WO2013183549A1

WO2013183549A1 - 組成物及びそれを用いた電子素子

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Publication number: WO2013183549A1
Application number: PCT/JP2013/065124
Authority: WO
Inventors: 何以池滝; 吉村　研
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2012-06-04
Filing date: 2013-05-24
Publication date: 2013-12-12
Also published as: US20150144200A1

Abstract

第１の化合物と第２の化合物と第３の化合物とを含み、第１の化合物が式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第２の化合物が式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第３の化合物が第１の化合物及び第２の化合物とは異なる化合物であり、有機光電変換素子の活性層に用いる組成物。〔式中、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又は置換基を表す。Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子又は－Ｎ（Ｒ^５）－を表す。環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、芳香族炭素環又は複素環を表す。〕〔式中、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^３は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。Ｙ^２は、酸素原子、硫黄原子又は－Ｎ（Ｒ^５）－を表す。環Ｚ^３及び環Ｚ^４は、芳香族炭素環又は複素環を表す。〕

Description

組成物及びそれを用いた電子素子

　本発明は、組成物及びそれを用いた電子素子に関する。

　近年、新しいエネルギーとして、太陽電池を用いて発電したエネルギーが期待されている。太陽電池としては、結晶シリコン太陽電池が量産されている。しかしながら、結晶シリコン太陽電池は、その製造工程に、シリコンを高温条件で融解させる工程を含むため、製造コストが高いという課題がある。

　一方、有機薄膜太陽電池は、シリコン系太陽電池の製造工程に用いられる高温プロセスを必要とせず、塗布プロセスのみで製造できる可能性があり、低価格の太陽電池として期待されている。有機光電変換素子の一態様である有機薄膜太陽電池に用いる組成物としては、繰り返し単位（Ａ）及び繰り返し単位（Ｂ）からなる高分子化合物とフェニルＣ６１−酪酸メチルエステルからなる組成物が提案されている（特許文献１）。

国際公開第２０１１／０５２７０９号

　しかしながら、前記組成物を含む有機層を有する有機光電変換素子は、光電変換効率が必ずしも十分ではない。

　本発明は、有機光電変換素子に含まれる有機層に用いた場合に、光電変換効率が向上する組成物を提供することを目的とする。

　即ち、本発明は、以下の［１］~［１８］を提供するものである。

［１］　第１の化合物と第２の化合物と第３の化合物とを含み、第１の化合物が式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第２の化合物が式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第３の化合物が第１の化合物及び第２の化合物とは異なる化合物である組成物。

〔式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。Ｒ^５は、水素原子または置換基を表す。環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。〕

〔式中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ^３及びＲ^４は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。Ｙ^２は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。Ｒ^５は、水素原子または置換基を表す。環Ｚ^３及び環Ｚ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。〕

［２］　Ｙ^１及びＹ^２が、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す［１］に記載の組成物。

［３］　Ｒ^１及びＲ^２が、共に分岐状のアルキル基であるか、またはＲ^１及びＲ^２が、共に直鎖状のアルキル基である［１］または［２］に記載の組成物。

［４］　Ｒ^１及びＲ^２が、共に分岐状のアルキル基である［１］または［２］に記載の組成物。

［５］　Ｒ^３及びＲ^４が、共に分岐状のアルキル基であるか、またはＲ^３及びＲ^４が、共に直鎖状のアルキル基である［１］~［４］のいずれか一項に記載の組成物。

［６］　Ｒ^３及びＲ^４が、共に直鎖状のアルキル基である［１］~［４］のいずれか一項に記載の組成物。

［７］　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の炭素原子数が、それぞれ独立に、１０~１５である［１］~［６］のいずれか一項に記載の組成物。

［８］　式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物と式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物の少なくとも一方が、さらに、式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物である［１］~［７］のいずれか一項に記載の組成物。

〔式中、Ａｒ^１は、式（１）で表される構成単位及び式（２）で表される構成単位とは異なり、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基を表す。〕

［９］　Ａｒ^１が、式（３−１）で表される構成単位、式（３−２）で表される構成単位、式（３−３）で表される構成単位、式（３−４）で表される構成単位、式（３−５）で表される構成単位、式（３−６）で表される構成単位、式（３−７）で表される構成単位または式（３−８）で表される構成単位である［８］に記載の組成物。

〔式（３−１）~式（３−８）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７及びＲ^３８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４、Ｘ^２５、Ｘ^２６、Ｘ^２７、Ｘ^２８及びＸ^２９は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子またはセレン原子を表す。〕

［１０］　第３の化合物が、電子受容性化合物である［１］~［９］のいずれか一項に記載の組成物。

［１１］　電子受容性化合物が、フラーレンまたはフラーレン誘導体である［１０］に記載の組成物。

［１２］　［１］~［１１］のいずれか一項に記載の組成物を含む薄膜。

［１３］　［１］~［１１］のいずれか一項に記載の組成物と溶媒とを含む液。

［１４］　［１］~［１１］のいずれか一項に記載の組成物を含む電子素子。

［１５］　第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に［１］~［１１］のいずれか一項に記載の組成物を含有する有機光電変換素子。

［１６］　［１５］に記載の有機光電変換素子を含む太陽電池モジュール。

［１７］　［１５］に記載の有機光電変換素子を含むイメージセンサー。

［１８］　ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に［１］~［１１］のいずれか一項に記載の組成物を含有する有機薄膜トランジスタ。

　以下、本発明を詳細に説明する。

　本発明の組成物は、第１の化合物と第２の化合物と第３の化合物とを含み、第１の化合物が式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第２の化合物が式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第３の化合物が第１の化合物及び第２の化合物とは異なる化合物である。

　式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の具体例としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基、置換基を有していてもよいカルボキシ基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１~３０である。アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、３，７−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、３−ヘプチルドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基及びエイコシル基などの鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルコキシ基のアルキル部分は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常１~２０である。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基及び２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアルキルチオ基のアルキル部分は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１~２０である。置換基としては、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いたものである。アリール基の炭素原子数は、通常６~６０である。アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリール基の具体例としては、フェニル基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１~Ｃ１２アルコキシは、炭素原子数１~１２のアルコキシであることを示す。Ｃ１~Ｃ１２アルコキシは、Ｃ１~Ｃ８アルコキシが好ましく、Ｃ１~Ｃ６アルコキシがより好ましい。Ｃ１~Ｃ８アルコキシは、炭素原子数１~８のアルコキシであることを示し、Ｃ１~Ｃ６アルコキシは、炭素原子数１~６のアルコキシであることを示す。Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ、Ｃ１~Ｃ８アルコキシ及びＣ１~Ｃ６アルコキシの具体例としては、前記で説明し例示したＲ^１及びＲ^２と同じアルコキシ基が挙げられる。以下も同様である。）、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル基（Ｃ１~Ｃ１２アルキルは、炭素原子数１~１２のアルキルであることを示す。Ｃ１~Ｃ１２アルキルは、Ｃ１~Ｃ８アルキルが好ましく、Ｃ１~Ｃ６アルキルがより好ましい。Ｃ１~Ｃ８アルキルは、炭素原子数１~８のアルキルであることを示し、Ｃ１~Ｃ６アルキルは、炭素原子数１~６のアルキルであることを示す。Ｃ１~Ｃ１２アルキル、Ｃ１~Ｃ８アルキル及びＣ１~Ｃ６アルキルの具体例としては、前記アルキル基で説明し例示したＲ^１及びＲ^２と同じアルキル基が挙げられる。以下も同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールオキシ基の炭素原子数は、通常６~６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールチオ基の炭素原子数は、通常６~６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールアルキル基の炭素原子数は、通常７~６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル基及び２−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールアルコキシ基の炭素原子数は、通常７~６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ基及び２−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルコキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールアルキルチオ基の炭素原子数は、通常７~６０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルチオ基及び２−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルチオ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアシル基は、カルボン酸中の水酸基を除いたものである。アシル基の炭素原子数は、通常２~２０である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、トリフルオロアセチル基などの炭素原子数２~２０のハロゲンで置換されていてもよいアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ペンタフルオロベンゾイル基などのハロゲンで置換されていてもよいフェニルカルボニル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアシルオキシ基は、カルボン酸中の水素原子を除いたものである。アシルオキシ基の炭素原子数は、通常２~２０である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアミド基は、アミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いたものである。アミド基の炭素原子数は、通常１~２０である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるイミド基は、イミド（−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−）から窒素原子に結合した水素原子を１個除いたものである。イミド基の具体例としては、スクシンイミド基、フタルイミド基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される置換アミノ基は、アミノ基の水素原子の１個または２個が置換されたものである。置換アミノ基の置換基は、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基である。置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。置換アミノ基の炭素原子数は、通常１~４０である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルオキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１~Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１~Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１~Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルアミノ基及び２−ナフチル−Ｃ１~Ｃ１２アルキルアミノ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される置換シリル基は、シリル基の水素原子の１個、２個または３個が置換されたもので、一般に、シリル基の３個の水素原子がすべて置換されたものである。置換シリル基の置換基の具体例としては、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される置換シリルオキシ基は、上記の置換シリル基に酸素原子が結合したものである。置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される置換シリルチオ基は、上記の置換シリル基に硫黄原子が結合したものである。置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される置換シリルアミノ基は、アミノ基の水素原子の１個または２個が、上記の置換シリル基で置換されたものである。置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ（トリメチルシリル）アミノ基、ジ（トリエチルシリル）アミノ基、ジ（トリプロピルシリル）アミノ基、ジ（トリイソプロピルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）アミノ基、ジ（トリフェニルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ジ（トリベンジルシリル）アミノ基、ジ（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基及びジ（ジメチルフェニルシリル）アミノ基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される複素環基は、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β−カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジンなどの複素環式化合物から水素原子を１個除いたものである。該置換基の具体例としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。複素環基としては、芳香族複素環基が好ましい。

　Ｒ^１及びＲ^２で表される複素環オキシ基としては、上記の複素環基に酸素原子が結合した式（４）で表される基が挙げられる。
　Ｒ^１及びＲ^２で表される複素環チオ基としては、上記の複素環基に硫黄原子が結合した式（５）で表される基が挙げられる。

〔式（４）及び式（５）中、Ａｒ^２は複素環基を表す。〕

　複素環オキシ基の炭素原子数は、通常２~６０である。複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基及びチアジアゾールオキシ基が挙げられる。
　複素環チオ基の炭素原子数は、通常２~６０である。複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、Ｃ１~Ｃ１２アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基及びチアジアゾールメルカプト基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールアルケニル基の炭素原子数は、通常８~２０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるアリールアルキニル基の炭素原子数は、通常８~２０であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２で表されるカルボキシ基中の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。置換基としては、炭素原子数１~２０のアルキル基が挙げられる。カルボキシ基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びプロポキシカルボニル基が挙げられる。

　式（１）中、Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。Ｒ^５は、水素原子または置換基を表す。Ｒ^５で表される置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　式（１）中、環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。

　環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される芳香族炭素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、テトラセン環及びペンタセン環が挙げられる。芳香族炭素環は、本発明の組成物を含む光電変換素子の光電変換効率を向上させる観点から、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。

　環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される複素環の具体例としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、ジベンゾピロール環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾボロール環及びジベンゾボロール環が挙げられる。チオフェン環、ベンゾチオフェン環及びジベンゾチオフェン環中の硫黄原子は、オキソ基が結合し、環状のスルホキシドまたは環状のスルホンを形成してもよい。環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される複素環は、芳香族複素環が好ましい。芳香族複素環は、本発明の組成物を含む光電変換素子の光電変換効率を向上させる観点から、チオフェン環、フラン環及びピロール環が好ましく、チオフェン環及びフラン環がより好ましく、チオフェン環が特に好ましい。

　環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される芳香族炭素環及び複素環が有していてもよい置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　式（１）で表される構成単位の具体例としては、式（３０１）~式（３７５）で表される構成単位及び式（３０１）~式（３７５）で表される構成単位中に含まれる芳香族炭素環または複素環上の水素原子を置換基で置換した構成単位が挙げられる。

　式（３０１）~式（３７５）中、Ｒ^１及びＲ^２は、前記と同じ意味を表す。Ｒは、水素原子または置換基を表す。Ｒで表される置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　式（２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ^３及びＲ^４は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。Ｒ^３及びＲ^４で表される置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　式（２）中、Ｙ^２は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。

　式（２）中、環Ｚ^３及び環Ｚ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。環Ｚ^３及び環Ｚ^４で表される芳香族炭素環及び複素環の定義及び具体例は、環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される芳香族炭素環及び複素環の定義及び具体例と同じである。環Ｚ^３及び環Ｚ^４で表される芳香族炭素環及び複素環が有していてもよい置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　第１の化合物及び第２の化合物の有機溶媒に対する溶解性を高める観点から、環Ｚ^１及び環Ｚ^２で表される芳香族炭素環及び複素環は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基及び置換基を有していてもよいアリール基からなる群から選ばれる１種以上の置換基を有することが好ましい。

　式（２）で表される構成単位の具体例としては、式（４０１）~式（４７５）で表される構成単位及び式（４０１）~式（４７５）で表される構成単位中に含まれる芳香族炭素環または複素環上の水素原子を置換基で置換した構成単位が挙げられる。

　式（４０１）~式（４７５）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲは、前記と同じ意味を表す。

　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基及びアリールアルコキシ基が好ましく、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。
　本発明の組成物を含む有機光電変換素子の光電変換効率を向上させる観点がら、Ｒ^１及びＲ^２は分岐状のアルキル基が好ましく、Ｒ^３及びＲ^４は直鎖状のアルキル基が好ましい。

　Ｒ^１及びＲ^２が分岐状のアルキル基である式（１）で表される構成単位としては、例えば、式（１−１）~式（１−１２）で表される構成単位が挙げられる。

　Ｒ^１及びＲ^２の炭素原子数は、５~２０が好ましく、８~１６がより好ましく、１０~１５がさらに好ましい。式（１−１）~式（１−１２）で表される構成単位の中でも、式（１−２）~式（１−１０）で表される構成単位が好ましい。

　Ｒ^３及びＲ^４が直鎖状のアルキル基である式（２）で表される構成単位としては、例えば、式（２−１）~式（２−８）で表される構成単位が挙げられる。

　Ｒ^３及びＲ^４の炭素原子数は、６~２０が好ましく、８~１６がより好ましく、１０~１５がさらに好ましい。式（２−１）~式（２−８）で表される構成単位の中でも、式（２−３）~式（２−５）で表される構成単位が好ましい。

　第１の化合物及び第２の化合物は、式（１）で表される構成単位及び式（２）で表される構成単位以外の他の構成単位を有していてもよい。他の構成単位としては、例えば、式（３）で表される構成単位が挙げられる。

　式（３）中、Ａｒ^１は、式（１）で表される構成単位とは異なり、置換基を有していてもよいアリーレン基または２価の複素環基を表す。

　Ａｒ^１で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いたものである。アリーレン基の炭素原子数は、通常６~６０である。アリーレン基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基（例えば、炭素原子数１~２０）が挙げられる。
　置換基を有していてもよいアリーレン基の具体例としては、置換基を有していてもよいフェニレン基（下図の式１~３）、置換基を有していてもよいナフタレンジイル基（下図の式４~１３）、置換基を有していてもよいアントラセンジイル基（下図の式１４~１９）、置換基を有していてもよいビフェニル−ジイル基（下図の式２０~２５）、置換基を有していてもよいターフェニル−ジイル基（下図の式２６~２８）、置換基を有していてもよい縮合環化合物基（下図の式２９~３８）が挙げられる。縮合環化合物基には、フルオレン−ジイル基（下図の式３６~３８）が含まれる。

　Ａｒ^１で表される２価の複素環基は、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β−カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジンなどの複素環式化合物から水素原子を２個除いたものである。置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。該ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表されるハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基及び置換基を有していてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基が好ましい。
　２価の複素環基の具体例としては、以下の基が挙げられる。
　ヘテロ原子として窒素を含む２価の複素環基：
　置換基を有していてもよいピリジン−ジイル基（下図の式３９~４４）。
　置換基を有していてもよいジアザフェニレン基（下図の式４５~４８）。
　置換基を有していてもよいキノリンジイル基（下図の式４９~６３）。
　置換基を有していてもよいキノキサリンジイル基（下図の式６４~６８）。
　置換基を有していてもよいアクリジンジイル基（下図の式６９~７２）。
　置換基を有していてもよいビピリジルジイル基（下図の式７３~７５）。
　置換基を有していてもよいフェナントロリンジイル基（下図の式７６~７８）。
　ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含み、フルオレン構造を有する基（下図の式７９~９３）。
　ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基（下図の式９４~９８）。
　ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基（下図の式９９~１１０）。
　ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：
　該ヘテロ原子のα位で結合し、２量体やオリゴマーになっている基（下図の式１１１~１１２）。
　該ヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下図の式１１３~１１９）。
　ベンゼン環とチオフェン環が縮合した基（下図の式１２０~１２２）。

　式１~式１２２中、Ｒは前記と同じ意味を表す。

　本発明の組成物を含む有機光電変換素子の短絡電流密度を高める観点から、式（３）で表される構成単位としては、式（３−１）~式（３−８）で表される構成単位が好ましい。

　式（３−１）~式（３−８）中、Ｒ^２１~Ｒ^３８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１~Ｒ^３８で表される置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^３５は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基及び置換基を有していてもよいアルキルチオ基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアルコキシ基がより好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基が特に好ましい。第１の化合物の有機溶媒に対する溶解性を高める観点から、アルキル基としては、分岐状のアルキル基が好ましい。

　Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３７及びＲ^３８は、ハロゲン原子及び水素原子が好ましく、フッ素原子及び水素原子がより好ましい。

　Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２９及びＲ^３０は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び置換基を有していてもよいアリールアルキル基が好ましく、水素原子及び置換基を有していてもよいアリールアルキル基がより好ましい。

　Ｒ^３６は、水素原子、ハロゲン原子、アシル基及びアシルオキシ基が好ましく、アシル基及びアシルオキシ基がより好ましい。

　式（３−１）~式（３−８）中、Ｘ^２１~Ｘ^２９は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子またはセレン原子を表す。Ｘ^２１~Ｘ^２９は、硫黄原子及び酸素原子が好ましく、硫黄原子がより好ましい。

　式（３）で表される構成単位としては、式（３−１）~式（３−６）で表される構成単位がより好ましく、式（３−２）で表される構成単位が特に好ましい。式（３−２）で表される構成単位の具体例としては、式（３−２−１）~式（３−２−９）で表される構成単位が挙げられる。

　式（３−２−１）~式（３−２−９）中、Ｒ’は置換基を表す。Ｒ’で表される置換基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基の定義及び具体例と同じである。

　本発明における高分子化合物は、重量平均分子量が１０００以上の化合物を意味する。本発明の高分子化合物の重量平均分子量は、３０００~１０００００００が好ましく、８０００~５００００００がより好ましく、１００００~１００００００が特に好ましい。
　本発明の高分子化合物の重量平均分子量が３０００より小さいと、素子の作製に用いたときに、塗布性が低下することがある。また、重量平均分子量が１０００００００より大きいと、素子の作製に用いたときに、溶媒への溶解性や塗布性が低下することがある。
　本発明における高分子化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。

　第１の化合物及び第２の化合物は、素子作製の容易さから、溶媒への溶解度が高いことが望ましい。具体的には、本発明の高分子化合物が、該高分子化合物を０．０１重量％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することが好ましく、０．１重量％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがより好ましく、０．４重量％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがさらに好ましい。

　式（１）で表される構成単位と式（３）で表される構成単位からなる高分子化合物、及び式（２）で表される構成単位と式（３）で表される構成単位からなる高分子化合物の製造方法は、特に制限されるものではないが、高分子化合物の合成の容易さからは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応やＳｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法が好ましい。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（１００）：
　Ｑ^１００−Ｅ^１−Ｑ^２００　　　　（１００）
〔式中、Ｅ^１は、式（３）で表される構成単位を表す。Ｑ^１００及びＱ^２００は、それぞれ独立に、ジヒドロキシボリル基［−Ｂ（ＯＨ）_２］またはホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、式（２００）：
　Ｔ^１−Ｅ^２−Ｔ^２　　　　（２００）
〔式中、Ｅ^２は、式（１）で表される構成単位または式（２）で表される構成単位を表す。Ｔ^１及びＴ^２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子またはスルホン酸残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。Ｅ^１としては、式（３−１）~式（３−８）で表される構成単位が好ましい。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる場合、反応に用いる式（２００）で表わされる２種類以上の化合物のモル数の合計が、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計を１モルとすると、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が０．６~０．９９モルであることが好ましく、０．７~０．９５モルであることがさらに好ましい。

　ホウ酸エステル残基とは、ホウ酸ジエステルから水酸基を除去した基を意味し、ジアルキルエステル残基、ジアリールエステル残基、ジ（アリールアルキル）エステル残基などが挙げられる。ホウ酸エステル残基の具体例としては、下記式：

（式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。）
で表される基等が例示される。

　式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子及びヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。

　式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるスルホン酸残基とは、スルホン酸（−ＳＯ_３Ｈ）から酸性水素を除いた原子団を意味し、具体例としては、アルキルスルホネート基（例えば、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基）、アリールスルホネート基（例えば、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基）、アリールアルキルスルホネート基（例えば、ベンジルスルホネート基）及びトリフルオロメタンスルホネート基が挙げられる。

　具体的には、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う方法としては、任意の溶媒中において、触媒としてパラジウム触媒を用い、塩基の存在下で反応させる方法等が挙げられる。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒が挙げられ、具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
　パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル~０．５モル、好ましくは０．０００３モル~０．１モルである。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加することができる。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル~１００モルであり、好ましくは０．９モル~２０モル、さらに好ましくは１モル~１０モルである。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用する塩基としては、無機塩基、有機塩基及び無機塩が挙げられる。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンが挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。
　塩基の添加量は、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．５モル~１００モル、好ましくは０．９モル~２０モル、さらに好ましくは１モル~１０モルである。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが例示される。本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基は、水溶液として加え、２相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、水溶液として加えて反応させる。
　なお、塩基を水溶液として加え、２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０~１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点からは、６０~１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間~２００時間程度である。１時間~３０時間程度が効率的で好ましい。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（１００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。

　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（３００）：
　Ｑ^３００−Ｅ^３−Ｑ^４００　　　　（３００）
〔式中、Ｅ^３は、式（３）で表される構成単位を表す。Ｑ^３００及びＱ^４００は、それぞれ独立に、置換スタンニル基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、前記式（２００）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。Ｅ^３は、式（３−１）~式（３−８）で表される構成単位が好ましい。

　置換スタンニル基としては、−ＳｎＲ^１００ _３で表される基等が挙げられる。ここでＲ^１００は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基などが挙げられる。
　該アルキル基の炭素原子数は通常１~３０であり、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。置換スタンニル基として好ましくは−ＳｎＭｅ_３、−ＳｎＥｔ_３、−ＳｎＢｕ_３、−ＳｎＰｈ_３であり、さらに好ましくは−ＳｎＭｅ_３、−ＳｎＥｔ_３、−ＳｎＢｕ_３である。上記好ましい例において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。

　式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子及びヨウ素原子が好ましい。

　式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。

　具体的には、触媒として、例えば、パラジウム触媒下で任意の溶媒中で反応する方法が挙げられる。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒が挙げられる。具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（３００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル~０．５モル、好ましくは０．０００３モル~０．２モルである。

　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応において、必要に応じて配位子や助触媒を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−フリル）ホスフィン等のリン化合物やトリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。助触媒としてはヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、２−テノイル酸銅（Ｉ）などが挙げられる。
　配位子または助触媒を用いる場合、配位子または助触媒の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル~１００モルであり、好ましくは０．９モル~２０モル、さらに好ましくは１モル~１０モルである。

　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン及びテトラヒドロフランが好ましい。

　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０~１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０~１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
　前記反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間~２００時間程度である。１時間~３０時間程度が効率的で好ましい。

　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（３００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、パラジウム触媒を仕込み、さらに、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、必要に応じて配位子や助触媒を加え、その後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。

　第１の化合物及び第２の化合物のポリスチレン換算の数平均分子量としては、１×１０^３~１×１０^８が好ましい。ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^８以下である場合には、該化合物の溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。
　第１の化合物及び第２の化合物のポリスチレン換算の数平均分子量としては、３０００以上が好ましい。

　第１の化合物及び第２の化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子（例えば、光電変換素子）の作製に用いたときに、該素子の特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。末端基としては、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましい。また、例えば、ビニレン基を介してアリール基または複素環基と結合している構造であってもよい。

　第１の化合物及び第２の化合物の原料となるモノマーのうち、Ｙ^１及びＹ^２が酸素原子であるものは、例えば、国際公開第２０１１／０５２７０９号の記載に従って合成することができる。

　第１の化合物の原料となるモノマーのうち、Ｙ^１が−Ｃ（＝Ｏ）−である式（Ａ−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｂ−１）で表される化合物の臭素化によって得ることができる。
〔式（Ａ−１）及び（Ｂ−１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、前記と同じ意味を表す。〕

　第２の化合物の原料となるモノマーのうち、Ｙ^２が−Ｃ（＝Ｏ）−である式（Ａ−２）で表される化合物は、例えば、式（Ｂ−２）で表される化合物の臭素化によって得ることができる。

〔式（Ａ−２）及び（Ｂ−２）中、Ｒ^３及びＲ^４は、前記と同じ意味を表す。ただし、Ｒ^３及びＲ^４は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。〕

　臭素化には、公知の方法を用いることができる。臭素化の方法としては、例えば、無溶媒で、または溶媒中で、臭素化剤を用いて臭素化する方法が挙げられる。
　溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素などが挙げられる。
　臭素化剤としては、臭素、Ｎ−ブロモスクシンイミド（以下、ＮＢＳと呼称することもある）、四塩化炭素、臭化水素酸などが挙げられる。これらの臭素化剤を複数組み合わせて使用することも可能である。臭素化剤の使用量は、式（Ｂ−１）または式（Ｂ−２）で表される化合物のモル数に対して、通常２~１０００００当量である。
　また、臭素化の際に、臭素化を促進するための触媒を共存させることも可能である。触媒としては、鉄、コバルト、ニッケル、銅などの金属、ハロゲン化鉄、ハロゲン化コバルト、ハロゲン化ニッケル、ハロゲン化銅などのハロゲン化金属、ベンゾイルパーオキシド、アゾイソブチロニトリルなどのラジカル発生剤などが挙げられる。触媒としては、金属、ハロゲン化金属が好ましく、鉄、臭化鉄がさらに好ましい。触媒の使用量は、通常、式（Ｂ−１）または式（Ｂ−２）で表される化合物のモル数に対して、０．００１~１０当量であり、０．０１~１当量が好ましい。反応温度は、通常、−５０~２００℃であり、０~１５０℃が好ましい。
　反応後（例えば、水を加えて反応を停止した後）、生成物を有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなどの通常の後処理を行うことによって、式（Ａ−１）または式（Ａ−２）で表される化合物を得ることができる。生成物は、クロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法によって、単離及び精製することができる。

　式（Ｂ−１）で表される化合物は、式（Ｃ−１）で表される化合物と酸との反応によって得ることができる。式（Ｂ−２）で表される化合物は、式（Ｃ−２）で表される化合物と酸との反応によって得ることができる。

〔式（Ｃ−１）~（Ｃ−２）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、前記と同じ意味を表す。ただし、Ｒ^３及びＲ^４は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。〕

　酸としては、ルイス酸、ブレンステッド酸のいずれを用いてもよい。酸の具体例としては、塩酸、臭素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、安息香酸、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、塩化アルミニウム、塩化スズ（ＩＶ）、塩化ケイ素（ＩＶ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、四塩化チタン、塩化亜鉛、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸及びこれらの混合物などが挙げられる。

　式（Ｃ−１）または（Ｃ−２）で表される化合物と酸との反応は、酸のみの存在下で行ってもよく、酸と溶媒の存在下で行ってもよい。反応温度は、特に制限されないが、−８０℃~溶媒の沸点の範囲内の温度が好ましい。
　溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、塩酸、臭素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸などの無機酸などが挙げられる。該溶媒は、単一で用いてもよく、混合して用いてもよい。
　反応後（例えば、水を加えて反応を停止した後）、生成物を有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなどの通常の後処理を行うことによって、式（Ｂ−１）または式（Ｂ−２）で表される化合物を得ることができる。必要に応じて、さらに、クロマトグラフィーによる分取や再結晶などの精製を行ってもよい。

　式（Ｃ−１）または式（Ｃ−２）で表される化合物は、アルキルリチウム試薬またはグリニヤ試薬と、化合物１との反応によって得ることができる。

　アルキルリチウム試薬としては、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ブチルリチウム、ヘキシルリチウム、２−エチルヘキシルリチウム、３，７−ジメチルオクチルリチウム、３，７，１１−トリメチルドデシルリチウム、３−ヘプチルデシルリチウム、ドデシルリチウム、ペンタデシルリチウム、ヘキサデシルリチウム、フェニルリチウム、ナフチルリチウム、ベンジルリチウム、トリルリチウムなどが挙げられる。

　グリニヤ試薬としては、メチルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、エチルマグネシウムブロマイド、プロピルマグネシウムクロライド、プロピルマグネシウムブロマイド、ブチルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシウムブロマイド、ヘキシルマグネシウムクロライド、ヘキシルマグネシウムブロマイド、２−エチルヘキシルマグネシウムクロライド、２−エチルヘキシルマグネシウムブロマイド、３，７−ジメチルオクチルクロライド、３，７−ジメチルオクチルブロマイド、３，７，１１−トリメチルドデシルブロマイド、３−ヘプチルデシルブロマイド、オクチルマグネシウムブロマイド、デシルマグネシウムブロマイド、ドデシルブロマイド、ペンタデシルブロマイド、ヘキサデシルブロマイド、アリルマグネシウムクロライド、アリルマグネシウムブロマイド、ベンジルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウムブロマイド、ナフチルマグネシウムブロマイド、トリルマグネシウムブロマイドなどが挙げられる。

　アルキルリチウム試薬またはグリニヤ試薬と化合物１との反応は、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、溶媒の存在下で行ってもよい。反応温度は、特に制限されないが、−８０℃~溶媒の沸点の範囲内の温度が好ましい。

　アルキルリチウム試薬またはグリニヤ試薬と化合物１との反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類などが挙げられる。該溶媒は、単一で用いてもよく、混合して用いてもよい。
　反応後（例えば、水を加えて反応を停止した後）、生成物を有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなどの通常の後処理を行うことによって、式（Ｃ−１）または式（Ｃ−２）で表される化合物を含有する混合物を得ることができる。必要に応じて、さらに、クロマトグラフィーによる分取や再結晶などの精製を行ってもよい。

　本発明の組成物は、第３の化合物を含む。第３の化合物としては、電子受容性化合物及び電子供与性化合物が挙げられ、電子受容性化合物が好ましい。第３の化合物が、電子受容性化合物であるか電子供与性化合物であるかは、本発明の組成物に含まれる化合物のエネルギー準位から相対的に決定される。

　電子受容性化合物の具体例としては、フラーレン及びその誘導体、炭素材料、酸化チタンなどの金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、ペリレン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン）などのフェナントロリン誘導体が挙げられる。電子受容性化合物としては、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン及びその誘導体が好ましく、フラーレン及びその誘導体が特に好ましい。
　フラーレン及びその誘導体としては、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８４及びそれらの誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、フラーレンの少なくとも一部が修飾されたものである。

　フラーレン誘導体としては、例えば、式（６）で表される化合物、式（７）で表される化合物、式（８）で表される化合物及び式（９）で表される化合物が挙げられる。

〔式（６）~（９）中、Ｒ^ａは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、複素環基またはエステル構造を有する基を表す。複数個あるＲ^ａは、同一であっても相異なっていてもよい。Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよいアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を表す。複数個あるＲ^ｂは、同一であっても相異なっていてもよい。〕

　Ｒ^ａ及びＲ^ｂで表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例と同じである。

　Ｒ^ａで表されるエステル構造を有する基としては、例えば、式（１０）で表される基が挙げられる。

〔式中、ｕ１は、１~６の整数を表す、ｕ２は、０~６の整数を表す、Ｒ^ｃは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または複素環基を表す。〕

　Ｒ^ｃで表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例は、Ｒ^１及びＲ^２で表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び複素環基の定義及び具体例と同じである。

　Ｃ_６０フラーレンの誘導体としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。

　Ｃ_７０フラーレンの誘導体としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。

　フラーレン誘導体の具体例としては、［６，６］フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ７１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ８５　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］チエニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］−Ｔｈｉｅｎｙｌ　Ｃ６１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

　本発明の組成物としては、第１の化合物、第２の化合物及び第３の化合物以外の化合物を含有していてもよい。該化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。

　本発明の組成物中に含まれる第１の化合物の量は、４~４０重量％が好ましく、１０~２０重量％がさらに好ましい。本発明の組成物中に含まれる第２の化合物の量は、４~４０重量％が好ましく、１０~２０重量％がさらに好ましい。本発明の組成物中に含まれる第３の化合物の量は、５０~８０重量％が好ましく、６０~７５重量％がさらに好ましい。
　本発明の組成物中の第１の化合物の重量と第２の化合物の重量との合計に対する第３の化合物の重量の比は、１．０~４．０が好ましく、２．０~３．０がより好ましい。
　本発明の組成物中の第１の化合物の重量に対する第２の化合物の重量の比は、０．２５~４．０が好ましく、０．６７~１．５がより好ましい。

　第１の化合物が式（１）で表される構成単位と式（３）で表される構成単位からなる場合、第１の化合物に含まれる式（１）で表される構成単位の数は、式（１）で表される構成単位の数と式（３）で表される構成単位の数の合計に対し、３０~７０％が好ましい。　第２の化合物が式（２）で表される構成単位と式（３）で表される構成単位からなる場合、第２の化合物に含まれる式（２）で表される構成単位の数は、式（２）で表される構成単位の数と式（３）で表される構成単位の数の合計に対し、３０~７０％が好ましい。

　本発明の組成物を含む有機光電変換素子の光電変換効率を向上させる観点から、第１の化合物の光吸収末端波長及び第２の化合物の光吸収末端波長が、共に７００ｎｍ以上であることが好ましく、８００ｎｍ以上であることがより好ましく、９００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
　本発明における光吸収末端波長とは、以下の方法で求めた値のことを意味する。
　第１の化合物または第２の化合物を含む薄膜の吸収スペクトルの測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計（例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０）を用いる。ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０を用いる場合、３００~２０００ｎｍの波長範囲で測定することができる。
　まず、基板（例えば、石英基板、ガラス基板）の上に、第１の化合物もしくは第２の化合物を含む溶液、または第１の化合物もしくは第２の化合物を含む溶融体から、第１の化合物または第２の化合物を含む薄膜を形成する。次いで、該基板の吸収スペクトル及び該薄膜と該基板との積層体の吸収スペクトルを測定する。該薄膜の吸収スペクトルは、該積層体の吸収スペクトルから該基板の吸収スペクトルを差し引いたものである。
　該薄膜の吸収スペクトルの縦軸は、第１の化合物または第２の化合物の吸光度を示し、横軸は波長を示す。最大吸光度が０．３~２程度になるように、該薄膜の膜厚を調整することが望ましい。
　該薄膜の吸収スペクトルにおいて、最も長波長側の吸収ピークよりも長波長側にあり、吸光度が該吸収ピークの吸光度の５０％となる点をＰ１、２５％となる点をＰ２、１０％となる点をＰ３とする。さらに、Ｐ３から１００ｎｍ長波長側の点をＰ４、第３の点から１５０ｎｍ長波長側の点をＰ５とする。
　光吸収末端波長とは、Ｐ１とＰ２とを結ぶ直線と、基準線との交点の波長のことを意味する。基準線とは、Ｐ４とＰ５とを結んだ直線のことを意味する。

　本発明の組成物は、高い電子及び／又はホール輸送性を発揮し得るため、該組成物を有する素子は、電極から注入された電子やホール、あるいは光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を生かして、有機光電変換素子、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子などの種々の電子素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個別に説明する。

＜有機光電変換素子＞
　本発明の組成物を有する有機光電変換素子は、一対の電極間に、本発明の組成物を含む１層以上の活性層を有する。
　本発明の組成物を有する有機光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極と、本発明の組成物を含む活性層とを有する。

　本発明の組成物を有する有機光電変換素子は、通常、基板上に形成される。該基板は、電極を形成し、その上に有機物の層を形成する際に、化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い側の電極）が透明または半透明であることが好ましい。

　本発明の組成物を有する有機光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に、本発明の組成物を含む第１の活性層と、該第１の活性層に隣接する第２の活性層を含む光電変換素子である。

　透明または半透明の電極としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜などが挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイドなどからなる導電性材料から作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅などの膜が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズの膜が好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。
　電極材料としては、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

　一方の電極は、透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、金属、導電性高分子などを用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、これら２種以上の金属の合金、これらのうち１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金及びカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

　光電変換効率を向上させるための手段として、活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層に用いられる材料としては、例えば、フッ化リチウムなどのアルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタンなどの酸化物、ＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）などが挙げられる。

　＜活性層＞
　活性層としては、本発明の組成物からなる薄膜が好ましい。
　活性層の厚さは、通常１ｎｍ~１００μｍである。活性層の厚さとしては、２ｎｍ~１０００ｎｍが好ましく、５ｎｍ~５００ｎｍがより好ましく、２０ｎｍ~２００ｎｍがさらに好ましい。

　前記活性層は、いかなる方法で製造してもよい。例えば、本発明の組成物を含む液を塗布する方法などが挙げられる。

＜有機光電変換素子の製造方法＞
　有機光電変換素子の好ましい製造方法は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有する素子の製造方法であって、該第１の電極上に本発明の組成物と溶媒とを含む液（インク）を塗布して活性層を形成する工程、及び該活性層上に第２の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。

　本発明の組成物を溶解させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンなどの炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどのエーテル溶媒が挙げられる。本発明の組成物は、通常、前記溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

　本発明の組成物と溶媒とを含む液（インク）の塗布方法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法などの方法を用いることができる。該組成物と溶媒とを含む液（インク）の塗布方法としては、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法、スピンコート法が好ましい。
　成膜性の観点から、２５℃における溶媒の表面張力は、１５ｍＮ／ｍより大きいことが好ましく、１５ｍＮ／ｍより大きく１００ｍＮ／ｍよりも小さいことがより好ましく、２５ｍＮ／ｍより大きく６０ｍＮ／ｍよりも小さいことがさらに好ましい。

　＜有機トランジスタ＞
　本発明の組成物は、有機薄膜トランジスタに用いることもできる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層（活性層）と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられる。このような有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型、静電誘導型などが挙げられる。

　電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、及び有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層（活性層）に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本発明の組成物を含む薄膜によって構成される。

　静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、及び電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいても、有機半導体層が、本発明の組成物を含む薄膜によって構成される。

＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
　本発明の組成物は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に用いることもできる。有機ＥＬ素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機ＥＬ素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に本発明の組成物が含まれる。発光層は、本発明の組成物の他にも、電荷輸送材料（電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味する）を含んでいてもよい。有機ＥＬ素子としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子などが挙げられる。

　＜素子の用途＞
　本発明の組成物を有する有機光電変換素子は、透明または半透明の電極側から太陽光などの光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより、有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。

　また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明または半透明の電極側から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより、有機イメージセンサーとして用いることもできる。
　前記の有機薄膜トランジスタは、例えば、電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの画素の制御、画面輝度の均一性や画面書き換え速度を制御するために用いられる画素駆動素子などに用いることができる。

　＜太陽電池モジュール＞
　有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミックなどの支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラスなどで覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造などが知られている。本発明の組成物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も、使用目的や使用場所及び環境により、これらのモジュール構造を適宜選択することができる。

　代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側または両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リードもしくはフレキシブル配線などによって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力が外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）など、様々な種類のプラスチック材料をフィルムまたは充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、または上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
　ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ，４８，ｐ３８３−３９１に記載の「ＳＣＡＦ」とよばれるモジュール構造とすることもできる。さらに、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は、曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
　本発明の組成物を含む有機層を有する有機光電変換素子は、光電変換効率が高いため、太陽電池モジュール、イメージセンサー、有機薄膜トランジスタなどに好適に使用し得る。

　以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

合成例１
（化合物３の合成）

　フラスコ内の空気をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、国際公開第２０１１／０５２７０９号の実施例２９に記載された方法により合成した化合物２を２．００ｇ（３．７７ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフランを１００ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を−７８℃に保ち、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液５．８９ｍＬ（９．４２ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。滴下後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で２時間攪拌した。その後、フラスコを−７８℃に冷却し、反応液にトリブチルスズクロリドを３．３７ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）加えた。添加後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で３時間攪拌した。その後、反応液に水２００ｍｌを加えて反応を停止させ、酢酸エチルを加えて反応生成物を含む有機層を抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過後、濾液をエバポレーターで濃縮し、溶媒を留去した。得られたオイル状の物質を展開溶媒がヘキサンであるシリカゲルカラムで精製した。シリカゲルカラムのシリカゲルには、あらかじめ１０重量％のトリエチルアミンを含むヘキサンに５分間浸させ、その後、ヘキサンで濯いだシリカゲルを用いた。精製後、化合物３を３．５５ｇ（３．２０ｍｍｏｌ）得た。

合成例２
（高分子化合物Ａの合成）

　フラスコ内の空気をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物３を３２０ｍｇ（０．２８９ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１１／０５２７０９号の参考例１４に記載された方法により合成した化合物４を１００ｍｇ（０．３０３ｍｍｏｌ）、トルエンを２２ｍｌ入れて均一な溶液とした。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。その後、トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを４．１６ｍｇ（０．００４５ｍｍｏｌ）、トリス（２−トルイル）ホスフィンを８．３０ｍｇ（０．０２７ｍｍｏｌ）加え、１００℃で６時間攪拌した。その後、反応液にフェニルトリメチルスズを８８．６ｍｇ加え、さらに５時間攪拌した。その後、反応液にフェニルブロミドを５００ｍｇ加え、さらに５時間攪拌した。その後、フラスコを２５℃に冷却し、反応液をメタノール５００ｍＬに注いだ。析出したポリマーを濾過して集め、得られたポリマーを、円筒濾紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ５時間抽出した。円筒濾紙内に残ったポリマーを、ｏ−ジクロロベンゼン１５ｍＬに溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム０．３１ｇと水３ｍＬとを加え、８時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、次いで、３重量％の酢酸水溶液５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、水５０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼン２０ｍＬに再度溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーを濾過後、乾燥させ、精製された重合体１７４ｍｇを得た。以下、この重合体を高分子化合物Ａと呼称する。

合成例３
（高分子化合物Ｂの合成）

　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、国際公開第２０１１／０５２７０９号の実施例５３に記載された方法により合成した化合物５を５００ｍｇ（０．４７５ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１１／０５２７０９号の参考例１４に記載された方法により合成した化合物４を１４１ｍｇ（０．４２７ｍｍｏｌ）、トルエンを３２ｍｌ入れて均一な溶液とした。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。その後、トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを６．５２ｍｇ（０．００７ｍｍｏｌ）、トリス（２−トルイル）ホスフィンを１３．０ｍｇ加え、１００℃で６時間攪拌した。その後、反応液にフェニルブロミドを５００ｍｇ加え、さらに５時間攪拌した。その後、フラスコを２５℃に冷却し、反応液をメタノール３００ｍＬに注いだ。析出したポリマーを濾過して集め、得られたポリマーを、円筒濾紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ５時間抽出した。円筒濾紙内に残ったポリマーを、トルエン１００ｍＬに溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水４０ｍＬとを加え、８時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、次いで、３重量％の酢酸水溶液５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、水５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、５重量％フッ化カリウム水溶液５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、水５０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼン５０ｍＬに再度溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーを濾過後、乾燥させ、精製された重合体１８５ｍｇを得た。以下、この重合体を高分子化合物Ｂと呼称する。

合成例４
（化合物６の合成）

　１００ｍＬ三口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物１（０．４ｇ，１．８ｍｍｏｌ）および乾燥ＴＨＦ（５．４ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、ｎ−ペンタデシルマグネシウムブロミド−ＴＨＦ溶液（１０．９ｍＬ，５．４ｍｍｏｌ）を同温で加え、２時間攪拌した。続いて、水（１０ｍＬ）を加えることで反応を終了させ、反応溶液をクロロホルムで２回抽出した。得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液で２回、飽和食塩水で１回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物６を得た。化合物６の得量は５１２ｍｇ、収率は３４％であった。
　１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＯ（ＣＤ３）２）：δ（ｐｐｍ）＝７．２５（ｄ，２Ｈ），７．２０（ｄ、２Ｈ）、３．８３（ｓ，２Ｈ），２．０−１．０（ｍ、５６Ｈ）、０．９３（ｔ、６Ｈ）。

合成例５
（化合物７の合成）

　１００ｍＬ三口フラスコ内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物６（０．５ｇ、０．７７ｍｍｏｌ）、酢酸（４０ｍＬ）およびトリフルオロ酢酸（２０ｍＬ）を加え、８０℃で１時間加熱した。反応終了後、反応溶液を水３００ｍＬに注ぎ、トルエンで２回抽出した。得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、化合物７を得た。化合物７の得量は４５１ｍｇ、収率は９３％であった。同様の方法により、化合物７をさらに合成した。
　１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４４（ｄ，１Ｈ），７．３４（ｄ，１Ｈ），７．０５（ｄ，１Ｈ），６．９８（ｄ，１Ｈ），２．１６（ｍ，２Ｈ），１．７２（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｍ，５２Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）。

合成例６
（化合物８の合成）

　１００ｍＬ三口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物７（０．８８７ｇ，１．４ｍｍｏｌ）、乾燥ＤＭＦ（１４０ｍＬ）およびＮ−ブロモ琥珀酸イミド（５５４ｍｇ，３．１１ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で４時間加熱した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却した後、水（２００ｍｌ）を加え、トルエン（５０ｍＬ）で２回抽出した。得られた有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）、飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。中圧分取カラムで精製することで化合物８を得た。化合物８の得量は１．０２ｇ，収率は９３％であった。
　１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４０（ｓ，１Ｈ），６．９５（ｓ，１Ｈ），２．１６（ｍ，２Ｈ），１．７２（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｍ，５２Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）。

合成例７
（高分子化合物Ｃの合成）

　１００ｍＬ四口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物８（４７１ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）および乾燥ＴＨＦ（１１ｍＬ）を加え、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２７．５ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（３４．８ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）、３Ｍリン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。この反応溶液に対して、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気した化合物９（２１１．９ｍｇ，０．５４６ｍｍｏｌ）の乾燥クロロベンゼン（１１．４ｍＬ）溶液を５分間かけて８０℃で滴下し、８０℃で３時間攪拌した。この反応溶液に対して、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気したフェニルボロン酸（７３．２ｍｇの乾燥ＴＨＦ（７ｍＬ）溶液を加え、８０℃で２時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．７ｇ）および水（１５ｇ）を加え、さらに８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液中の水層を除去後、有機層を水（２０ｇ）で１回、１０ｗｔ％酢酸水溶液（２０ｇ）で２回、水（２０ｇ）で１回洗浄した後、アセトン（４００ｍＬ）により再沈殿させた。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、メタノールにより再沈殿することで、高分子化合物Ｃを２６１ｍｇ得た。なお、高分子化合物Ｃを含む有機薄膜のイオン化ポテンシャルは５．６ｅＶであった

合成例８
（化合物１０の合成）

　１００ｍＬ三口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物１（５ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）および乾燥ＴＨＦ（３００ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、ｎ−ドデシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（９０．８ｍＬ、９０．８ｍｍｏｌ）を同温で加え、２．５時間攪拌した。続いて、水（３０ｍＬ）を加えることで反応を終了させ、さらに酢酸１０ｍＬを加え、反応溶液をクロロホルムで２回抽出した。得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液で２回、飽和食塩水で１回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物１０を得た。化合物１０の得量は８．５ｇ、収率は６７％であった。

合成例９
（化合物１１の合成）

　１００ｍＬ三口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物１０（８．５ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、酢酸（２００ｍＬ）およびトリフルオロ酢酸（５０ｍＬ）を加え、８０℃で１時間加熱した。反応終了後、反応溶液を水２００ｍＬに注ぎ、トルエンで２回抽出した。得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、化合物１１を得た。化合物１１の得量は６．２８ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）、収率は７６％であった。
　１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４４（ｄ，１Ｈ），７．３４（ｄ，１Ｈ），７．０５（ｄ，１Ｈ），６．９８（ｄ，１Ｈ），２．１６（ｍ，２Ｈ），１．７２（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｍ，４０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）。

合成例１０
（化合物１２の合成）

　５００ｍＬ三口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物１１（６．２８ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、クロロホルム（１００ｍＬ）、酢酸（１００ｍＬ）およびＮ−ブロモ琥珀酸イミド（４．５３ｇ，２５．４ｍｍｏｌ）を加え、６５℃で１時間加熱した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却した後、水（３００ｍｌ）を加え、クロロホルム（１００ｍＬ）で２回抽出した。得られた有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）、飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。ヘキサン／クロロホルム混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝８：１（ｖｏｌ／ｖｏｌ））を溶出溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物１２を得た。化合物１２の得量は６．７４ｇ、収率は８３％であった。
　１Ｈ−ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４０（ｓ，１Ｈ），６．９５（ｓ，１Ｈ），２．１６（ｍ，２Ｈ），１．７２（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｍ，４０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）。

合成例１１
（高分子化合物Ｄの合成）

　１００ｍＬ四口フラスコ内の気体を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物１２（２００ｍｇ，０．５１５ｍｍｏｌ）および乾燥ＴＨＦ（１４ｍＬ）を加え、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２３．６ｍｇ，０．０２５８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（２９．９ｍｇ，０．１０３ｍｍｏｌ）、３Ｍリン酸カリウム水溶液（２ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。この反応溶液に対して、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気した化合物９（３６１ｍｇ，０．５１５ｍｍｏｌ）の乾燥クロロベンゼン（１４ｍＬ）溶液を５分間かけて８０℃で滴下し、８０℃で３時間攪拌した。この反応溶液に対して、３０分間アルゴンガスバブリングによって脱気したフェニルボロン酸（４０ｍｇ）の乾燥ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液を加え、８０℃で２時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．７ｇ）および水（１５ｇ）を加え、さらに８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液中の水層を除去後、有機層を水（２０ｇ）で１回、１０ｗｔ％酢酸水溶液（２０ｇ）で２回、水（２０ｇ）で１回洗浄した後、アセトン（３００ｍＬ）により再沈殿させた。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、メタノールにより再沈殿することで、高分子化合物Ｄを２８３ｍｇ得た。なお、高分子化合物Ｄを含む有機薄膜のイオン化ポテンシャルは５．６ｅＶであった。

実施例１
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　スパッタ法によりＩＴＯ膜を１５０ｎｍの厚みで付けたガラス基板に、ＵＶオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射することで、表面処理を行った。次に、高分子化合物Ａ、高分子化合物Ｂ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル、フロンティアカーボン社製）を、高分子化合物Ａの重量に対する高分子化合物Ｂの重量比が１、高分子化合物Ａと高分子化合物Ｂとの混合物の重量に対するＣ６０ＰＣＢＭの重量比が２となるよう、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、インク１を製造した。インク１中、高分子化合物Ａの重量と高分子化合物Ｂの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量との合計は、インク１の重量に対して１．５重量％であった。該インク１を用い、スピンコートによりガラス基板のＩＴＯ膜上に塗布して、高分子化合物Ａ、高分子化合物Ｂ及びＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜を作製した。該有機膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。該有機膜の光吸収末端波長を測定したところ、８８０ｎｍであった。その後、該有機膜上に、スピンコートによりチタン（ＩＶ）イソプロポキシドを含む液（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を塗布して酸化チタン膜を形成した。次いで、該酸化チタン膜上にＡｌを厚さ約１００ｎｍで蒸着し、有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラーシミュレーター（分光計器製、商品名ＣＥＰ−２０００：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクター（曲線因子）を求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１３．６ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．７１Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター）は０．６５であり、光電変換効率（η）は６．３％であった。

比較例１
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　スパッタ法によりＩＴＯ膜を１５０ｎｍの厚みで付けたガラス基板に、ＵＶオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射することで、表面処理を行った。次に、高分子化合物Ａ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル、フロンティアカーボン社製）を、高分子化合物Ａの重量に対するＣ６０ＰＣＢＭの重量比が２となるよう、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、インク２を製造した。インク２中、高分子化合物Ａの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量との合計は、インク２の重量に対して１．５重量％であった。該インク２を用い、スピンコートによりガラス基板のＩＴＯ膜上に塗布して、高分子化合物Ａ及びＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜を作製した。該有機膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。該有機膜の光吸収末端波長を測定したところ、８８０ｎｍであった。その後、該有機膜上に、スピンコートによりチタン（ＩＶ）イソプロポキシドを含む液（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を塗布して酸化チタン膜を形成した。次いで、該酸化チタン膜上にＡｌを厚さ約１００ｎｍで蒸着し、有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラーシミュレーター（分光計器製、商品名ＣＥＰ−２０００：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクター（曲線因子）を求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１０．５ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．６９Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター）は０．６５であり、光電変換効率（η）は４．７％であった。

比較例２
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　比較例１において、高分子化合物Ａの代わりに高分子化合物Ｂを用いた以外は同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクターを求めた。高分子化合物Ｂ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜の光吸収末端波長は８９０ｎｍであった。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１３．８ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．７２Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター（曲線因子））は０．５８であり、光電変換効率（η）は５．８％であった。

実施例２
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　スパッタ法によりＩＴＯ膜を１５０ｎｍの厚みで付けたガラス基板に、ＵＶオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射することで、表面処理を行った。次に、高分子化合物Ｃ、高分子化合物Ｄ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル、フロンティアカーボン社製）を、高分子化合物Ｃの重量に対する高分子化合物Ｄの重量比が１、高分子化合物Ｃと高分子化合物Ｄとの混合物の重量に対するＣ６０ＰＣＢＭの重量比が２．５となるよう、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、インク３を製造した。インク３中、高分子化合物Ｃの重量と高分子化合物Ｄの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量との合計は、インク３の重量に対して１．７５重量％であった。該インク３を用い、スピンコートによりガラス基板のＩＴＯ膜上に塗布して、高分子化合物Ｃ、高分子化合物Ｄ及びＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜を作製した。該有機膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。該有機膜の光吸収末端波長を測定したところ、７４０ｎｍであった。その後、該有機膜上に、スピンコートによりチタン（ＩＶ）イソプロポキシドを含む液（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を塗布して酸化チタン膜を形成した。次いで、該酸化チタン膜上にＡｌを厚さ約１００ｎｍで蒸着し、有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラーシミュレーター（分光計器製、商品名ＣＥＰ−２０００：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクター（曲線因子）を求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は９．９ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は１．０８Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター）は０．６３であり、光電変換効率（η）は６．７％であった。

比較例３
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　スパッタ法によりＩＴＯ膜を１５０ｎｍの厚みで付けたガラス基板に、ＵＶオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射することで、表面処理を行った。次に、高分子化合物Ｃ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル、フロンティアカーボン社製）を、高分子化合物Ｃの重量に対するＣ６０ＰＣＢＭの重量比が２．５となるよう、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、インク４を製造した。インク４中、高分子化合物Ｃの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量との合計は、インク４の重量に対して１．７５重量％であった。該インク４を用い、スピンコートによりガラス基板のＩＴＯ膜上に塗布して、高分子化合物Ｃ及びＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜を作製した。該有機膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。該有機膜の光吸収末端波長を測定したところ、７４０ｎｍであった。その後、該有機膜上に、スピンコートによりチタン（ＩＶ）イソプロポキシドを含む液（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を塗布して酸化チタン膜を形成した。次いで、該酸化チタン膜上にＡｌを厚さ約１００ｎｍで蒸着し、有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラーシミュレーター（分光計器製、商品名ＣＥＰ−２０００：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクター（曲線因子）を求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は９．９ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は１．０９Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター）は０．６０であり、光電変換効率（η）は６．５％であった。

比較例４
（有機薄膜太陽電池の作製及び評価）
　比較例３において、高分子化合物Ｃの代わりに高分子化合物Ｄを用いた以外は同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクターを求めた。高分子化合物Ｄ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭを含む有機膜の光吸収末端波長は７４０ｎｍであった。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は９．８ｍＡ／ｃｍ^２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は１．０６Ｖであり、ＦＦ（フィルファクター（曲線因子））は０．５６であり、光電変換効率（η）は５．８％であった。

Claims

　第１の化合物と第２の化合物と第３の化合物とを含み、第１の化合物が式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第２の化合物が式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物であり、第３の化合物が第１の化合物及び第２の化合物とは異なる化合物である組成物。

〔式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ^１は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。Ｒ^５は、水素原子または置換基を表す。環Ｚ^１及び環Ｚ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。〕

〔式中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ^３及びＲ^４は、Ｒ^１及びＲ^２とは異なる。Ｙ^２は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す。Ｒ^５は、水素原子または置換基を表す。環Ｚ^３及び環Ｚ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭素環または置換基を有していてもよい複素環を表す。〕
　Ｙ^１及びＹ^２が、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子または−Ｎ（Ｒ^５）−を表す請求項１に記載の組成物。
　Ｒ^１及びＲ^２が、共に分岐状のアルキル基であるか、またはＲ^１及びＲ^２が、共に直鎖状のアルキル基である請求項１または２に記載の組成物。
　Ｒ^１及びＲ^２が、共に分岐状のアルキル基である請求項１または２に記載の組成物。
　Ｒ^３及びＲ^４が、共に分岐状のアルキル基であるか、またはＲ^３及びＲ^４が、共に直鎖状のアルキル基である請求項１~４のいずれか一項に記載の組成物。
　Ｒ^３及びＲ^４が、共に直鎖状のアルキル基である請求項１~４のいずれか一項に記載の組成物。
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の炭素原子数が、それぞれ独立に、１０~１５である請求項１~６のいずれか一項に記載の組成物。
　式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物と式（２）で表される構成単位を有する高分子化合物の少なくとも一方が、さらに、式（３）で表される構成単位を含む高分子化合物である請求項１~７のいずれか一項に記載の組成物。

〔式中、Ａｒ^１は、式（１）で表される構成単位及び式（２）で表される構成単位とは異なり、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基を表す。〕
　Ａｒ^１が、式（３−１）で表される構成単位、式（３−２）で表される構成単位、式（３−３）で表される構成単位、式（３−４）で表される構成単位、式（３−５）で表される構成単位、式（３−６）で表される構成単位、式（３−７）で表される構成単位または式（３−８）で表される構成単位である請求項８に記載の組成物。

〔式（３−１）~式（３−８）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７及びＲ^３８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４、Ｘ^２５、Ｘ^２６、Ｘ^２７、Ｘ^２８及びＸ^２９は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子またはセレン原子を表す。〕
　第３の化合物が、電子受容性化合物である請求項１~９のいずれか一項に記載の組成物。
　電子受容性化合物が、フラーレンまたはフラーレン誘導体である請求項１０に記載の組成物。
　請求項１~１１のいずれか一項に記載の組成物を含む薄膜。
　請求項１~１１のいずれか一項に記載の組成物と溶媒とを含む液。
　請求項１~１１のいずれか一項に記載の組成物を含む電子素子。
　第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に請求項１~１１のいずれか一項に記載の組成物を含有する有機光電変換素子。
　請求項１５に記載の有機光電変換素子を含む太陽電池モジュール。
　請求項１５に記載の有機光電変換素子を含むイメージセンサー。
　ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に請求項１~１１のいずれか一項に記載の組成物を含有する有機薄膜トランジスタ。