JP6342370B2 - 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6342370B2
JP6342370B2 JP2015175952A JP2015175952A JP6342370B2 JP 6342370 B2 JP6342370 B2 JP 6342370B2 JP 2015175952 A JP2015175952 A JP 2015175952A JP 2015175952 A JP2015175952 A JP 2015175952A JP 6342370 B2 JP6342370 B2 JP 6342370B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum generator
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
storage unit
reaction chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015175952A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017054862A (ja
Inventor
林　弘和
弘和 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Devices and Storage Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015175952A priority Critical patent/JP6342370B2/ja
Priority to US15/070,895 priority patent/US9957611B2/en
Publication of JP2017054862A publication Critical patent/JP2017054862A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6342370B2 publication Critical patent/JP6342370B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置に関する。
基板上にシリコン膜を成膜する場合、ソースガスとして、例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）のようなシリコン、塩素及び水素を含むガスを反応室に供給する。シリコン膜を成膜した後、反応室から排気される排気ガス中には、未反応のソースガス等が含まれる。そして、反応室に接続される排気管には、排気ガスに由来する副生成物として、液状の塩化シランポリマー（クロロシランポリマー）等が付着する。塩化シランポリマーは、オイリーシラン（Ｏｉｌｙ Ｓｉｌａｎｅ）とも称される。
塩化シランポリマーは粘性が高いため、放置すると排気管が閉塞し、シリコン膜の成膜に支障が生じるという問題がある。また、塩化シランポリマーは発火性を有するため、除去処理に危険性が伴う。このため、除去処理に時間と手間がかかるという問題がある。
特開２０１３−１２５８１０号公報
本発明が解決しようとする課題は、成膜時の副生成物を簡便に除去することを可能とする半導体製造装置を提供することにある。
実施形態の半導体製造装置は、基板に膜を成膜する反応室と、前記反応室に接続され、前記反応室から排気される排気ガスを排気する第１の排気管と、前記排気ガスを排気する第２の排気管と、前記第１の排気管と前記第２の排気管との間に接続され、前記排気ガスに由来する副生成物を貯留する貯留部と、バキュームジェネレーターと、前記バキュームジェネレーターに接続され、前記バキュームジェネレーターの駆動用ガスを供給する駆動用ガス供給管と、一端が前記貯留部に接続され、他端が前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を吸引する吸引管と、前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を排出する排出管と、を備える。
実施形態の半導体製造装置の模式図。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一又は類似の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
実施形態の半導体製造装置は、基板に膜を成膜する反応室と、反応室に接続され、反応室から排気される排気ガスを排気する第１の排気管と、排気ガスを排気する第２の排気管と、第１の排気管と第２の排気管との間に接続され、排気ガスに由来する副生成物を貯留する貯留部と、バキュームジェネレーターと、バキュームジェネレーターに接続され、バキュームジェネレーターに駆動用ガスを供給する駆動用ガス供給管と、一端が貯留部に接続され、他端がバキュームジェネレーターに接続され、副生成物を吸引する吸引管と、バキュームジェネレーターに接続され、副生成物を排出する排出管と、を備える。
図１は、実施形態の半導体製造装置の模式図である。
実施形態の半導体製造装置は、基板上に膜を成膜する気相成長装置である。以下、気相成長装置として、単結晶シリコンウェハ上に単結晶シリコン膜を成膜するエピタキシャル成長装置１００を例に説明する。
エピタキシャル成長装置１００は、反応室１０、ソースガス供給管１２、第１の排気管１４、第２の排気管１６、真空ポンプ１８、除去装置（半導体製造装置用除去装置）２０を備える。除去装置２０は、貯留部２２、バキュームジェネレーター２４、駆動用ガス供給管２６、吸引管２８、排出管３０、加熱機構３２、不活性ガス供給管３４、温度センサ３６、制御部３８、冷却加熱機構４０、無害化装置（除害装置）４２を備える。また、除去装置２０は、第１の開閉バルブ４４、第２の開閉バルブ４６、第３の開閉バルブ４８、第４の開閉バルブ５０、第５の開閉バルブ５２を備える。
反応室１０内では、例えば、単結晶シリコンウェハ（基板）上に単結晶シリコン膜を成膜する。
ソースガス供給管１２は、反応室１０に接続される。ソースガス供給管は、反応室に１０に、例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）やトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）等の、シリコン、塩素及び水素を含むガスをソースガスとして供給する。
第１の排気管１４は、反応室１０に接続される。第１の排気管１４は、未反応のソースガス等、反応室１０から排気される排気ガスを排気する。第１の排気管１４は、第１の開閉バルブ４４を備える。
第２の排気管１６は、反応室１０から排気される排気ガスをエピタキシャル装置１００外へ排気する。第２の排気管１６は、第２の開閉バルブ４６を備える。
反応室１０に接続される部分の第１の排気管１４、及び、第２の排気管１６は、例えば、水平方向に対して傾斜している。例えば、垂直な方向に伸長している。
真空ポンプ１８は、第２の排気管１６に接続される。真空ポンプ１８は、反応室１０内を減圧する。
除去装置２０は、第１の排気管１４と第２の排気管１６との間に設けられる。除去装置２０は、反応室１０から排気される排気ガスに由来する副生成物５４を除去する機能を備える。
貯留部２２は、第１の排気管１４と第２の排気管１６との間に接続される。貯留部２２は、反応室１０から排気される排気ガスに由来する副生成物５４を貯留する。副生成物５４は、例えば、液状の塩化シランポリマー（クロロシランポリマー）である。塩化シランポリマーは、オイリーシラン（Ｏｉｌｙ Ｓｉｌａｎｅ）とも称される。
冷却加熱機構４０は、例えば、貯留部２２に接して設けられる。冷却加熱機構４０は、貯留部２２を冷却又は加熱する。冷却加熱機構４０は、貯留部２２を冷却及び加熱することにより、副生成物５４を冷却又は加熱する。冷却加熱機構４０は、例えば、チラーである。
バキュームジェネレーター２４は、駆動ガスを連続的に供給することによって吸引力（真空）を得る機能を備える。
駆動用ガス供給管２６は、バキュームジェネレーター２４に接続される。駆動用ガス供給管２６は、バキュームジェネレーター２４に、バキュームジェネレーター２４の駆動用ガスを供給する。駆動用ガスは、例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガスである。駆動用ガス供給管２６は、第３の開閉バルブ４８を備える。
加熱機構３２は、駆動用ガス供給管２６の途中に設けられる。加熱機構３２は、駆動用ガスを加熱する機能を備える。加熱機構３２は、駆動用ガスを副生成物５４の気化温度以上まで加熱することが可能である。塩化シランポリマーを気化させる観点から、駆動用ガスを２６０℃以上まで加熱できることが望ましい。加熱機構３２は、例えば、ヒーターである。
温度センサ３６は、バキュームジェネレーター２４に設けられる。温度センサ３６は、バキュームジェネレーター２４を通るガスの温度を、直接又は間接に測定する。
制御部３８は、温度センサ３６の測定値に基づき、加熱機構３２を制御する。制御部３８は、バキュームジェネレーター２４を通るガスの温度が所望の温度となるように加熱機構３２を制御する。制御部３８は、例えば、制御回路である。制御回路は、例えば、ハードウェア又はハードウェアとソフトウェアとの組み合わせで構成される。
吸引管２８は、一端が貯留部２２に接続され、他端がバキュームジェネレーター２４に接続される。吸引管２８は、貯留部２２に貯留された副生成物５４を吸引する。吸引管２８の貯留部２２側の端部は、副生成物５４を吸引するために、貯留部２２の底部に設けられる。吸引管２８は、第４の開閉バルブ５０を備える。
排出管３０は、バキュームジェネレーター２４に接続される。排出管３０は、吸引管２８により吸引された副生成物５４をエピタキシャル装置１００外へ排出する。
無害化装置４２は、排出管３０に接続される。無害化装置４２は、例えば、副生成物５４を含むガスを無害化する。例えば、副生成物５４を含むガス中の塩素を除外する。無害化装置４２は、例えば、水シャワーを用いる湿式除害装置（スクラバ）である。
不活性ガス供給管３４は、貯留部２２に接続される。不活性ガス供給管３４は、貯留部２２に不活性ガスを供給する。不活性ガス供給管３４は、貯留部２２に不活性ガスを供給することで、貯留部２２を陽圧にする。不活性ガスは、例えば、窒素やアルゴンである。不活性ガス供給管３４は、第５の開閉バルブ５２を備える。
次に、実施形態のエピタキシャル成長装置１００及び除去装置２０の作用・効果について説明する。以下、副生成物５４が塩化シランポリマーの場合を例に説明する。
シリコン膜を成膜した後、反応室１０から排気される排気ガス中には、未反応のソースガス等が含まれる。そして、反応室１０に接続される第１の排気管１４、第２の排気管１６には、排気ガスに由来する副生成物５４として、液状の塩化シランポリマーが付着する。
塩化シランポリマーは粘性が高いため、放置すると第１の排気管１４、第２の排気管１６が閉塞し、シリコン膜の成膜に支障が生じる。そして、塩化シランポリマーは発火性を有するため、除去処理に危険性が伴う。このため、除去処理に時間と手間がかかる。したがって、塩化シランポリマーの除去処理を、例えば、配管の取り外しのような人為的な作業を行わずに実施することが望ましい。
実施形態では、反応室１０内での成膜中に、反応室１０から排気される排気ガスに由来する塩化シランポリマーは貯留部２２に貯留される。塩化シランポリマーは液状であるので貯留部２２の底部に貯留される。
貯留部２２に接続される第１の排気管１４又は第２の排気管１６が、例えば、水平方向に対して傾斜していることが望ましい。水平方向に対して傾斜していることで、内壁に付着した塩化シランポリマーが、重力により第１の排気管１４又は第２の排気管１６内を伝って、貯留部２２に入り貯留部２２に貯留される。
また、貯留部２２が冷却加熱機構４０により、適温に冷却又は加熱されることが望ましい。例えば、貯留部２２が冷却されることで、排気ガス中の塩化シランポリマーの液化が促進される。したがって、塩化シランポリマーの貯留部２２への捕獲効率が向上する。また、例えば、塩化シランポリマーの粘性は温度に依存する。塩化シランポリマーを除去する際に、適切な温度に設定することで粘性を低下させることができる。したがって、塩化シランポリマーの除去が容易になる。
反応室１０内での成膜中以外の時間に、貯留部２２に貯留された塩化シランポリマーを除去する。まず、第１の開閉バルブ４４及び第２の開閉バルブ４６を閉じる。次に、貯留部２２が、塩化シランポリマーの粘性が低下する所望の温度となるよう冷却加熱機構４０により温度調整する。所望の温度は、例えば、室温である。次に、第５の開閉バルブ５２を開いて、不活性ガス供給管３４から貯留部２２に不活性ガスを供給し、貯留部２２を陽圧にする。この時、吸引管２８の第４の開閉バルブ５０は閉ざされている。その後、第５の開閉バルブ５２を閉じて、不活性ガスの供給を停止する。
次に、第３の開閉バルブ４８を開いて、駆動用ガス供給管２６から不活性ガスをバキュームジェネレーター２４に供給する。次に、吸引管２８の第４の開閉バルブ５０を開く。バキュームジェネレーター２４で発生される吸引力により、貯留部２２の底部に溜まった塩化シランポリマーが、吸引管２８を通って吸引される。バキュームジェネレーター２４で発生される吸引力により吸引することで、粘性の高い塩化シランポリマーの除去が可能になる。
吸引された塩化シランポリマーは、排出管３０によりエピタキシャル装置１００外へ排出する。エピタキシャル装置１００外へ排出する前段に、無害化装置４２を設け、塩化シランポリマーを無害化することが望ましい。
駆動用ガスは、加熱機構３２を用いて加熱されることが望ましい。特に、塩化シランポリマーの気化温度以上に加熱されることが望ましい。例えば、２６０℃以上に加熱することが望ましい。
駆動用ガスを加熱することで、吸引管２８で吸引された液状の塩化シランポリマーが、バキュームジェネレーター２４内で気化し駆動用ガスで輸送される。したがって、塩化シランポリマーの輸送が容易になる。また、塩化シランポリマーが気化しているため、無害化装置４２による塩素の除去処理が容易になる。
また、温度センサ３６及び制御部３８を用いることで、バキュームジェネレーター２４を通るガスの温度を塩化シランポリマーの気化温度以上に安定して制御することが可能となる。
貯留部２２に貯留された塩化シランポリマーの除去が完了すると、第４の開閉バルブ５０、第３の開閉バルブ４８を閉じる。
実施形態のエピタキシャル成長装置１００及び除去装置２０によれば、成膜によって生成される排気管内の塩化シランポリマーの除去が可能となる。したがって、排気管が閉塞し、成膜に支障が生じることを抑制できる。
また、塩化シランポリマーの除去処理を、配管を取り外すことなく行うことが可能となる。したがって、塩化シランポリマーの除去処理が容易となる。また、人為的に配管等を取り外して除去処理を行う場合にくらべ、除去処理の安全性が向上する。
実施形態のエピタキシャル成長装置１００及び除去装置２０によれば、成膜時の副生成物５４を簡便に除去することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 反応室
１４ 第１の排気管
１６ 第２の排気管
１８ 真空ポンプ
２０ 除去装置（半導体製造装置用除去装置）
２２ 貯留部
２４ バキュームジェネレーター
２６ 駆動用ガス供給管
２８ 吸引管
３０ 排出管
３２ 加熱機構
３４ 不活性ガス供給管
３６ 温度センサ
３８ 制御部
４０ 冷却加熱機構
５４ 副生成物
１００ エピタキシャル成長装置（半導体製造装置）

Claims (10)

  1. 基板に膜を成膜する反応室と、
    前記反応室に接続され、前記反応室から排気される排気ガスを排気する第１の排気管と、
    前記排気ガスを排気する第２の排気管と、
    前記第１の排気管と前記第２の排気管との間に接続され、前記排気ガスに由来する副生成物を貯留する貯留部と、
    バキュームジェネレーターと、
    前記バキュームジェネレーターに接続され、前記バキュームジェネレーターに駆動用ガスを供給する駆動用ガス供給管と、
    一端が前記貯留部に接続され、他端が前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を吸引する吸引管と、
    前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を排出する排出管と、
    を備える半導体製造装置。
  2. 前記駆動用ガス供給管の途中に設けられ、前記駆動用ガスを加熱する加熱機構を、更に備える請求項１記載の半導体製造装置。
  3. 前記貯留部に接続され、前記貯留部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管を、更に備える請求項１又は請求項２記載の半導体製造装置。
  4. 前記バキュームジェネレーターに設けられた温度センサと、
    前記温度センサの測定値に基づき前記加熱機構を制御する制御部と、
    を更に備える請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体製造装置。
  5. 前記貯留部を冷却又は加熱する冷却加熱機構を、更に備える請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体製造装置。
  6. 前記第２の排気管に接続される真空ポンプを、更に備える請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の半導体製造装置。
  7. 基板に膜を成膜する反応室に接続可能で、前記反応室から排気される排気ガスに由来する副生成物を貯留する貯留部と、
    バキュームジェネレーターと、
    前記バキュームジェネレーターに接続され、前記バキュームジェネレーターに駆動用ガスを供給する駆動用ガス供給管と、
    一端が前記貯留部に接続され、他端が前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を吸引する吸引管と、
    前記バキュームジェネレーターに接続され、前記副生成物を排出する排出管と、
    を備える半導体製造装置用除去装置。
  8. 前記駆動用ガス供給管の途中に設けられ、前記駆動用ガスを加熱する加熱機構を、更に備える請求項７記載の半導体製造装置用除去装置。
  9. 前記貯留部に接続され、前記貯留部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管を、更に備える請求項７又は請求項８記載の半導体製造装置用除去装置。
  10. 前記バキュームジェネレーターに設けられた温度センサと、
    前記温度センサの測定値に基づき前記加熱機構を制御する制御部と、
    を更に備える請求項７乃至請求項９いずれか一項記載の半導体製造装置用除去装置。
JP2015175952A 2015-09-07 2015-09-07 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置 Active JP6342370B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015175952A JP6342370B2 (ja) 2015-09-07 2015-09-07 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置
US15/070,895 US9957611B2 (en) 2015-09-07 2016-03-15 Removal device for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015175952A JP6342370B2 (ja) 2015-09-07 2015-09-07 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017054862A JP2017054862A (ja) 2017-03-16
JP6342370B2 true JP6342370B2 (ja) 2018-06-13

Family

ID=58190210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015175952A Active JP6342370B2 (ja) 2015-09-07 2015-09-07 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9957611B2 (ja)
JP (1) JP6342370B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7042587B2 (ja) * 2017-11-13 2022-03-28 昭和電工株式会社 化学気相成長装置
JP2019145752A (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社荏原製作所 オイリーシランの処理装置および方法
EP3770949A4 (en) 2018-03-23 2021-12-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Treatment solution and treatment method
JP7156605B2 (ja) 2019-01-25 2022-10-19 株式会社東芝 処理装置及び処理方法
JP7175782B2 (ja) 2019-01-25 2022-11-21 株式会社東芝 ケイ素含有物質形成装置
JP7125062B2 (ja) 2019-01-25 2022-08-24 株式会社東芝 判定方法及び処理方法
CN111850700A (zh) * 2020-07-09 2020-10-30 河南晶鸿光电科技有限公司 一种长晶系统和长晶方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4738693A (en) * 1987-04-27 1988-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Valve block and container for semiconductor source reagent dispensing and/or purification
JP3108939B2 (ja) 1991-07-19 2000-11-13 日本酸素株式会社 気相成長方法及び装置
JP3179864B2 (ja) 1991-11-18 2001-06-25 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
JPH1032194A (ja) 1996-07-12 1998-02-03 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
US6107198A (en) * 1998-03-26 2000-08-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Ammonium chloride vaporizer cold trap
JP2003024741A (ja) * 2001-07-17 2003-01-28 Babcock Hitachi Kk 燃焼式半導体排ガス処理装置
JP4813854B2 (ja) * 2005-09-09 2011-11-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体の製造方法
JP5877702B2 (ja) * 2011-12-14 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP5666054B1 (ja) * 2013-08-30 2015-02-12 情次 本多 泡洗浄装置及び泡洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170067152A1 (en) 2017-03-09
US9957611B2 (en) 2018-05-01
JP2017054862A (ja) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6342370B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置
US11185815B2 (en) Plasma abatement of compounds containing heavy atoms
JP6796559B2 (ja) エッチング方法および残渣除去方法
KR101356445B1 (ko) 종형 성막 장치, 그의 사용 방법 및 기억 매체
JP2018502451A (ja) 水素または水素含有ガスとともに水蒸気を使用するプラズマ軽減
JP5250600B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
TWI502630B (zh) 熱處理裝置
JP2016066794A5 (ja)
JP5877702B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP4634199B2 (ja) フッ素含有ガスによる表面改質方法及びその装置
JP5882509B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2015038964A5 (ja)
US20190083918A1 (en) Manufacturing apparatus and exhaust gas treatment apparatus
JP7080140B2 (ja) 基板処理装置
JP5575299B2 (ja) 成膜方法および成膜装置
CN112996950B (zh) 使用增强扩散工艺的膜沉积
JP2017183603A (ja) エピタキシャル成長装置
JP2015073035A (ja) エッチング方法
TWI551711B (zh) 薄膜形成裝置及薄膜形成裝置之清潔方法
JP2006060167A (ja) 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JP6677958B2 (ja) 気相成長装置における汚染部品のドライ洗浄装置
JP2006313857A (ja) ゲル状物質の処理方法、および処理装置
JP5715717B2 (ja) 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP6345136B2 (ja) 炭素含有シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
KR20240151827A (ko) 매립 방법 및 기판 처리 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170831

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20170914

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180417

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180516

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6342370

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150