JP6324914B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を備える半導体チップの上面図である。ここでは半導体装置の一例としてSiC−MOSFETを示す。当該MOSFETが搭載されるMOSFETチップ100の上面には、ソース電極101とゲート電極に接続するゲートパッド102が配設される。またMOSFETチップ100の外周部には、終端構造としてフィールドリミッティングリング103が設けられている。
MOSFETの中には、例えば過電流破壊保護のための過電流検出に使用する目的で、当該MOSFETを流れる電流を検出するための電流センスセルを備えたものがある。一般的に電流センスセルは、ゲートおよびドレインが通常のMOSFETセル(主MOSFETセル)と共通しており、MOSFETを流れる主電流の一部を分流させ、主電流に比例した微小電流を得るものである。
実施の形態1では、バリアメタル層9がTiの場合において、バリアメタル層9の厚みが30nmの場合と75nmの場合で行ったHTGB試験の結果(図4)から、その厚さを60nm以上とすればしきい値電圧低下を概ね0.2V以内にできることを導き出した。
実施の形態1〜3では、Alの拡散を抑制するバリアメタル層9をTiまたはTiNとしたが、TiSiを使用しても同様の効果を得ることができる。
実施の形態5では、バリアメタル層9をTiSi層とTi層から成る二層構造とする例を示す。
実施の形態6では、バリアメタル層9をTiN層とTi層から成る二層構造とする例を示す。
図14は、実施の形態7に係るMOSFETチップ100の上面図である。当該MOSFETチップ100は、チップの温度を検出する温度センサーとして、温度センスダイオード120を備えている。なお、MOSFETチップ100のMOSFETセル部およびゲートパッド部の構造は、実施の形態1(図2)と同様であるので、ここでの説明は省略する。また当該MOSFETチップ100は、実施の形態2の電流センスセル110をさらに備えていてもよい。
Claims (14)
- 炭化珪素半導体である半導体層と、
前記半導体層上に配設されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配設されたゲート電極と、
前記半導体層の上部に形成された不純物領域であるソース領域と、
前記ゲート電極上を覆う層間絶縁膜と、
前記ソース領域に接続すると共に前記層間絶縁膜の上方に形成され、アルミニウムを含むソース電極と、
前記ゲート電極に接続するゲートパッドと、
前記ソース電極下および前記ゲートパッド下に介在するとともに、前記ソース電極と前記層間絶縁膜との間において前記層間絶縁膜の上面から側面にかけて延在し、少なくともTiを含むバリアメタル層とを備え、
周囲温度が125℃で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に−20Vの電圧を印加し、試験時間が240時間のHTGBマイナス試験において、前記ゲート電極と前記ソース電極との間のしきい値電圧の初期値からの低下量が0.2V以内である
炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素半導体である半導体層と、
前記半導体層上に配設されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配設されたゲート電極と、
前記半導体層の上部に形成された不純物領域であるソース領域と、
前記ゲート電極上を覆う層間絶縁膜と、
前記ソース領域に接続すると共に前記層間絶縁膜の上方に形成され、アルミニウムを含むソース電極と、
前記ゲート電極に接続するゲートパッドと、
前記ソース電極下および前記ゲートパッド下に介在するとともに、前記ソース電極と前記層間絶縁膜との間において前記層間絶縁膜の上面から側面にかけて延在し、少なくともTiNを含むバリアメタル層とを備え、
周囲温度が125℃で前記ゲート電極と前記ソース電極との間に−20Vの電圧を印加し、試験時間が240時間のHTGBマイナス試験において、前記ゲート電極と前記ソース電極との間のしきい値電圧の初期値からの低下量が2V以内である
炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、前記ソース電極と前記ソース領域との間にも介在する、
請求項1または請求項2記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ソース電極と前記ソース領域との間には、シリサイド層が介在する、
請求項1または請求項2記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、前記ソース電極と前記シリサイド層との間にも介在する、
請求項4記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ソース電極と当該ソース電極の下の前記バリアメタル層とは、互いに同じパターン形状を有している、
請求項1から請求項5のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートパッドと当該ゲートパッドの下の前記バリアメタル層とは、互いに同じパターン形状を有している、
請求項1から請求項6のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、TiNを含む金属層である
請求項1または請求項3から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、厚さ40nm以上のTi層である
請求項1または請求項3から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、厚さ90nm以上のTiN層である
請求項1から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、厚さ130nm以上のTiSi層である
請求項1または請求項3から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、TiSi層およびTi層から成る二層構造である
請求項1または請求項3から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、TiN層およびTi層から成る二層構造である
請求項1から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記バリアメタル層は、TiSi層、TiN層、TiSi層とTi層との二層構造、およびTiN層とTi層との二層構造のいずれかである
請求項1または請求項3から請求項7のいずれか一項記載の炭化珪素半導体装置。
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