以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光電変換素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の間に設けられる式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む層(A)を有している。
式(I)中、Zは下記式(Z−1)〜式(Z−7)のうちのいずれか1つで表される基を表す。
式(Z−1)〜式(Z−7)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基又は1価の有機基を表す。1価の有機基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもようアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、置換されていてもよいアシル基、置換されていてもよいアシルオキシ基、置換されていてもよいアミド基、置換されていてもよい酸イミド基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基、が挙げられる。式(Z−1)〜式(Z−7)のそれぞれにおいて、Rが2つある場合、それらは同一でも相異なってもよい。
本発明の高効率な光電変換素子を得る観点から、Zは、式(Z−1)、式(Z−2)、式(Z−4)〜式(Z−7)のいずれかで表される基であることが好ましく、式(Z−4)〜式(Z−7)のいずれかで表される基であることがより好ましく、式(Z−4)又は式(Z−5)で表される基であることがさらに好ましい。
Rで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
置換されていてもよいアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。アルキル基の炭素数は、通常1〜30である。アルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
置換されていてもよいアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルコキシ基であってもよい。アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。アルコキシ基の炭素数は、通常1〜20程度である。置換されていてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基及び2−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。
置換されていてもよいアルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。アルキルチオ基の炭素数は、通常1〜20程度である。置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
アリール基は、置換基されていてもよい芳香族炭化水素から、芳香環上の水素原子1個を除いた原子団であり、炭素数は、通常6〜60である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換されていてもよいアルコキシ基及び置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例は、Rで表されるハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基及び置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例と同じである。アリール基の具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルキルオキシフェニル基(C1〜C12アルキルは、炭素数1〜12のアルキルであることを示す。C1〜C12アルキルは、好ましくはC1〜C8アルキルであり、より好ましくはC1〜C6アルキルである。C1〜C8アルキルは、炭素数1〜8のアルキルであることを示し、C1〜C6アルキルは、炭素数1〜6のアルキルであることを示す。C1〜C12アルキル、C1〜C8アルキル及びC1〜C6アルキルの具体例としては、上記アルキル基で説明し例示したものが挙げられる。以下も同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
アリールオキシ基は、その炭素数が通常6〜60程度である。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルキルオキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。
アリールチオ基は、その炭素数が通常6〜60程度である。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルキルオキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
置換されていてもよいアリールアルキル基は、その炭素数が通常7〜60程度であり、アルキル部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアリールアルキル基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基及び2−ナフチル−C1〜C12アルキル基が挙げられる。
置換されていてもよいアリールアルコキシ基は、その炭素数が通常7〜60程度であり、アルコキシ部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアリールアルキルオキシ基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルオキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルオキシ基及び2−ナフチル−C1〜C12アルキルオキシ基が挙げられる。
置換されていてもよいアリールアルキルチオ基は、その炭素数が通常7〜60程度であり、アルキルチオ部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基及び2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基が挙げられる。
置換されていてもよいアシル基は、その炭素数が通常2〜20程度である。アシル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
置換されていてもよいアシルオキシ基は、その炭素数が通常2〜20程度である。アシルオキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
置換されていてもよいアミド基は、その炭素数が通常1〜20程度である。アミド基とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基をいう。アミド基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよいアミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
置換されていてもよい酸イミド基は、その炭素数が通常2〜20程度である。酸イミド基とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基をいう。酸イミド基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。該ハロゲン原子の具体例は、Rで表されるハロゲン原子の具体例と同じである。置換されていてもよい酸イミド基の具体例としては、スクシンイミド基及びフタル酸イミド基が挙げられる。
置換アミノ基は、その炭素数が通常1〜40程度である。置換アミノ基が有する置換基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及びアリール基が挙げられる。該置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例と同じである。置換基アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、tert−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキルオキシフェニルアミノ基、ジ(C1〜C12アルキルオキシフェニル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ジ(C1〜C12アルキルオキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基及び2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基が挙げられる。
置換シリル基は、その炭素数が通常3〜40程度である。置換シリル基が有する置換基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及びアリール基が挙げられる。該置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例と同じである。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。
置換シリルオキシ基は、その炭素数が通常3〜40程度である。置換シリルオキシ基が有する置換基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及びアリール基が挙げられる。該置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例と同じである。置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、tert−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−p−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、tert−ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。
置換シリルチオ基は、その炭素数が通常3〜40程度である。置換シリルチオ基が有する置換基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及びアリール基が挙げられる。該置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例と同じである。置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、tert−ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−p−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、tert−ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。
置換シリルアミノ基は、その炭素数が通常3〜80程度である。置換シリルアミノ基が有する置換基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及びアリール基が挙げられる。該置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の具体例と同じである。置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、tert−ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−p−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、tert−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ(トリメチルシリル)アミノ基、ジ(トリエチルシリル)アミノ基、ジ(トリプロピルシリル)アミノ基、ジ(トリイソプロピルシリル)アミノ基、ジ(tert−ブチルジメチルシリル)アミノ基、ジ(トリフェニルシリル)アミノ基、ジ(トリ−p−キシリルシリル)アミノ基、ジ(トリベンジルシリル)アミノ基、ジ(ジフェニルメチルシリル)アミノ基、ジ(tert−ブチルジフェニルシリル)アミノ基、ジ(ジメチルフェニルシリル)アミノ基が挙げられる。
1価の複素環基は、置換されていてもよい複素環式化合物から、複素環上の水素原子1個を除いた原子団である。1価の複素環基は、その炭素数が通常4〜20である。複素環式化合物としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β-カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン及びフェナジンが挙げられる。複素環式化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基及び置換されていてもよいアルキルチオ基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基及び置換及び置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例は、Rで表されるハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基及び置換されていてもよいアルキルチオ基の具体例と同じである。複素環基としては、芳香族複素環基が好ましい。
複素環オキシ基としては、前記1価の複素環基に酸素原子が結合した式(A−1)で表される基が挙げられる。
複素環チオ基としては、前記1価の複素環基に硫黄原子が結合した式(A−2)で表される基が挙げられる。
(A−1) (A−2)
(式(A−1)及び式(A−2)中、Ar
3は1価の複素環基を表す。)
複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、C1〜C12アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、C1〜C12アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基及びチアジアゾールオキシ基が挙げられる。
複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、C1〜C12アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、C1〜C12アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基及びチアジアゾールメルカプト基が挙げられる。
アリールアルケニル基は、通常、その炭素数が8〜20である。アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。
アリールアルキニル基は、通常、その炭素数が8〜20である。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。
式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物の溶媒に対する溶解性を高める観点からは、Rは、炭素数6以上のアルキル基、炭素数6以上のアルコキシ基、炭素数6以上のアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、炭素数6以上のアシル基及び炭素数6以上のアシルオキシ基が好ましく、炭素数6以上のアルキル基、炭素数6以上のアルコキシ基、アリール基及びアリールオキシ基がより好ましく、炭素数6以上のアルキル基が特に好ましい。
Rの好ましい一態様である炭素数6以上のアルキル基としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、トリアコンチル基、テトラコンチル基、ペンタコンチル基などの直鎖状のアルキル基や1,1,3,3−テトラメチルブチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、1−プロピルペンチル基、3−ヘプチルドデシル基、2−ヘプチルウンデシル基、2−オクチルドデシル基、3,7,11−トリメチルドデシル基、3,7,11,15−テトラメチルヘキサデシル基、3,5,5−トリメチルへキシル基などの分岐状のアルキル基が挙げられる。
炭素数6以上のアルキル基は、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物の溶媒に対する溶解性等を考慮して適宜選択されるが、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、1−プロピルペンチル基及び3−ヘプチルドデシル基が好ましく、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基及び3−ヘプチルドデシル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基及び、3−ヘプチルドデシル基が特に好ましい。
Rの好ましい一態様であるアリール基としては、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物の溶媒に対する溶解性等を考慮した場合、アルキル基が置換したフェニル基が好ましい。アルキル基の置換位置は、パラ位が好ましい。パラ位にアルキル基が置換したフェニル基としては、p−ヘキシルフェニル基、p−ヘプチルフェニル基、p−オクチルフェニル基、p−ノニルフェニル基、p−デシルフェニル基、p−ウンデシルフェニル基、p−ドデシルフェニル基、p−トリデシルフェニル基、p−テトラデシルフェニル基、p−ペンタデシルフェニル基、p−ヘキサデシルフェニル基、p−2−エチルヘキシルフェニル基、p−3,7−ジメチルオクチルフェニル基、p−1−プロピルペンチルフェニル基及びp−2−ヘキシルデシルフェニル基が好ましく、p−ヘキシルフェニル基、p−ヘプチルフェニル基、p−オクチルフェニル基、p−ドデシルフェニル基、p−ペンタデシルフェニル基、p−ヘキサデシルフェニル基、p−2−エチルヘキシルフェニル基、p−3,7−ジメチルオクチルフェニル基及びp−2−ヘキシルデシルフェニル基がより好ましく、p−ドデシルフェニル基、p−ペンタデシルフェニル基、p−2−エチルヘキシルフェニル基及びp−3,7−ジメチルオクチルフェニル基が特に好ましい。
Ar1及びAr2で表される3価の芳香族複素環基とは、置換されていてもよい芳香族性を有する複素環式化合物から、芳香環上の水素原子3個を除いた残りの原子団をいう。3価の芳香族複素環基が有する炭素数は、通常2〜60であり、好ましくは4〜60であり、より好ましくは4〜20である。
芳香族性を有する複素環式化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基及び1価の有機基が挙げられる。該ハロゲン原子及び1価の有機基の定義及び具体例は、Rで表されるハロゲン原子及び1価の有機基の定義及び具体例と同じである。
Ar1及びAr2で表される3価の芳香族複素環基の具体例としては、下記式(201)〜式(301)が挙げられる。
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。Rが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
式(201)〜式(301)で表される基の中でも、本発明の高効率な光電変換素子を得る観点からは、式(202)、式(205)、式(206)、式(207)、式(210)、式(212)、式(220)、式(235)、式(238)、式(270)、式(271)、式(272)、式(273)、式(274)、式(275)、式(286)、式(287)、式(288)、式(291)、式(292)、式(293)、式(296)及び式(301)で表される基が好ましく、式(235)、式(271)、式(272)、式(273)、式(274)、式(286)、式(291)、式(296)及び式(301)で表される基がより好ましく、式(271)、式(272)、式(273)及び式(274)で表される基がさらに好ましく、式(273)で表される基が特に好ましい。
前記式(I)で表される構成単位としては、下記式(III)で表される化合物であることが好ましい。
〔式(III)中、Zは前述と同様の意味を表す。〕
式(III)で表される構成単位としては、例えば、式(501)〜式(505)で表される構成単位が挙げられる。
〔式中、Rは、前述と同じ意味を表わす。Rが2つある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
上記の式(501)〜式(505)で表される構成単位の中でも、本発明の高効率な光電変換素子を得る観点からは、式(501)、式(502)、式(503)、式(504)で表される構成単位が好ましく、式(501)、式(504)で表される構成単位がより好ましく、式(501)で表される構成単位が特に好ましい。
本発明の光電変換素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の間に設けられる層(A)以外に、式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む層(B)を有している。
式(II)中、R1aは、下記式(R1−1)〜式(R1−4)のいずれかで表される基を表し、R1bは下記式(R1−1)〜式(R1−4)のいずれかで表される基又は炭素数が10以下の1価の有機基を表す。1価の有機基の定義および具体例は、Rで表される1価の有機基と同じである。炭素数が10以下の1価の有機基としては、炭素数が10以下のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基又はtert−ブチル基であることがより好ましい。
式(R1−1)〜式(R1−4)中、R3は、水素原子又は炭素数が10以下の1価の有機基を表す。1価の有機基の定義および具体例は、Rで表される1価の有機基と同じである。炭素数が10以下の1価の有機基としては、炭素数が10以下のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基又はtert−ブチル基であることがより好ましい。複数あるR3は、同一でも異なっていてもよい。
式(R1−2)中、M+は、Li+、Na+、K+、Cs+またはNMe4 +を表す。
式(R1−4)中、L−は、F-、Cl-、Br-、I-、OH-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -またはPF6 -を表す。
式(R1−1)〜式(R1−4)中、R2は、下記式(R2−1)〜式(R2−4)のいずれかで表される基である。式(R2−2)、式(R2−3)及び、式(R2−4)は、左側の結合手がR1a又はR1bの結合手であってもよく、右側の結合手がR1a又はR1bの結合手であってもよいが、左側の結合手がR1a又はR1bの結合手であることが好ましい。
式(R2−1)〜式(R2−4)中、nは0以上10以下の整数を表す。nは5以下の整数であることが好ましい。Rで表される基は、前述と同様の意味を表す。複数あるRは、同一でも異なっていてもよい。
式(II)で表される構成単位としては、たとえば、下記式(II−1)〜(II−20)に示す構造単位があげられる。
式(II−1)〜(II−20)中、Rは、前述と同様の意味を表す。
本発明の式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物は、例えば市販のものを用いることもできるし、特許公開番号2009−239279に記載された方法で製造し用いることができる。
本発明の光電変換素子は、人の目に対する感度が高い、500nmの光をより多く透過する事ができ、なおかつ高効率を有する特徴を持つ。透明な高効率太陽電池として、多様な使用環境に適応させるという観点から、500nmの光の透過率として、20%以上である事が好ましく、30%以上である事がより好ましく、40%以上である事がさらに好ましい。
光電変換素子の透過率を測定する装置としては、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計(例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計JASCO−V670)を用いる。JASCO−V670を用いる場合、測定可能な波長範囲が200〜1500nmであるため、該波長範囲で測定を行う。
まず、石英基板の吸収スペクトルを測定する。次いで、本発明の光電変換素子の吸収スペクトルを測定する。石英基板の吸収率測定と、光電変換素子との吸収率測定との差を、本発明の透過率として用いる。得られた透過率のスペクトルを用い、人の目に対し感度が高い500nmでの透過率を分析値として用いる。
本発明の光電変換素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の間に設けられる式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む層(A)と、前記第1の電極及び前記層(A)の間並びに/又は前記第2の電極及び前記層(A)との間に設けられる式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む層(B)とを有し、第2の電極としては膜厚40nm以下の金属電極を有する。
本発明の光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板に求められる特性としては、電極を形成し、その上に有機物の層を形成する際に、化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。
第1の電極または第2の電極の一方は通常、前記基板上に基板に接して設けられる。基板に接して設けられる電極としては、第1の電極であることが好ましい。
第1の電極は透明又は半透明な電極であり、透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料、NESA、金、白金、銀、銅が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
第2の電極としては、膜厚40nm以下の金属電極を用いる事ができる。該電極の電極材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又は、1種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる1種以上の金属との合金が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
前記第2の電極としては、金、銀、銅、白金であることが好ましく、金であることがより好ましい。
第2の電極である膜厚40nm以下の金属電極に対し、金属ナノ粒子、金属ナノロッドまたは金属プリント配線からなる金属層をさらに積層してもよく、第2の電極に対し、金属ナノ粒子、金属ナノロッドまたは金属プリント配線からなる金属層を積層することにより、第2の電極のシート抵抗が低減するため、光電変換素子の高効率化の観点から有効である。
第2の電極である膜厚40nm以下の金属電極に対し、金属ナノ粒子、金属ナノロッドまたは金属プリント配線からなる金属層を積層する場合、該金属層は第2電極の第1電極側の表面に積層してもよく、第2電極の第1電極とは反対側の表面に積層してもよい。どちらの場合でも、第2の電極のシート抵抗を低減させる効果がある。
本発明の光電変換素子において、第1の電極及び第2の電極の間に設けられる式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物含む層(A)は、光電変換機能を有する活性層や電荷の輸送性や注入性を高める機能を有する層として設けられるが、活性層であることが好ましい。
層(A)が活性層である場合、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。活性層のホール輸送性を高めるため、電子供与性化合物及び/又は電子受容性化合物として、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物以外の化合物を活性層中に混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
電子供与性化合物としては、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
電子受容性化合物としては、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バソクプロイン)等のフェナントロリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
フラーレン、フラーレン誘導体としてはC60、C70、C76、C78、C84及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。
フラーレン誘導体としては、例えば、式(15)で表される化合物、式(16)で表される化合物、式(17)で表される化合物、式(18)で表される化合物が挙げられる。
(15) (16) (17) (18)
(式(15)〜(18)中、R
aは、置換されていてもよいアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はエステル構造を有する基である。複数個あるR
aは、同一であっても相異なってもよい。R
bは置換されていてもよいアルキル基又はアリール基を表す。複数個あるR
bは、同一であっても相異なってもよい。)
Ra及びRbで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の定義及び具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及びアリール基の定義及び具体例と同じである。
Raで表される1価の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基及びイソキノリル基が挙げられる。
R
aで表されるエステル構造を有する基は、例えば、式(19)で表される基が挙げられる。
(19)
(式中、u1は、1〜6の整数を表す、u2は、0〜6の整数を表す、R
cは、置換されていてもよいアルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表す。)
Rcで表される置換されていてもよいアルキル基、アリール基及び1価の芳香族複素環基の定義及び具体例は、Raで表される置換されていてもよいアルキル基、アリール基及び1価の芳香族複素環基の定義及び具体例と同じである。
C
60フラーレンの誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
C
70フラーレンの誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
また、フラーレン誘導体の例としては、[6,6]フェニル−C61酪酸メチルエステル(C60PCBM、[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C71酪酸メチルエステル(C70PCBM、[6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester)、[6,6]フェニル−C85酪酸メチルエステル(C84PCBM、[6,6]-Phenyl C85 butyric acid methyl ester)、[6,6]チエニル−C61酪酸メチルエステル([6,6]-Thienyl C61 butyric acid methyl ester)が挙げられる。
層(A)中に式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物とフラーレン誘導体とが含まれる場合、フラーレン誘導体の量は、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物100重量部に対して、10〜1000重量部であることが好ましく、20〜500重量部であることがより好ましい。
層(A)の厚さは、通常、1nm〜100μmが好ましく、より好ましくは2nm〜1000nmであり、さらに好ましくは5nm〜500nmであり、より好ましくは20nm〜200nmである。
層(A)の製造方法は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、高分子化合物を含む溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。
本発明の光電変換素子において、第1の電極及び層(A)の間並びに/又は第2の電極及び層(A)との間に設けられる式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物含む層(B)は、電子輸送層及び/又は電子取り出し層として機能する。層(B)は、さらに、ホールブロック層として機能してもよい。
層(B)は、式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む層であり、実質的に式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物からなることが好ましい。層(B)は、式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。
層(B)の膜厚は、光電変換素子の効率の観点から、1〜20nmの範囲で製膜される事が好ましく、2〜15nmがより好ましく、3〜10nmがさらに好ましい。
<光電変換素子の製造方法>
光電変換素子の製造方法は、第1の電極と第2の電極としては膜厚40nm以下の金属電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に層(A)と、該第1の電極と該層(A)との間及び/又は該第2の電極と層(A)との間に層(B)とを有する素子の製造方法であって、好ましい製造方法は、該第1の電極上に式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して層(A)を形成する工程、該層(A)上に式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して層(B)を形成する工程、該層(B)上に第2の電極として膜厚40nm以下の金属電極を形成する工程を有する製造方法である。
光電変換素子の他の好ましい製造方法は、該第1の電極上に式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して層(B)を形成する工程、該層(B)上に式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して層(A)を形成する工程、該層(A)上に第2の電極として膜厚40nm以下の金属電極を形成する工程を有する製造方法である。
層(A)の作成方法として、溶液からの成膜に用いる溶媒は、式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、メチルナフタレン等の不飽和炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン等のハロゲン化不飽和炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル溶媒が挙げられる。式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物は、通常、前記溶媒に0.1重量%以上溶解させることができる。
溶液を用いて成膜する場合、キャップコート法、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、キャップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法、スピンコート法が好ましい。
成膜性の観点からは、25℃における溶媒の表面張力が15mN/mより大きいことが好ましく、15mN/mより大きく100mN/mよりも小さいことがより好ましく、25mN/mより大きく60mN/mよりも小さいことがさらに好ましい。
層(B)の作成方として、溶液からの製膜に用いる溶媒は、式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、たとえば、メタノール、エタノール、プロパノール、2−プロパノール等のアルコール溶媒、2,2,3,3,4,4,5,5―オクタフルオロ―1−ペンタノール等のフッ素含有のアルコール溶媒が挙げられ、溶液を用いて製膜する場合の処方としては、層(A)の場合と同様の処方を用いる事ができる。
第2電極の作成方法としては、40nm以下の電極膜を作成する為に、真空蒸着法や、金属の分散液を塗布する事で作成することができる。真空蒸着法を用いる場合には、金属のシート抵抗値を低くする為に、蒸着レートを5Å/s以下に保つ必要がある。金属の分散液を塗布する方法を用いる場合には、シート抵抗を低くする為に、塗布後に50℃以上の温度で1分以上の加熱を行う必要がある。
<素子の用途>
本発明の光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
上述の有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素の制御や、画面輝度の均一性や画面書き換え速度を制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。
<太陽電池モジュール>
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の高分子化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート(EVA)等様々な種類のプラスチック材料をフィルム又は充填樹脂の形で用いてもよい。
また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Solar Energy Materials and Solar Cells, 48,p383-391記載の「SCAF」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の式(I)で表される構成単位を有する高分子化合物としては、国際公開番号WO2013/051676A1の実施例1に記載された方法で、下記の構成単位からなる高分子化合物Aを合成し使用した。
本発明の式(II)で表される構成単位を有する高分子化合物としては、下記式で表される、1−Material社製のPFN−P2(商品番号:OS0995)を使用した。
実施例1
〔層(A)の作成〕
高分子化合物A及びフラーレンC60PCBM(フェニルC61−酪酸メチルエステル)(phenyl C61-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製)をo−ジクロロベンゼンに溶解し、インク1を製造した。高分子化合物Aの重量に対するC60PCBMの重量の比は、2であった。インク1中、高分子化合物Aの重量とC60PCBMの重量との合計は、インク1の重量に対して、1.5重量%であった。
次に、UVオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射することにより、ガラス基板上に成膜されたITO膜の表面処理を行った。この基板上に、PEDOT:PSS溶液(ヘレウス社製、商品名:Clevios P VP.AI 4083)をスピンコートにより塗布し、140℃のホットプレート上で10分加熱した。次いで、この基板上に、インク1をスピンコートにより塗布し、高分子化合物A及びC60PCBMを含む有機膜を作製した。有機膜の膜厚は、100nmであった。
〔層(B)の作成〕
次に、PFN−P2をエタノールに溶解し、インク2を製造した。インク2中、PFN−P2重量は、インク2の重量に対して、0.15重量%であった。その後、有機膜上に、インク2をスピンコートにより塗布し、PFN−P2の層を形成した。スピンコートの回転数は4000rpm、回転時間は30秒に設定した。膜厚計(小坂研究所製、商品名:ET200)を用いて測定したPFN−P2の膜厚は、5nmと見積もられた。
〔第2の電極の作成〕
1×10−5Pa〜1×10−4Paの真空中で、PFN−P2の層の上に、金を蒸着して膜厚30nmの電極を作成し、有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正方形であった。
〔特性評価〕
その後、擬似太陽光照射装置(分光計器製、商品名:CEP−2000型 分光感度測定装置)を用いて、白色光(キセノンランプ)を照射しながら、得られた有機薄膜太陽電池の電流−電圧特性を測定し、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクター(曲線因子)及び光電変換効率を求めた。白色光の光量は、標準太陽電池(分光計器製、BS−520BK)の出力を測定し、100mW/cm2(AM1.5G)に調整した。短絡電流密度は14.24mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.62であり、光電変換効率は6.02%であった。また、分光光度計(日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計JASCO−V670)の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表1に示す。
比較例1
層(B)の作成を、PFN−P2(5nm)に変えて、ZnO(40nm)を用いた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は9.18mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.63であり、光電変換効率は4.00%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は25%であった。結果を表1に示す。
比較例2
第2の電極において金の膜厚を65nmとした以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は15.62mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.67であり、光電変換効率は6.71%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は8%であった。結果を表1に示す。
表1の結果から、式(II)で示される高分子化合物を含む層(B)を用いた実施例1の場合、ZnOを用いた比較例1の場合と比較して、非常に高い光電変換効率を示した。また、第2の電極の膜厚を40nm以上とした比較例2では、500nmにおける光の透過率が極めて低い結果となった。
実施例2
層(A)の膜厚をに変え、層(B)のPFN−P2膜厚を3nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.81mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.64であり、光電変換効率は6.59%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表2に示す。
実施例3
層(A)の膜厚を115nmに変え、層(B)のPFN−P2膜厚を4nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.89mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.66であり、光電変換効率は6.81%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表2に示す。
実施例4
層(A)の膜厚を115nmに変え、層(B)のPFN−P2膜厚を7nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.71mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.66であり、光電変換効率は6.69%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表2に示す。
実施例5
層(A)の膜厚を115nmに変え、層(B)のPFN−P2膜厚を8nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.87mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.66であり、光電変換効率は6.77%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表2に示す。
実施例6
層(A)の膜厚を115nmに変え、層(B)のPFN−P2膜厚を9nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.49mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.67であり、光電変換効率は6.51%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表2に示す。
表2の結果から、層(B)の膜厚が3nm〜9nmの範囲において、光電変換特性が十分発現している事が分かる。
実施例7
層(A)の膜厚を115nmに変え、第2の電極として、金の膜厚を15nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は12.20mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.63であり、光電変換効率は5.32%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は45%であった。結果を表3に示す。
実施例8
層(A)の膜厚を115nmに変え、第2の電極として、金の膜厚を20nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は13.33mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.62であり、光電変換効率は5.73%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は40%であった。結果を表3に示す。
実施例9
層(A)の膜厚を115nmに変え、第2の電極として、金の膜厚を25nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.15mA/cm2であり、開放端電圧は0.70Vであり、フィルファクターは0.61であり、光電変換効率は6.04%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は35%であった。結果を表3に示す。
実施例10
層(A)の膜厚を115nmに変え、第2の電極として、金の膜厚を30nmに変えた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、特性評価を行ったところ、短絡電流密度は14.52mA/cm2であり、開放端電圧は0.69Vであり、フィルファクターは0.64であり、光電変換効率は6.42%であった。また、分光光度計の計測結果から、波長500nmの光の透過率は30%であった。結果を表3に示す。
表3の結果から、第2の電極の膜厚が40nm以下の範囲において、高い光電変換効率と、高い500nmの光透過率を有している事が分かる。