JP6340799B2 - エンファシス信号生成回路 - Google Patents
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Description
図1は、一般的なエンファシス信号生成回路の生成したエンファシス信号で発光素子(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を駆動する場合の構成を示す図である。
第1実施形態のエンファシス信号生成回路は、分岐・遅延部11と、第1増幅器14と、第2増幅器15と、加減算部16と、出力増幅器17と、容量結合部(高周波抽出部)20と、を有する。分岐・遅延部11は、入力データ信号Dataを分岐し、主データ信号Data1および分岐データ信号Data2を生成する分岐部12と、分岐データ信号Data2を遅延する遅延部(T)13と、を有する。したがって、タップ数は2である。第1増幅器14は、主データ信号Data1を第1利得aで増幅する。第2増幅器15は、分岐データ信号Data2を第2利得bで増幅する。容量結合部20は、例えばコンデンサで形成され、一端に第2増幅器15の出力する第2利得bで増幅された分岐データ信号Data2が入力し、高周波成分を通過させる。すなわち、容量結合部20は、ハイパスフィルタとして働く。加減算部16は、増幅された主データ信号Data1から、増幅された分岐データ信号Data2および増幅された分岐データ信号Data2の高周波成分を減じてエンファシス信号Data outを生成する。出力増幅器17は、加減算部16の出力するエンファシス信号を増幅して出力する。VCSELは、増幅されたエンファシス信号Data outにより直接変調され、エンファシス信号に対応する光信号Lを出力する。
加減算部16は、差動型の加減算部で、高電位源VDDと低電位源VSS間に直列に接続された負荷および入力部を有する。ここでは、入力部をn型トランジスタで形成した例を示すが、p型トランジスタで形成しても、バイポーラトランジスタで形成してもよい。
第1実施形態のエンファシス信号生成回路では、分岐して遅延した分岐信号Data2の高周波成分を加減算部16に加えた。これに対して、第2実施形態のエンファシス信号生成回路では、容量結合部21で主データ信号Data1の高周波成分を抽出し、加減算部16に入力することが第1実施形態と異なり、他は同じである。第2実施形態では、加減算部16におけるエンファシス信号生成の際に、主データ信号Data1の高周波成分を減算する例を示しているが、所望の特性が得られるように加算する場合もある。
第1および第2実施形態ではタップ数を増加しないようにしたが、容量結合により高周波成分を抽出し、エンファシス信号生成の加減算に加える構成は、タップ数を増加させた場合にも適用可能である。
第4実施形態の加減算部16および容量結合部20は、電流回路33Aが第1実施形態の電流回路33と異なり、他は第1実施形態と同じである。
12、12A、12B 分岐部
13、13A、13B 遅延部
14、15、17、18 増幅器
16 加減算部
Claims (6)
- 入力信号を分岐し、分岐した信号を遅延して遅延信号を出力する分岐・遅延部と、
前記遅延信号の高周波成分を抽出して高周波信号を出力する高周波抽出部と、
前記入力信号、前記遅延信号および前記高周波信号を加減算する加減算部と、を備え、
前記加減算部は、前記入力信号から前記遅延信号および前記高周波信号を減じたエンファシス信号を生成し出力する、
エンファシス信号生成回路。 - 入力信号を分岐し、分岐した信号を遅延して遅延信号を出力する分岐・遅延部と、
前記入力信号の高周波成分を抽出して高周波信号を出力する高周波抽出部と、
前記入力信号、前記遅延信号および前記高周波信号を加減算する加減算部と、を備え、
前記加減算部は、前記入力信号から前記遅延信号および前記高周波信号を減じたエンファシス信号を生成し出力する、
エンファシス信号生成回路。 - 前記分岐・遅延部は、遅延量の異なる複数の遅延信号を出力し、
前記高周波抽出部は、前記入力信号および前記複数の遅延信号の少なくとも1つの高周波成分を抽出して高周波信号を出力する請求項1または2に記載のエンファシス信号生成回路。 - 前記加減算部は、高電位源と低電位源間に直列に接続された負荷および入力部を有し、
前記入力部は、並列に接続した、入力に応じた電流を発生する複数の電流回路を有する請求項1から3のいずれか1項に記載のエンファシス信号生成回路。 - 前記高周波抽出部は、容量結合を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のエンファシス信号生成回路。
- 前記入力信号は差動信号であり、
前記加減算部の各電流回路は、差動対を有し、
前記高周波抽出部は、前記高周波信号を入力とする前記差動対を形成する2つの信号経路間に接続された容量を有する請求項4に記載のエンファシス信号生成回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014008477A JP6340799B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | エンファシス信号生成回路 |
US14/539,191 US9172360B2 (en) | 2014-01-21 | 2014-11-12 | Emphasis signal generating circuit and method for generating emphasis signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014008477A JP6340799B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | エンファシス信号生成回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015139039A JP2015139039A (ja) | 2015-07-30 |
JP6340799B2 true JP6340799B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=53545727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014008477A Active JP6340799B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | エンファシス信号生成回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9172360B2 (ja) |
JP (1) | JP6340799B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9602317B1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier |
US9653147B1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-05-16 | Integrated Device Technology Inc. | Asymmetrical emphasis in a memory data bus driver |
US20170187553A1 (en) * | 2015-12-28 | 2017-06-29 | Fujitsu Limited | Phase equalization of vertical cavity surface emitting laser with low-pass and all-pass filtering |
US20170187463A1 (en) * | 2015-12-28 | 2017-06-29 | Fujitsu Limited | Delay-based nonlinear equalizer |
JP6623798B2 (ja) | 2016-02-02 | 2019-12-25 | 富士通株式会社 | 発光素子の駆動回路 |
JP6900784B2 (ja) | 2017-05-24 | 2021-07-07 | 富士通株式会社 | 発光素子駆動回路、光モジュールおよびアクティブオプティカルケーブル |
JP7450825B2 (ja) | 2021-03-04 | 2024-03-15 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィ | 光通信システムのためのアクセラレーテッドキーイング |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW483255B (en) | 1999-11-26 | 2002-04-11 | Fujitsu Ltd | Phase-combining circuit and timing signal generator circuit for carrying out a high-speed signal transmission |
JP4049511B2 (ja) | 1999-11-26 | 2008-02-20 | 富士通株式会社 | 位相合成回路およびタイミング信号発生回路 |
JP3880302B2 (ja) | 2000-10-12 | 2007-02-14 | 富士通株式会社 | 位相合成回路およびタイミング信号発生回路 |
JP3942475B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-07-11 | 富士通株式会社 | クロック復元回路およびデータ受信回路 |
US7515656B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-04-07 | Fujitsu Limited | Clock recovery circuit and data receiving circuit |
JP3730607B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 差動データドライバー回路 |
US7196557B1 (en) * | 2004-01-13 | 2007-03-27 | Altera Corporation | Multitap fractional baud period pre-emphasis for data transmission |
US7155164B1 (en) * | 2004-06-03 | 2006-12-26 | Marvell International Ltd. | Method and apparatus for performing transmit pre-emphasis |
JP4756965B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-08-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 出力バッファ回路 |
US8130821B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-03-06 | Oracle America, Inc. | Equalization in capacitively coupled communication links |
JP2008211620A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Advantest Corp | ドライバ回路 |
JP2008219718A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Advantest Corp | ドライバ回路 |
JP5098617B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2012-12-12 | 横河電機株式会社 | プリエンファシス回路 |
JP4964926B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2012-07-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 出力バッファ回路及び半導体装置 |
JP5001385B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2012-08-15 | 日本電信電話株式会社 | プリエンファシス回路 |
JP2012195885A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Fujitsu Ltd | 信号整形回路 |
JP5910081B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-04-27 | 富士通株式会社 | エンファシス回路 |
JP6036210B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2016-11-30 | 富士通株式会社 | エンファシス信号生成回路 |
-
2014
- 2014-01-21 JP JP2014008477A patent/JP6340799B2/ja active Active
- 2014-11-12 US US14/539,191 patent/US9172360B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150207500A1 (en) | 2015-07-23 |
US9172360B2 (en) | 2015-10-27 |
JP2015139039A (ja) | 2015-07-30 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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