JP2013159724A - 高分子化合物及び該高分子化合物を用いた電子素子 - Google Patents
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Abstract
Description
有機薄膜太陽電池に用いられる高分子化合物としては、下記式(A)で表される構造単位及び下記式(B)で表される構造単位からなる高分子化合物が提案されている(特許文献1参照)。
[1] 下記式(1)で表される構造単位、下記式(2)で表される構造単位、及び下記式(3)で表される構造単位を含む高分子化合物。
[2] 前記式(1)で表される構造単位が、下記式(1z)で表される構造単位である、[1]に記載の高分子化合物。
[3] 前記式(2)で表される構造単位が、下記式(2−1)〜下記式(2−10)で表される構造単位である、[1]又は[2]に記載の高分子化合物。
[4] 前記式(2)で表される構造単位が、前記式(2−10)で表される構造単位である、[3]に記載の高分子化合物。
[5] 光吸収末端波長が700nm以上である、[1]〜[4]のいずれか1つに記載の高分子化合物。
[6] ポリスチレン換算の数平均分子量が3000以上である、[1]〜[5]のいずれか1つに記載の高分子化合物。
[7] [1]〜[6]のいずれか1つに記載の高分子化合物を含む薄膜。
[8] [1]〜[6]のいずれか1つに記載の高分子化合物と電子受容性化合物とを含む組成物。
[9] 前記電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である、[8]に記載の組成物。
[10] [8]又は[9]に記載の組成物を含む薄膜。
[11] [8]又は[9]に記載の組成物と溶媒とを含む溶液。
[12] 第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に[1]〜[6]のいずれか1つに記載の高分子化合物、又は、[8]若しくは[9]に記載の組成物を含有する、電子素子。
[13] 光電変換素子である[12]記載の電子素子。
[14] [12]又は[13]に記載の電子素子を含む太陽電池モジュール。
[15] [12]又は[13]に記載の電子素子を含むイメージセンサー。
[16] ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に[1]〜[6]のいずれか1つに記載の高分子化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ。
本発明の高分子化合物は、下記式(1)で表される構造単位と下記式(2)で表される構造単位と下記式(3)で表される構造単位とを含む。
「置換基を有していてもよい」の用語は、「置換されていてもよい」と言い換えてもよい。例えば、「置換基を有していてもよい2価の有機基」とは、2価の有機基中の水素原子のうちの一部又は全部が、置換基で置換されていてもよい2価の有機基のことをいい、「置換されていてもよい2価の有機基」と言い換えてもよい。また、例えば、「置換基を有していてもよい炭化水素基」とは、炭化水素基中の水素原子の一部又は全部が、置換基で置換されていてもよい炭化水素基のことをいい、「置換されていてもよい炭化水素基」と言い換えてもよい。
R11及びR12で表される、置換基を有していてもよい複素環チオ基としては、上記の置換基を有していてもよい複素環基に硫黄原子が結合した下記式(12)で表される基が挙げられる。
Q1及びQ2で表される、置換基を有していてもよい芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チオフェンオキシド環、ベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンオキシド環、チオフェンジオキシド環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チアゾール環、ピロール環、ベンゾピロール環、インドール環、ジベンゾピロール環、セレン環、ベンゾセレン環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾボロール環及びジベンゾボロール環が挙げられる。Q1及びQ2で表される、置換基を有していてもよい芳香族複素環は、チオフェン環、フラン環及びセレン環が好ましく、チオフェン環及びフラン環がより好ましく、チオフェン環がさらに好ましい。
高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性を高めることができるので、芳香族複素環は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基及び置換基を有していてもよいアリール基からなる群から選ばれる1種以上の置換基を有することが好ましい。
式(1001)〜式(1035)で表される構造単位が複数個のRを有する場合、複数個存在するRは同一であっても相異なっていてもよい。
ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素環基:
置換基を有していてもよいピリジン−ジイル基(例えば、下記式39〜式44で表される基)。
置換基を有していてもよいジアザフェニレン基(例えば、下記式45〜式48で表される基)。
置換基を有していてもよいキノリンジイル基(例えば、下記式49〜式63で表される基)。
置換基を有していてもよいキノキサリンジイル基(例えば、下記式64〜式68で表される基)。
置換基を有していてもよいアクリジンジイル基(例えば、下記式69〜式72で表される基)。
置換基を有していてもよいビピリジルジイル基(例えば、下記式73〜式75で表される基)。
置換基を有していてもよいフェナントロリンジイル基(例えば、下記式76〜式78で表される基)。
ヘテロ原子としてけい素、酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含み、フルオレン構造を有する基(例えば、下記式79〜式93で表される基)。
ヘテロ原子としてけい素、酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基(例えば、下記式94〜式98で表される基)。
ヘテロ原子としてけい素、酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環縮合複素基(例えば、下記式99〜式110で表される基)。
ヘテロ原子としてけい素、酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基のヘテロ原子のα位で結合して2量体、オリゴマーになっている基(例えば、下記式111〜式112で表される基)。
ヘテロ原子としてけい素、酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基(例えば、下記式113〜式119で表される基)。
ベンゼン環とチオフェン環が縮合した基(例えば、下記式120〜式122で表される基)。
R3a1及びR3a2は、水素原子及びハロゲン原子が好ましく、水素原子がより好ましい。
Q100−E1−Q200 (100)
〔式(100)中、E1は、式(1)で表される構造単位を表す。Q100及びQ200は、それぞれ独立に、ジヒドロキシボリル基(−B(OH)2)又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される1種類以上の化合物と、下記式(200):
T1−E2−T2 (200)
〔式(200)中、E2は、式(2)で表される構造単位を表す。T1及びT2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はスルホン酸残基を表す。〕
で表される化合物と、下記式(300):
T3−E3−T4 (300)
〔式(300)中、E3は、式(3)で表される構造単位を表す。T3及びT4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はスルホン酸残基を表す。〕
で表される化合物を、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。
塩基の添加量は、式(100)で表される化合物1モルに対して、通常、0.5モル〜100モルであり、好ましくは0.9モル〜20モルであり、さらに好ましくは1モル〜10モルである。
Q300−E1−Q400 (400)
で表される1種類以上の化合物と前記式(200)で表される1種類以上の化合物と前記式(300)で表される1種類以上の化合物とを、パラジウム触媒の存在下で反応させる工程を有する方法が挙げられる。
式(400)中、E1は、式(1)で表される構造単位を表す。Q300及びQ400は、それぞれ独立に、置換スタンニル基を表す。
本発明の高分子化合物は、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基又は複素環基と結合している構造であってもよい。
本発明における光吸収末端波長の数値は、具体的には以下の方法で求められた値によって表されている。
吸収波形(吸収スペクトル)全体の中で、一番長波長寄りの吸収ピーク点(極大値)の吸光度を100%とする。
第1の点と第2の点とを結ぶ直線を、第1基準線とする。
吸収波形全体の中で、一番長波長寄りの吸収ピーク点(極大値)の吸光度を100%とする。
第1基準線と第2基準線との交点における波長の値を、光吸収末端波長の値とする。
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と電子受容性化合物とを含む。本発明の組成物において、電子受容性化合物の割合が、本発明の高分子化合物100重量部に対して、10重量部〜1000重量部であることが好ましく、20重量部〜500重量部であることがより好ましい。
式(17)中、u3は0が好ましく、u4は1が好ましい。
本発明の薄膜(有機薄膜)の第1の態様は、本発明の高分子化合物を含む薄膜である。本発明の薄膜の第2の態様は、本発明の組成物を含む薄膜である。薄膜の厚さは、1nm〜100μmが好ましく、より好ましくは2nm〜1000nmであり、さらに好ましくは5nm〜500nmであり、より好ましくは20nm〜200nmである。
本発明の電子素子は、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に本発明の高分子化合物、又は、本発明の組成物を含有する。電子素子としては、例えば、光電変換素子、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。
本発明の光電変換素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極の間に、本発明の高分子化合物を含む1層以上の活性層を有する。
電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
活性層は、本発明の高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。活性層のホール輸送性を高めるため、電子供与性化合物及び/又は電子受容性化合物として、本発明の高分子化合物以外の化合物を活性層中に混合して用いることもできる。なお、活性層に含まれる本発明の高分子化合物が、電子供与性化合物であるか、又は電子受容性化合物であるかは、化合物のエネルギー準位から相対的に決定される。
光電変換素子の好ましい製造方法は、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有する光電変換素子の製造方法であって、該第1の電極上に本発明の高分子化合物と溶媒とを含む溶液又は本発明の組成物と溶媒とを含む溶液を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第2の電極を形成する工程を有する。
本発明の高分子化合物は、有機薄膜トランジスタにも用いることができる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層(活性層)と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられ、有機半導体層が上述した有機薄膜(薄膜)によって構成されるものである。このような有機薄膜トランジスタとしては、例えば、電界効果型、静電誘導型等が挙げられる。
特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層(活性層)に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本発明の高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。
本発明の高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)に用いることもできる。有機EL素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機EL素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。本発明の高分子化合物は、該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に含まれる。発光層中には、本発明の高分子化合物の他にも、電荷輸送材料(電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味する。)を含んでいてもよい。有機EL素子としては例えば、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子等が挙げられる。
本発明の高分子化合物を用いた光電変換素子は、透明又は半透明の電極側から太陽光等の光を入射させることにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
上述の有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素の制御、画面輝度の均一性制御、画面書き換え速度の制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成されており、セルの上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の高分子化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的、使用場所及び環境を考慮して、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
NMR測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、NMR装置(JEOL社製、Alpha FT−NMR)を用いて行った。
数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(島津製作所製、商品名:Prominence system)によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求めた。GPCの移動相にはクロロホルムを用いた。
(化合物3の合成)
下記式に示すとおり、化合物1及び化合物2を用いて化合物3を合成した。
(重合体Aの合成)
下記式で表される化合物3、化合物4及び化合物5を用いて重合体Aを合成した。
スパッタ法により100nmの厚さでITO膜を付けたガラス基板を、界面活性剤溶液、水、アセトン及び2−プロパノールをこの順に用いて超音波洗浄を行った。次に、重合体A及びフェニルC71−酪酸メチルエステル(C70PCBM)(phenyl C71−butyric acid methyl ester、Solenne社製)をクロロホルムとo−ジクロロベンゼンとの混合溶媒に溶解させて、インキ1を製造した。インキ1中、重合体Aの重量に対するC70PCBMの重量比は2であり、o−ジクロロベンゼンの体積に対するクロロホルムの体積比は4であった。また、インキ1の重量に対し、重合体Aの重量とC70PCBMの重量との合計は、1重量%であった。該インキ1をスピンコート法によりガラス基板上に塗布して、重合体Aを含む有機薄膜を作製した。該有機薄膜は活性層として機能する。有機薄膜の厚さは、約80nmであった。作製した有機薄膜の光吸収末端波長は1030nmであった。その後、有機薄膜上に真空蒸着機によりカルシウムを厚さ10nmで蒸着し、次いでアルミニウムを厚さ30nmで蒸着して、有機薄膜太陽電池を作製した。
(重合体Bの合成)
下記式で表される化合物4及び化合物5を用いて重合体Bを合成した。
実施例2において、重合体Aの代わりに重合体Bを用いた以外は同様にして、有機薄膜太陽電池の作製及び評価を行い、光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧及びフィルファクターを求めた。結果を表1に示す。Jsc(短絡電流密度)は10.1mA/cm2であり、Voc(開放端電圧)は0.80Vであり、ff(フィルファクター(曲線因子))は0.63であり、光電変換効率(η)は5.14%であった。
下記式で表される化合物6を用いて化合物7を合成した。
下記式で表される化合物7を用いて化合物8を合成した。
(重合体Cの合成)
下記式で表される化合物8及び化合物9を用いて重合体Cを合成した。
実施例2において、重合体Aの代わりに重合体Cを用いた以外は同様にして、有機薄膜太陽電池の作製及び評価を行い、光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧及びフィルファクターを求めた。結果を表1に示す。Jsc(短絡電流密度)は9.21mA/cm2であり、Voc(開放端電圧)は0.67Vであり、ff(フィルファクター(曲線因子))は0.40であり、光電変換効率(η)は2.49%であった。
Claims (16)
- 下記式(1)で表される構造単位、下記式(2)で表される構造単位、及び下記式(3)で表される構造単位を含む高分子化合物。
- 前記式(2)で表される構造単位が、前記式(2−10)で表される構造単位である、請求項3に記載の高分子化合物。
- 光吸収末端波長が700nm以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- ポリスチレン換算の数平均分子量が3000以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む薄膜。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物と電子受容性化合物とを含む組成物。
- 前記電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である、請求項8に記載の組成物。
- 請求項8又は9に記載の組成物を含む薄膜。
- 請求項8又は9に記載の組成物と溶媒とを含む溶液。
- 第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層に請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物、又は、請求項8若しくは9に記載の組成物を含有する、電子素子。
- 光電変換素子である請求項12記載の電子素子。
- 請求項12又は13に記載の電子素子を含む太陽電池モジュール。
- 請求項12又は13に記載の電子素子を含むイメージセンサー。
- ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する、有機薄膜トランジスタ。
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