JPH1032194A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH1032194A JPH1032194A JP20295796A JP20295796A JPH1032194A JP H1032194 A JPH1032194 A JP H1032194A JP 20295796 A JP20295796 A JP 20295796A JP 20295796 A JP20295796 A JP 20295796A JP H1032194 A JPH1032194 A JP H1032194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜装置において、成膜反応に使用されなか
った未反応ガスや、成膜反応により生じた反応生成物の
排気経路への固着を制御し、排気経路の閉塞によるトラ
ブルを未然に防止する。 【解決手段】 成膜室から排気装置１０２までの排気経
路１００に脱着可能に設けられた排気管１０４と、前記
脱着可能な排気管１０４内に冷却した不活性ガス１０３
を導入するための導入系統１０７とを設けることによ
り、成膜反応により生じた反応生成物１０５が脱着可能
な排気管１０４に固着される。この結果、排気装置１０
２内での反応生成物の固着量を大幅に減少させて、前記
排気装置１０２のメンテナンス周期を長期化できるよう
にする。
った未反応ガスや、成膜反応により生じた反応生成物の
排気経路への固着を制御し、排気経路の閉塞によるトラ
ブルを未然に防止する。 【解決手段】 成膜室から排気装置１０２までの排気経
路１００に脱着可能に設けられた排気管１０４と、前記
脱着可能な排気管１０４内に冷却した不活性ガス１０３
を導入するための導入系統１０７とを設けることによ
り、成膜反応により生じた反応生成物１０５が脱着可能
な排気管１０４に固着される。この結果、排気装置１０
２内での反応生成物の固着量を大幅に減少させて、前記
排気装置１０２のメンテナンス周期を長期化できるよう
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に、成膜室内に所定のガスを流通させて被処理物
に成膜を行う半導体製造装置に関するものである。
し、特に、成膜室内に所定のガスを流通させて被処理物
に成膜を行う半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造するために用いる成膜
装置では、成膜反応に使用されなかった未反応のガス、
及び反応により分解生成された反応生成物が排気経路に
固着することにより、排気経路が閉塞されることがあ
る。
装置では、成膜反応に使用されなかった未反応のガス、
及び反応により分解生成された反応生成物が排気経路に
固着することにより、排気経路が閉塞されることがあ
る。
【０００３】このような事態がポンプ内部で起きるとポ
ンプ故障の原因となるため、特に、ポンプ内での固着を
できる限り防ぐ必要がある。前記反応生成物は、ガスの
温度が低下したり、あるいは排気ガスの速度が低下した
りすると排気経路に固着し易くなる特徴を有している。
ンプ故障の原因となるため、特に、ポンプ内での固着を
できる限り防ぐ必要がある。前記反応生成物は、ガスの
温度が低下したり、あるいは排気ガスの速度が低下した
りすると排気経路に固着し易くなる特徴を有している。
【０００４】そこで、従来の技術では、冷却した突起物
などのトラップ装置を前記排気経路に挿入して反応ガス
を冷却するとともに、前記トラップ装置に排気ガスを当
て、一時的にガスを滞留させることにより反応生成物を
捕獲するようにし、反応生成物がポンプ内部で固着する
のを可及的に防止するようにしていた。
などのトラップ装置を前記排気経路に挿入して反応ガス
を冷却するとともに、前記トラップ装置に排気ガスを当
て、一時的にガスを滞留させることにより反応生成物を
捕獲するようにし、反応生成物がポンプ内部で固着する
のを可及的に防止するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、初期
排気時等のように反応生成物が発生しない時にも、前記
排気経路に挿入されたトラップ装置を通過してガスを排
気するために、十分な初期排気能力を得ることができな
い問題があった。
排気時等のように反応生成物が発生しない時にも、前記
排気経路に挿入されたトラップ装置を通過してガスを排
気するために、十分な初期排気能力を得ることができな
い問題があった。
【０００６】また、トラップ装置で捕獲しきれなかった
反応生成物が、ポンプ内で固着してしまいポンプの故障
原因となることがあった。
反応生成物が、ポンプ内で固着してしまいポンプの故障
原因となることがあった。
【０００７】本発明は前述の問題点にかんがみ、排気経
路にトラップ装置などの構造物を挿入することによる初
期排気能力の低下を起こさずに反応生成物を良好に捕獲
できるようにすることを第１の目的とする。
路にトラップ装置などの構造物を挿入することによる初
期排気能力の低下を起こさずに反応生成物を良好に捕獲
できるようにすることを第１の目的とする。
【０００８】また、捕獲しきれなかった反応生成物が排
気装置内で固着しないようにすることを第２の目的とす
る。
気装置内で固着しないようにすることを第２の目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、排気装置を具備し、成膜室内に所定のガスを流通さ
せて被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置におい
て、前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、脱
着可能に設けられた排気管と、前記脱着可能な排気管内
に冷却した不活性ガスを導入するための導入系統とを備
えたことを特徴としている。
は、排気装置を具備し、成膜室内に所定のガスを流通さ
せて被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置におい
て、前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、脱
着可能に設けられた排気管と、前記脱着可能な排気管内
に冷却した不活性ガスを導入するための導入系統とを備
えたことを特徴としている。
【００１０】また、本発明の他の特徴とするところは、
前記脱着可能な排気管の形状がＵ字型をしていることを
特徴としている。
前記脱着可能な排気管の形状がＵ字型をしていることを
特徴としている。
【００１１】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記脱着可能な排気管から前記排気装置までの排気
経路に、加熱した不活性ガスを導入するための導入系統
を更に備えたことを特徴としている。
は、前記脱着可能な排気管から前記排気装置までの排気
経路に、加熱した不活性ガスを導入するための導入系統
を更に備えたことを特徴としている。
【００１２】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、排気装置を具備し、成膜室内に所定のガスを流通さ
せて被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置におい
て、前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、加
熱した不活性ガスを導入するための導入系統を備えたこ
とを特徴としている。
は、排気装置を具備し、成膜室内に所定のガスを流通さ
せて被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置におい
て、前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、加
熱した不活性ガスを導入するための導入系統を備えたこ
とを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体製造装置の
第１の実施の形態を、図１に基づいて説明する。図１
は、排気トラップの構造を説明するための模式図であ
る。ＬＰ−ＣＶＤ装置を用い、窒化珪素膜を成膜する場
合に、反応ガスとしてジクロロシラン（SiH2Cl2)とアン
モニア(NH3) を用いる。この場合、成膜温度は780 ℃程
度である。
第１の実施の形態を、図１に基づいて説明する。図１
は、排気トラップの構造を説明するための模式図であ
る。ＬＰ−ＣＶＤ装置を用い、窒化珪素膜を成膜する場
合に、反応ガスとしてジクロロシラン（SiH2Cl2)とアン
モニア(NH3) を用いる。この場合、成膜温度は780 ℃程
度である。
【００１４】そして、成膜後の反応生成物を含んだ排気
ガス１０１は、ポンプ１０２により排気されている。成
膜室（不図示）とポンプ１０２との間に、-100℃から-1
95℃に冷却した圧力制御用のＮ2 １０３を供給する導入
系統１０７を設けることにより、ポンプ１０２が排気す
る成膜室（不図示）からのガス流量が調整され、前記成
膜室内の圧力が制御される。
ガス１０１は、ポンプ１０２により排気されている。成
膜室（不図示）とポンプ１０２との間に、-100℃から-1
95℃に冷却した圧力制御用のＮ2 １０３を供給する導入
系統１０７を設けることにより、ポンプ１０２が排気す
る成膜室（不図示）からのガス流量が調整され、前記成
膜室内の圧力が制御される。
【００１５】このとき、成膜室（不図示）から排気され
た排気ガス１０１は、圧力制御用のＮ2 １０３で急冷さ
れる。成膜室（不図示）から排気されるガス１０１には
反応生成物の塩化アンモニウム（NH4Cl)が多量に含まれ
ていて、この塩化アンモニウム（NH4Cl)が前記圧力制御
用のＮ2 １０３によって急冷される。
た排気ガス１０１は、圧力制御用のＮ2 １０３で急冷さ
れる。成膜室（不図示）から排気されるガス１０１には
反応生成物の塩化アンモニウム（NH4Cl)が多量に含まれ
ていて、この塩化アンモニウム（NH4Cl)が前記圧力制御
用のＮ2 １０３によって急冷される。
【００１６】前記塩化アンモニウムNH4Cl は、圧力制御
用のＮ2 １０３で急冷されると、脱着可能な排気配管１
０４に固着するようになる。前記圧力制御用のガスが供
給される部分の排気配管１０４は、Ｕ字型に折り曲げら
れており、固着した反応生成物１０５は、前記Ｕ字型に
折り曲げられた排気配管１０４の底部に溜まり、下流、
すなわち、ポンプ１０２の方向には流れないようにして
ある。
用のＮ2 １０３で急冷されると、脱着可能な排気配管１
０４に固着するようになる。前記圧力制御用のガスが供
給される部分の排気配管１０４は、Ｕ字型に折り曲げら
れており、固着した反応生成物１０５は、前記Ｕ字型に
折り曲げられた排気配管１０４の底部に溜まり、下流、
すなわち、ポンプ１０２の方向には流れないようにして
ある。
【００１７】さらに、この部分の排気配管１０４は、脱
着可能に設けられているので、取り外して定期的に洗浄
することができるので、排気経路１００が反応生成物１
０５によって閉塞するのを良好に防止することができ
る。前述のようにして反応生成物１０５を排気配管１０
４に固着するので、圧力制御用のＮ2 １０３を追加した
後は、殆ど反応生成物を含まない排気ガス１０６が排気
されることになる。
着可能に設けられているので、取り外して定期的に洗浄
することができるので、排気経路１００が反応生成物１
０５によって閉塞するのを良好に防止することができ
る。前述のようにして反応生成物１０５を排気配管１０
４に固着するので、圧力制御用のＮ2 １０３を追加した
後は、殆ど反応生成物を含まない排気ガス１０６が排気
されることになる。
【００１８】また、成膜時以外は、圧力を制御する必要
がないために、排気経路１００へのＮ2 １０３の供給を
停止することにより、排気能力を向上させることが可能
となる。この時には、成膜ガスを流していないために、
冷却したＮ2 １０３の供給を停止しても塩化アンモニウ
ムNH4Cl が排気経路１００に固着する不都合は起こらな
い。
がないために、排気経路１００へのＮ2 １０３の供給を
停止することにより、排気能力を向上させることが可能
となる。この時には、成膜ガスを流していないために、
冷却したＮ2 １０３の供給を停止しても塩化アンモニウ
ムNH4Cl が排気経路１００に固着する不都合は起こらな
い。
【００１９】なお、本実施の形態においては、前述のよ
うにして、排気経路１００へ冷却した圧力制御用のＮ2
１０３を導入して反応生成物１０５を捕獲しているが、
さらに、従来から用いられている水冷トラップに本実施
の形態を併用すると、従来のトラップで捕獲しきれなか
った反応生成物を捕獲することが可能となる。したがっ
て、ポンプ１０２内での反応生成物の固着量を大幅に減
少することができ、ポンプ１０２のメンテナンス周期を
長期化することが可能となった。
うにして、排気経路１００へ冷却した圧力制御用のＮ2
１０３を導入して反応生成物１０５を捕獲しているが、
さらに、従来から用いられている水冷トラップに本実施
の形態を併用すると、従来のトラップで捕獲しきれなか
った反応生成物を捕獲することが可能となる。したがっ
て、ポンプ１０２内での反応生成物の固着量を大幅に減
少することができ、ポンプ１０２のメンテナンス周期を
長期化することが可能となった。
【００２０】この実施の形態では、圧力制御用のＮ2 １
０３を冷却して反応生成物１０５を捕獲したが、捕獲専
用にＮ2 を加えても同じ効果が期待できる。
０３を冷却して反応生成物１０５を捕獲したが、捕獲専
用にＮ2 を加えても同じ効果が期待できる。
【００２１】以下、本発明の半導体製造装置の第２の実
施の形態を、図２に基づいて説明する。図２は、排気ト
ラップの構造を説明する模式図である。第１の実施の形
態で示したように、成膜を行う際には、成膜室（不図
示）内の圧力を制御するために、成膜室以降の排気経路
１００に、圧力制御用のＮ2 １０３を追加し、成膜室内
の排気速度を調整するが、加熱した圧力制御用のＮ2 ２
０３を使用すると、ポンプ２０２内を通過する排気ガス
２０１の温度は従来に比べて高くなる。
施の形態を、図２に基づいて説明する。図２は、排気ト
ラップの構造を説明する模式図である。第１の実施の形
態で示したように、成膜を行う際には、成膜室（不図
示）内の圧力を制御するために、成膜室以降の排気経路
１００に、圧力制御用のＮ2 １０３を追加し、成膜室内
の排気速度を調整するが、加熱した圧力制御用のＮ2 ２
０３を使用すると、ポンプ２０２内を通過する排気ガス
２０１の温度は従来に比べて高くなる。
【００２２】反応生成物である塩化アンモニウムNH4Cl
は、350 ℃程度で気化し始める物質であるために、400
℃程度に十分に加熱した圧力制御用のＮ2 ２０３を供給
する導入系統２０を設け、ここより加熱したＮ2 を加え
ると排気ガス２０１に含まれる塩化アンモニウムNH4Cl
がポンプ２０２内を通過する温度が高くなり、ポンプ２
０２内では固着しなくなる。
は、350 ℃程度で気化し始める物質であるために、400
℃程度に十分に加熱した圧力制御用のＮ2 ２０３を供給
する導入系統２０を設け、ここより加熱したＮ2 を加え
ると排気ガス２０１に含まれる塩化アンモニウムNH4Cl
がポンプ２０２内を通過する温度が高くなり、ポンプ２
０２内では固着しなくなる。
【００２３】この場合も成膜時以外は、圧力を制御する
必要がないために、排気経路２００へ圧力制御用のＮ2
を供給するのを停止して、排気能力を向上させる。この
時には、成膜ガスを流していないために、加熱したＮ2
の供給を停止してもポンプ２０２への塩化アンモニウム
NH4Cl の固着は起こらない。
必要がないために、排気経路２００へ圧力制御用のＮ2
を供給するのを停止して、排気能力を向上させる。この
時には、成膜ガスを流していないために、加熱したＮ2
の供給を停止してもポンプ２０２への塩化アンモニウム
NH4Cl の固着は起こらない。
【００２４】ポンプ２０２を通過した塩化アンモニウム
NH4Cl は、ポンプ２０２の下流にトラップ装置（不図
示）等を設けることにより捕獲し、排気経路２００の閉
塞を防ぐ。ポンプ２０２内での反応生成物の固着量は、
加熱したＮ2 を加えることにより大幅に減少させること
ができるので、本実施の形態においてはポンプ２０２の
メンテナンス周期を長期化することが可能となった。
NH4Cl は、ポンプ２０２の下流にトラップ装置（不図
示）等を設けることにより捕獲し、排気経路２００の閉
塞を防ぐ。ポンプ２０２内での反応生成物の固着量は、
加熱したＮ2 を加えることにより大幅に減少させること
ができるので、本実施の形態においてはポンプ２０２の
メンテナンス周期を長期化することが可能となった。
【００２５】なお、本実施の形態では、圧力制御用のＮ
2 を加熱して反応生成物の固着を防止するようにした
が、固着防止専用に加熱したＮ2 を加えても同じ効果が
期待できる。
2 を加熱して反応生成物の固着を防止するようにした
が、固着防止専用に加熱したＮ2 を加えても同じ効果が
期待できる。
【００２６】また、図３に示す第３の実施の形態のよう
に、前述した本発明の第１の実施の形態の半導体製造装
置と第２の実施の形態の半導体製造装置とを併用する
と、反応生成物がポンプ１０２に固着してしまう不都合
を良好に防止することができる。
に、前述した本発明の第１の実施の形態の半導体製造装
置と第２の実施の形態の半導体製造装置とを併用する
と、反応生成物がポンプ１０２に固着してしまう不都合
を良好に防止することができる。
【００２７】特に、冷却したＮ2 １０３を供給すること
により、固着し易くなっているにも係わらず排気配管１
０４に固着しなかった反応生成物を加熱することによ
り、前記反応生成物がポンプ１０２に固着してしまう不
都合を確実にに防止することができる。
により、固着し易くなっているにも係わらず排気配管１
０４に固着しなかった反応生成物を加熱することによ
り、前記反応生成物がポンプ１０２に固着してしまう不
都合を確実にに防止することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は前述したように、温度を制御し
たガスを排気経路に導入するようにしたので、反応生成
物の固着を制御することが可能となり、初期排気能力を
劣化することなく任意の場所で反応生成物の固着を促進
したり、あるいは防止したりすることが可能になる。
たガスを排気経路に導入するようにしたので、反応生成
物の固着を制御することが可能となり、初期排気能力を
劣化することなく任意の場所で反応生成物の固着を促進
したり、あるいは防止したりすることが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す排気トラップ
構造の模式図である。
構造の模式図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す排気トラップ
構造の模式図である。
構造の模式図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す排気トラップ
構造の模式図である。
構造の模式図である。
１００ 排気経路 １０２ ポンプ １０３ 冷却した圧力制御用のＮ2 １０４ 排気配管（取り外し可能） １０７ 導入系統 ２００ 排気経路 ２０２ ポンプ ２０３ 加熱した圧力制御用のＮ2 ２０７ 導入系統
Claims (4)
- 【請求項１】 排気装置を具備し、成膜室内に所定のガ
スを流通させて被処理物に所定の処理を施す半導体製造
装置において、 前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、脱着可
能に設けられた排気管と、 前記脱着可能な排気管内に冷却した不活性ガスを導入す
るための導入系統とを備えたことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 前記脱着可能な排気管の形状がＵ字型を
していることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】 前記脱着可能な排気管から前記排気装置
までの排気経路に、加熱した不活性ガスを導入するため
の導入系統を更に備えたことを特徴とする請求項１に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 排気装置を具備し、成膜室内に所定のガ
スを流通させて被処理物に所定の処理を施す半導体製造
装置において、 前記成膜室から前記排気装置までの排気経路に、加熱し
た不活性ガスを導入するための導入系統を備えたことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20295796A JPH1032194A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20295796A JPH1032194A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032194A true JPH1032194A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16465971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20295796A Pending JPH1032194A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032194A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003209101A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管における塩化アンモニウムの付着防止方法 |
| JP2003209100A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
| JP2006156696A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 成膜装置の排気方法及び排気装置 |
| US9957611B2 (en) | 2015-09-07 | 2018-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Removal device for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP20295796A patent/JPH1032194A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003209100A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
| JP2003209101A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管における塩化アンモニウムの付着防止方法 |
| JP2006156696A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 成膜装置の排気方法及び排気装置 |
| JP4498901B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-07-07 | 積水化学工業株式会社 | 成膜装置の排気方法 |
| US9957611B2 (en) | 2015-09-07 | 2018-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Removal device for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
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