JP6339046B2 - 光触媒、薄膜状光触媒の製造方法および可視光応答性光触媒デバイス - Google Patents
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Description
その薄膜層をアンモニアと反応させて、少なくとも1種のアルカリ土類金属を含む斜方晶の窒化タンタルを含有する薄膜状光触媒を得る方法である。
基板上に備えられた電極層と、
電極層上に備えられた上述の薄膜状の光触媒とキャリア輸送層との積層体と、
積層体上に設けられた助触媒層とを備えてなる。
薄膜状光触媒は、少なくとも1種のアルカリ土類金属を含む斜方晶構造を有する窒化タンタルからなる上述の光触媒が薄膜状に形成されてなるものであり、例えば、石英等の基板上に形成される。ここで、「薄膜」とは数nm以上10μm以下の厚みの膜をいうものとし、好ましい厚みは100nm以上である。また、特に200nm以上が好ましい。
また、Ta2O5ターゲットに代えてTaターゲットを用いても良い。但し、Taターゲットを用いる場合には、Ta2O5ターゲットを用いる場合より、スパッタ雰囲気中に少し多めに酸素をフローさせる必要がある。
上述の薄膜状光触媒を用いた可視光応答型光触媒デバイスの実施形態について説明する。
本発明の光触媒を用いているので、可視光の広い範囲の波長を効率よく吸収し、可視光利用効率の高いデバイスを構成することができる。
このように水素発生側デバイス10と酸素発生側デバイス20を一体的に構成することで取扱い性を向上させることができる。
この基板上に前駆体を成膜した。具体的には、BaO2ターゲットおよびTa2O5ターゲット(豊島製作所社製)を用いた共スパッタ成膜により、アルカリ土類金属であるBaと、Taとを含む酸化物からなる薄膜層を、少なくとも1種のアルカリ土類金属としてBa含む斜方晶の窒化タンタルを含有する光触媒の前駆体として500nmの厚みで成膜した。実施例1〜3および比較例1、2の薄膜状光触媒は、この前駆体の成膜時において、それぞれ下記表1に示すBa量となるように制御した以外は同じ工程で作製した。Ba量は成膜された薄膜中におけるTa成分を100atm%とした場合の含有量である。
したがって、本明細書において実施例および比較例としてはBaについてのみ検討したが、Baを他のアルカリ土類金属に代えても同様の効果を得ることができると推測される。
10 水素発生側デバイス
11、21 基板
12、22 電極層
14、24 薄膜状光触媒
16、26 キャリア輸送層
18、28 助触媒層
20 酸素発生側デバイス
Claims (10)
- 少なくとも1種のアルカリ土類金属を含む斜方晶の窒化タンタルを含有する光触媒。
- 前記アルカリ土類金属がBa、SrまたはCaである請求項1記載の光触媒。
- 前記アルカリ土類金属がBaであり、BaのTaに対する含有量が29atm%以下である請求項1記載の光触媒。
- 前記BaのTaに対する含有量が17atm%以上である請求項3記載の光触媒。
- 薄膜状に形成されてなる請求項1から4いずれか1項記載の光触媒。
- 基板上に、少なくとも1種のアルカリ土類金属およびTaを含む酸化物、または、少なくとも1種のアルカリ土類金属およびTaを含む酸窒化物を含有する薄膜層を成膜し、
前記薄膜層をアンモニアと反応させて、前記薄膜層を前記少なくとも1種のアルカリ土類金属を含む斜方晶の窒化タンタルを含有する薄膜状光触媒を得る、薄膜状光触媒の製造方法。 - スパッタ法により前記薄膜層を成膜する請求項6記載の薄膜状光触媒の製造方法。
- 前記アンモニアと反応させる際の処理温度を510℃〜1000℃とする請求項6または7記載の薄膜状光触媒の製造方法。
- 請求項1から5いずれか1項記載の光触媒を備えた可視光応答型光触媒デバイス。
- 基板と、
該基板上に備えられた電極層と、
該電極層上に備えられた請求項5記載の薄膜状の光触媒とキャリア輸送層との積層体と、
該積層体上に設けられた助触媒層とを備えた可視光応答型光触媒デバイス。
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