CN103354270B

CN103354270B - 一种emc封装led引线框架去溢料工艺

Info

Publication number: CN103354270B
Application number: CN201310271452.9A
Authority: CN
Inventors: 曹光伟; 李泓; 张继桉
Original assignee: NINGBO KANGQIANG ELECTRONICS CO Ltd
Current assignee: NINGBO KANGQIANG ELECTRONICS CO Ltd
Priority date: 2013-07-01
Filing date: 2013-07-01
Publication date: 2016-08-24
Anticipated expiration: 2033-07-01
Also published as: CN103354270A

Abstract

本发明涉及一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤，1）电解、2）风刀、3）水洗、4）高压水刀、5）刷洗、6）中和、7）保护、8）烘干。相对于现有技术，本发明的有益效果如下：1）、整个方法简单，造价成本低、易于操作；2）、该方法更适用于LED框架的特性，使其具有以下优点：使用水洗和刷洗相结合，在不损伤产品的情况下达到去除溢料的目的。3）通过增加中和、保护工艺，使电解后残留的化学药水进行中和反应使其化学性质变的稳定，水洗后能保证产品保持中性，不会引起银层变色等现象，更能保证产品的质量。

Description

一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺

技术领域

本发明涉及去溢料工艺，具体来说涉及一种使用环氧树脂半封装用于装载发光芯片并加以半透明塑封的EMC封装的LED引线框架去溢料工艺，属于封装技术领域。

背景技术

EMC封装的LED引线框架是制作生产半导体发光元件的基础材料，一般它是由铜合金、电镀层、环氧树脂组成。铜合金经蚀刻工艺生产出金属料带，再通过电镀把电镀层和铜合金结合在一起，半封装工艺通过模具把环氧树脂和电镀过的料带结合再一起。再经过清洗去溢料处理后包装存储。经过环氧树脂封装后的EMC引线框架会因加工方式、模具间隙等原因产生一些溢料现象。其中在功能区内的溢料会引起固晶、打线不良，影响产品质量；散热区内的溢料会覆盖住金属材料，影响产品散热。通过一种去溢料工艺把功能区、散热区内的异物去除，达到去除溢料的目的。

ECM封装过程是由压机提供动力，将环氧树脂料饼通过模具成型将环氧树脂和料带结合为一体，因此不可避免的会产生溢料现象，尤其是在杯底功能的溢料会挡住镀层不但严重影响产品在后续固晶、打线的可靠性，而且会降低底部的反光性影响光效。去溢料工艺主是去除在封装模具生产过程中溢出在产品功能区和散热区中的残余环氧树脂。

目前行业中主要用的去溢料方法是机械喷沙干法/湿法，机械喷沙干法/湿法，也叫介质去飞毛刺，使用专用的高压喷沙机，将研磨料如粒状的料球喷在集成电路引线框架表面上，打磨去掉溢料，此方法适用于单面封装大散热片的产品。优点是成本较低，缺点是容易打伤塑封体表面和引脚，IC封装去溢料工艺时会损伤环氧树脂和电镀表面。因此，迫切的需要一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺来解决上述技术问题。

发明内容

本发明正是针对现有技术中存在的技术问题，提供一种操作方便、成本较低的EMC封装LED引线框架去溢料工艺，该工艺不仅保证产品质量而且不会是产品发生变色现象。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下，一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤，1）电解、2）风刀、3）水洗、4）高压水刀、5）刷洗、6）中和、7）保护、8）烘干。其中电解是在碱性药水中通过电解的方法去除溢料，引线框架与阴极相连，在药水中引脚产生大量气泡溢出时将溢料松动产生空隙，碱液渗入将产品表面的溢料泡软，利用高压水打掉溢料。

作为本发明的进一步改进，所述高压水刀还包括以下步骤，4.1水洗，4.2风刀。

作为本发明的进一步改进，所述步骤5还包括以下步骤，5.1水洗。

作为本发明的进一步改进，所述步骤6还包括以下步骤6.1）风刀，6.2）中和，6.3）风刀。

作为本发明的进一步改进，所述步骤7还包括以下步骤7.1）风刀，7.2）水洗，7.3）高温水洗，7.4）风刀。

作为本发明的进一步改进，所述步骤6中和的过程为，通过酸性药水与碱性药水发生中和反应，去除引线框架引线框架表面残留的碱性成份。

作为本发明的进一步改进，所述步骤7保护具体为，在银层保护液中，室温下浸泡5—15秒。

作为本发明的进一步改进，所述步骤7.3高温水洗的温度为55—60°。

作为本发明的进一步改进，所述步骤8烘干采用的烘干设备为烘道，温度为120-150°，烘干时间为60-120秒。

相对于现有技术，本发明的有益效果如下：1）、整个方法简单，造价成本低、易于操作；2）、该方法更适用于LED框架的特性，使其具有以下优点：1.原IC封装去溢料工艺有喷沙流程，会对框架表面造成冲击，在表面形成细小的凹坑，这对LED产品对表面的高要求严重不符，而本发明针对此问题进行改进，使用水洗和刷洗相结合，在不损伤产品的情况下达到去除溢料的目的。2. 原IC封装去溢料工艺中电解后只靠水洗去除了电解后残留的化学药水，而在清洗时电解过程中已经对电镀层发生了化学反应，在存放一定时间后银层会有不同程度的变色现象，而本发明通过增加中和、保护工艺，使电解后残留的化学药水进行中和反应使其化学性质变的稳定，水洗后能保证产品保持中性，不会引起银层变色等现象，更能保证产品的质量。

附图说明

图1为EMC封装LED引线框架结构图；

图中：1、金属框架，2、环氧树脂，3、镀银层，4、溢料。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解和认识，下面结合附图和具体实施方式对本发明做出进一步的说明和介绍。

实施例 1 ：

图1所示，本发明EMC封装的LED引线框架在半封装后由金属框架1，环氧树脂2，镀银层3组成，但在生产过程中会产生不同程度的溢料4。本发明的工艺就是去除溢料4而不损伤金属框架1，环氧树脂2，镀银层3，具体方法包括以下步骤：一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤，1）电解、2）风刀、3）水洗、4）高压水刀、5）刷洗、6）中和、7）保护、8）烘干。该工艺中的涮洗，主要目的是涮洗残余溢料，中和的目的是中和电解时产生的碱性，保护的目的是浸泡银层保护液，该发明通过增加中和、保护工艺，使电解后残留的化学药水进行中和反应使其化学性质变的稳定，水洗后能保证产品保持中性，不会引起银层变色等现象，更能保证产品的质量。

实施例 2 ：

作为本发明的进一步改进，所述高压水刀还包括以下步骤，4.1水洗，继续清洗残留溢料，4.2风刀，吹干水分，保持干燥；其中高压水刀的作用是冲涮残留溢料。

实施例 3 ：：

作为本发明的进一步改进，所述步骤5刷洗还包括以下步骤，5.1水洗，继续清洗残留溢料，其中刷洗主要是洗掉残留溢料。

实施例 4 ：

作为本发明的进一步改进，所述步骤6中和还包括以下步骤6.1）风刀，吹干中和产生的液体6.2）水洗，清洗中和液6.3）风刀，吹干水分。其中所述中和主要是通过酸性药水与碱性药水发生中和反应，去除引线框架引线框架表面残留的碱性成份。

实施例 5 ：

作为本发明的进一步改进，所述步骤7保护还包括以下步骤7.1）风刀，吹干保护液，7.2）水洗，清洗保护液，7.3）高温水洗，高温水洗的温度为55—60°，通过高温水洗防止高温烘烤影响产品性能7.4）风刀，吹干水分，所述保护具体为，在银层保护液中，室温下浸泡5—15秒。

实施例 6 ：作为本发明的进一步改进，所述步骤8烘干采用的烘干设备为烘道，温度为120-150°，烘干时间为60-120秒。

本发明还可以将实施例2、3、4、5、6所述技术特征中的至少一个与实施例1组合形成新的实施方式。

需要说明的是上述实施例仅仅是本发明的较佳实施例，并没有用来限定本发明的保护范围，在上述基础上所作出的等同替换或者替代均属于本发明的保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims

1.一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤，1）电解、2）风刀、3）水洗、4）高压水刀、5）刷洗、6）中和、7）保护、8）烘干；所述步骤4高压水刀还包括以下步骤，4.1水洗，4.2风刀，所述步骤5刷洗还包括以下步骤，5.1水洗，所述步骤6中和还包括以下步骤6.1）风刀，6.2）水洗，6.3）风刀；所述步骤7还包括以下步骤7.1）风刀，7.2）水洗，7.3）高温水洗，所述高温水洗的温度为55—60°，7.4）风刀。

2.根据权利要求1所述的一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述步骤6中和的过程为，通过酸性药水与碱性药水发生中和反应，去除引线框架引线框架表面残留的碱性成份。

3.根据权利要求1或2 所述的一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述步骤7保护具体为，在银层保护液中，室温下浸泡5—15秒。

4.根据权利要求1或2所述的一种EMC封装LED引线框架去溢料工艺，其特征在于，所述步骤8烘干采用的烘干设备为烘道，温度为120-150°，烘干时间为60-120秒。