで、反応式（Ｒ−３）で表される反応について述べる。反応式（Ｒ−３）で表される反応では、例えばジフェニルブタジエン誘導体（５）とリチウムアミドとを反応（カップリング反応）させて、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を得る。一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は抽出後に精製することにより取り出すことができる。

ジフェニルブタジエン誘導体（５）とリチウムアミドとの反応比は、モル比で、５：１〜１：１であることが好ましい。ジフェニルブタジエン誘導体（５）の物質量がリチウムアミドの物質量に比べ過多であると、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体の収率が低下する。一方、ジフェニルアミン誘導体（５）の物質量がリチウムアミドの物質量に比べ過少であると、未反応のリチウムアミドが残留し、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体の精製が困難となる。

反応式（Ｒ−３）で表される反応に関し、反応温度は８０℃以上１４０℃以下であることが好ましく、反応時間は２時間以上１０時間以下であることが好ましい。

また、反応式（Ｒ−３）で表される反応には、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応式（Ｒ−３）で表される反応における活性化エネルギーを効果的に低下させることができる。その結果、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体の収率をより向上させることができる。

パラジウム化合物としては、例えば、四価パラジウム化合物類（例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物）、二価パラジウム化合物類（例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルアミンホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ））、又は、その他のパラジウム化合物類（例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）又はテトラキス（トリフェニルアミンホスフィン）パラジウム（０））が挙げられる。また、パラジウム化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

パラジウム化合物の添加量は、ジフェニルブタジエン誘導体（５）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。

パラジウム化合物は、配位子を含む構造であってもよい。これにより、反応式（Ｒ−３）で表される反応の反応性を向上させることができる。配位子としては、例えば、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフリルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、又は２，２’−ビス［（ジフェニルホスフィノ）ジフェニル］エーテルが挙げられる。配位子は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。配位子の添加量は、ジフェニルブタジエン誘導体（５）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下であることが好ましく、０．００１モル以上１モル以下であることがより好ましい。

反応式（Ｒ−３）で表される反応は、塩基の存在下で行われることが好ましい。これにより、反応系中で発生するハロゲン化水素がすみやかに中和され、触媒活性を向上させることができる。その結果、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体の収率を向上させることができる。

塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、例えば、アルカリ金属アルコシド（具体的には、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、又はカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド）が好ましく、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドがより好ましい。また、無機塩基としては、例えば、リン酸三カリウム、又はフッ化セシウムが挙げられる。

ジフェニルブタジエン誘導体（５）１モルに対して、パラジウム化合物０．０００５モル以上２０モル以下を加えた場合、塩基の添加量は、１モル以上１０モル以下であることが好ましく、１モル以上５モル以下であることがより好ましい。

反応式（Ｒ−３）で表される反応は、溶剤中で行うことができる。溶剤としては、例えば、キシレン（具体的には、ｏ−キシレン）、トルエン、テトラヒドロフラン、又はジメチルホルムアミドが挙げられ、キシレンがより好ましい。

トリアリールアミン誘導体の製造方法では、反応式（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）で表される反応の何れかを行う工程以外に、必要に応じて適宜な工程を含んでいてもよい。

正孔輸送剤の含有量は、感光層３においてバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。

［２−３．電子輸送剤］
既に述べたように、感光層３は、電子輸送剤を含有する。感光層３が電子輸送剤を含有すると、電子が輸送され易くなり、転写メモリーの発生が抑制される。

電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸、又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ナフトキノン系化合物、ジフェノキノン系化合物、アントラキノン系化合物、アゾキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物、又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

キノン系化合物の具体例としては、式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。

ヒドラゾン系化合物の具体例としては、式（ＥＴＭ−ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中、Ｒ₁₁〜Ｒ₂₂は、各々独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい複素環基を表す。Ｒ₂₃は、ハロゲン原子、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい複素環基を表す。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、アルキル基としては、例えば、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基が挙げられ、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上５以下のアルキル基がより好ましく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、又はｔｅｒｔ−ペンチル基が特に好ましい。アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、又はこれらを組み合わせたアルキル基であってもよい。アルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、又はシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３以下であることが好ましい。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、アルケニル基としては、例えば、炭素原子数２以上１０以下のアルケニル基が挙げられ、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基が好ましく、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基がより好ましい。アルケニル基は、直鎖状アルケニル基、分岐鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、又はこれらを組み合わせたアルケニル基であってもよい。アルケニル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、又はシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３以下であることが好ましい。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、アルコキシ基としては、例えば、炭素原子数１以上１０以下のアルコキシ基が挙げられ、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基がより好ましい。アルコキシ基は、直鎖状アルコキシ基、分岐鎖状アルコキシ基、環状アルコキシ基、又はこれらを組み合わせたアルコキシ基であってもよい。アルコキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、又はシアノ基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、３以下であることが好ましい。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、アラルキル基としては、例えば、炭素原子数７以上１５以下のアラルキル基が挙げられ、炭素原子数７以上１３以下のアラルキル基が好ましく、炭素原子数７以上１２以下のアラルキル基がより好ましい。アラルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上４以下の脂肪族アシル基、ベンゾイル基、フェノキシ基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基を含むアルコキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基が挙げられる。置換基の数は、特に限定されないが、５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましい。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２個又は３個のベンゼン環が縮合されることにより形成される基、又は２個若しくは３個のベンゼン環が単結合により連結されることにより形成される基が挙げられる。芳香族炭化水素基に含まれるベンゼン環の数は、例えば、１以上３以下であり、１又は２であることが好ましい。芳香族炭化水素基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上４以下の脂肪族アシル基、ベンゾイル基、フェノキシ基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基を含むアルコキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基が挙げられる。

式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₁₁〜Ｒ₂₃において、複素環基としては、例えば、Ｎ、Ｓ、及びＯからなる群より選択される１以上のヘテロ原子を含む５員又は６員の単環の複素環基；このような単環同士が縮合した複素環基；又は、このような単環と、５員又は６員の炭化水素環とが縮合した複素環基が挙げられる。複素環基が縮合環である場合、縮合環に含まれる環の数は３以下であることが好ましい。複素環基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、炭素原子数２以上４以下の脂肪族アシル基、ベンゾイル基、フェノキシ基、炭素原子数１以上４以下のアルコキシ基を含むアルコキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基が挙げられる。

式（ＥＴＭ−ＩＶ）中のＲ₂₃において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。

電子輸送剤の含有量は、感光体１の感光層３においてバインダー樹脂１００質量部に対して、５質量部以上１００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上８０質量部以下であることがより好ましい。

［２−４．バインダー樹脂］
バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、スチレン系樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−アクリル酸系共重合体、アクリル共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、又はポリエステル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、又はその他架橋性の熱硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシアクリル酸系樹脂、又はウレタン−アクリル酸系樹脂が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

これらの樹脂の中では、加工性、機械的特性、光学的特性、及び／又は耐摩耗性のバランスに優れた感光層３が得られることから、バインダー樹脂としては、ポリカーボネート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＢ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＣＺ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＣ型ポリカーボネート樹脂、又はビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。ポリカーボネート樹脂としてより具体的には、式（Ｒｅｓｉｎ−Ｉ）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。

バインダー樹脂の分子量は、粘度平均分子量で４００００以上であることが好ましく、４００００以上５２５００以下であることがより好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が４００００以上であると、バインダー樹脂の耐摩耗性を十分に高めることができ、感光層３が摩耗しにくくなる。また、バインダー樹脂の分子量が５２５００以下であると、感光層３の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層用塗布液（以下、単に「塗布液」と記載する場合がある）の粘度が高くなり過ぎない。その結果、感光層３を形成し易くなる。

［２−５．添加剤］
第一実施形態に係る感光体１において、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、感光層３は各種の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（例えば、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、１重項消光剤、又は紫外線吸収剤）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤、又はレベリング剤が挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン若しくはこれらの誘導体、有機硫黄化合物、又は有機燐化合物が挙げられる。

［３．中間層］
感光体１において、中間層４（特に、下引き層）は、導電性基体２と感光層３との間に位置することができる。中間層４は、例えば、無機粒子、及び中間層４に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層４の存在により、リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体１を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇を抑えることができる。

無機粒子としては、例えば、金属（例えば、アルミニウム、鉄、又は銅）、金属酸化物（例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、又は酸化亜鉛）の粒子、又は非金属酸化物（例えば、シリカ）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

中間層用樹脂としては、中間層４を形成する樹脂として用いることができる樹脂であれば、特に限定されない。

中間層４は、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤は、感光層３の添加剤と同様である。

次に、図１を参照して、第一実施形態に係る感光体１の製造方法について説明する。第一実施形態に係る感光体１の製造方法は、感光層形成工程を有することができる。感光層形成工程では、塗布液を、導電性基体２上に塗布し、塗布した塗布液に含まれる溶剤を除去して感光層３を形成する。塗布液は、少なくとも、電荷発生剤と、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体と、電子輸送剤と、バインダー樹脂と、溶剤とを含むことができる。塗布液は、電荷発生剤、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を、溶剤に溶解又は分散させることにより調製することができる。塗布液は、必要に応じて各種添加剤を加えてもよい。

塗布液に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できれば、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、又はブタノール）、脂肪族系炭化水素（例えば、ｎ−ヘキサン、オクタン、又はシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、又はキシレン）、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、又はクロロベンゼン）、エーテル類（例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、又はジエチレングリコールジメチルエーテル）、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、又はシクロヘキサノン）、エステル類（例えば、酢酸エチル、又は酢酸メチル）、ジメチルホルムアルデヒド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの溶剤のうち、塗布液に含有される溶剤としては、非ハロゲン系溶剤が好ましい。

塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー、又は超音波分散器を用いることができる。

塗布液は、各成分の分散性、又は形成される各々の層の表面平滑性を向上させるために、例えば、界面活性剤又はレベリング剤を含有してもよい。

塗布液を塗布する方法としては、例えば、導電性基体２上に均一に塗布液を塗布できる方法であれば、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法、又はバーコート法が挙げられる。

塗布液に含まれる溶剤を除去する方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る方法であれば、特に制限されない。除去する方法としては、例えば、加熱、減圧、又は加熱と減圧との併用が挙げられる。より具体的には、高温乾燥機、又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。

なお、感光体１の製造方法は、必要に応じて、中間層４を形成する工程、及び／又は保護層５を形成する工程をさらに含んでいてもよい。中間層４を形成する工程、及び保護層５を形成する工程では、公知の方法を適宜選択することができる。

第一実施形態に係る感光体１は、像担持体と接触して電圧を印加する帯電部を備える画像形成装置において、像担持体として使用される。第一実施形態に係る感光体１は、像担持体と接触して電圧を印加する帯電部を備える画像形成装置においても、転写メモリーの発生を抑制することができる。

以上、図１を参照して、第一実施形態に係る感光体１を説明した。第一実施形態に係る感光体１によれば、転写メモリーの発生を抑制することができる。

＜第二実施形態：画像形成装置＞
第二実施形態は、画像形成装置に関する。以下、図７を参照して、第二実施形態に係る画像形成装置の一態様について、説明する。図７は、第二実施形態に係る画像形成装置の一態様の構成を示す概略図である。画像形成装置６は、第一実施形態に係る感光体１を備える。感光体１は、像担持体として使用される。

第二実施形態に係る画像形成装置６は、感光体に相当する像担持体１と、帯電装置に相当する帯電部２７と、露光装置に相当する露光部２８と、現像装置に相当する現像部２９と、転写部とを備える。帯電部２７は像担持体１の表面を正帯電する。帯電部２７の帯電極性は、正極性である。帯電部２７は、像担持体１と接触して電圧を印加する。露光部２８は、帯電された像担持体１の表面を露光して、像担持体１の表面に静電潜像を形成する。現像部２９は、静電潜像をトナー像として現像する。転写部は、像担持体１と被転写体とが接触しながら、トナー像を像担持体１から中間転写ベルト２０へ転写する。画像形成装置６が中間転写方式を採用する場合、転写部は、一次転写ローラー３３、及び二次転写ローラー２１に相当する。像担持体は、第一実施形態に係る感光体１である。

第二実施形態に係る画像形成装置６は、像担持体として第一実施形態に係る感光体１を備える。このため、第二実施形態に係る画像形成装置６は、転写メモリーにより引き起こされる画像不良（例えば、画像ゴースト）の発生を抑制することができる。その理由は、以下のように推測される。

まず、便宜上、転写メモリーにより引き起こされる画像不良について説明する。上述のように転写メモリーが発生すると、像担持体１の表面において、次の周の帯電工程で所望の電位が得られない領域は、次の周の帯電工程で所望の電位が得られる領域に比べ、電位が低下する傾向にある。具体的には、像担持体１の表面における前周回の非露光領域は、前周回の露光領域に比べ、電位が低下する傾向にある。このため、前周回の非露光領域は、前周回の露光領域に比べ、電位が低下し易いため、正帯電トナーを引き付け易くなる。その結果、前周回の非画像部（非露光領域）を反映した画像が形成され易い。このような前周回の非画像部を反映した画像が形成される画像不良が、転写メモリーにより引き起こされる画像不良である。

第一実施形態に係る感光体１は、上述のように転写メモリーの発生を抑制する傾向にある。したがって、第二実施形態に係る画像形成装置６は、像担持体として第一実施形態に係る感光体１を備えるため、転写メモリーにより引き起こされる画像不良を抑制することができると考えられる。

画像形成装置６は、電子写真方式の画像形成装置である限り、特に限定されない。画像形成装置６は、例えば、モノクロ画像形成装置であってもよいし、カラー画像形成装置であってもよい。異なる色のトナーによる各色のトナー像を形成するために、画像形成装置６は、タンデム方式のカラー画像形成装置であってもよい。

以下、タンデム方式のカラー画像形成装置を例に挙げて、画像形成装置６を説明する。画像形成装置６は、所定方向に並設された複数の感光体１と、複数の現像部２９とを備える。複数の現像部２９は、各々、感光体１に対向して配置される。複数の現像部２９は、各々、現像ローラーを備える。現像ローラーは、トナーを担持して搬送し、対応する像担持体１の表面にトナーを供給する。

図７に示すように、画像形成装置６は、箱型の機器筺体７をさらに備える。機器筺体７内には、給紙部８、画像形成部９、及び定着部１０が設けられる。給紙部８は、用紙Ｐを給紙する。画像形成部９は、給紙部８から給紙された用紙Ｐを搬送しながら、用紙Ｐに画像データに基づくトナー像を転写する。定着部１０は、画像形成部９で用紙Ｐ上に転写された未定着のトナー像を、用紙Ｐに定着させる。さらに、機器筺体７の上面には、排紙部１１が設けられる。排紙部１１は、定着部１０で定着処理された用紙Ｐを排紙する。

給紙部８には、給紙カセット１２、第一ピックアップローラー１３、給紙ローラー１４、１５、及び１６、並びにレジストローラー対１７が備えられる。給紙カセット１２は、機器筺体７から挿脱可能に設けられる。給紙カセット１２には、各種サイズの用紙Ｐが貯留される。第一ピックアップローラー１３は、給紙カセット１２の左上方位置に設けられる。第一ピックアップローラー１３は、給紙カセット１２に貯留されている用紙Ｐを１枚ずつ取り出す。給紙ローラー１４、１５、及び１６は、第一ピックアップローラー１３によって取り出された用紙Ｐを搬送する。レジストローラー対１７は、給紙ローラー１４、１５、及び１６によって搬送された用紙Ｐを、一時待機させた後に、所定のタイミングで画像形成部９に供給する。

また、給紙部８は、手差しトレイ（不図示）と、第二ピックアップローラー１８とをさらに備えている。手差しトレイは、機器筺体７の左側面に取り付けられる。第二ピックアップローラー１８は、手差しトレイに載置された用紙Ｐを取り出す。第二ピックアップローラー１８によって取り出された用紙Ｐは、給紙ローラー１４、１５及び１６によって搬送され、レジストローラー対１７によって、所定のタイミングで画像形成部９に供給される。

画像形成部９には、画像形成ユニット１９、中間転写ベルト２０、及び二次転写ローラー２１が備えられる。中間転写ベルト２０には、画像形成ユニット１９によって、中間転写ベルト２０の表面（一次転写ローラー３３との接触面）に、トナー像が一次転写される。なお、一次転写されるトナー像は、コンピューターのような上位装置から伝送された画像データに基づいて形成される。二次転写ローラー２１は、中間転写ベルト２０上のトナー像を、給紙カセット１２から送り込まれた用紙Ｐに二次転写する。

画像形成ユニット１９には、イエロートナー供給用ユニット２５を基準として中間転写ベルト２０の回転方向の上流側（図７では右側）から下流側に向けて、イエロートナー供給用ユニット２５、マゼンタトナー供給用ユニット２４、シアントナー供給用ユニット２３、及びブラックトナー供給用ユニット２２が順次配設されている。ユニット２２、２３、２４、及び２５には、各ユニットの中央位置に、感光体１が配設されている。感光体１は、矢符（時計回り）方向に回転可能に配設されている。なお、ユニット２２、２３、２４、及び２５は、画像形成装置６本体に対して脱着される後述のプロセスカートリッジであってもよい。

そして、各像担持体１の周囲には、帯電部２７、露光部２８、現像部２９が、帯電部２７を基準として各像担持体１の回転方向の上流側から順に配置されている。

像担持体１の回転方向における帯電部２７の上流側には、除電器（不図示）、及びクリーニング装置（不図示）が設けられてもよい。除電器は、中間転写ベルト２０へのトナー像の一次転写が終了した後、像担持体１の周面（表面）を除電する。クリーニング装置及び除電器によって清掃及び除電された像担持体１の周面は、帯電部２７へ送られ、新たに帯電処理される。

なお、第二実施形態に係る画像形成装置６は、クリーニング装置に相当するクリーニング部及び／又は除電器に相当する除電部を備えることができる。第二実施形態に係る画像形成装置６がクリーニング部及び除電部を備える場合、各像担持体１の回転方向の上流側から帯電部２７を基準として、帯電部２７、露光部２８、現像部２９、転写部、クリーニング部、除電部の順で、配置される。

既に述べたように、帯電部２７は、像担持体１の表面を帯電する。具体的には、帯電部２７は、像担持体１の周面を均一に帯電する。帯電部２７は、像担持体１と接触して電圧を印加する。帯電部２７は、いわゆる接触方式の帯電部とも称される。このような接触方式の帯電部２７としては、例えば、帯電ローラー又は帯電ブラシが挙げられ、帯電ローラーが好ましい。接触方式の帯電部２７を使用することにより、帯電部２７から発生する活性ガス（例えば、オゾン、又は窒素酸化物）の排出を抑えることができる。その結果、活性ガスによる感光層３の劣化が抑制されるとともに、オフィス環境に配慮した設計が達成できる。

帯電部２７が接触方式の帯電ローラーを備える場合、帯電ローラーは、像担持体１と接触したまま、像担持体１の周面を帯電する。このような帯電ローラーとしては、例えば、像担持体１と接触したまま、像担持体１の回転に従属して回転する帯電ローラーが挙げられる。また、帯電ローラーとしては、例えば、少なくとも表面部が樹脂で構成された帯電ローラーが挙げられる。具体的には、帯電ローラーは、回転可能に軸支された芯金と、芯金上に形成された樹脂層と、芯金に電圧を印加する電圧印加部とを備える。このような帯電ローラーを備えた帯電部２７は、電圧印加部が芯金に電圧を印加することによって、樹脂層を介して接触する感光体１の表面を帯電させることができる。

帯電ローラーの樹脂層を構成する樹脂は、像担持体１の周面を良好に帯電させることができる限り特に限定されない。樹脂層を構成する樹脂の具体例としては、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、又はシリコーン変性樹脂が挙げられる。樹脂層には、無機充填材を含有させてもよい。

帯電部２７が印加する電圧の種類は、特に制限されないが、帯電部２７が印加する電圧としては、例えば、直流電圧、交流電圧、又は交流電流に直流電流を重畳した重畳電圧が挙げられる。直流電圧のみを印加する帯電部２７は、帯電部が交流電圧を印加する場合、又は帯電部が直流電圧に交流電圧を重畳した重畳電圧を印加する場合に比べ、以下に示す優位性がある。帯電部２７が直流電圧のみを印加すると、像担持体１に印加される電圧値が一定であるため、像担持体１の表面を一様に一定電位まで帯電させ易い。また、帯電部２７が直流電圧のみを印加すると、感光層３の磨耗量が減少する傾向がある。その結果、好適な画像を形成することができる。帯電部２７が感光体１に印加する直流電圧は、１０００Ｖ以上２０００Ｖ以下であることが好ましく、１２００Ｖ以上１８００Ｖ以下であることがより好ましく、１４００Ｖ以上１６００Ｖ以下であることが特に好ましい。

直流電圧は、交流電圧に比べ、転写メモリーが発生し易い傾向にある。しかし、第二実施形態に係る画像形成装置６は、像担持体として第一実施形態に係る感光体１を備えることにより、第二実施形態に係る画像形成装置６は、像保持体と接触して直流電圧を印加する帯電部を備えても、転写メモリーにより引き起こされる画像不良の発生を抑制することができる。

露光部２８は、例えば、レーザー走査ユニットである。露光部２８は、帯電された像担持体１の表面を露光して、像担持体１の表面に静電潜像を形成する。具体的には、露光部２８は、帯電部２７によって均一に帯電された像担持体１の周面に、パーソナルコンピューターのような上位装置から入力された画像データに基づくレーザー光を照射する。これにより、像担持体１の周面に、画像データに基づく静電潜像が形成される。

現像部２９は、静電潜像をトナー像として現像する。具体的には、現像部２９は、静電潜像が形成された像担持体１の周面にトナーを供給し、画像データに基づくトナー像を形成する。そして、形成されたトナー像が中間転写ベルト２０に一次転写される。なお、トナーの帯電極性は正極性である。

中間転写ベルト２０は、無端状のベルト回転体である。中間転写ベルト２０は、駆動ローラー３０、従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の一次転写ローラー３３に架け渡されている。複数の像担持体１の周面が、各々、中間転写ベルト２０の表面（接触面）に当接するように、中間転写ベルト２０は配置されている。

また、中間転写ベルト２０は、各像担持体１に対向して配置される一次転写ローラー３３によって、像担持体１に押圧される。押圧された状態で、中間転写ベルト２０は、駆動ローラー３０によって矢符（反時計回り）方向に無端回転する。駆動ローラー３０は、ステッピングモーターなどの駆動源によって回転駆動し、中間転写ベルト２０を無端回転させるための駆動力を与える。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の一次転写ローラー３３は、回転自在に設けられる。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び一次転写ローラー３３は、駆動ローラー３０による中間転写ベルト２０の無端回転に伴って、従動回転する。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び一次転写ローラー３３は、駆動ローラー３０の主動回転に応じて中間転写ベルト２０を介して従動回転するとともに、中間転写ベルト２０を支持する。

転写部は、トナー像を像担持体１から中間転写ベルト２０へ転写する。具体的には、一次転写ローラー３３は、一次転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性のバイアス）を中間転写ベルト２０に印加する。その結果、各像担持体１上に形成されたトナー像は、各像担持体１と一次転写ローラー３３との間で、周回する中間転写ベルト２０に対して、順次転写（一次転写）される。

二次転写ローラー２１は、二次転写バイアス（具体的には、トナー像と逆極性のバイアス）を用紙Ｐに印加する。その結果、中間転写ベルト２０上に一次転写されたトナー像は、二次転写ローラー２１とバックアップローラー３２との間で用紙Ｐに転写される。これにより、未定着のトナー像が用紙Ｐに転写される。

定着部１０は、画像形成部９で用紙Ｐに転写された未定着トナー像を定着させる。定着部１０は、加熱ローラー３４と、加圧ローラー３５とを備えている。加熱ローラー３４は、通電発熱体により加熱される。加圧ローラー３５は、加熱ローラー３４に対向配置され、加圧ローラー３５の周面が加熱ローラー３４の周面に押圧される。

画像形成部９で二次転写ローラー２１により用紙Ｐに転写された転写画像は、用紙Ｐが加熱ローラー３４と加圧ローラー３５との間を通過する際の加熱による定着処理により用紙Ｐに定着される。そして、定着処理の施された用紙Ｐは、排紙部１１へ排紙される。また、定着部１０と排紙部１１との間の適所に、複数の搬送ローラー３６が配設されている。

排紙部１１は、機器筺体７の頂部が凹没されることによって形成される。凹没した凹部の底部に、排紙された用紙Ｐを受ける排紙トレイ３７が設けられる。以上、図７を参照して、第二実施形態に係る画像形成装置６について説明した。

以下、図８を参照して、第二実施形態の別の態様に係る画像形成装置について説明する。図８は、第二実施形態に係る画像形成装置の別の態様の構成を示す概略図である。図８に示す画像形成装置６において、転写部は転写ローラー４１に相当する。図８に示す画像形成装置６においては、被転写体は、記録媒体（用紙Ｐ）に相当する。すなわち、図８に示す画像形成装置は、直接転写方式を採用する。なお、図８において、図７に対応する要素には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

直接転写方式を採用した画像形成装置６では、像担持体が転写バイアスの影響を受け易いため、通常、転写メモリーが発生し易い。しかし、上述のように第一実施形態に係る感光体１は、転写メモリーの発生を抑制する傾向にある。そのため、図８に示す画像形成装置６は、像担持体１として第一実施形態に係る感光体１を備えるため、画像形成装置６が直接転写方式を採用する場合であっても、転写メモリーにより引き起こされる画像不良の発生が抑制されると考えられる。

図８に示すように、転写ベルト４０は、無端状のベルト状回転体である。転写ベルト４０は、駆動ローラー３０、従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の転写ローラー４１に架け渡されている。各像担持体１の周面が転写ベルト４０の表面（接触面）に当接するように、転写ベルト４０は設置される。転写ベルト４０は、各像担持体１に対向して配置される各転写ローラー４１によって、像担持体１に押圧される。押圧された状態で、転写ベルト４０は、複数のローラー３０、３１、３２、及び４１によって無端回転する。駆動ローラー３０は、ステッピングモーターのような駆動源によって回転駆動し、転写ベルト４０を無端回転させるための駆動力を与える。従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び転写ローラー４１は、回転自在に設けられる。駆動ローラー３０による転写ベルト４０の無端回転に伴って、従動ローラー３１、バックアップローラー３２、及び複数の転写ローラー４１は従動回転する。これらのローラー３１、３２、４１は、従動回転するとともに、転写ベルト４０を支持する。レジストローラー対１７から供給された用紙Ｐは、吸着ローラー４２によって転写ベルト４０上に吸着される。転写ベルト４０上に吸着された用紙Ｐは、転写ベルト４０の回転に伴い、各像担持体１と対応する転写ローラー４１との間を通過する。

転写部は、像担持体１と用紙Ｐとが接触しながら、像担持体１から用紙Ｐへトナー像を転写する。具体的には、各転写ローラー４１は、転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性のバイアス）を、転写ベルト４０上に吸着された用紙Ｐに印加する。これにより、像担持体１上に形成されたトナー像は、各像担持体１と対応する転写ローラー４１との間で、用紙Ｐに転写される。転写ベルト４０は、駆動ローラー３０の駆動により矢符（時計回り）方向に周回する。これに伴い、転写ベルト４０上に吸着された用紙Ｐは、各像担持体１と対応する転写ローラー４１との間を順次通過する。通過する際に、各像担持体１上に形成された対応する色のトナー像が、重ね塗り状態で順次用紙Ｐに転写される。この後、各像担持体１はさらに回転し、次のプロセスに移行する。以上、図８を参照して、第二実施形態の別の態様に係る直接転写方式を採用する画像形成装置について説明した。

図７及び図８を参照して説明したように、第二実施形態に係る画像形成装置６は、像担持体として、転写メモリーを抑制可能な、第一実施形態に係る感光体１を備えている。感光体１は転写メモリーの発生を抑制可能である。このような感光体を備えることで、第二実施形態に係る画像形成装置６は、画像不良の発生を抑制することができる。

＜第三実施形態：プロセスカートリッジ＞
第三実施形態は、プロセスカートリッジに関する。第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、像担持体として第一実施形態に係る感光体１を備える。第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、転写メモリーにより引き起こされる画像不良の発生を抑制できる。その理由は、以下のように推測される。第一実施形態に係る感光体１は、上述のように転写メモリーの発生を抑制する傾向にある。したがって、第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、像担持体として第一実施形態に係る感光体１を備えるため、転写メモリーにより引き起こされる画像不良を抑制することができると考えられる。

プロセスカートリッジは、例えば、像担持体としてユニット化された第一実施形態に係る感光体１を備えることができる。プロセスカートリッジは、第二実施形態に係る画像形成装置６に対して着脱自在に設計されてもよい。プロセスカートリッジには、例えば、像担持体以外に、帯電部、露光部、現像部、転写部、クリーニング部、及び除電部からなる群より選択される少なくとも１つをユニット化した構成を採用することができる。ここで、帯電部、露光部、現像部、転写部、クリーニング部、及び除電部は、各々、第二実施形態で上述した、帯電部２７、露光部２８、現像部２９、転写部、クリーニング部、及び除電部と同様の構成とすることができる。

以上、第三実施形態に係るプロセスカートリッジについて説明した。第三実施形態に係るプロセスカートリッジは、転写メモリーにより引き起こされる画像不良の発生を抑制することができる。さらに、このようなプロセスカートリッジは取り扱いが容易であるため、感光体１の感度特性等が劣化した場合に、感光体を含めて、容易かつ迅速に交換することができる。

以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は実施例の範囲に何ら限定されるものではない。

［１．感光体の調製］
電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を用いて、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）、及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）を作製した。

［１−１．電荷発生剤の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）、及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の作製には、以下の電荷発生剤の何れかを用いた。表１及び表２に示すように、具体的には、第一実施形態で上述したＸ型無金属フタロシアニン（以下、「電荷発生剤（Ｘ−Ｈ₂Ｐｃ）」と記載する場合がある）又はチタニルフタロシアニン（以下、「電荷発生剤（ＴｉＯＰｃ）」と記載する場合がある）を用いた。

［１−２．正孔輸送剤の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）の作製には、正孔輸送剤として第一実施形態で上述したトリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）〜（ＨＴ−６）を用いた。これらのトリアリールアミン誘導体の合成方法については、後述する。
また、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の作製には、式（ＨＴ−Ａ）又は（ＨＴ−Ｂ）で表される正孔輸送剤を用いた。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成
まず、反応式（Ｒ−４）で表される反応を行った。

（式（３ａ）で表される化合物の合成）
具体的には、２００ｍＬ容のフラスコに、式（１ａ）で表される化合物（１６．１ｇ、０．１ｍｏｌ）と、式（２ａ）で表される化合物（亜リン酸トリエチル）（２５ｇ、０．１５ｍｏｌ）とを投入し、１８０℃で８時間攪拌した後、室温（２５℃）まで冷却した。その後、過剰な亜リン酸トリエチルを減圧留去し、式（３ａ）で表される化合物（収量：２４．１ｇ、収率：９２モル％）を白色液体として得た。

（式（５ａ）で表される化合物の合成）
次いで、反応式（Ｒ−５）で表される反応を行った。具体的には、５００ｍＬ容の二口フラスコに、得られた式（３ａ）で表される化合物（１３ｇ、０．０５ｍｏｌ）を０℃で投入した。フラスコ内を、アルゴンガスで置換した。その後、フラスコ内に、乾燥テトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と２８％ナトリウムメトキシド（９．３ｇ、０．０５ｍｏｌ）とを投入し、３０分間攪拌した。その後、乾燥テトラヒドロフラン（３００ｍＬ）中の式（４ａ）で表される化合物（７ｇ、０．０５ｍｏｌ）を加え、室温（２５℃）で１２時間攪拌した。得られた混合物を、イオン交換水に注ぎ、トルエンで抽出した。得られた有機相を、イオン交換水で５回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した。得られた残渣を、トルエン／メタノール（２０ｍＬ／１００ｍＬ）で精製し、式（５ａ）で表される化合物（収量：９．８ｇ、収率：８０モル％）を白色結晶として得た。

（トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成）
次いで、反応式（Ｒ−６）で表される反応を行った。具体的には、三口フラスコに、式（５ａ）で表される化合物（８ｇ、０．０３ｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（０．０６６２ｇ、０．０００１８９ｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０８６４ｇ、０．００００９４４ｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（５．３ｇ、０．０６ｍｏｌ）、リチウムアミド（０．２４ｇ、０．０１０ｍｏｌ）、及び蒸留したо−キシレン（５００ｍＬ）を投入した。フラスコ内を、アルゴンガスで置換した。その後、混合物を、１２０℃で５時間攪拌し、室温まで冷却した。得られた混合物の有機相を、イオン交換水で３回洗浄した。有機相に、無水硫酸ナトリウムと活性白土とを加え、乾燥処理及び吸着処理を行った。その後、得られた有機相を減圧留去し、о−キシレンを除去した。得られた残渣を、展開溶媒としてクロロホルム／ヘキサン（体積比１：１）を用いて、カラムクロマトグラフィーで精製し、黄色粉末（収量：４．５ｇ、収率：６４モル％）を得た。

得られた黄色粉末を、¹Ｈ−ＮＭＲ分光計（３００ＭＨｚ）を用いて測定した。溶媒としてはＣＤＣｌ₃を用いた。基準物質として、ＴＭＳを用いた。得られた¹Ｈ−ＮＭＲチャートは、図２と同様であった。得られた黄色粉末は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）であることを確認した。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−２）の合成
式（４ａ）で表される化合物に代えて、式（４ｂ）で表される化合物を用いた以外は、式（５ａ）で表される化合物の合成と同様にして、化合物（５ｂ）で表される化合物（収率：７０モル％）を得た。次いで、化合物（５ａ）で表される化合物に代えて、式（５ｂ）で表される化合物を用いた以外は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成と同様にして、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−２）（収率：６５モル％）を得た。図３と同様の¹Ｈ−ＮＭＲチャートが得られ、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−２）が得られたことが確認された。

なお、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−２）の合成、及び後述のトリアリールアミン誘導体（ＨＴ−３）〜（ＨＴ−７）の合成においては、それらのモルスケールが式トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成におけるモルスケールと等しくなるように、材料の配合量などを調整した。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−３）の合成
式（４ａ）で表される化合物に代えて、式（４ｃ）で表される化合物を用いた以外は、式（５ａ）で表される化合物の合成と同様にして、化合物（５ｃ）で表される化合物（収率：６０モル％）を得た。次いで、化合物（５ａ）で表される化合物に代えて、式（５ｃ）で表される化合物を用いた以外は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成と同様にして、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−３）（収率：６５モル％）を得た。図４と同様の¹Ｈ−ＮＭＲチャートが得られ、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−３）が得られたことが確認された。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−４）の合成
式（４ａ）で表される化合物に代えて、式（４ｄ）で表される化合物を用いた以外は、式（５ａ）で表される化合物の合成と同様にして、化合物（５ｄ）で表される化合物（収率：７０モル％）を得た。次いで、化合物（５ａ）で表される化合物に代えて、式（５ｄ）で表される化合物を用いた以外は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成と同様にして、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−４）（収率：６０モル％）を得た。図５と同様の¹Ｈ−ＮＭＲチャートが得られ、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−４）が得られたことが確認された。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−５）の合成
式（４ａ）で表される化合物に代えて、式（４ｅ）で表される化合物を用いた以外は、式（５ａ）で表される化合物の合成と同様にして、化合物（５ｅ）で表される化合物（収率：７０モル％）を得た。次いで、化合物（５ａ）で表される化合物に代えて、式（５ｅ）で表される化合物を用いた以外は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成と同様にして、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−５）（収率：６５モル％）を得た。図６と同様の¹Ｈ−ＮＭＲチャートが得られ、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−５）が得られたことが確認された。

トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−６）の合成
式（３ａ）で表される化合物に代えて、式（３ｆ）で表される化合物を用い、式（４ａ）で表される化合物に代えて、式（４ｆ）で表される化合物を用いた以外は、式（５ａ）で表される化合物の合成と同様にして、化合物（５ｆ）で表される化合物（収率：５０モル％）を得た。次いで、化合物（５ａ）で表される化合物に代えて、式（５ｆ）で表される化合物を用いた以外は、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−１）の合成と同様にして、トリアリールアミン誘導体（ＨＴ−６）（収率：６０モル％）を得た。

［１−３．電子輸送剤の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の調製には、第一実施形態で上述した式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）で表される電子輸送剤のうち、以下に示す電子輸送剤（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−４）の何れかを用いた。

［１−４．バインダー樹脂の調製］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の調製には、何れも式（Ｒｅｓｉｎ−１）で表されるポリカーボネート樹脂を用いた。

［１−５．感光体（Ａ−１）の製造］
容器内に、電荷発生剤としてＸ型無金属フタロシアニン（Ｘ−Ｈ₂Ｐｃ）５質量部と、正孔輸送剤としてトリアリールアミン誘導体（ＨＴ−２）５０質量部と、電子輸送剤（ＥＴＭ−１）３５質量部と、バインダー樹脂として式（Ｒｅｓｉｎ−１）で表されるポリカーボネート樹脂（帝人株式会社製「パンライト（登録商標）ＴＳ−２０５０」、粘度平均分子量５００００）１００質量部と、溶剤としてテトラヒドロフラン８００質量部とを投入した。ボールミルを用いて、これらを５０時間混合して分散し、塗布液を調製した。

ディップコート法を用いて、導電性基体上に塗布液を塗布し、導電性基体上に塗布膜を形成した。続いて、１００℃４０分間乾燥させ、塗布膜中からテトラヒドロフランを除去した。これにより、導電性基体上に膜厚３０μｍの感光層を備える感光体（Ａ−１）を得た。

［１−６．感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２５）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の調製］
以下の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の調製と同様の方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−２５）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）を調製した。感光体（Ａ−１）の調製に用いた電荷発生剤（Ｘ−Ｈ₂Ｐｃ）、正孔輸送剤（ＨＴ−２）、及び電子輸送剤（ＥＴＭ−３）に代えて、各々、後述の表１及び表２に示す電荷発生剤（ＣＧＭ）、正孔輸送剤（ＨＴＭ）、及び電子輸送剤（ＥＴＭ）を用いた。

［２．感光体の性能評価］
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の何れかに対し、下記のような評価を行った。

（転写メモリーの評価）
感光体を画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」）に装着した。この画像形成装置は、直流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備える。帯電ローラーは、帯電性スリーブを感光体に接触させて、感光体表面を帯電する。帯電性スリーブは、エピクロルヒドリン樹脂に導電性カーボンを分散させた帯電性ゴムから構成される。また、この画像形成装置は、中間転写方式を採用する。

帯電ローラーにより、感光体の表面を＋６００Ｖに帯電した。感光体に転写バイアスを印加しない場合の感光体の非露光部の表面電位（Ｖ_OFF）と、感光体に転写バイアスを印加した場合の感光体の非露光部の表面電位（Ｖ_ON）とを順に測定した。なお、−２ｋＶの転写バイアスを印加した。測定環境は、温度２３℃かつ湿度５０％ＲＨであった。

測定した表面電位から表面電位の差（Ｖ_ON−Ｖ_OFF）を算出した。算出した表面電位の差を転写メモリー電位とした。なお、表面電位の差の絶対値が大きいほど、転写メモリーが発生していることを示す。

実施例２６〜２９の感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）並びに比較例９〜１０の感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）の転写メモリーの評価は、これらの感光体を装着した画像形成装置における帯電部が交流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備えること以外は、帯電部が直流電圧を印加して行った転写メモリーの評価と同様にして実施された。

（画像不良の評価）
実施例１〜２５の感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）、及び比較例１〜８の感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の何れかを画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５２５０ＤＮ」）に装着した。この画像形成装置は、直流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備える。帯電ローラーは、帯電性スリーブを感光体に接触させて、感光体表面を帯電する。帯電性スリーブは、エピクロルヒドリン樹脂に導電性カーボンを分散させた帯電性ゴムから構成される。また、この画像形成装置は、中間転写方式を採用する。画像形成装置の感光体の動作を安定化させるために、アルファベットの画像を１時間印刷した。続いて、画像Ａを１枚印刷した。画像Ａは、ドーナツ型の白抜きパターンから構成される画像である。ドーナツ型の白抜きパターンは、２つの同心円１組から構成される。画像Ａの画像部の画像濃度は１００％であった。画像Ａは感光体１周分に相当する。続いて、全面ハーフトーンの画像Ｂ（画像濃度１２．５％）を１枚印刷し、画像ゴーストの評価用サンプルとした。画像Ｂは感光体２周目に相当する。

得られた評価用サンプルを目視で観察し、画像Ａに由来する画像ゴーストの有無を確認した。画像ゴーストの有無は、以下の基準に基づいて評価した。なお、評価Ａ及びＢを合格とした。
評価Ａ：画像Ａに由来する画像ゴーストが観察されなかった。
評価Ｂ：画像Ａに由来する画像ゴーストがわずかに観察された。
評価Ｃ：画像Ａに由来する画像ゴーストが観察された。評価用サンプルにおいて観測された画像ゴーストと、画像ゴーストが観測されなかった非画像部とのコントラストが低かった。
評価Ｄ：画像Ａに由来する画像ゴーストが明確に観測された。評価用サンプルにおいて観測された画像ゴーストと、画像ゴーストが観測されなかった非画像部とのコントラストが高かった。

実施例２６〜２９の感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）並びに比較例９〜１０の感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）の画像不良の評価は、これらの感光体を装着した画像形成装置における帯電部が交流電圧を印加する接触方式の帯電ローラーを帯電部として備えること以外は、帯電部が直流電圧を印加して行った画像不良の評価と同様にして実施された。

表１及び表２に示すように、直流電圧を印加する帯電条件下での、実施例１〜２５の感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）の転写メモリー電位は、−１３Ｖ以上−８Ｖ以下であった。直流電圧を印加する帯電条件下での、比較例１〜８の感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）の転写メモリー電位は、−５６Ｖ以上−４９Ｖ以下であった。このため、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含有する感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）に比べ、直流電圧を印加する帯電条件下での、転写メモリーの発生を抑制することが示された。

また、表１及び表２に示すように、直流電圧を印加する帯電条件下での、実施例１〜２５の感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）を備える画像形成装置の画像評価はＡ又はＢであった。直流電圧を印加する帯電条件下での、比較例１〜８の感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）を備える画像形成装置の画像評価は、すべてＤであった。このため、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）を備える画像形成装置は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）を備える画像形成装置に比べ、直流電圧を印加する帯電条件下での、画像ゴーストの発生を抑制することが示された。

表１及び表２に示すように、交流電圧を印加する帯電条件での、実施例２６〜２９の感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）の転写メモリー電位は、−１２Ｖ以上−８Ｖ以下であった。交流電圧を印加する帯電条件での、比較例９〜１０の感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）の転写メモリー電位は、−２５Ｖ以上−２３Ｖ以下であった。このため、一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含有する感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）は、感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）に比べ、交流電圧を印加する帯電条件下での、転写メモリーの発生を抑制することが示された。

また、表１及び表２に示すように、交流電圧を印加する帯電条件下での、実施例２６〜２９の感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）を備える画像形成装置の画像評価はすべてＡであった。交流電圧を印加する帯電条件下での、比較例９〜１０の感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）を備える画像形成装置の画像評価は、すべてＣであった。このため、感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）を備える画像形成装置は、感光体（Ｂ−１）及び（Ｂ−５）を備える画像形成装置に比べ、交流電圧を印加する帯電条件下での、画像ゴーストの発生を抑制することが示された。

以上から、本発明に係る感光体は転写メモリーの発生を抑制し、このような感光体を備える画像形成装置は、画像不良の発生を抑制することが明らかとなった。

また、実施例１〜２９の感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）について、耐摩耗性評価を行った。直流電圧を印加する帯電条件下での実施例１〜２５の感光体（Ａ−１）〜（Ａ−２５）は、交流電圧を印加する帯電条件下での実施例２６〜２９の感光体（Ａ−１）、（Ａ−５）、（Ａ−９）及び（Ａ−１３）に比べ、摩耗量が少なかった。

本発明に係る感光体は、電子写真方式の感光体として好適に使用できる。

１ 正帯電単層型電子写真感光体（像担持体）
２ 導電性基体
３ 感光層
６ 画像形成装置
２０ 中間転写ベルト
２７ 帯電部
２８ 露光部
２９ 現像部

Claims (6)

1. 像担持体と接触して電圧を印加する帯電部を備える画像形成装置において、前記像担持体として使用される正帯電単層型電子写真感光体であって、
   電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を少なくとも含有する感光層を備え、
   前記正孔輸送剤は、下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体を含み、
   前記電子輸送剤は、下記一般式（ＥＴＭ−Ｉ）、（ＥＴＭ−ＩＩ）、（ＥＴＭ−ＩＩＩ）又は（ＥＴＭ−ＩＶ）で表される化合物を含む、正帯電単層型電子写真感光体。
   

   

   前記一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基、置換基を有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、又は置換基を有してもよい炭素原子数６以上１２以下のアリール基を表す。ｍ及びｎは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。但し、ｍ及びｎのうち少なくとも一方は、１以上４以下の整数を表す。ｍが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₁は、各々、同一でも異なっていてもよい。ｎが２以上の整数を表す場合、同一の芳香環に存在する複数のＲ₂は、各々、同一でも異なっていてもよい。
   

   

   前記一般式（ＥＴＭ−Ｉ）〜（ＥＴＭ−ＩＶ）中、Ｒ ₁₁ 〜Ｒ ₂₂ は、各々独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい複素環基を表す。Ｒ ₂₃ は、ハロゲン原子、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい複素環基を表す。
2. 前記電圧が直流電圧である、請求項１に記載の正帯電単層型電子写真感光体。
3. 前記一般式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、又はメトキシ基を表し、ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を表し、ｍ及びｎのうち少なくとも一方は１を表す、請求項１又は２に記載の正帯電単層型電子写真感光体。
4. 請求項１又は２に記載の正帯電単層型電子写真感光体を備えた、プロセスカートリッジ。
5. 前記像担持体と、
   前記像担持体の表面を帯電する前記帯電部と、
   前記像担持体の前記表面に静電潜像を形成する露光部と、
   前記静電潜像をトナー像として現像する現像部と、
   前記トナー像を前記像担持体から被転写体へ転写する転写部と
   を備える画像形成装置であって、
   前記帯電部は、前記像担持体と接触して電圧を印加し、
   前記帯電部の帯電極性は、正極性であり、
   前記像担持体は、請求項１〜３の何れか一項に記載の正帯電単層型電子写真感光体である、画像形成装置。
6. 前記電圧が直流電圧である、請求項５に記載の画像形成装置。

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