JP6352436B2 - 成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に膜を形成する成膜装置に関する。
電子デバイスの製造において、プラズマＰＶＤまたはプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理によって基板に種々の膜が形成されうる。例えば、特許文献１には、基板を搬送しながら該基板に膜を形成する成膜装置が記載されている。このような成膜装置では、処理中の基板が加熱され、処理のための適正温度から外れたり、変形したりしうる。特に、樹脂基板などにおいては、この変形量が大きくなり問題となりうる。
一方、基板の２つの面の双方に膜を形成する成膜装置がある。特許文献２に記載された成膜装置では、成膜部において基板の１つの面に膜が形成された後に、基板が成膜部から出されてキャリア回転部に移動される。キャリア回転部では、基板を保持したキャリア載置部材が１８０度回転される。回転された基板は、成膜部に戻されて、成膜部において、他の面に膜が形成される。このような成膜装置では、搬送回数や搬送時間が増加する点で、スループットが低いという問題がある。また、スループットの向上を図るべく複数の基板の同時処理を可能にした場合において、１つの成膜部が他の成膜部に膜を形成するという問題がある。
特開２０１４−５８６９８号公報 特開２０１４−２８９９９号公報
本発明の第１の側面は、基板を搬送しながら該基板に膜を形成する成膜装置において該基板の変形を抑制するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の第１の側面は、成膜装置に係り、該成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバーの中で基板を保持する保持部と、前記基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記基板を保持した前記保持部を移動させる駆動部と、前記成膜領域に成膜物質を供給することによって前記成膜領域を通過している前記基板に膜を形成する成膜部と、前記保持部を冷却する冷却部と、を備える。
本発明の第２の側面は、スループットの向上に有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の第２の側面は、第１面および第２面を有する複数の基板の前記第１面および前記第２面に膜を形成する成膜装置に係り、該成膜装置は、チャンバーと、互いに反対側に位置する第１チャックおよび第２チャックを有し、前記チャンバーの中において、前記第１チャックでは基板の前記第２面の側を保持し、前記第２チャックでは基板の前記第１面の側を保持する保持部と、前記第１チャックおよび前記第２チャックによってそれぞれ保持された基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記保持部を移動させる駆動部と、前記第１チャックによって保持された基板に膜を形成する第１成膜部と、前記第２チャックによって保持された基板に膜を形成する第２成膜部と、前記第１チャックによって前記第２面の側が保持され前記第１成膜部によって前記第１面に膜が形成された基板を前記第２チャックによって前記第１面の側が保持されるように操作する操作機構と、を備える。
本発明の第３の側面は、スループットの向上を図るべく複数の基板の同時処理を可能にした場合における問題を解決するための有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の第３の側面は、成膜装置に係り、該成膜装置は、チャンバーと、互いに反対側に位置する第１チャックおよび第２チャックを有し、前記チャンバーの中において、前記第１チャックおよび前記第２チャックのそれぞれによって基板を保持する保持部と、前記第１チャックおよび前記第２チャックによってそれぞれ保持された基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記保持部を移動させる駆動部と、前記第１チャックによって保持された基板に膜を形成する第１成膜部と、前記第２チャックによって保持された基板に膜を形成する第２成膜部と、を備え、前記保持部は、膜を形成する際の前記保持部の可動域において前記第１成膜部と前記第２成膜部とが対面しないように前記第１成膜部の側の空間と前記第２成膜部の側の空間とを分離する分離部を含む。
本発明の１つの実施形態の成膜装置を水平面に平行な面で切断した模式的な断面図。 本発明の１つの実施形態の成膜装置の一部分を鉛直方向に沿った面で切断した断面図。 本発明の１つの実施形態の成膜装置の一部分を鉛直方向に沿った面で切断した断面図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。 本発明の１つの実施形態の具体的な動作例を説明する図。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
図１は、本発明の１つの実施形態の成膜装置１を水平面に平行な面で切断した模式的な断面図である。図２Ａ、２Ｂは、成膜装置１の一部分を鉛直方向に沿った面で切断した断面図である。ここで、ＸＹ平面は水平面に平行な面であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行な軸である。成膜装置１は、基板Ｓ（Ｓ１、Ｓ２・・・）に膜を形成する装置として構成される。この明細書では、複数の基板を相互に区別するためのＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のような符号が用いられるが、基板を相互に区別する必要がない場合には、基板Ｓと記載する。基板Ｓは、例えば、キャリアＣＲによって保持された状態で搬送され処理されうる。
成膜装置１は、基板Ｓ（Ｓ１、Ｓ２・・・）に膜を形成する処理を行うためのチャンバー（成膜チャンバーまたは主チャンバーとも呼ばれうる）５０の他に、プラットホーム１０およびロードロックチャンバー３０を備えうる。プラットホーム１０は、他の装置との間で基板Ｓを受け渡しするために使用されうる。プラットホーム１０とロードロックチャンバー３０との間には、バルブ２０が設けられ、ロードロックチャンバー３０とチャンバー５０との間にはバルブ４０が設けられている。
成膜装置１は、チャンバー５０の中で基板Ｓを保持する保持部６０を備えうる。保持部６０は、互いに反対側に配置された第１チャックＣＨ１および第２チャックＣＨ２を有しうる。第１チャックＣＨ１および第２チャックＣＨ２は、例えば、静電チャックまたはメカニカルチャックを含みうる。成膜装置１は、基板Ｓがチャンバー５０の中の成膜領域ＦＦＡを通過するように基板Ｓを保持した保持部６０を移動経路ＴＰに沿って移動させる駆動部１１０を備えうる。駆動部１１０は、例えば、リニアモータまたはボールネジ機構を含みうる。移動経路ＴＰは、例えば、基板Ｓの被処理面に平行である。
成膜装置１は、成膜領域ＦＦＡに成膜物質を供給することによって成膜領域ＦＦＡを通過している基板Ｓに膜を形成する成膜部ＦＦを備えうる。ここで、成膜領域ＦＦＡは、基板Ｓに膜が形成される領域である。成膜部ＦＦは、第１チャックＣＨ１によって保持された基板Ｓ（便宜上、第１基板という）と、第２チャックＣＨ２によって保持された他の基板Ｓ（便宜上、第２基板という）とに膜を同時に形成するように構成されうる。第１基板および第２基板の各々は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有する。第１基板および第２基板は、第１チャックＣＨ１によって第２面の側が保持された状態で、成膜部ＦＦによって第１面に膜が形成され、第２チャックＣＨ２によって第１面の側が保持された状態で、成膜部ＦＦによって第２面に膜が形成されうる。このような構成は、スループットの向上に有利である。また、このような構成は、成膜装置１の小型化にも有利である。
成膜部ＦＦは、移動経路ＴＰに沿って第１方向（例えば、＋Ｙ方向）に基板Ｓが移動しているとき、および、移動経路ＴＰに沿って該第１方向とは反対方向である第２方向（例えば、−Ｙ方向）に基板Ｓが移動しているときの双方において、基板Ｓに膜を形成するように構成されうる。成膜部ＦＦは、第１チャックＣＨ１によって保持された基板Ｓに膜を形成する第１成膜部ＦＦ１と、第２チャックＣＨ２によって保持された基板Ｓに膜を形成する第２成膜部ＦＦ２とを含みうる。成膜領域ＦＦＡは、第１成膜部ＦＦ１と第２成膜部ＦＦ２との間に配されうる。
成膜部ＦＦは、成膜領域ＦＦＡに成膜物質が供給されるようにプラズマを発生するプラズマ発生部を含みうる。より具体的な例として、成膜部ＦＦは、スパッタリングによって基板Ｓに膜を形成するように構成されうる。スパッタリングによって膜を形成するように構成される成膜部ＦＦは、例えば、ターゲットと基板との間に電圧を印加することによってプラズマを発生させうる。成膜部ＦＦは、例えば、ＣＶＤによって基板Ｓに膜を形成するように構成されてもよい。
一例において、第１成膜部ＦＦ１は、スパッタリングによって基板Ｓに膜を形成するように構成されうる。第１成膜部ＦＦ１は、複数のターゲットＴ１、Ｔ２を含み、基板Ｓに対して複数の膜（典型的には、複数種類の膜）を形成しうる。第１成膜部ＦＦ１は、その他、イオンガンＩ１を含んでもよい。イオンガンＩ１は、基板Ｓにイオンを照射する。イオンが照射された基板Ｓは、例えば、平坦化、粗面化、クリーニングおよび／または活性化されうる。
同様に、第２成膜部ＦＦ２は、スパッタリングによって基板Ｓに膜を形成するように構成されうる。第２成膜部ＦＦ２は、複数のターゲットＴ３、Ｔ４を含み、基板Ｓに対して複数の膜（典型的には、複数種類の膜）を形成しうる。第２成膜部ＦＦ２は、その他、イオンガンＩ２を含んでもよい。イオンガンＩ２は、基板Ｓにイオンを照射する。イオンが照射された基板Ｓは、例えば、平坦化、粗面化、クリーニングおよび／または活性化されうる。
このように、１つの成膜部によって複数種類の処理が可能な構成は、成膜装置１の小型化に有利である。この例では、複数のターゲットおよびイオンガンを保持する保持体を回転させることによって処理の切り替えが実現されている。
保持部６０は、基板Ｓに膜を形成する際の保持部６０の可動域（駆動部１１０によって保持部６０が駆動される範囲）において、好ましくは該可動域の全域において、第１成膜部ＦＦ１と第２成膜部ＦＦ２とが対面しないように、第１成膜部ＦＦ１の側の空間と第２成膜部ＦＦ２の側の空間とを分離する分離部ＳＰを含みうる。
成膜装置１は、保持部６０を冷却する冷却部ＣＶを備えうる。冷却部ＣＶは、保持部６０に配置された冷媒流路ＣＣと、冷媒流路ＣＣに冷媒を供給する供給部ＣＳとを含みうる。冷却部ＣＶは、更に供給部ＣＳと冷媒流路ＣＣとを接続するチューブ１２２、１２４を含みうる。保持部６０が冷却部ＣＶによって冷却されることによって、保持部６０によって保持されている基板Ｓが冷却され、例えば、基板Ｓの変形などが抑制されうる。
成膜装置１は、チャンバー５０に設けられた開口ＯＰに一端が接続され、他端が閉塞部材１３５によって閉塞されたベローズ１３０と、保持部６０と閉塞部材１３５とを接続する中空部材１２０とを更に備えうる。供給部ＣＳは、中空部材１２０の中に配置されたチューブ１２２、１２４を通してチャンバー５０の外部（典型的には、大気圧の空間）からチャンバー５０の中に配置された保持部６０に冷媒を供給するように構成されうる。第１チャックＣＨ１および第２チャックＣＨ２に対して電力および信号を供給するケーブルも中空部材１２０に配されうる。
成膜装置１は、駆動部１１０が保持部６０を移動経路ＴＰに沿って移動させる動作に応じて閉塞部材１３５を移動させる第２駆動部１４０を備えうる。第２駆動部１４０は、例えば、リニアモータまたはボールネジ機構を含みうる。
ロードロックチャンバー３０では、プラットホーム１０から提供される未処理の基板Ｓおよびチャンバー５０から提供される成膜後の基板Ｓが操作機構７２によって操作される。操作機構７２は、例えば、複数の基板Ｓを保持可能なコンテナ７０をＸ軸に沿って駆動する。プラットホーム１０とロードロックチャンバー３０との間では、不図示の搬送機構によって基板Ｓが搬送される。ロードロックチャンバー３０とチャンバー５０との間では、搬送機構７４によって基板Ｓが搬送される。操作機構７２は、例えば、第１チャックＣＨ１によって第２面の側が保持され第１成膜部ＦＦ１によって第１面に膜が形成された基板Ｓを第２チャックＣＨ２によって第１面の側が保持されるように操作する。
以下、図３〜図２３を参照しながら成膜装置１の具体的な動作例を説明する。以下では、基板Ｓを相互に区別するために基板Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のように記載する。基板Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は、被処理面として互いに反対側の第１面および第２面を有し、第１面は＋Ｘ方向に向いた面、第２面は−Ｘ方向に向いた面であるものとする。図３に示された状態では、基板Ｓ１は、チャンバー５０において既に第１面および第２面に膜が形成され、チャンバー５０から取り出されてロードロックチャンバー３０内のコンテナ７０に収容されている。また、基板Ｓ２は、チャンバー５０内において既に第１面には膜が形成されているが、まだチャンバー５０内において第２面には膜が形成されていない。また、基板Ｓ３は、まだチャンバー５０内において第１面および第２面の双方に膜が形成されていない。
まず、図３、４、５に模式的に示されているように、基板Ｓ３の第１面および基板Ｓ２の第２面に同時に膜を形成するために、コンテナ７０内の基板Ｓ３、Ｓ２がそれぞれ第１チャックＣＨ１、第２チャックＣＨ２に搬送機構７４によって搬送され、第１チャックＣＨ１、第２チャックＣＨ２によって保持される。ここで、基板Ｓ３は、その第２面が第１チャックＣＨ１によって保持され、基板Ｓ２は、その第１面が第２チャックＣＨ２によって保持される。
次いで、図６、７に模式的に示されているように、イオンガンＩ１、Ｉ２からイオンを放射させながら駆動部１１０によって移動経路ＴＰに沿って＋Ｙ方向（第１方向）に、基板Ｓ３、Ｓ２を保持した保持部６０が移動される。これによって、基板Ｓ３の第１面および基板Ｓ２の第２面は、例えば、平坦化、粗面化、クリーニングおよび／または活性化される。
次いで、図８に模式的に示されているように、イオンガンＩ１、Ｉ２からのイオンの放射が停止され、その後、図９に模式的に示されているように、ターゲットＴ１、Ｔ３が成膜領域に向けられる。次いで、図１０に模式的に示されているように、既に第１面および第２面に膜が形成された基板Ｓ１がロードロックチャンバー３０からプラットホーム１０にバルブ２０を通して排出される。なお、この排出に先立って、基板Ｓ１をロードロックチャンバー３０からプラットホーム１０に排出することができるようにコンテナ７０が操作機構７２によって操作され、また、ロードロックチャンバー３０が大気圧に調整される。
次いで、図１１に模式的に示されているように、成膜領域にガスが供給されプラズマが生成され、ターゲットＴ１、Ｔ３から成膜領域にスパッタリングによって成膜物質が放出される。次いで、図１２、１３に模式的に示されているように、駆動部１１０によって搬送路ＴＰに沿って−Ｙ方向（第２方向）に、基板Ｓ３、Ｓ２を保持した保持部６０が移動される。これによって、基板Ｓ３の第１面および基板Ｓ２の第２面に第１膜が形成される。また、プラットホーム１０に排出された基板Ｓ１は、不図示の搬送機構によって除去される。
図１１、１３に模式的に示されているように、保持部６０に設けられた分離部ＳＰは、ターゲットＴ１を有する第１成膜部ＦＦ１の側の空間とターゲットＴ３を有する第２成膜部ＦＦ２の側の空間とを相互に分離するように機能する。分離部ＳＰは、例えば、第１成膜部ＦＦ１による第２成膜部ＦＦ２への膜の形成、および、第２成膜部ＦＦ２による第１成膜部ＦＦ１への膜の形成の抑制に寄与する。また、分離部ＳＰは、第１成膜部ＦＦ１と第２成膜部ＦＦ２との間におけるコンタミネーションの抑制にも寄与する。コンタミネーションの抑制は、特に、ターゲットＴ１、Ｔ３の材料が相互に異なる場合に特に有効である。
次いで、図１４に模式的に示されているように、新たな基板Ｓ４がプラットホーム１０に提供され、また、基板Ｓ４を受け取ることができる位置にコンテナ７０が操作機構７２によって操作される。また、ターゲットＴ２、Ｔ４が成膜領域に向けられる。
次いで、図１５に模式的に示されているように、成膜領域にガスが供給されプラズマが生成され、ターゲットＴ２、Ｔ４から成膜領域にスパッタリングによって成膜物質が放出される。また、プラットホーム１０からロードロックチャンバー３０内のコンテナ７０に不図示の搬送機構によって基板Ｓ４が搬送される。その後、ロードロックチャンバー３０の中が減圧される。また、後に基板Ｓ２、Ｓ３をコンテナ７０が受け取ることができるように、コンテナ７０が操作機構７２によって操作される。
次いで、図１６、１７に模式的に示されているように、駆動部１１０によって搬送路ＴＰに沿って＋Ｙ方向（第１方向）に、基板Ｓ３、Ｓ２を保持した保持部６０が移動される。これによって、基板Ｓ３の第１面および基板Ｓ２の第２面の第１膜の上に第２膜が形成される。次いで、図１８、１９に模式的に示されているように、駆動部１１０によって搬送路ＴＰに沿って−Ｙ方向（第２方向）に、基板Ｓ３、Ｓ２を保持した保持部６０が移動される。これによって、基板Ｓ３の第１面および基板Ｓ２の第２面の第２膜の上に更に第２膜が形成される。
次いで、図２０、２１に模式的に示されているように、基板Ｓ３、Ｓ２がそれぞれ第１チャックＣＨ１、第２チャックＣＨ２から取り外されて、搬送機構７４によってバルブ４０を通してコンテナ７０に搬送される。
以降は、基板を変更して上記の手順が繰り返えされる。その繰り返し手順の冒頭部分を背爪すれば、図２２、２３に模式的に示されているように、基板Ｓ４の第１面および基板Ｓ３の第２面に同時に膜を形成するために、コンテナ７０内の基板Ｓ４、Ｓ３がそれぞれ第１チャックＣＨ１、第２チャックＣＨ２に搬送機構７４によって搬送され、第１チャックＣＨ１、第２チャックＣＨ２によって保持される。
本願は、２０１４年１０月１０日提出の日本国特許出願特願２０１４−２０９３８０を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。
５０：チャンバー、６０：保持部、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４：基板、ＣＲ：キャリア、ＦＦＡ：成膜領域、１１０：駆動部、ＴＰ：移動経路、ＦＦ：成膜部、ＦＦ１：第１成膜部、ＦＦ２：第２成膜部、ＣＶ：冷却部、ＣＣ：冷却流路、ＣＳ：供給部、ＣＨ１：第１チャック、ＣＨ２：第２チャック、ＳＰ：分離部、１０：プラットホーム、３０：ロードロックチャンバー、７０：コンテナ、７２：操作機構、７４：搬送機構、１４０：第２駆動部、１２０：中空部材、１３０：ベローズ、１３５：閉塞部材

Claims (17)

  1. 第１面および第２面を有する複数の基板の前記第１面および前記第２面に膜を形成する成膜装置であって、
    チャンバーと、
    互いに反対側に位置する第１チャックおよび第２チャックを有し、前記チャンバーの中において、前記第１チャックでは第１基板の前記第２面の側を保持し、前記第２チャックでは第２基板の前記第１面の側を保持する保持部と、
    前記第１チャックおよび前記第２チャックによってそれぞれ保持された前記第１基板および前記第２基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記保持部を移動させる駆動部と、
    前記第１チャックによって保持された前記第１基板の前記第１面に膜を形成する第１成膜部と、
    前記第２チャックによって保持された前記第２基板の前記第２面に膜を形成する第２成膜部と、
    前記第１チャックによって前記第２面の側が保持された前記第１基板の前記第１面に前記第１成膜部によって膜が形成された後に、前記第１基板の前記第１面の側が前記第２チャックによって保持されるように前記第１基板を操作する操作機構と、
    前記保持部を冷却する冷却部と、
    を備えることを特徴とする成膜装置。
  2. 前記冷却部は、前記保持部に配置された冷媒流路と、前記冷媒流路に冷媒を供給する供給部と、を含む、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 前記チャンバーに設けられた開口に一端が接続され、他端が閉塞部材によって閉塞されたベローズと、
    前記保持部と前記閉塞部材とを接続する中空部材と、を更に備え、
    前記供給部は、前記中空部材を通して前記チャンバーの外部から前記保持部に冷媒を供給する、
    ことを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
  4. 前記駆動部が前記保持部を移動させる動作に応じて前記閉塞部材を移動させる第２駆動部を更に備える、
    ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
  5. 前記駆動部は、前記第１基板および前記第２基板の被処理面に平行な移動経路に沿って前記保持部を移動させる、
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の成膜装置。
  6. 前記第１成膜部および前記第２成膜部は、前記移動経路に沿って第１方向に前記第１基板および前記第２基板が移動しているとき、および、前記移動経路に沿って前記第１方向とは反対方向である第２方向に前記第１基板および前記第２基板が移動しているときの双方において、前記第１基板および前記第２基板に膜を形成する、
    ことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
  7. 前記第１成膜部および前記第２成膜部は、前記第１チャックによって保持された前記第１基板の前記第１面と、前記第２チャックによって保持された前記第２基板の前記第２面とに膜を同時に形成する、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の成膜装置。
  8. 前記保持部は、膜を形成する際の前記保持部の可動域において前記第１成膜部と前記第２成膜部とが対面しないように前記第１成膜部の側の空間と前記第２成膜部の側の空間とを分離する分離部を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の成膜装置。
  9. 前記分離部は、膜を形成する際の前記保持部の前記可動域の全域において前記第１成膜部と前記第２成膜部とが対面しないように前記第１成膜部の側の空間と前記第２成膜部の側の空間とを分離する、
    ことを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
  10. 前記保持部と前記操作機構との間で前記第１基板および前記第２基板を搬送する搬送機構を更に備え、
    前記駆動部は、前記保持部を移動経路に沿って移動させ、
    前記搬送機構は、前記第１基板および前記第２基板を前記移動経路と平行な方向に搬送し、
    前記操作機構は、コンテナを移動させるように構成され、前記搬送機構によって前記保持部の前記第１チャックから搬送されてきた前記第１基板が前記コンテナに収容された状態で前記コンテナを前記移動経路と直交する方向に移動させ、
    前記第１チャックから搬送されてきた前記第１基板が前記コンテナに収容された状態における前記操作機構による前記コンテナの移動は、前記搬送機構によって前記第１基板が前記コンテナから前記第２チャックに搬送されるようになされる、
    ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  11. 前記第１成膜部および前記第２成膜部は、前記第１基板および前記第２基板に複数種類の膜を形成することができるように構成されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の成膜装置。
  12. 前記第１成膜部および前記第２成膜部は、前記成膜領域に成膜物質が供給されるようにプラズマを発生するプラズマ発生部を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の成膜装置。
  13. 前記第１成膜部および前記第２成膜部は、スパッタリングによって前記第１基板および前記第２基板に膜を形成する、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。
  14. 前記成膜領域を通過している前記第１基板および前記第２基板にイオンを照射するイオンガンを更に備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の成膜装置。
  15. 第１面および第２面を有する複数の基板の前記第１面および前記第２面に膜を形成する成膜装置であって、
    チャンバーと、
    互いに反対側に位置する第１チャックおよび第２チャックを有し、前記チャンバーの中において、前記第１チャックでは基板の前記第２面の側を保持し、前記第２チャックでは基板の前記第１面の側を保持する保持部と、
    前記第１チャックおよび前記第２チャックによってそれぞれ保持された基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記保持部を移動させる駆動部と、
    前記第１チャックによって保持された基板に膜を形成する第１成膜部と、
    前記第２チャックによって保持された基板に膜を形成する第２成膜部と、
    前記第１チャックによって前記第２面の側が保持され前記第１成膜部によって前記第１面に膜が形成された基板を前記第２チャックによって前記第１面の側が保持されるように操作する操作機構と、
    を備えることを特徴とする成膜装置。
  16. 前記保持部と前記操作機構との間で基板を搬送する搬送機構を更に備え、
    前記駆動部は、前記保持部を移動経路に沿って移動させ、
    前記搬送機構は、基板を前記移動経路と平行な方向に搬送し、
    前記操作機構は、コンテナを移動させるように構成され、前記搬送機構によって前記保持部の前記第１チャックから搬送されてきた第１基板が前記コンテナに収容された状態で前記コンテナを前記移動経路と直交する方向に移動させ、
    前記第１チャックから搬送されてきた前記第１基板が前記コンテナに収容された状態における前記操作機構による前記コンテナの移動は、前記搬送機構によって前記第１基板が前記コンテナから前記第２チャックに搬送されるようになされる、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の成膜装置。
  17. チャンバーと、
    互いに反対側に位置する第１チャックおよび第２チャックを有し、前記チャンバーの中において、前記第１チャックおよび前記第２チャックのそれぞれによって基板を保持する保持部と、
    前記第１チャックおよび前記第２チャックによってそれぞれ保持された基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記保持部を移動させる駆動部と、
    前記第１チャックによって保持された基板に膜を形成する第１成膜部と、
    前記第２チャックによって保持された基板に膜を形成する第２成膜部と、を備え、
    前記保持部は、膜を形成する際の前記保持部の可動域の全域において前記第１成膜部と前記第２成膜部とが対面しないように前記第１成膜部の側の空間と前記第２成膜部の側の空間とを分離する分離部を含む、
    ことを特徴とする成膜装置。
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