JP6329462B2 - セラミック構造体の製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 359
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 95
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 30
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 2
- -1 polyoxyethylene monobutyl ether Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0006—Honeycomb structures
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
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- C04B2111/00793—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as filters or diaphragms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/725—Metal content
Description
そこで、排ガス中のパティキュレートを捕集して、排ガスを浄化することができるフィルタとして、多孔質セラミックからなるハニカムフィルタ(セラミック構造体)が種々提案されている。このようなセラミック構造体としては、耐熱性、耐衝撃性の観点から多孔質炭化ケイ素焼結体からなるセラミック構造体が使用されている。
従って、第1の昇温速度のみで加熱するよりも、セラミック成形体を加熱する時間を短縮することができる。
通常、セラミック成形体の温度が、第1の昇温速度変更点未満の温度であると、セラミック成形体を構成する炭化ケイ素同士は物理的な相互作用のみで形状を保持している状態であり、化学的に結合する強い力は存在していないという理由からセラミック成形体の強度が充分とならない。このような状態のセラミック成形体を急激に加熱すると、セラミック成形体の内方部と、外方部との間に温度差が生じることになる。セラミック成形体の内方部と、外方部との間に温度差が生じると、熱膨張による体積の変化の差によりセラミック成形体に、熱応力が発生する。このような熱応力は、セラミック成形体にクラックが生じる原因となる。熱応力は、セラミック成形体のヤング率と、膨張係数と、セラミック成形体の内方部及び外方部の温度差とにより決定される。すなわち、セラミック成形体の内方部及び外方部の温度差が大きければ、熱応力も大きくなる。
本発明のセラミック構造体の製造方法では、第1の昇温速度は、25℃/分以下なので、セラミック成形体の内方部と外方部とが均一に加熱されやすくなる。すなわち、セラミック成形体の内方部と外方部との温度差が小さくなる。そのため、セラミック成形体を加熱する際に、熱応力が大きくなりにくく、セラミック成形体にクラックが生じにくい。
通常、セラミック成形体の温度が、第1の昇温速度変更点以上の温度である場合、セラミック成形体に含まれる不純物元素である亜鉛等が溶け出し、炭化ケイ素同士の結合を促進する、という理由からセラミック成形体の強度が強くなる。
第1の昇温速度よりも速い第2の昇温速度でセラミック成形体を加熱する場合には、セラミック成形体の内方部と外方部との温度差が大きくなり、熱応力も大きくなるが、上記の通り、セラミック成形体の強度が強くなっているので、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
第2の昇温速度が、60℃/分以下であると、クラックを発生することなくセラミック成形体を加熱することができる。
通常、セラミック成形体の温度が、第2の昇温速度変更点以上の温度である場合、セラミック成形体に含まれる不純物元素であるマンガン、アルミニウム、鉄等が溶け出し、さらに炭化ケイ素同士の結合を促進するという理由からセラミック成形体の強度がさらに強くなる。
第2の昇温速度変更点よりも高い温度でセラミック成形体を加熱する場合には、セラミック成形体の温度上昇に伴いセラミック成形体のヤング率や熱膨張係数が高くなる。その結果、熱応力もさらに大きくなるが、上記の通り、セラミック成形体の強度がさらに強くなっているので、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
第3の昇温速度が50℃/分以上であると、加熱時間が短くなり効率よくセラミック構造体を製造することができる。
第3の昇温速度が100℃/分以下であると、セラミック成形体に生じる熱応力が大きくなりにくくなる。そのため、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
逆に、第3の昇温速度が50℃/分未満であると、加熱時間が長くなり効率よくセラミック構造体を製造することができない。
第3の昇温速度が100℃/分を超えると、セラミック成形体に生じる熱応力が大きくなる。そのため、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぎにくくなる。
第1の昇温速度が、10℃/分未満であると、セラミック成形体を加熱する時間が長くなりすぎる。
第1の昇温速度が、25℃/分を超えると、セラミック成形体が急激に加熱されるため、セラミック成形体の内方部と、外方部との間に温度差が大きくなる。そのため、セラミック成形体を加熱する際に、熱応力が大きくなりやすく、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
第2の昇温速度が、30℃/分未満であると、セラミック成形体を加熱する時間が長くなりすぎる。
第2の昇温速度が、60℃/分を超えると、セラミック成形体が急激に加熱されるため、セラミック成形体の内方部及び外方部の温度差が大きくなりすぎる。そのため、セラミック成形体を加熱する際に、熱応力が大きくなりすぎ、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
セラミック成形体を、1900〜2300℃まで加熱すると、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結する。そのため、作製されるセラミック焼成体の強度を充分に強くすることができる。
セラミック成形体を、1900℃に達するまで加熱しないと、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結しにくくなる。そのため、作製されるセラミック焼成体の強度が弱くなりやすくなる。
セラミック成形体を、2300℃を超えて加熱すると、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結する温度を超えているのでコスト的に不利である。
このような方法により、多孔質炭化ケイ素焼結体からなるハニカムフィルタを製造することができる。
上記方法により製造されたセラミック構造体の用途としては、特に限定されず、例えば、ハニカムフィルタ等の構造材料や、電子材料等に用いることができる。
以下、各工程について詳しく説明する。
セラミック原料組成物を成形してセラミック成形体を作製する方法は、特に限定されないが、例えば、以下の工程により作製することができる。
まず、炭化ケイ素粉末と、必要に応じて有機バインダ、可塑剤、潤滑剤、水等を混合することにより、炭化ケイ素からなるセラミック原料組成物を調製する。
炭化ケイ素粉末は、不純物元素として少なくとも亜鉛、マンガン、アルミニウム、鉄を含むので、セラミック原料及び後の工程で作製されるセラミック成形体もこれら不純物元素を含むことになる。
上記セラミック原料組成物を所定の形状に成形し、セラミック成形体を作製する。
セラミック成形体の形状は、特に限定されず、ハニカム状や基板状等であってもよい。セラミック成形体の成形方法は、特に限定されず、押出成形法や、鋳込み成形等であってもよい。
このような方法により、セラミック成形体を作製し、後の工程を経ることにより、多孔質炭化ケイ素焼結体からなるハニカムフィルタを製造することができる。
図1(a)は、ハニカム状のセラミック成形体の一例を模式的に示す斜視図である。図1(b)は、図1(a)に示すハニカム状のセラミック成形体のA−A線断面図である。
図1(a)に示すハニカム状のセラミック成形体10は、多数のセル11がセル隔壁12を隔てて長手方向(図1(a)中aの方向)に並設された、高さT、幅W及び長さLを有する略直方体である。セル11のいずれか一方の端部は封止材13で封止されている。
セラミック成形体10の大きさは、特に限定されないが、高さTが30〜40mm、幅Wが30〜40mm、長さLが100〜300mmであることが望ましい。
なお、セル隔壁の厚さとは、セラミック成形体10の長手方向に垂直な断面において、セル11の内壁により構成される断面図形の幾何学的な重心を2つのセルについてそれぞれ求め(図1(b)中、セル11aの重心ca及び11bの重心cb)、その重心間を結ぶ直線Zを描き、直線がセル隔壁12領域と重なる部分の線分の長さ(図1(b)中、dで示す長さ)をセル隔壁の厚さとする。なお、セルはいうまでもなく空間であるが、ここでいう重心はセルの内壁により構成される断面図形の幾何学的な重心を意味しており、セルのような空間の断面図形であっても重心の定義は可能である。
セラミック成形体10のセル11のピッチは特に限定されないが、1.3〜2.2mmであることが望ましい。
なお、セル11のピッチとは、セラミック成形体10の長手方向に垂直な断面において、隣り合うセル11の中心点(図1(b)中、セル11aの重心ca及びセル11bの重心cb)間の距離(図1(b)中、pで示す長さ)を意味する。
また、図1(a)においてセル11の長手方向に垂直な断面形状は略正方形であるが、本発明のセラミック構造体の製造方法で製造するセラミック成形体では、セルの長手方向に垂直な断面形状は略円形であってもよく、略多角形であってもよい。
封止材ペーストは、例えば、ケイ素粉末、有機バインダ、無機バインダ、溶媒を混合することにより作製することができる。
また、セルを封止せずに多孔質炭化ケイ素焼結体としてもよい、この場合、セラミック焼成体は触媒担体として用いることができる。
次に、上記成形工程で作製したセラミック成形体を加熱する。
セラミック成形体の加熱は、加熱炉を用いて行うことが望ましい。加熱炉としては、昇温速度を調整できるのであれば特に限定されず、焼成炉、連続焼成炉、バッチ炉等を用いることができる。
以下、加熱工程における昇温速度について図面を用いながら説明する。
図2は、本発明のセラミック構造体の製造方法の加熱工程におけるセラミック成形体の温度変化の一例を示すグラフである。
上記成形工程で作製したセラミック成形体を第1の昇温測度で、第1の昇温速度変更点まで加熱する。
第1の昇温速度は、25℃/分以下であり、第1の昇温速度変更点は、400〜600℃の範囲内の所定の温度である。
図2において、a0はセラミック成形体の初期温度を示し、a1は第1の昇温速度変更点を示す。また、セラミック成形体の温度がa0であるときの時刻をt0とし、a1であるときの時刻をt1とする。a1は、400〜600℃の範囲内の所定の温度である。(a1−a0)/(t1−t0)は、第1の昇温速度であり、25℃/分以下である。
熱応力σ=ヤング率E×熱膨張係数α×温度差ΔT・・・(1)
第1の昇温速度は、25℃/分以下であれば特に限定されないが、10〜25℃/分であることがより望ましく、20〜25℃/分であることがさらに望ましい。
第1の昇温速度が、10℃/分未満であると、セラミック成形体を加熱する時間が長くなりすぎる。
第1の昇温速度が、25℃/分を超えると、セラミック成形体が急激に加熱されるため、セラミック成形体の内方部と、外方部との間に温度差が大きくなる。そのため、セラミック成形体を加熱する際に、熱応力が大きくなりやすく、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
後述するように、本発明のセラミック構造体の製造方法では、第1の昇温速度変更点において、昇温速度を、第1の昇温速度よりも速い第2の昇温速度に変更する。
第1の昇温速度変更点を、400℃未満に設定すると、昇温速度を第2の昇温速度に変更した際に、急激にセラミック成形体が加熱されることになる。そのため、セラミック成形体の内方部と、外方部との間に温度差が生じることになる。これにより、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
第1の昇温速度変更点を、600℃を超える温度に設定すると、セラミック成形体を第1の昇温速度で加熱する時間が長くなり、セラミック成形体を加熱する時間を短縮しにくくなる。
脱脂を行う際には、セラミック成形体を300〜500℃で加熱することが望ましく、300〜480℃で加熱することがより望ましい。
脱脂の加熱時間は60〜240分であることが望ましく、80〜200分であることがより望ましい。
脱脂は、空気雰囲気下で行ってもよく、酸素比率が空気より多くなるようにアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスを混合した混合気体雰囲気下で行ってもよい。空気雰囲気下で脱脂を行うと、セラミック成形体に含まれる有機成分をよく燃焼することができる。また、酸素比率が空気より多くなるようにアルゴンガス、窒素ガス及び酸素ガスを混合した混合気体雰囲気下で脱脂を行うと、セラミック成形体に含まれる有機成分をよりよく燃焼することができる。そのため、後述する焼成工程において、炭化ケイ素を好適に焼結させることができる。
また、セラミック成形体を脱脂した後、一度、セラミック成形体の温度を下げてから、セラミック成形体を第1の昇温速度で加熱してもよく、セラミック成形体を脱脂をした後、連続して第1の昇温速度で加熱してもよい。
上記のようにセラミック成形体を第1の昇温速度変更点まで加熱した後、セラミック成形体を第1の昇温速度よりも速い第2の昇温速度で第2の昇温速度変更点まで加熱する。
第2の昇温速度は60℃/分以下であり、第2の昇温速度変更点は、800〜1000℃の範囲内の所定の温度である。
図2においてa2は第2の昇温速度変更点を示す。また、セラミック成形体の温度がa2であるときの時刻をt2とする。a2は、800〜1000℃の範囲内の所定の温度である。(a2−a1)/(t2−t1)は、第2の昇温速度であり、60℃/分以下である。
第1の昇温速度よりも速い第2の昇温速度でセラミック成形体を加熱する場合には、セラミック成形体の内方部と外方部との温度差が大きくなり、熱応力も大きくなるが、上記の通り、セラミック成形体の強度が強くなっているので、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
第2の昇温速度は60℃/分以下であれば、特に限定されないが、30〜60℃/分であることが望ましく、40〜60℃/分であることがより望ましい。
第2の昇温速度が、30℃/分未満であると、セラミック成形体を加熱する時間が長くなりすぎる。
第2の昇温速度が、60℃/分を超えると、セラミック成形体が急激に加熱されるため、セラミック成形体の内方部及び外方部の温度差が大きくなりすぎる。そのため、熱応力が大きくなりすぎ、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
後述するように、本発明のセラミック構造体の製造方法では、第2の昇温速度変更点において、昇温速度を、第2の昇温速度よりも速い第3の昇温速度に変更する。
第2の昇温速度変更点を、800℃未満に設定すると、昇温速度を第3の昇温速度に変更した際に、急激にセラミック成形体が加熱されることになる。そのため、セラミック成形により強い熱応力が生じる。これにより、セラミック成形体にクラックが生じやすくなる。
第2の昇温速度変更点を、1000℃を超える温度に設定すると、セラミック成形体を第2の昇温速度で加熱する時間が長くなり、セラミック成形体を加熱する時間を短縮しにくくなる。
上記のようにセラミック成形体を第2の昇温速度変更点まで加熱した後、セラミック成形体を第2の昇温速度よりも速い第3の昇温速度で加熱する。
第3の昇温速度は、50〜100℃/分である。
本発明のセラミック構造体の製造方法の加熱工程では、第3の昇温速度で、セラミック成形体を所定の焼成温度まで加熱することが望ましい。
図2においてa3は焼成温度を示す。また、セラミック成形体の温度がa3になるときの時刻をt3とする。(a3−a2)/(t3−t2)は、第3の昇温速度であり、50〜100℃/分である。
熱応力σ=ヤング率E×熱膨張係数α×温度差ΔT・・・(1)
セラミック成形体の温度が第2の昇温速度変更点を超えると、加熱炉内の構造物(セッター、マッフル、他のセラミック成形体等)からの輻射熱があるので、セラミック成形体の内方部及び外方部の温度差ΔTは小さくなる。しかし、セラミック成形体の温度上昇に伴い、セラミック成形体のヤング率E及び熱膨張係数αが大きくなる。その結果、セラミック成形体を第2の昇温速度で第2の昇温速度変更点まで加熱するときに生じる熱応力よりも、セラミック成形体を第3の昇温速度で加熱するときに生じる熱応力の方が大きくなる。
しかし、上記の通り、セラミック成形体の温度が、第2の昇温速度変更点以上の温度である場合、セラミック成形体の強度がさらに強くなっているので、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
図3は、セラミック成形体を加熱する際の熱応力に関するパラメータ及びセラミック成形体の強度の変化指数の一例を模式的に示す図である。
図3に示すように、温度差ΔTは、セラミック成形体の温度の上昇に伴って減少する。しかし、ヤング率E及び熱膨張係数αは、800〜1000℃にかけて上昇する。その結果、熱応力σは、温度上昇に伴って増加する。しかし、セラミック成形体の強度も800〜1000℃にかけて急激に上昇する。つまり、熱応力σが増加する以上にセラミック成形体の強度が上昇する。従って、第3の昇温速度で加熱したとしても、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
第3の昇温速度が50℃/分以上であると、加熱時間が短くなり効率よくセラミック構造体を製造することができる。
第3の昇温速度が100℃/分以下であると、セラミック成形体に生じる熱応力が大きくなりにくくなる。そのため、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぐことができる。
逆に、第3の昇温速度が50℃/分未満であると、加熱時間が長くなり効率よくセラミック構造体を製造することができない。
第3の昇温速度が100℃/分を超えると、セラミック成形体に生じる熱応力が大きくなりやすくなる。そのため、セラミック成形体にクラックが生じることを防ぎにくくなる。
第3の昇温速度は、50〜100℃/分であれば特に限定されないが、60〜100℃/分であることが望ましく、70〜100℃/分であることがより望ましい。
セラミック成形体を、1900〜2300℃まで加熱すると、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結する。そのため、作製されるセラミック焼成体の強度を充分に強くすることができる。
セラミック成形体を、1900℃に達するまで加熱しないと、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結しにくくなる。そのため、作製されるセラミック焼成体の強度が弱くなりやすくなる。
セラミック成形体を、2300℃を超えて加熱すると、セラミック成形体を構成するセラミック粒子同士が充分に焼結する温度を超えているのでコスト的に不利である。
焼成温度は、2000〜2200℃であることがより望ましく、2050〜2150℃であることがさらに望ましい。
すなわち、図2において、t4は、加熱終了時刻を示し、(t4−t3)は50〜180分間であることが望ましく、60〜150分間であることがより望ましい。
従って、第1の昇温速度のみで加熱するよりも、セラミック成形体を加熱する時間を短縮することができる。
すなわち、図2においてt0〜t4までの時間を短縮することができる。t0〜t4までの時間は、特に限定されないが、100〜300分間であることが望ましく、120〜260分間であることがより望ましい。
図4に示す、ハニカムフィルタ20は、複数個のセラミック焼成体10´が接着材層21を介して集合されており、集合されたセラミック焼成体10´の外周には、排ガスの漏れを防止するための外周コート層22が形成されている。なお、外周コート層22は、必要に応じて形成されていればよい。
以下にセラミック焼成体を集合させ、集合型のハニカムフィルタ作製する方法を記載する。
次に、セラミック焼成体の集合体を加熱して接着材ペースト層を乾燥、固化させて接着材層とすることにより、セラミック集合体を作製する。
ここで、接着材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機粒子とからなるものを使用してもよい。また、上記接着材ペーストは、さらに無機繊維及び/又はウィスカを含んでいてもよい。
接着材ペーストの加熱固化の条件は、従来からハニカムフィルタを作製する際に用いられている条件を適用することができる。
接着材層の厚さは、0.5〜2.0mmが好ましい。
ここで、外周コート材ペーストとしては、上記接着材ペーストを使用することができる。外周コート材ペーストとして、上記接着材ペーストと異なる組成のペーストを使用してもよい。なお、外周コート層は必ずしも設ける必要はなく、必要に応じて設ければよい。
外周コート層を設けることによって、セラミック集合体の外周の形状を整えてもよい。
外周コート層の厚さは、0.1〜3.0mmが好ましい。
このようにして作製されたハニカムフィルタは、排ガス中のパティキュレートを捕集して、排ガスを浄化することができるフィルタとして用いることができる。
(a)成形工程
(a−1)混合工程
炭化ケイ素粉末74.5重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日油社製 ユニルーブ)2.8重量%、可塑剤1.3重量%、及び、水13.8重量%を混合してセラミック原料組成物を作製した。
得られたセラミック原料組成物を押出成形しハニカム状のセラミック成形体を作製した。
作製したセラミック成形体は、高さが34.3mm、幅が34.3mm、長さが25.4cmの略直方体であり、セル隔壁の厚さが0.4mm、セルの密度が31個/cm2、セルのピッチが、1.88mmであった。
まず、上記工程で得られたセラミック成形体を空気雰囲気下、400℃、40分間で加熱することにより脱脂し、セラミック成形体内の有機成分を揮発させた。
脱脂後のセラミック成形体を、アルゴン雰囲気下において第1の昇温速度である20℃/分で、第1の昇温速度変更点である500℃まで加熱した。なお、セラミック成形体を加熱する初期温度は25℃であった。
次に、セラミック成形体を、アルゴン雰囲気下において第2の昇温速度である40℃/分で、第2の昇温速度変更点である900℃まで加熱した。
次に、セラミック成形体を、アルゴン雰囲気下において第3の昇温速度である60℃/分で、焼成温度である2200℃まで加熱した。
その後、180分間焼成した。
第1の昇温速度、第2の昇温速度及び第3の昇温速度を表1に示す昇温速度に変更した以外は同様にして実施例2〜12及び比較例1〜7のセラミック焼成体を製造した。
各実施例及び各比較例の方法により製造されたセラミック焼成体の破損のしやすさを評価した。評価方法は以下の通りである。
各実施例及び各比較例により5本のセラミック焼成体を作製した。次にセラミック焼成体に、万能試験機(製品名:インストロン5582、インストロン社製)を用いてスパン間距離:135mmにて30MPaの荷重を10秒間かけた。全てのセラミック焼成体が破損していない場合には、「破損なし」と評価し、1本のセラミック焼成体でも破損していた場合には、「破損あり」と評価した。結果を表1に示す。
第1の昇温速度でセラミック成形体を加熱し始めてから、セラミック成形体の焼成が終わるまでの時間を測定した。結果を表2に示す。
比較例1のセラミック焼成体は、破損しやすさ評価において「破損なし」であったが、比較例1では、セラミック成形体を10℃/分の昇温速度でのみ加熱したため、加熱時間が長かった。
比較例2〜4のセラミック焼成体は、破損しやすさ評価において「破損あり」であった。これは、第2の昇温速度が60℃を超えていることが原因と考えられた。
比較例5〜7のセラミック焼成体は、破損しやすさ評価において「破損あり」であった。これは、第1の昇温速度が25℃を超えていることが原因と考えられた。
比較例2〜7では、加熱時間が短いものの、これら方法で製造されたセラミック焼成体は上記の通り、破損しやすさ評価において「破損あり」であった
比較例2〜7のセラミック焼成体が「破損あり」であった理由としては、セラミック成形体を加熱する際に、クラックが生じたためと考えられる。
10´ セラミック焼成体
11、11a、11b セル
12 セル隔壁
13 封止材
20 ハニカムフィルタ
21 接着材層
22 外周コート層
Claims (5)
- セラミック原料組成物を成形してセラミック成形体を作製する成形工程と、
前記セラミック成形体を加熱してセラミック焼成体を作製する加熱工程とを含むセラミック構造体の製造方法であって、
前記加熱工程では、前記セラミック成形体を、第1の昇温速度で第1の昇温速度変更点まで加熱し、その後、前記セラミック成形体を、前記第1の昇温速度よりも速い第2の昇温速度で第2の昇温速度変更点まで加熱し、その後、前記セラミック成形体を前記第2の昇温速度よりも速い第3の昇温速度で加熱し、
前記第1の昇温速度は、25℃/分以下であり、
前記第1の昇温速度変更点は、400〜600℃の範囲内の所定の温度に設定されており、
前記第2の昇温速度は、60℃/分以下であり、
前記第2の昇温速度変更点は、800〜1000℃の範囲内の所定の温度に設定されており、
前記第3の昇温速度は50〜100℃/分であり、
前記セラミック原料組成物は、炭化ケイ素からなり、
前記セラミック原料組成物は、不純物元素として少なくとも亜鉛、マンガン、アルミニウム、鉄を含むことを特徴とするセラミック構造体の製造方法。 - 前記第1の昇温速度は、10〜25℃/分である請求項1に記載のセラミック構造体の製造方法。
- 前記第2の昇温速度は、30〜60℃/分である請求項1又は2に記載のセラミック構造体の製造方法。
- 前記加熱工程では、前記第3の昇温速度で、前記セラミック成形体を1900〜2300℃まで加熱し、セラミック焼成体を作製する請求項1〜3のいずれかに記載のセラミック構造体の製造方法。
- 前記成形工程では、炭化ケイ素からなるセラミック原料組成物を、ハニカム状に成形してセラミック成形体を作製する請求項1〜4のいずれかに記載のセラミック構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014163761A JP6329462B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | セラミック構造体の製造方法 |
DE102015215225.1A DE102015215225B4 (de) | 2014-08-11 | 2015-08-10 | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Struktur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014163761A JP6329462B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | セラミック構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016037433A JP2016037433A (ja) | 2016-03-22 |
JP6329462B2 true JP6329462B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=55135056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014163761A Active JP6329462B2 (ja) | 2014-08-11 | 2014-08-11 | セラミック構造体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6329462B2 (ja) |
DE (1) | DE102015215225B4 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112851329B (zh) * | 2021-01-15 | 2022-05-20 | 西安交通大学 | 一种铁酸铋钛酸铅基功能陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4246802B2 (ja) * | 1995-08-22 | 2009-04-02 | 東京窯業株式会社 | ハニカム構造体とその製造方法及び用途、並びに加熱装置 |
JP3622854B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2005-02-23 | 東京窯業株式会社 | 導電性セラミックス焼結体の製造方法 |
JP5540318B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2014-07-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 炭化ケイ素粉末の低温焼結方法 |
-
2014
- 2014-08-11 JP JP2014163761A patent/JP6329462B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-10 DE DE102015215225.1A patent/DE102015215225B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016037433A (ja) | 2016-03-22 |
DE102015215225B4 (de) | 2017-03-16 |
DE102015215225A1 (de) | 2016-02-11 |
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Legal Events
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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