JP6348821B2 - バリ除去用電解液組成物およびバリの除去方法 - Google Patents
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Description
より具体的には、通電してモールド成形品における導電部材の表面に生じるバリを除去するにあたり、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、しかも、例えば1秒といった非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができるバリ除去用電解液組成物およびそれを用いたバリの除去方法に関する。
また、このようなモールド成形品は、少なくとも導電部材と、絶縁性樹脂とを、例えばトランスファーモールド成形することにより得ることができ、電子素子については、導電部材および絶縁性樹脂と一体にモールド成形される場合と、導電部材および絶縁性樹脂を一体にモールド成形してモールド成形品を得た後に、露出した導電部材に対して搭載される場合とがある。
しかしながら、絶縁性樹脂を圧入する際に、絶縁樹脂が樹脂成形部周囲の導電部材にまで滲み出し、その結果、導電部材の表面に絶縁性樹脂からなる薄いバリが生じてしまうことが知られている。
特に、モールド成形品を得た後に、露出した導電部材に対して電子素子を搭載する場合、導電部材の表面に生じたバリは、電子素子と導電部材間の導電性を低下させる原因となることから、確実に除去しておく必要がある。
そこで、このようなバリを除去する技術が開示されている(例えば、特許文献1〜5参照)。
また、使用される電解液として、苛性ソーダおよび炭酸塩を有効成分として含むアルカリ電解液、または、苛性カリおよび炭酸塩を有効成分として含むアルカリ電解液が記載されている。
また、樹脂バリを除去するための薬液として、アルカリ性過マンガン酸水溶液、クロム酸−硫酸水溶液、濃硫酸、アミド系溶液が記載されている。
また、電解等の方法によりバリを除去する旨が記載されている。
第1の工程:水、電解質水溶液、有機化合物含有水溶液、水に対して溶解する有機化合物から選ばれる液体を導電部材および樹脂成形部に噴霧する工程
第2の工程:導電部材を陰極として用いた電気分解を行う工程
第3の工程:導電部材および樹脂成形部に超高圧の水を噴霧する工程
また、電気分解に使用する電解液としては、硫酸ナトリウムや水酸化ナトリウム等の電離度の高い無機塩または水酸化物を用いることが記載されている。
さらに、実施例では、電解液の温度を50℃とし、最大印加電流密度を8.0A/dm2とし、通電時間を180秒としたことが記載されている。
特に、光半導体装置用モールド成形品は、その構成上、両側から導電部材の端面によって挟持されただけの不安定な樹脂成形部(以下、「セパレート部」と称する場合がある)が存在することから、かかるセパレート部が導電部材から剥離しやすくなって気密性が低下し、後の製造工程において充填される封止樹脂が滲み出し、ひいては光半導体装置の品質が著しく損なわれるという問題が見られた。
しかしながら、実際には、これらの薬液を用いてバリを除去した場合、バリ以外の樹脂成形部に対して過度にダメージを与えてしまい、光半導体装置用モールド成形品の気密性が低下しやすくなるという問題が見られた。
この点、特許文献2の明細書には、薬液による処理によって樹脂部分の壁面を適度に荒らすことができるため、後の製造工程において充填される封止樹脂との接着性を向上させることができる旨が記載されている。
このことからも、特許文献2に開示されている光半導体装置の製造方法では、バリ以外の樹脂成形部に対して過度にダメージを与えてしまうことが分かる。
また、特許文献2に開示されているバリの除去方法は、所謂「ケミカルディップ」方式であり、バリ除去の対象となる樹脂の種類に応じて専用の薬液を選定しなければならず、製造ラインの切り替え等の煩雑さという問題も見られた。
そして、特許文献3では、導電部材とセパレート部の接合部の上面をめっき皮膜によって覆うことにより、気密性を確保している。
しかしながら、モールド成形後にめっき工程が別途必要になるばかりか、導電部材のみならず、これと連続するセパレート部の一部にまでめっき皮膜を形成しなければならないため、製造工程が複雑化してしまい、品質安定性や経済性に問題が見られた。
また、めっき液によって樹脂成形部がダメージを受けてしまうという問題も見られた。
そして、特許文献4では、セパレート部をより安定的に導電部材の端面に対して固定するため、導電部材の端面部分に対してレーザー加工を施して微細な凹凸を有する金属酸化物層を形成し、導電部材の端面部分の表面改質を行っている。
しかしながら、レーザー加工工程が別途必要になることから製造工程が複雑化してしまい、品質安定性や経済性に問題が見られた。
また、セパレート部が導電部材の端面から完全に剥離することは防げるとしても、微細な隙間の発生までは抑制できず、十分な気密性を安定的に確保することはできないという問題が見られた。
したがって、使用される電解液組成物が好適でないことに起因して、バリ以外の樹脂成形部に対して過度にダメージを与えてしまい、光半導体装置用モールド成形品の気密性が低下しやすくなるという問題が見られた。
また、使用される電解液組成物が好適でないことに起因して、電解する際の最大印加電流密度を8.0A/dm2まで高め、かつ、通電時間を180秒もとらなければならないことから、バリの除去を実施すること自体が、経済的にも時間的にも著しく不利であり、製造効率が低下しやすいという問題が見られた。
すなわち、本発明の目的は、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、効率的にバリを除去することができ、特に、光半導体装置用モールド成形品を対象物とした場合であっても、セパレート部が導電部材から剥離することを防止して、気密性を効果的に保持することができ、かつ、非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができるバリ除去用電解液組成物およびそれを用いたバリの除去方法を提供することにある。
すなわち、本発明のバリ除去用電解液組成物であれば、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水とを所定の割合で配合してなることから、通電してモールド成形品における導電部材の表面に生じるバリを除去するにあたり、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、しかも例えば1秒といった非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができる。
したがって、特に、光半導体装置用モールド成形品を対象物とした場合であっても、セパレート部が導電部材から剥離することを防止して、気密性を効果的に保持することができ、かつ、非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができる。
また、光半導体素子が発する光を反射するための樹脂成形部(以下、「リフレクタ部」と称する場合がある)の表面におけるダメージを抑制し、反射率の低下を抑制することができる。
なお、水の配合割合が30〜86重量%未満の範囲内の値の場合には、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水以外の成分(以下、「他の成分」と称する場合がある)をさらに配合することで、バリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%とする。
また、水の配合割合が86重量%以上の値の場合は、他の成分を配合することなく、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水のみからバリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%としてもよいし、他の成分をさらに配合してバリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%としてもよい。
このように構成することにより、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドによる樹脂成形部へのアタック性を緩和することができることから、通電時間や電流密度(以下、「陰極電流密度」と称する場合がある)といった通電条件の幅を広げることができ、ひいてはより安定的にバリを除去することができる。
このように構成することにより、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドによる樹脂成形部へのアタック性を緩和することができることから、通電時間や陰極電流密度といった通電時における条件の幅を広げることができ、ひいてはより安定的にバリを除去することができる。
このように構成することにより、より安定的にバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑制しつつ、効率的にバリを除去することができる。
このように構成することにより、さらに安定的にバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑制しつつ、より効率的にバリを除去することができる。
このように構成することにより、セパレート部が導電部材から剥離することを防止して、気密性を効果的に保持しつつ、効率的にバリを除去することができるとともに、リフレクタ部の表面におけるダメージを抑制し、反射率の低下を抑制することができる。
(A)テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とするバリ除去用電解液組成物中に、モールド成形品を浸漬する工程
(B)モールド成形品における導電部材が陰極に、対電極が陽極となるように通電する電解処理工程
(C)モールド成形品に対して物理的な処理を施すことにより、バリを除去する工程
すなわち、本発明のバリの除去方法であれば、所定のバリ除去用電解液組成物中にモールド成形品を浸漬し、通電してバリを浮かせた後、これをウォータージェット等の物理的な処理を施すことによりバリを除去することから、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、効率的にバリを除去することができる。
このように実施することにより、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、さらに効率的にバリを除去することができる。
第1の実施形態は、金属薄板からなる導電部材と、絶縁性樹脂とを、一体にモールド成形した際に、得られたモールド成形品における導電部材の表面に生じる絶縁性樹脂からなるバリを、モールド成形品に通電しながら除去するためのバリ除去用電解液組成物であって、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とすることを特徴とするバリ除去用電解液組成物である。
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を適宜参照して、具体的に説明する。
本発明のバリ除去用電解液組成物は、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドを含むことを特徴とする。
この理由は、後述する水の配合と相まって、通電してモールド成形品における導電部材の表面に生じるバリを除去するにあたり、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、しかも、例えば1秒といった非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができるためである。
より具体的には、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドを含むことにより、バリと導電部材との界面におけるバリ除去用電解液組成物の作用が局所的に向上し、バリ以外の樹脂成形部に対してダメージを与えることなく、しかも非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができる。
また、図2に示すように、光半導体素子120が発する光を反射するための樹脂成形部であるリフレクタ部102bの表面におけるダメージを抑制し、反射率の低下を抑制することができる。
かかる形態の光半導体装置用モールド成形品100´は、光半導体素子120のダイボンディングおよびワイヤ110を用いたワイヤボンディング、およびキャビティー部106に対する蛍光塗料132が含まれた封止樹脂130の充填・硬化の後、最終的に単位ごとに切り離されることとなる。
また、図2は図1(b)に示す光半導体装置用モールド成形品100に対して光半導体素子120を実装し、封止樹脂130で封止した状態の光半導体装置用モールド成形品150の断面図である。
また、図3は図1(a)〜(b)に示す光半導体装置用モールド成形品100の単位が縦横に複数個繋がった形態の光半導体装置用モールド成形品100´の平面図である。
この理由は、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が0.2重量%未満の値となると、短い通電時間で効率的にバリを除去することが困難になる場合があるためである。また、効率を度外視して陰極電流密度を大きくしたり、通電時間を長くした場合、バリ以外の樹脂成形部へのダメージが大きくなり、特に光半導体装置用モールド成形品を対象とした場合、セパレート部がダメージを受けて気密性が低下しやすくなったりする場合がある。一方、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が14重量%を超えた値となると、樹脂成形部に対する作用効果が過度に高くなって、陰極電流密度や通電時間を調整した場合であってもバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑制することが困難になる場合があるためである。特に、光半導体装置用モールド成形品を対象とした場合、セパレート部がダメージを受けて気密性が過度に低下しやすくなるとともに、リフレクタ部がダメージを受けて反射率が過度に低下しやすくなる場合がある。
したがって、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を、0.25重量%以上の値とすることがより好ましく、0.3重量%以上の値とすることがさらに好ましい。
また、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を8.8重量%以下の値とすることがより好ましく、7重量%以下の値とすることがさらに好ましい。
なお、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドは、通常、五水和物または三水和物の形で存在するが、本発明におけるテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配当割合は、無水物を基準とした値とする。
すなわち、図4には、横軸にテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合(重量%)を採り、左縦軸にバリ除去性(相対値)を採った特性曲線Aと、右縦軸に気密保持性(相対値)を採った特性曲線Bと、が示してある。
また、特性曲線AおよびBのプロットは、実施例1〜5および比較例1〜2のデータに基づいている。
評価点3:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、バリが確認されない
評価点2:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、僅かにバリが残存している単位が数個確認される
評価点1:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、明確にバリが確認される
なお、バリ除去性の評価方法等の詳細については、実施例に記載する。
評価点3:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂が確認されない
評価点2:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂による着色のみが確認される
評価点1:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂が形状として明確に確認される
なお、気密保持性の評価方法等の詳細については、実施例に記載する。
すなわち、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が0.1重量%のときにはバリ除去性の相対値が1となっており、十分なバリ除去性を得ることが困難になっているが、0.2重量%以上の値になるとある程度のバリ除去性を得ることができるようになり、0.5重量%のときにはバリ除去性の相対値が2にまで増加し、かなりの程度でバリを除去できることが分かる。
そして、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が2重量%のときには優れたバリ除去性が得られるようになり、それ以降、配合割合の増加にかかわらず、優れたバリ除去性を維持できることが分かる。
すなわち、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が0〜8重量%までは気密保持性の相対値が3となっており、優れた気密保持性を維持できる一方、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合が8重量%を超えると、気密保持性が徐々に低下し始め、14重量%を超えた値になると十分な気密保持性が得られなくなり、15重量%のときには気密保持性の相対値が1となり、完全に気密保持性を喪失することが分かる。
本発明のバリ除去用電解液組成物は、水を含むことを特徴とする。
この理由は、上述したテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合と相まって、通電してモールド成形品における導電部材の表面に生じるバリを除去するにあたり、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく、しかも非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができるためである。
すなわち、水は電解質であるテトラエチルアンモニウムヒドロキシドの良溶媒であることから、バリ除去用電解液組成物の導電性を効果的に向上させることができるためである。
したがって、通電時における電流密度が均質化され、ひいては電解処理も均質化することができる。
なお、非プロトン性の極性有機溶媒でも電解質は溶解するが、低導電性であることから対象物のエッジ部の電流密度が高くなる一方、平面部の電流密度が低くなってしまうといった現象が起こり、電解処理の均質化を図ることが困難になる。
この理由は、水の配合割合が30重量%未満の値となると、樹脂成形部に対する作用効果が過度に高くなって、陰極電流密度や通電時間を調整した場合であってもバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑制することが困難になる場合があるためである。一方、水の配合割合が99.8重量%を超えた値となると、短い通電時間で効率的にバリを除去することが困難になる場合があるためである。また、効率を度外視して陰極電流密度を大きくしたり、通電時間を長くした場合、バリ以外の樹脂成形部へのダメージが大きくなったりする場合があるためである。
したがって、水の配合割合を86重量%以上の値とすることがより好ましく、91.2重量%以上の値とすることがさらに好ましく、93重量%以上の値とすることがより一段と好ましい。
また、水の配合割合を99.75重量%以下の値とすることがより好ましく、99.7重量%以下の値とすることがさらに好ましい。
なお、水の配合割合が30〜86重量%未満の範囲内の値の場合には、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水以外の、後述する他の成分をさらに配合することで、バリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%とする。
また、水の配合割合が86重量%以上の値の場合は、他の成分を配合することなく、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水のみからバリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%としてもよいし、他の成分をさらに配合してバリ除去用電解液組成物の全体量を100重量%としてもよい。
この理由は、使用する水の電気伝導率が0.08μS/cm未満の値となると、水の価格が過度に高くなり、経済的に不利となる場合があるためである。
一方、使用する水の電気伝導率が4μS/cmを超えた値となると、水に含まれているイオン分がモールド成形品の導電部材に電着(めっき)したり、表面に残存して変色やシミとなって、後のワイヤボンディング密着性に悪影響を及ぼしたりする場合があるためである。
したがって、使用する水の電気伝導率を0.09μS/cm以上の値とすることがより好ましく、0.1μS/cm以上の値とすることがさらに好ましい。
また、使用する水の電気伝導率を2μS/cm以下の値とすることがより好ましく、1μS/cm以下の値とすることがさらに好ましい。
なお、このような電気伝導率を有する水として、例えば、超純水、蒸留水、イオン交換水等を用いることが好ましい。
また、本発明のバリ除去用電解液組成物は、基本的に、上述したテトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水のみから構成することが好ましいが、他の成分を配合してもよい。
例えば、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド1イオン当量に対し、グリコール酸、ギ酸および酢酸からなる群から選択される少なくとも一種を、0.1〜2イオン当量の範囲内の値で含むことが好ましい。
この理由は、これらの酸を含むことにより、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドによる樹脂成形部へのアタック性を緩和することができることから、通電時間や陰極電流密度と言った通電条件の幅を広げることができ、ひいてはより安定的にバリを除去することができ、所謂「遅延剤」としての効果を得ることができるためである。
すなわち、これらの酸の配合割合が0.1イオン当量未満の値となると、上述した遅延剤としての効果を十分に得ることが困難になる場合があるためである。一方、これらの酸の配合割合が2イオン当量を超えた値となると、遅延剤としての効果が過度に発揮されてバリを効率的に除去することが困難になる場合があるためである。
したがって、これらの酸の配合割合を、0.3当量以上の値とすることがより好ましく、0.8当量以上の値とすることがさらに好ましい。
また、これらの酸の配合割合を、1.5当量以下の値とすることがより好ましく、1.2当量以下の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、これらの極性溶剤を含むことにより、上述した所定の酸と同様に、遅延剤としての効果を得ることができるためである。
また、バリ除去用電解液組成物の表面張力を低下させて、モールド成形品や対電極の表面に付着する水素ガスや酸素ガスの気泡を速やかに除去することができる。
すなわち、これらの極性溶剤の配合割合が0.5重量%未満の値となると、遅延剤としての効果や、表面張力を低下させる効果を十分に得ることが困難になる場合があるためである。一方、これらの極性溶剤の配合割合が50重量%を超えた値となると、遅延剤としての効果が過度に発揮されてバリを効率的に除去することが困難になる場合があるためである。
したがって、これらの極性溶剤の配合割合を、1重量%以上の値とすることがより好ましく、2重量%以上の値とすることがさらに好ましい。
また、これらの極性溶剤の配合割合を、20重量%以下の値とすることがより好ましく、10重量%以下の値とすることがさらに好ましい。
但し、本発明のバリ除去用電解液組成物は、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドおよび水のみでも十分な効果を発揮することができるため、上述したものも含めて、他の成分の配合割合を、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、0重量%とすることが好ましく、敢えて配合する場合であっても、50重量%以下の値とすることが好ましく、10重量%以下の値とすることがさらに好ましく、1重量%以下の値とすることがより一段と好ましく、0.1重量%以下の値とすることがさらに好ましい。
例えば、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド以外のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドとして、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモノエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモノプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモノブチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルモノプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルモノブチルアンモニウムヒドロキシド、モノプロピルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジプロピルジブチルアンモニウムヒドロキシドおよびトリプロピルモノブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。
その他、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸および炭酸等が挙げられる。
また、無機酸として、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸およびリン酸等が挙げられる。
以上において列挙した他の成分は、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドおよび水がそれぞれ所定の配合割合となるように、余剰成分として配合することができる。
また、本発明のバリ除去用電解液組成物の室温において測定されるpHを3〜14の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、pHをかかる範囲内の値とすることにより、より安定的にバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑制しつつ、効率的にバリを除去することができるためである。
すなわち、かかるpHが3未満の値となると、導電部材が腐食しやすくなったり、機械設備や床が耐酸性対策のために高価になって経済的に不利になったりする場合があるためである。
したがって、かかるpHを4以上の値とすることがより好ましく、5以上の値とすることがさらに好ましい。
また、かかるpHを13.95以下の値とすることがより好ましく、13.9以下の値とすることがさらに好ましい。
本発明のバリ除去用電解液組成物を用いて、通電しながらバリを除去する対象物は、金属薄板からなる導電部材と、絶縁性樹脂とを、一体にモールド成形してなるモールド成形品である。
このようなモールド成形品としては、特に制限されるものではなく、例えば、DIP(Dual Inline Package)、SIP(Single Inline Package)、ZIP(Zigzag Inline Pakage)、PGA(Pin Grid Array)、SOP(Small Outline Pakage)、SOJ(Small Outline J−leaded)、SOT(Small Outline Transistor)、QFP(Quad Flat Package)、PLCC(Plastic leaded chip carrier)、BGA(Ball grid array)、LGA(Land grid array)等の各種半導体パッケージが挙げられる。
これらの半導体パッケージを対象物として本発明のバリ除去用電解液組成物を用いた場合、バリ以外の樹脂成形部にダメージを与えることなく効率的にバリを除去することができることから、導電部材と樹脂成形部との接合面に空隙が生じないため、バリ除去用電解液組成物が半導体パッケージ内に浸透することを防ぐことができる。
したがって、半導体パッケージの信頼性を効果的に向上させることができる。
なお、モールド成形品は、例えば、トランスファーモールド成形、インジェクションモールド成形およびコンプレッションモールド成形等、従来公知のモールド成形で成形されたものであれば特に制限されない。
この理由は、光半導体装置用モールド成形品(100、100´)におけるセパレート部102aが導電部材(104a、104b)から剥離することを防止して、気密性を効果的に保持しつつ、効率的にバリを除去することができるためである。
その結果、図2に示すように、後の工程においてキャビティー部106に充填される封止樹脂130が、セパレート部102aと導電部材(104a、104b)との間に生じた空隙を通して光半導体装置用モールド成形品(100、100´)の裏面に滲み出すことを効果的に抑制することができる。
この理由は、熱硬化性エポキシ系樹脂であれば、本発明のバリ除去用電解液組成物を用いてバリの除去を行った場合に、さらに安定的にバリ以外の樹脂成形部へのダメージを抑止しつつ、より効率的にバリを除去することができるためである。
また、寸法安定性および強度に優れた樹脂成形部を効率的に成形することができるためである。
また、これらのエポキシ樹脂は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、これらのエポキシ樹脂のうち、比較的着色のないものを使用することが好ましく、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートが好ましい。
また、上述したエポキシ樹脂に対して、硬化剤、硬化促進剤、シリカ等の無機充填剤、酸化チタン等の顔料、シランカップリング剤等を適宜配合し、熱硬化性エポキシ系樹脂を構成することが好ましい。
なお、エポキシ系樹脂の他に、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリフタルアミド樹脂等を用いることも好ましい。
また、導電部材は、表面に銀等によりめっき皮膜を設けてあってもよい。
第2の実施形態は、金属薄板からなる導電部材と、絶縁性樹脂とを、一体にモールド成形した際に、得られたモールド成形品における導電部材の表面に生じる絶縁性樹脂からなるバリの除去方法であって、下記工程(A)〜(C)を含むことを特徴とするバリの除去方法である。
(A)テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とするバリ除去用電解液組成物中に、モールド成形品を浸漬する工程
(B)モールド成形品における導電部材が陰極に、対電極が陽極となるように通電する電解処理工程
(C)モールド成形品に対して物理的な処理を施すことにより、バリを除去する工程
以下、本発明の第2の実施形態を、図面を適宜参照して、第1の実施形態と重複する内容については省略しつつ、一態様を例に挙げて具体的に説明する。
工程(A)は、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とするバリ除去用電解液組成物の中に、モールド成形品を浸漬する工程である。
より具体的には、図5(a)〜(b)に示すように、電解処理装置200を用意し、電解処理槽202および電解液組成物貯蔵槽204に対し、バリ除去用電解液組成物250を十分に供給する。
次いで、電解液組成物貯蔵槽204に設置されている調温ユニット206、ヒーター208およびポンプユニット210によりバリ除去用電解液組成物250を加温しつつ電解処理槽202と、電解液組成物貯蔵槽204との間を循環させ、バリ除去用電解液組成物250の液温を所定の温度に維持する。
このとき、電解液組成物貯蔵槽204からポンプユニット210により汲み上げられ、電解処理槽202において過剰になった分のバリ除去用電解液組成物250は、配管212により電解液組成物貯蔵槽204に戻される。
なお、図5(a)は電解処理装置200の平面図であり、図5(b)は図5(a)に示す点線A−Aに沿って垂直方向に切断して、矢印方向に沿って眺めた場合の電解処理装置200の断面図である。
このとき、図6に示すように、陰極としての金属電極棒216の上面に対し、モールド成形品100´の下端面(導電部材が露出した端面)を接触させる。
なお、図6は図5(a)〜(b)に示す電解処理装置200からモールド成形品100´、金属電極棒216およびワーク支持棒214からなる部分を抜き出して表した斜視図である。
工程(B)は、モールド成形品における導電部材が陰極に、対電極が陽極となるように通電して電解処理する工程である。
より具体的には、モールド成形品100´のそれぞれの面に対して対向するように、陽極としての対電極板218をバリ除去用電解液組成物250の中に配置した後、電源ユニット220により電圧を印加し、通電する。
この理由は、陰極電流密度が0.5A/dm2未満の値となると、安定的にバリを除去することが困難になる場合があるためである。一方、陰極電流密度が5A/dm2を超えた値となると、バリ以外の樹脂成形部へのダメージが大きくなる場合があるためである。
したがって、陰極電流密度を1A/dm2以上の値とすることがより好ましく、1.5A/dm2以上の値とすることがさらに好ましい。
また、陰極電流密度を4A/dm2以下の値とすることがより好ましく、3A/dm2以下の値とすることがさらに好ましい。
なお、陰極電流密度とは、モールド成形品に流れる電流値(A)を、モールド成形品を構成する導電部材における樹脂成形部によって被覆されていない部分の表面積(但し、バリによって被覆されている部分は、樹脂成形部によって被覆されていない部分に含める)(dm2)で割った値を意味する。
この理由は、通電時間が0.5秒未満の値となると、安定的にバリを除去することが困難になる場合があるためである。一方、通電時間が5秒以上の値となると、バリ以外の樹脂成形部へのダメージが大きくなるばかりか、製造効率が低下するためである。
したがって、通電時間を0.75秒以上の値とすることがより好ましく、1秒以上の値とすることがさらに好ましい。
また、通電時間を4秒以下の値とすることがより好ましく、3秒以下の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、バリ除去用電解液組成物の温度が20℃未満の値となると、バリ除去用電解液組成物の液温を一定に保つのに加温と冷却のための2つの装置が必要となって、液温維持にコストがかかり、経済的に不利となる場合があるためである。
一方、バリ除去用電解液組成物の温度が70℃を超えた値となると、バリ以外の樹脂成形部へのダメージが大きくなる場合があるためである。
したがって、バリ除去用電解液組成物の温度を25℃以上の値とすることがより好ましく、30℃以上の値とすることがさらに好ましい。
また、バリ除去用電解液組成物の温度を60℃以下の値とすることがより好ましく、50℃以下の値とすることがさらに好ましい。
工程(C)は、モールド成形品に対して物理的な処理を施すことにより、バリを除去する工程である。
より具体的には、図7(a)〜(b)に示す高圧水ジェット処理装置300を用意し、通電後のモールド成形品100´を、筐体302の内部に設置されたワーク固定治具304の上面に、バリが付着した面が上側となるように固定する。
次いで、水平方向に往復移動しながら10〜20MPaの高圧水を下方に噴射する高圧水噴射ユニット306により、モールド成形品100´のバリが付着した面側に高圧水を噴射し、電解処理により浮かせたバリを物理的に除去する。
また、図8(a)〜(b)に示すように、高圧水噴射ユニット306は、下面に複数の高圧水噴射口308を有している。
したがって、水平方向に往復移動しながら均一に高圧水を噴射することができ、効率的にバリを除去することができる。
なお、図7(a)は高圧水ジェット処理装置300の平面図であり、図7(b)は図7(a)に示す点線A−Aに沿って垂直方向に切断して、矢印方向に沿って眺めた場合の高圧水ジェット処理装置300断面図である。
また、図8(a)は図7(a)〜(b)に示す高圧水ジェット処理装置300から高圧水噴射ユニット306およびモールド成形品100´の部分を抜き出して表した斜視図であり、図8(b)は高圧水噴射ユニット306の下面図である。
また、物理的な処理としてウォータージェットを例に挙げて説明したが、例えば、ドライブラストやウェットブラスト等を用いてもよい。
1.バリ除去用電解液組成物の調製
全体量に対して、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)0.5重量%、イオン交換水(電気伝導率0.5μS/cm)99.5重量%となるように、容器内にこれらを収容し、撹拌装置としてのミキサーを用いて、均一になるよう十分に撹拌して、実施例1のバリ除去用電解液組成物とした。
なお、表1に実施例1のバリ除去用電解液組成物の配合組成を示すが、組成成分の名称を略す場合には、上述したカッコ内の略語をもって表記する(他の実施例、比較例において同じ)。
エポキシ系樹脂としてのトリスグリシジルイソシアヌレートに対して硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、白色顔料およびカップリング剤を配合してなる熱硬化性樹脂組成物と、厚さ0.15mmのCu−Fe合金C194からなる板に対してフォトエッチング処理を施すことにより回路を形成した後、銀メッキを施してなる導電部材とを、トランスファーモールド成形機にて一体にモールド成形してなる光半導体装置用モールド成形品を準備した。
より具体的には、図3に示すような縦12個×横15個の単位が繋がった状態の光半導体装置用モールド成形品100´(縦75mm×横124mm)を得た。
(1)バリ除去性の評価
得られたバリ除去用電解液組成物のバリ除去性を評価した。
すなわち、図5(a)〜(b)に示す電解処理装置200を用意し、電解処理槽202および電解液組成物貯蔵槽204に対し、準備したバリ除去用電解液組成物250を十分に供給した。
次いで、電解液組成物貯蔵槽204に設置されている調温ユニット206、ヒーター208およびポンプユニット210によりバリ除去用電解液組成物250を加温しつつ電解処理槽202と、電解液組成物貯蔵槽204との間を循環させ、バリ除去用電解液組成物250の液温を50℃に維持した。
このとき、陰極としての金属電極棒216の上面に対し、光半導体装置用モールド成形品100´の下端面(導体部材が露出した端面)を接触させた。
次いで、光半導体装置用モールド成形品100´のそれぞれの面に対して対向するように、陽極としての対電極板218をバリ除去用電解液組成物250の中に配置した後、光半導体装置用モールド成形品100´に対する陰極電流密度が1A/dm2となるように電源ユニット220により電圧を1秒間印加し、通電した。
次いで、水平方向に往復移動しながら15MPaの高圧水を下方に噴射する高圧水噴射ユニット306により、光半導体装置用モールド成形品100´のキャビティー部側に高圧水を噴射し、電解処理により浮かせたバリを物理的に除去した。
また、キャビティー部側の裏面についても、同様に高圧水ジェット処理を行った。
次いで、キャビティー部側の外観を目視にて観察し、下記基準に沿ってバリ除去性を評価した。得られた結果を表2に示す。
○:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、バリが確認されない
△:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、僅かにバリが残存している単位が数個確認される
×:キャビティー部の底面を構成する導体部材の表面に、明確にバリが確認される
さらに、光半導体装置用モールド成形品に対する陰極電流密度を2A/dm2、4A/dm2に変えた場合についても、それぞれ電圧印加時間を1秒間、2秒間、4秒間に変えて、同様にバリ除去性を評価した。得られた結果を表2に示す。
得られたバリ除去用電解液組成物の気密保持性を評価した。
すなわち、上述したバリ除去性の評価後の光半導体装置用モールド成形品のキャビティー部に対し、光硬化性シリコーン樹脂(信越化学工業(株)製、LSP−7463)をリフレクタ部からなる内側壁の上端まで充填し、12時間以上放置した。
次いで、光半導体装置用モールド成形品の裏面を目視にて観察し、下記基準に沿って機密保持性を評価した。得られた結果を表2に示す。
○:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂が確認されない
△:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂による着色のみが確認される
×:裏面におけるセパレート部の近傍に、光硬化性シリコーン樹脂が形状として明確に確認される
得られたバリ除去用電解液組成物の表面保持性を評価した。
すなわち、上述したバリ除去性の評価後の光半導体装置用モールド成形品のリフレクタ部を目視にて観察し、下記基準に沿って表面保持性を評価した。得られた結果を表2に示す。
○:バリ除去を行う前のリフレクタ部と比較して、相違が確認されない
△:バリ除去を行う前のリフレクタ部と比較して、僅かに艶の低下が確認される
×:バリ除去を行う前のリフレクタ部と比較して、明確に艶の低下が確認される
また、実施例2では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を2重量%、イオン交換水の配合割合を98%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例3では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を5重量%、イオン交換水の配合割合を95重量%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例4では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を8重量%、イオン交換水の配合割合を92重量%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例5では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を12重量%、イオン交換水の配合割合を88重量%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例6では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を5重量%、イオン交換水の配合割合を92.5重量%に変えるとともに、さらに遅延剤としてのグリコール酸を2.5重量%(TEAH1イオン当量に対し、0.97イオン当量)配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例7では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合割合を5重量%、イオン交換水の配合量を90重量%に変えるとともに、さらに遅延剤としての3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール(MMB)を5重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例8では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を4重量%、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、さらに別の有機塩基としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を1重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例9では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を4重量%、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、さらに別の有機塩基としてテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(TPAH)を1重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例10では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を4重量%、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、さらに無機塩基としての水酸化ナトリウム(NaOH)を1重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、実施例11では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を4重量%、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、さらに無機塩基としての炭酸カリウム(K2CO3)を1重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1〜2に示す。
また、比較例1では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を0.1重量%、イオン交換水の配合量を99.9重量%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例2では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)の配合量を15重量%、イオン交換水の配合量を85重量%に変えたほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例3では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)を配合せず、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、別の有機塩基としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を5重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例4では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)を配合せず、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、別の有機塩基としてのテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(TPAH)を5重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例5では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)を配合せず、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、無機塩基としての水酸化ナトリウム(NaOH)を5重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例6では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)を配合せず、イオン交換水の配合量を95重量%に変えるとともに、無機塩基としての炭酸カリウム(K2CO3)を5重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
また、比較例7では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)を配合せず、イオン交換水の配合量を90重量%に変えるとともに、無機塩基としての過マンガン酸カリウム(KMnO4)を4重量%と、水酸化カリウム(KOH)を6重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および3に示す。
なお、比較例7では、バリ除去性の評価の際に、電解処理後、導電部材の表面が酸化により著しく黒色化した。
また、比較例8では、バリ除去用電解液組成物を調製する際に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)およびイオン交換水を配合せず、四級アンモニウム塩としてのテトラメチルアンモニウムクロライド(TMAC)を1重量%、無機塩基としての水酸化ナトリウム(NaOH)を4重量%、有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を79重量%、メタノール(MtOH)を16重量%配合したほかは、実施例1と同様にバリ除去用電解液組成物を調製し、評価した。得られた結果を表1および表3に示す。
なお、比較例8では、バリ除去性の評価の際に、10Vまで印加電圧を高めても所定の陰極電流密度に達しなかったため、バリ除去性およびその後の気密保持性および表面保持性を評価することができなかった。
また、参考例1〜5では、実施例1〜5で調製したバリ除去用電解液組成物(液温75℃)に対して、光半導体装置用モールド成形品を浸漬させ、通電することなく3秒間、30秒間、600秒間放置した後、実施例1と同様にしてバリ除去性、気密保持性および表面保持性の評価を行った。得られた結果を表4に示す。
その結果、光半導体装置用モールド成形品を対象物とした場合であっても、セパレート部が導電部材から剥離することを防止して、気密性を効果的に保持することができ、かつ、非常に短い通電時間で効率的にバリを除去することができるようになった。
したがって、本発明のバリ除去用電解液組成物およびそれを用いたバリの除去方法は、モールド成形品、特に、光半導体装置用モールド成形品の高品質化および製造効率の向上に著しく寄与することが期待される。
Claims (8)
- 金属薄板からなる導電部材と、絶縁性樹脂とを、一体にモールド成形した際に、得られたモールド成形品における前記導電部材の表面に生じる前記絶縁性樹脂からなるバリを、前記モールド成形品に通電しながら除去するためのバリ除去用電解液組成物であって、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、
前記バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、前記テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、前記水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とすることを特徴とするバリ除去用電解液組成物。 - 前記テトラエチルアンモニウムヒドロキシド1イオン当量に対し、グリコール酸、ギ酸、および酢酸からなる群から選択される少なくとも一種を、0.1〜2イオン当量の範囲内の値で含むことを特徴とする請求項1に記載のバリ除去用電解液組成物。
- 前記バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、3−メトキシブタノール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルおよびジエチレングリコールジエチルエーテルからなる群から選択される少なくとも一種を、0.5〜50重量%の範囲内の値で含むことを特徴とする請求項1または2に記載のバリ除去用電解液組成物。
- pHを3〜14の範囲内の値とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のバリ除去用電解液組成物。
- 前記モールド成形品を構成する前記絶縁性樹脂を熱硬化性エポキシ系樹脂とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のバリ除去用電解液組成物。
- 前記モールド成形品が、光半導体装置用モールド成形品であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のバリ除去用電解液組成物。
- 金属薄板からなる導電部材と、絶縁性樹脂とを、一体にモールド成形した際に、得られたモールド成形品における前記導電部材の表面に生じる前記絶縁性樹脂からなるバリの除去方法であって、
下記工程(A)〜(C)を含むことを特徴とするバリの除去方法。
(A)テトラエチルアンモニウムヒドロキシドと、水と、を含むとともに、バリ除去用電解液組成物の全体量100重量%に対して、前記テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの配合割合を0.2〜14重量%の範囲内の値とし、前記水の配合割合を30〜99.8重量%の範囲内の値とするバリ除去用電解液組成物中に、前記モールド成形品を浸漬する工程
(B)前記モールド成形品における前記導電部材が陰極に、対電極が陽極となるように通電する電解処理工程
(C)前記モールド成形品に対して物理的な処理を施すことにより、バリを除去する工程 - 前記工程(B)において、陰極における電流密度を0.5〜5A/dm2の範囲内の値とするとともに、通電時間を0.5〜5秒の範囲内の値とすることを特徴とする請求項7に記載のバリの除去方法。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106011993B (zh) * | 2016-05-16 | 2018-01-05 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 一种电解去溢料溶液及其制备方法 |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56110242A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | Removal of oozed resin thin film |
JPS57188830A (en) * | 1981-05-16 | 1982-11-19 | Toshiba Corp | Removing method for resin burr of semiconductor device |
JPH01168963A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-07-04 | Toray Ind Inc | 炭素繊維の表面処理方法 |
US4781804A (en) * | 1988-03-02 | 1988-11-01 | Delco Electronics Corporation | Electrolytic organic mold flash removal |
JP3112022B2 (ja) * | 1990-08-03 | 2000-11-27 | 三井化学株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
NL9200898A (nl) * | 1992-05-21 | 1993-12-16 | Meco Equip Eng | Werkwijze voor het middels elektrolyse verwijderen van kunststofuitbloedingen afgezet op metalen aansluitbenen van halfgeleidercomponenten en dergelijke en de bij deze werkwijze gebruikte samenstelling. |
JPH0917934A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Eikichi Yamaharu | 樹脂パッケージ部が形成されたリードフレームのバリ浮かし方法およびこれに用いる装置、ならびに、樹脂パッケージ部が形成されたリードフレームのバリ取り装置 |
JP2001160562A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN101298583A (zh) * | 2007-04-30 | 2008-11-05 | 天津市励普特科技有限公司 | 半导体用化学除胶渣剂 |
JP5706128B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2015-04-22 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置の樹脂バリ除去方法 |
KR101303623B1 (ko) * | 2012-01-20 | 2013-09-11 | 주식회사 에이에스티젯텍 | 스트립 형태 부품의 디플래시 장치 |
JP2013243294A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Kaneka Corp | 半導体パッケージの製造方法 |
CN102808190B (zh) * | 2012-08-31 | 2014-06-25 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 环保型弱碱性低温去毛刺软化液及其制备方法和使用方法 |
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