JP6337968B2 - 金属組成物、接合材 - Google Patents

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Description

本発明は、金属成分とフラックス成分とを含む金属組成物、及び金属組成物を含む接合材に関するものである。
従来、例えば第1接合対象物と第2接合対象物とを接合する際に、金属組成物が用いられている。例えば特許文献1には、プリント基板(第1接合対象物)上に積層セラミックコンデンサ(第2接合対象物)を実装する際に用いられる金属ペースト(金属組成物)が開示されている。前記金属ペーストは、プリント基板上に設けられたランドと、積層セラミックコンデンサに設けられた外部電極とを接合する。
前記金属ペーストは、Sn粉末とCuNi合金粉末を含む金属成分と、ロジンと活性剤を含むフラックス成分と、を含んでいる。そして、前記金属ペーストに含まれるSn粉末とCuNi合金粉末とは、加熱されると、液相拡散(以下、「TLP:Transient Liquid Phase Diffusion」)接合をともない、CuNiSn合金を生成する。
ここで、加熱の温度は、Snの融点以上、CuNi合金の融点以下であり、例えば250〜350℃である。CuNiSn合金は、金属間化合物であり、高い融点(例えば400℃以上)を有する。
このように、前記金属ペーストでは比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行し、得られた金属体は、熱処理温度以上の融点を有する金属間化合物を主相とした金属体に変化する。この結果、熱処理後の金属体は、耐熱性の高い接合材となる。
なお、前記金属ペーストに含まれるロジンや活性剤は、一般的なはんだペーストのフラックス成分と同様に、金属粉末や接合対象物の酸化被膜を除去(還元)するために添加されている。ここで、一般的には、はんだペースト中におけるロジン、活性剤の含有割合(wt%)は、ロジン>活性剤となっており、はんだペースト中の活性剤の量がロジンの量よりも多く添加されることはない。
国際公開第2012/108395号パンフレット
しかしながら、CuNi合金粉末の粒径が小さくなると、CuNi合金粉末表面の酸化度合いが高まるため、ロジンや活性剤によるCuNi合金粉末表面の還元が不十分となって、SnとCuNiとの濡れが悪くなる傾向にある。
これにより、前記TLP反応において、SnとCuNiとの反応を十分に進行させることができなかったり、溶融したSnに固体のCuNi合金粉末がはじかれて両者が分離したりすることがある。
本発明の目的は、低温での熱処理によって耐熱性の高い材料となる金属組成物および接合材を提供することにある。
本発明の金属組成物は、第1金属粉末と第1金属粉末より融点の高い第2金属粉末とを含む金属成分と、フラックス成分と、を含む。ここで、例えば、第1金属粉末は、Sn粉末又はSnを含む合金粉末であり、第2金属粉末は、CuNi合金粉末であることが好ましい。金属組成物は、例えば接合材に含まれる。
そして、本発明の金属組成物は、第2金属粉末の水素還元減量は、0.75wt%以下であることを特徴とする。
この構成では、金属組成物が加熱されると、金属組成物に含まれる第1金属粉末と第2金属粉末とが、液相拡散(以下、「TLP」)反応を起こし、金属間化合物を生成する。加熱の温度は、第1金属の融点以上、第2金属の融点以下であり、例えば250〜350℃である。金属間化合物は、加熱温度以上の高い融点(例えば400℃以上)を有する。
第2金属粉末の水素還元減量が0wt%以上0.75wt%以下である場合、第2金属粉末表面の酸化度合いが低く、ロジンや活性剤によって第2金属粉末表面が十分に還元される。
したがって、この構成の金属組成物では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。すなわち、この構成の金属組成物は、低温での熱処理によって耐熱性の高い材料となる。
なお、第2金属粉末の比表面積は、0m2/gより大きく0.61m2/g未満であることが好ましい。
一方、第2金属粉末の比表面積が0.61m2/g以上である場合、第2金属粉末の比表面積が大きいため、第2金属粉末表面の酸化度合いが高まる。
そこで、フラックス成分はロジンと活性剤とを含み、ロジンの重量に対する活性剤の重量の比が1.0以上であることが好ましい。この場合、還元力が高く、ロジンや活性剤によって第2金属粉末の表面が十分に還元される。
また、ロジンの酸価は、130以上であることが好ましい。ロジンの酸価が大きいということは、樹脂酸の量が多いということと等価である。樹脂酸が有するカルボキシル基と第2金属粉末の表面の酸化被膜とが加熱中に反応することによって酸化被膜が除去される。
したがって、酸価の大きいロジンほど、金属粉末表面の酸化被膜を還元する効果が大きい。
また、活性剤は、カルボキシル基を有することが好ましい。活性剤が有するカルボキシル基と第2金属粉末の表面の酸化被膜とが加熱中に反応することによって酸化被膜が除去される。カルボキシル基は、金属粉末表面を還元させる。
なお、金属組成物は、シート状、パテ状またはペースト状に成形されていることが好ましい。
本発明によれば、低温での熱処理によって耐熱性の高い材料となる金属組成物を提供できる。
本発明の実施形態に係る金属組成物の反応過程を模式的に示す断面図である。 プリント配線基板22に形成されたランド21上に金属ペースト25を介して実装された電子部品24の側面図である。 破損部DPに補修シート303を貼付した配管310の外観斜視図である。 図3に示す補修シート303が巻回された巻回体300の外観斜視図である。 金属パテ31が塗布されたボルト50の断面図である。 図5に示すボルト50の加熱後の断面図である。 図5に示すボルト50の再加熱後の断面図である。
以下、本発明の実施形態に係る金属組成物について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る金属組成物の反応過程を模式的に示す断面図である。
金属組成物105は、図1(A)に示すように、例えば、第1接合対象物101と第2接合対象物102とを接合するために用いられる。すなわち金属組成物105は、例えば接合材として用いられる。
第1接合対象物101は、例えば、配管、ナット、及び積層セラミックコンデンサ等の電子部品である。第2接合対象物102は、例えば、配管に貼付する補修シートを構成する基材シート、ナットに嵌めるボルト、及び電子部品を実装するプリント基板である。
図1(C)に示す接合構造100を得るため、まず、図1(A)に示すように、第1接合対象物101と第2接合対象物102との間に、金属組成物105を付与する。金属組成物105は、例えばシート状、パテ状またはペースト状に成形されている。
金属組成物105は、金属成分110とフラックス108とを含む。金属成分110は、フラックス108中に均一に分散している。金属成分110は、Sn系金属からなる第1金属粉末106と、Sn系金属よりも融点の高いCu系金属からなる第2金属粉末107と、からなる。
第1金属粉末106の材料は、Snである。
第2金属粉末107の材料は、金属組成物105の加熱によって溶融する第1金属粉末106と反応し、金属間化合物を生成し得るものである。本実施形態において、第2金属粉末107の材料は、Cu−Ni系合金、より具体的にはCu−10Ni合金である。
次に、フラックス108は、ロジン、溶剤、チキソ剤、活性剤などを含む。フラックス108は、接合対象物や金属粉末の表面の酸化被膜を除去する機能を果たす。
ロジンは例えば、ロジンを変性した変性ロジン及びロジンなどの誘導体からなるロジン系樹脂、その誘導体からなる合成樹脂、またはこれらの混合体などである。
ロジン系樹脂は例えば、重合ロジン、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体などである。
合成樹脂は例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂などである。
溶剤は例えば、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類などである。
チキソ剤は例えば、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス(p−メチルベンジリデン)ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミドなどである。
また、活性剤は例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコールなどである。ここで、活性剤は、モノカルボン酸、ジカルボンサン、トリカルボン酸などのカルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基は、金属粉末表面の酸化被膜と反応し、金属粉末表面を還元させる。
アミンのハロゲン化水素酸塩は例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩などである。
有機ハロゲン化合物は例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、トリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレートなどである。
有機酸は例えば、アジピン酸、セバシン酸、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸などである。
有機アミンは例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリンなどである。
多価アルコールは例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトールなどである。
次に、図1(A)に示した状態で金属組成物105を例えば熱風で加熱する。これにより金属組成物105が第1金属粉末106の融点以上の温度に達すると、第1金属粉末106が、図1(B)に示すように溶融する。加熱の温度は、Snの融点以上、CuNiの融点以下であり、例えば250〜350℃である。
そして、溶融したSnと第2金属粉末107であるCuNi合金粉末とは、液相拡散(以下、「TLP」)反応により、CuNiSn系合金を生成する。CuNiSn系合金は、Cu、NiおよびSnからなる群より選ばれる少なくとも2種を含んだ合金である。CuNiSn系合金は、たとえば(Cu,Ni)Sn、CuNiSn、CuNiSn、(Cu,Ni)Sn、CuNiSn、CuNiSn,NiSn,CuSn等の金属間化合物であり、熱処理温度以上の高い融点(例えば400℃以上)を有する。図1(C)において、CuNiSn系合金(金属間化合物)からなる金属間化合物相109が図示されている。
このように、金属組成物105では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。この結果、金属組成物105は、耐熱性の高い接合材104となる。
接合材104の耐熱性が高いと、たとえば、半導体装置の製造に際して、はんだ付けを行なう工程を経て半導体装置を製造した後、その半導体装置をリフローはんだ付けの方法で基板に実装するような場合にも、先のはんだ付けによって得られたはんだ付け部分を耐熱強度に優れたものとすることができる。リフローはんだ付けの工程で再溶融してしまうことがなく、信頼性の高い実装を行なうことができる。
以下、金属組成物105の具体的な使用例について説明する。まず、ペースト状に成形された金属組成物105の使用例について説明する。
図2は、プリント配線基板22に形成されたランド21上に金属ペースト25を介して実装された電子部品24の側面図である。
まず、プリント配線基板22に形成されたランド21上に金属ペースト25を設ける。金属ペースト25は、図1に示した金属組成物105と同様に、金属成分110とフラックス108とを含む。
次に、ランド21上に、電子部品24を実装機によって搭載する。電子部品24は、積層セラミックコンデンサである。電子部品24は、複数の内部電極を含むセラミック積層体20と、セラミック積層体20の両端部に設けられ、各内部電極に接続する外部電極23とを有する。
次に、電子部品24と金属ペースト25とを、例えばリフロー装置を用いて加熱する。これにより金属ペースト25が第1金属粉末106の融点以上の温度に達すると、第1金属粉末106が、図1(B)に示すように溶融する。
そして、溶融したSnと第2金属粉末107であるCuNi合金粉末とは、TLP反応により、CuNiSn系合金(金属間化合物)を生成する。
このように、金属ペースト25では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。この結果、金属ペースト25は、耐熱性の高い接合材104となる。
次に、シート状に成形された金属組成物105の使用例について説明する。
図3は、破損部DPに補修シート303を貼付した配管310の外観斜視図である。図4は、図3に示す補修シート303が巻回された巻回体300の外観斜視図である。
まず、巻回体300から補修シート303を裁断し、配管310の破損部DPを塞ぐように、補修シート303の粘着面を配管310に貼付する。補修シート303は、粘着面を有する。
補修シート303は、金属シートを、フレキシブルな基材シートに貼付したものである。この金属シートは、図1に示した金属組成物105と同様に、金属成分110とフラックス108とを含む。基材シートは、例えばCuで構成される。
次に、補修シート303を熱風で加熱する。これにより補修シート303が第1金属粉末106の融点以上の温度に達すると、補修シート303中の第1金属粉末106が、図1(B)に示すように溶融する。
そして、溶融したSnと第2金属粉末107であるCuNi合金粉末とは、TLP反応により、CuNiSn系合金(金属間化合物)を生成する。この結果、補修シート303には、CuNiSn系合金からなる金属間化合物層が形成される。
このように、補修シート303では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行し、補修シート303は、破損部DPを耐熱性の高い金属間化合物層で覆うことができる。したがって、補修シート303は、配管310の補修を行うことができる。
次に、パテ状に成形された金属組成物105の使用例について説明する。
図5は、金属パテ31が塗布されたボルト50の断面図である。図6は、図5に示すボルト50の加熱後の断面図である。図7は、図5に示すボルト50の再加熱後の断面図である。
まず、図5に示すように、金属パテ31をボルト50のねじ部51に塗布する。金属パテ31も、図1に示した金属組成物105と同様に、金属成分110とフラックス108とを含む。
次に、ボルト50を、ナット60のねじ部61に嵌め合せる。
次に、ボルト50とナット60のねじ部61とを、例えばホットエアガンによって加熱する。これにより金属パテ31が第1金属粉末106の融点以上の温度に達すると、第1金属粉末106が、図1(B)に示すように溶融する。
加熱が終了すると、第1金属は自然冷却し、凝固し、第1金属相を形成する。つまり、金属パテ31は、室温で、第1金属を主成分とする金属体に第2金属粒が分散してなる比較的緻密な金属部材32となる(図6参照)。この結果、ボルト50とナット60とが金属部材32によって強固に接合される。
次に、ボルト50とナット60のねじ部61とを、例えばホットエアガンによって再加熱する。これにより、ボルト50とナット60のねじ部61とを接合する金属部材32が第1金属粉末106の融点以上の温度に達すると、溶融したSnと第2金属粉末107であるCuNi合金粉末とは、TLP反応により、CuNiSn系合金(金属間化合物)を生成する。
この結果、比較的緻密であった金属部材32が比較的空孔の多い金属間化合物部材30に変化する(図7参照)。
次に、金属間化合物部材30を分離部分として、ボルト50とナット60とを分離する。
ここで、金属間化合物部材30は、金属間化合物部材30の空孔率が金属部材32の空孔率よりも高い部材である。そのため、ユーザは、金属間化合物部材30を分離部分として、ボルト50とナット60とを容易に分離することができる。
したがって、この使用例によれば、加熱処理により、ボルト50及びナット60を容易かつ強固に接合でき、つまり、ボルト50及びナット60の緩み止めを容易に行うことができ、再加熱処理により、ボルト50及びナット60を容易に分離できる。
次に、金属組成物105の構成を変えて実施した実験例について記載する。
(実験1)
実験1では、Sn粉末(第1金属粉末)とCuNi合金粉末(第2金属粉末)とを含む金属成分と、ロジン及び活性剤を含むフラックス成分と、を混合することにより作製された複数の試料1〜5、51を用意し、TLP反応が進行するかどうか判定した。TLP反応は、複数の試料1〜5、51を、例えばリフロー装置を用いて大気圧下において250℃で5分間加熱することにより判定した。
CuNi合金粉末の粒径(D50)と比表面積と水素還元減量とを表1に示す。また、複数の試料1〜5、51で使用した各材料の情報と各材料の配合比率とを表2に示す。
なお、試料1〜5は、本発明の実施例に係る金属組成物であり、試料51は、本発明の実施例の比較例に係る金属組成物である。ここで、Sn粉末の粒径(D50)は、例えば10μmである。CuNi合金粉末の比表面積は、0m2/gより大きく0.61m2/g未満である。また、CuNi合金粉末の水素還元減量とは、JPMA P03−1992法に規定されている測定方法に準じて得られるものであり、ここでは、CuNi合金粉末の初期重量を予め測定し、CuNi合金粉末を、875℃、30分間、水素中で還元した後の重量を測定し、両重量の差を初期重量で除算して得られる重量減少率である。また、活性剤であるアジピン酸は、カルボキシル基を有する。
実験により、試料51では、表1に示すように、TLP反応が殆ど進行しなかったことが明らかとなった。このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の水素還元減量が0.75wt%を超えており、すなわち、CuNi合金粉末表面の酸化度合いが高く、ロジンや活性剤によってCuNi合金粉末の表面が十分に還元できなかったためであると考えられる。
一方、複数の試料1〜5では、表1に示すように、TLP反応が適正に進行し、金属間化合物相が生成されたことが明らかとなった。このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の水素還元減量が0.75wt%以下であり、すなわち、CuNi合金粉末表面の酸化度合いが低く、ロジンや活性剤によってCuNi合金粉末の表面が十分に還元されたためであると考えられる。
したがって、各試料1〜5では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。この結果、各試料1〜5は、耐熱性の高い材料となる。
(実験2)
実験2では、Sn粉末(第1金属粉末)とCuNi合金粉末(第2金属粉末)とを含む金属成分と、ロジン及び活性剤を含むフラックス成分と、を混合することにより作製された複数の試料6〜8、52〜55を用意し、TLP反応が進行するかどうか判定した。TLP反応は、複数の試料6〜8、52〜55を、例えばリフロー装置を用いて大気圧下において250℃で5分間加熱することにより判定した。
複数の試料6〜8、52〜55は、主に、CuNi合金粉末の比表面積が0.61m2/g以上である点で、実験1で用いた複数の試料1〜5、51と異なっている。
CuNi合金粉末の粒径(D50)とCuNi合金粉末の比表面積とCuNi合金粉末の水素還元減量とロジンの重量パーセント濃度と活性剤の重量パーセント濃度とロジンの重量に対する活性剤の重量の比とSn及びCuNi合金粉末の分離の有無とTLP反応の有無とを表3に示す。また、複数の試料6〜8、52〜55で使用した各材料の情報と各材料の配合比率とを表4に示す。
なお、試料6〜8は、本発明の実施例に係る金属組成物であり、試料52〜55は、本発明の実施例の比較例に係る金属組成物である。また、活性剤であるセバシン酸は、カルボキシル基を有する。
実験により、試料52、53では、表3に示すように、Sn及びCuNi合金粉末が分離し、TLP反応が局所的にしか進行しなかったことが明らかとなった。
このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の比表面積が0.61m2/g以上であり、すなわち、ペースト中に含まれるCuNi合金粉末の還元すべき表面積の割合が大きくなり、ロジンや活性剤によってCuNi合金粉末の表面が十分に還元できなかったためであると考えられる。
また、実験により、試料54、55では、表3に示すようにロジンの量が試料52、53より多くても、Sn及びCuNi合金粉末が分離し、TLP反応が局所的にしか進行しなかったことが明らかとなった。
このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の比表面積が0.61m2/g以上であり、すなわち、ペースト中に含まれるCuNi合金粉末の還元すべき表面積の割合が大きく、さらに、活性剤よりもCuNi合金粉末表面の還元能力の低いロジン量を増やしてもCuNi合金粉末の表面が十分に還元できなかったためであると考えられる。
一方、複数の試料6〜8では、表3に示すように、Sn及びCuNi合金粉末が分離せず、TLP反応が適正に進行し、金属間化合物相が生成されたことが明らかとなった。
このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の比表面積が0.61m2/g以上であるものの、ロジンの重量に対する活性剤の重量の比が1.0以上である(即ち活性剤の量が多い)ため活性剤の還元力が高く、活性剤によってCuNi合金粉末の表面が十分に還元されたためであると考えられる。
したがって、各試料6〜8では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。この結果、各試料6〜8は、耐熱性の高い材料となる。
(実験3)
実験3では、Sn粉末(第1金属粉末)とCuNi合金粉末(第2金属粉末)とを含む金属成分と、ロジン及び活性剤を含むフラックス成分と、を混合することにより作製された複数の試料9〜12、56、57を用意し、TLP反応が進行するかどうか判定した。TLP反応は、複数の試料9〜12、56、57を、例えばリフロー装置を用いて大気圧下において250℃で5分間加熱することにより判定した。
ロジンの種類とロジンの酸価とTLP反応の有無とを表5に示す。また、複数の試料9〜12、56、57で使用した各材料の情報と各材料の配合比率とを表6に示す。
なお、試料9〜12は、本発明の実施例に係る金属組成物であり、試料、56〜57は、本発明の実施例の比較例に係る金属組成物である。複数の試料9〜12、56、57についてCuNi合金粉末の比表面積は0.61m2/g未満である。また、活性剤であるセバシン酸は、カルボキシル基を有する。CuNi合金粉末の粒径(D50)は、30μmである。
実験により、試料56、57では、表5に示すように、TLP反応が進行しなかったことが明らかとなった。このような結果となった理由は、CuNi合金粉末の比表面積が0.61m2/g未満であるものの、ロジンの酸価が130未満であり、即ちロジンの還元力が低く、ロジンや活性剤によってCuNi合金粉末の表面が十分に還元できなかったためであると考えられる。
一方、複数の試料9〜12では、表5に示すように、TLP反応が適正に進行し、金属間化合物相が生成されたことが明らかとなった。このような結果となった理由は、ロジンの酸価が130以上であり、即ちロジンの還元力が高く、ロジンによってCuNi合金粉末の表面が十分に還元されたためであると考えられる。
なお、ロジンの酸価が大きいということは、樹脂酸の量が多いということと等価である。樹脂酸が有するカルボキシル基と第2金属粉末の表面の酸化被膜とが加熱中に反応することによって酸化被膜が除去される。したがって、酸価の大きいロジンほど、金属粉末表面の酸化被膜を還元する効果が大きい。
したがって、各試料9〜12では比較的低温での熱処理によってTLP反応が進行する。この結果、各試料9〜12は、耐熱性の高い材料となる。
《他の実施形態》
なお、本実施形態において第1金属粉末106の材料は、Sn単体であるが、これに限るものではない。実施の際は、第1金属粉末106の材料は、Snを含む合金(具体的にはCu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、TeおよびPからなる群より選ばれる少なくとも1種とSnとを含む合金)であってもよい。
また、本実施形態において第2金属粉末107の材料は、CuNi合金であるが、これに限るものではない。実施の際は、第2金属粉末107の材料は例えば、CuNi合金、CuMn合金、CuAl合金、CuCr合金、及びAgPd合金等からなる群より選ばれる1種または複数種の粉末であってもよい。
ここで、液相拡散(TLP)反応を利用する場合、材料に適した熱処理条件(温度および時間)を設定すればよい。
また、以上に示した実施形態の加熱工程において、熱風加熱以外に遠赤外線加熱や高周波誘導加熱を行ってもよい。
最後に、前記実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
20…セラミック積層体
21…ランド
22…プリント配線基板
23…外部電極
24…電子部品
25…金属ペースト
30…金属間化合物部材
31…金属パテ
32…金属部材
50…ボルト
60…ナット
100…接合構造
101…第1接合対象物
102…第2接合対象物
104…接合材
105…金属組成物
106…第1金属粉末
107…第2金属粉末
108…フラックス
109…金属間化合物相
110…金属成分
300…巻回体
303…補修シート
310…配管
DP…破損部

Claims (5)

  1. 第1金属粉末と前記第1金属粉末より融点の高い第2金属粉末とを含む金属成分と、フラックス成分と、を含む金属組成物であって、
    前記第1金属粉末は、Sn粉末又はSnを含む合金粉末であり、前記第2金属粉末は、CuNi合金粉末であり、
    前記フラックスはロジンおよび活性剤を含み、前記ロジンの重量に対する前記活性剤の重量の比は、1.0以上であり、
    前記第2金属粉末の水素還元減量は、0.75wt%以下であることを特徴とする金属組成物。
  2. 記ロジンの酸価は、130以上であることを特徴とする、請求項1に記載の金属組成物。
  3. 前記活性剤は、カルボキシル基を有することを特徴とする請求項2に記載の金属組成物。
  4. シート状、パテ状またはペースト状に成形されていることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の金属組成物。
  5. 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の金属組成物を含む接合材。
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