JP6336841B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
層された複数の絶縁層を含む絶縁基板と、前記絶縁層の主面に設けられた配線導体と、主成分として銀を含有しているとともに添加材としてガラスおよび酸化銅を含有しており、前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体とを備えており、前記ガラスが前記貫通導体のうち前記絶縁層との界面部分に偏在しているとともに、該界面部分において前記銀の間に前記ガラスの粒子が分散している。
ス成分またはセラミック成分を含有していても構わない。
製作することができる。
3を、絶縁基板1(複数の絶縁層2)との同時焼成で形成することが容易である。
通導体4のうち銀4aからなる部分の範囲が最も大きい。そのため、貫通導体4の電気抵抗(抵抗率)が効果的に低く抑えられている。また、貫通導体4は、添加材としてガラス4bおよび酸化銅4cを含有している。
も有利である。したがって、この場合には、貫通導体4と絶縁層2との間の剥がれ等がより効果的に抑制される。
の照射回数または照射方向等を適宜調整すれば、所望の形状の貫通孔32を形成することができる。
%体積収縮したときの温度をいう。また、焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し90%以上体積収縮したときの温度をいう。体積収縮はTMA(熱機械分析)の線収縮から体積収縮に換算して決定される。
、BaTi4O9、SrTiO3、ZrO2、TiO2、AlNおよびSi3N4から選ばれる少なくとも1種を含むセラミックフィラーを10〜60質量%とからなる原料粉末が採
用される。例えば、この第1シート31Aの焼成収縮開始温度は600〜650℃、焼成収縮終了温度は750〜800℃に設定される。
、MgTiO3、CaZrO3、CaTiO3、BaTi4O9、SrTiO3、ZrO2、TiO2、AlN、Si3N4から選ばれる少なくとも1種を含むセラミックフィラ
ーを0〜70質量%との割合で含む原料粉末が採用される。例えば、この第2シート31Bの焼成収縮開始温度は750〜800℃、焼成収縮終了温度は900〜950℃に設定される。ただし、第2シート31Bの焼成収縮開始温度は、第1シート31Aの焼成収縮終了温度よりも高く設定される。
体4と同様に、ガラスが絶縁層との界面部分に偏在しているとともに粒子として分散している貫通導体4を形成することができる。
2・・・絶縁層
3・・・配線導体
4・・・貫通導体
4a・・・銀
4b・・・ガラス
4c・・・酸化銅
10・・・配線基板
20・・・電子装置
21・・・電子部品
22・・・ボンディングワイヤ
Claims (4)
- ガラスセラミック焼結体からなるとともに互いに積層された複数の絶縁層を含む絶縁基板と、
前記絶縁層の主面に設けられた配線導体と、
主成分として銀を含有しているとともに添加材としてガラスおよび酸化銅を含有しており、前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体とを備えており、
前記ガラスが前記貫通導体のうち前記絶縁層との界面部分に偏在しているとともに、該界面部分において前記銀の間に前記ガラスの粒子が分散していることを特徴とする配線基板。 - 前記酸化銅が粒子として前記貫通導体の内部に偏在していることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記絶縁層の前記厚み方向の断面視において、前記貫通導体の前記厚み方向の中央部が内側に湾曲していることを特徴とする請求項1または請求項2記載の配線基板。
- 前記貫通導体に含有されている前記ガラスが、前記絶縁層を形成している前記ガラスセラミック焼結体のガラス成分とは異なる種類であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の配線基板。
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